I Tema: Caractersticas Bsicas del Diodo Semiconductor (Silicio y

Germanio)
II Objetivos : Utilizar las caractersticas de operacin de los diodos
semiconductores
III Marco Terico:
Diodos
1) Clasificacin por su composicin Diodos de silicio La construccin de
un diodo de silicio comienza con silicio purificado. Cada lado del diodo se
implanta con impurezas (boro en el lado del nodo y arsnico o fsforo en
el lado del ctodo), y la articulacin donde las impurezas se unen se llama la
"unin PN". Los diodos de silicio tienen un voltaje de polarizacin directa de
0,7 voltios. Una vez que el diferencial de voltaje entre el nodo y el ctodo
alcanza los 0,7 voltios, el diodo empezar a conducir la corriente elctrica a
travs de su unin PN. Cuando el diferencial de voltaje cae a menos de 0,7
voltios, la unin PN detendr la conduccin de la corriente elctrica, y el
diodo dejar de funcionar como una va elctrica. Debido a que el silicio es
relativamente fcil y barato de obtener y procesar, los diodos de silicio son
ms frecuentes que los diodos de germanio.
Diodos de germanio Los diodos de germanio se fabrican de una manera
similar a los diodos de silicio. Los diodos de germanio tambin utilizan una
unin PN y se implantan con las mismas impurezas que los diodos de silicio.
Sin embargo los diodos de germanio, tienen una tensin de polarizacin
directa de 0,3 voltios. El germanio es un material poco comn que se
encuentra generalmente junto con depsitos de cobre, de plomo o de plata.
Debido a su rareza, el germanio es ms caro, por lo que los diodos de
germanio son ms difciles de encontrar (y a veces ms caros) que los
diodos de silicio.

Qu diodo debo usar?
Los diodos de germanio se utilizan mejor en circuitos elctricos de baja
potencia. Las polarizaciones de voltaje ms bajas resultan en prdidas de
potencia ms pequeas, lo que permite que el circuito sea ms eficiente
elctricamente. Los diodos de germanio tambin son apropiados para
circuitos de precisin, en donde las fluctuaciones de tensin deben
mantenerse a un mnimo. Sin embargo, los diodos de germanio se daan
ms fcilmente que los diodos de silicio. Los diodos de silicio son excelentes
diodos de propsito general y se pueden utilizar en casi todos los circuitos
elctricos que requieran de un diodo. Los diodos de silicio son ms
duraderos que los diodos de germanio y son mucho ms fciles de obtener.
Mientras que los diodos de germanio son apropiados para circuitos de
precisin, a menos que exista un requisito especfico para un diodo

degermanio, por lo general es preferible utilizar diodos de silicio cuando se
fabrique un circuito.

2) Tipos de diodos Diodo Zener: Al diodo Zener, tambin llamado diodo
regulador de tensin, podemos definirlo como un elemento semiconductor de
silicio que tiene la caracterstica de un diodo normal cuando trabaja en sentido
directo, es decir, en sentido de paso; pero en sentido inverso, y para una
corriente inversa superior a un determinado valor, presenta una tensin de
valor constante. Este fenmeno de tensin constante en el sentido inverso
convierte a los diodos de Zener en dispositivos excepcionalmente tiles para
obtener una tensin relativamente invisible a las variaciones de la tensin de
alimentacin, es decir, como dispositivos reguladores de tensin














Diodo Varactor (Varicap): Este diodo, tambin llamado diodo de capacidad variable,
es, en esencia, un diodo semiconductor cuya caracterstica principal es la de obtener
una capacidad que depende de la tensin inversa a l aplicada. Se usa especialmente
en los circuitos sintonizadores de televisin y los de receptores de radio en FM.
Diodo Tnel: Este diodo presenta una cualidad curiosa que se pone de manifiesto
rpidamente al observar su curva caracterstica, la cual se ve en el grfico. En lo que
respecta a la corriente en sentido de bloqueo se comporta como un diodo corriente,
pero en el sentido de paso ofrece unas variantes segn la tensin que se le somete. La
intensidad de la corriente crece con rapidez al principio con muy poco valor de tensin
hasta llegar a la cresta (C) desde donde, al recibir mayor tensin, se produce una
prdida de intensidad hasta D que vuelve a elevarse cuando se sobrepasa toda esta
zona del valor de la tensin


Fotodiodo: es un semiconductor construido con una unin PN, sensible a la
incidencia de la luz visible o infrarroja. Para que su funcionamiento sea
correcto se polariza inversamente, con lo que se producir una cierta
circulacin de corriente cuando sea excitado por la luz. Debido a su
construccin, los fotodiodos se comportan como clulas fotovoltaicas, es
decir, en ausencia de luz exterior generan una tensin muy pequea con el
positivo en el nodo y el negativo en el ctodo. Esta corriente presente en
ausencia de luz recibe el nombre de corriente de oscuridad. La funcin de
los fotodiodos dentro de un pick-up es la de recuperar la informacin
grabada en el surco hipottico del CD transformando la luz del haz lser
reflejada en el mismo en impulsos elctricos para ser procesados por el
sistema y obtener como resultado el audio o los datos grabados en el CD

Diodo Gunn: Este diodo tiene caractersticas muy diferentes a los
anteriores, ya que no es rectificador. Se trata de un generador de
microondas, formado por un semiconductor de dos terminales que utiliza el
llamado efecto Gunn. Cuando se aplica entre nodo y ctodo una tensin
continua de 7 V, de modo que el nodo sea positivo con respecto al ctodo,
la corriente que circula por el diodo es continua pero con unos impulsos
superpuestos de hiperfrecuencia que pueden ser utilizados para inducir
oscilaciones en una cavidad resonante. De hecho, la emisin de microondas
se produce cuando las zonas de campo elctrico elevado se desplazan del
nodo al ctodo y del ctodo al nodo en un constante viaje rapidsimo
entre ambas zonas, lo que determina la frecuencia en los impulsos

Estructura







3) tipos de polarizacin
Polarizacin directa Polarizar directamente es aplicar una tensin como se muestra en
la figura siguiente.








En este caso, la batera disminuye la barrera de potencial de la zona de carga espacial,
permitiendo el paso de la corriente de electrones a travs de la unin; es decir, el diodo
polarizado directamente conduce la electricidad.
Para que un diodo est polarizado directamente, se debe conectar el polo positivo de la
batera al nodo del diodo y el polo negativo al ctodo. En estas condiciones podemos
observar que:

El polo negativo de la batera repele los electrones libres del cristal n, con lo que estos
electrones se dirigen hacia la unin p-n.
El polo positivo de la batera atrae a los electrones de valencia del cristal p, esto es
equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la unin p-n.
Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batera es mayor que la
diferencia de potencial en la zona de carga espacial, los electrones libres del cristal n,
adquieren la energa suficiente para saltar a los huecos del cristal p, los cuales
previamente se han desplazado hacia la unin p-n.
Una vez que un electrn libre de la zona n salta a la zona p atravesando la zona de
carga espacial, cae en uno de los mltiples huecos de la zona p convirtindose en
electrn de valencia. Una vez ocurrido esto el electrn es atrado por el polo positivo
de la batera y se desplaza de tomo en tomo hasta llegar al final del cristal p, desde
el cual se introduce en el hilo conductor y llega hasta la batera.
De este modo, con la batera cediendo electrones libres a la zona n y atrayendo electrones de
valencia de la zona p, aparece a travs del diodo una corriente elctrica constante hasta el
final.


Polarizacin inversa
Polarizar en inversamente es aplicar una tensin como se muestra en la figura
siguiente]











En este caso, el polo negativo de la batera se conecta a la zona p y el polo positivo a la
zona n, lo que hace aumentar la zona de carga espacial, y la tensin en dicha zona
hasta que se alcanza el valor de la tensin de la batera, tal y como se explica a
continuacin:

El polo positivo de la batera atrae a los electrones libres de la zona n, los cuales
salen del cristal n y se introducen en el conductor dentro del cual se desplazan
hasta llegar a la batera. A medida que los electrones libres abandonan la zona
n, los tomos pentavalentes que antes eran neutros, al verse desprendidos de
su electrn en el orbital de conduccin, adquieren estabilidad y una carga
elctrica neta de +1, con lo que se convierten en iones positivos.
El polo negativo de la batera cede electrones libres a los tomos trivalentes de
la zona p. Recordemos que estos tomos slo tienen 3 electrones de valencia,
con lo que una vez que han formado los enlaces covalentes con los tomos de
silicio, tienen solamente 7 electrones de valencia, siendo el electrn que falta el
denominado hueco. El caso es que cuando los electrones libres cedidos por la
batera entran en la zona p, caen dentro de estos huecos con lo que los tomos

trivalentes adquieren estabilidad (8 electrones en su orbital de valencia) y una
carga elctrica neta de -1, convirtindose as en iones negativos.
Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial
adquiere el mismo potencial elctrico que la batera.
En esta situacin, el diodo no debera conducir la corriente; sin embargo, debido al
efecto de la temperatura se formarn pares electrn-hueco () a ambos lados de la
unin produciendo una pequea corriente (del orden de 1 A)
denominada corriente inversa de saturacin. Adems, existe tambin una
denominada corriente superficial de fugas la cual, como su propio nombre indica,
conduce una pequea corriente por la superficie del diodo; ya que en la superficie,
los tomos de silicio no estn rodeados de suficientes tomos para realizar los
cuatro enlaces covalentes necesarios para obtener estabilidad. Esto hace que los
tomos de la superficie del diodo, tanto de la zona n como de la p, tengan huecos
en su orbital de valencia con lo que los electrones circulan sin dificultad a travs de
ellos. No obstante, al igual que la corriente inversa de saturacin, la corriente
superficial de fuga es despreciable.
4) Funciones del diodo
A. Como rectificadores: Un diodo rectificador es uno de los dispositivos de la
familia de los diodos ms sencillos. El nombre diodo rectificador procede de su
aplicacin, la cual consiste en separar los ciclos positivos de una seal de
corriente alterna. Si se aplica al diodo una tensin de corriente alterna durante
los medios ciclos positivos, se polariza en forma directa; de esta manera,
permite el paso de la corriente elctrica. Pero durante los medios ciclos
negativos, el diodo se polariza de manera inversa; con ello, evita el paso de la
corriente en tal sentido .Durante la fabricacin de los diodos rectificadores , se
consideran tres factores: la frecuencia mxima en que realizan correctamente
su funcin, la corriente mxima en que pueden conducir en sentido directo y
las tensiones directa e inversa mximas que soportarn. Una de las aplicaciones
clsicas de los diodos rectificadores, es en las fuentes de alimentacin; aqu,
convierten una seal de corriente alterna en otra de corriente directa.
B. Como protector: Un circuito en donde convenga que la corriente circule
solamente en un sentido determinado, y nunca en sentido contrario, puede ser
protegido por la presencia de un diodo. En la imagen vemos un ejemplo en
donde se ha colocado un diodo entre un generador de corriente continua y la
batera. El diodo no deja pasar la corriente de la batera al generador an
cuando si lo hace desde el generador a la batera de modo que hace las veces
de un disyuntor sin contactos mviles ni degaste.

Como protector












5. Caractersticas de los diodos:

a. Tensin de umbral (Vv): Tensin a partir de la cual, el diodo en
polarizacin directa empieza a conducir.
Para Ge: Vv=0,2V Para Si: Vv=0,6V

b. Resistencia Directa (Rd): Resistencia que presenta el diodo en
polarizacin directa. De bajo valor (Rd <100 aproximadamente).

c. Resistencia Inversa (Ri): Resistencia que presenta el diodo en
polarizacin inversa. De alto valor (Ri > 1M aproximadamente).

d. Voltaje de pico inverso (Vpi): Mximo voltaje de polarizacin
inversa aplicable.

e. Corriente de polarizacin directa mxima (Idmx): Mxima
corriente de polarizacin directa que puede circular por el diodo.


















IV Materiales y Equipos
Una fuente de corriente continua variable











Un multmetro













Un miliampermetro y un microampermetro











Un diodo semiconductor de Silicio y uno de Germanio
Un Voltmetro de c.c






















Resistencias de 100
Cables y conectores (cocodrilo/banano)












V Procedimiento
1. Usando el ohmmetro, medir las resistencias directa e inversa del
diodo. Registrar los datos en la Tabla 1
2. Armar el circuito de la Figura 1
a) Ajustando el voltaje con el potencimetro, observar y medir la
corriente y el voltaje directo del diodo, registrar sus datos en la
Tabla 2 .
b) Invertir el diodo verificando al mismo tiempo la polaridad de los
instrumentos, proceder com en a), registrando los datos en la
Tabla 3.








Tabla 1 (Si)



Tabla 2


Tabla 3





c) Usando el ohmmetro, medir las resistencias directa e inversa del diodo
de Germanio. Registrar los datos en la Tabla 4.

Tabla 4 (Ge)



d) Repetir el circuito de la Figura 1 para el diodo de Germanio, de manera
similar al paso 2; proceder a llenar las Tablas 5 y 6.

R directa() R inversa ()
664 >>60M
Vcc(V) 0.5 0.55 0.6 0.68 0.72 0.9 1.22 1.56 1.76 1.98 2.3 2.8
Id(mA) 0.1 0.2 0.4 0.8 1.6 2.5 5.0 8.0 10.0 12.0 15.0 20.0
Vd(v.) 0.497 0.522 0.545 0.574 0.606 0.626 0.656 0.677 0.686 0.696 0.705 0.716
Vcc(V) 0.0 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0 12.0 15.0 20.0
Id(mA) 0.006 1.9767 3.922 5.868 7.86 9.84 11.8 14.7 19.68
Vd(v.) 0 0 0 0 0 0 0 0 0
R directa() R inversa ()
275 62,8 K

y = 9E-07e
23.575x
0
5
10
15
20
25
0 0.2 0.4 0.6 0.8
I
d
(
m
A
)
Vd(v.)
Id(mA) vs Vd
Series1
Exponencial (Series1)

Tabla 5



Tabla 6

VI Cuestionario Final
1 Construir el grafico Id = F(Vd) con los datos de las tablas 2 y 3. Los diodos de
silicio. Calcular la resistencia dinmica del diodo (usar papel milimetrado).



TABLA 2









Vcc(V) 0.16 0.2 0.27 0.35 0.38 0.6 0.94 1.3 1.52 1.75 2.1 2.64
Id(mA) 0.1 0.2 0.4 0.8 1.6 2.5 5.0 8.0 10.0 12.0 15.0 20.0
Vd(v.) 0.153 0.190 0.227 0.263 0.307 0.338 0.393 0.434 0.454 0.474 0.498 0.530
Vd(V) 0 0.15 2 2.5 3.25 4 4.5 5.025 68.5 8.5 9.5
Id(mA) 0 0.960 1.926 3.92 5.9 7.89 9.83 11.8 14.8 17.75 19.74

y = 0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
0 5 10 15 20
I
d
(
u
A
)
Vd(v)
Id(uA.) vs Vd
Series1
Lineal (Series1)
Tabla 2
Para el Diodo de silicio
Calcular la resistencia dinmica:

rd1
=
0.522 0.497
0.2 0.1

= 0.25
rd 2
=
0.545 0.522
0.4 0.2

= 0.115
rd 3
=
0.574 0.545
0.8 0.4

= 0.0725
rd 4
=
0.606 0.574
1.6 0.8

= 0.04
rd 5
=
0.626 0.606
2.5 1.6

= 0.0222
rd 6
=
0.656 0.626
5.0 2.5

= 0.012
rd 7
=
0.677 0.656
8.0 5.0

= 7x

rd 8
=
0.686 0.677
10.0 8.0

= 4.5x

rd 9
=
0.696 0.686
12.0 10.0

= 5x

rd10
=
0.705 0.696
15.0 12.0

= 3x

rd11
=
0.716 0.705
20.0 15.0

= 2.2x

TABLA 3











Id(mA) 0.1 0.2 0.4 0.8 1.6 2.5 5.0 8.0 10.0 12.0 15.0 20.0
Vd(v.) 0.497 0.522 0.545 0.574 0.606 0.626 0.656 0.677 0.686 0.696 0.705 0.716

y = 0.0163e
14.042x
0
5
10
15
20
25
30
0 0.2 0.4 0.6
I
d
(
m
A
)
Vd(v)
Id(mA) vs Vd(v)
Series1
Exponencial (Series1)
rd1
=
0 0
006 . 0 967 . 11

=
rd 2
=
0 0
967 . 1 922 . 3

=
rd 3
=
0 0
922 . 3 868 . 5

=
rd 4
=
0 0
868 . 5 86 . 7

=
rd 5
=
0 0
86 . 7 84 . 9

=
rd 6
=
0 0
84 . 9 8 . 11

=
rd 7
=
0 0
8 . 11 7 . 14

=
rd 8
=
0 0
7 . 14 68 . 19

=

2. Construir el grafico Id = F(Vd) con los datos de las tablas 5 y 6. Los diodos de
germanio. Calcular la resistencia dinmica del diodo (usar papel milimetrado).
La funcin se adapta a la escala logartmica ya que la funcin es exponencial.

TABLA 5




Tabla 5

Calcular la resistencia dinmica:

rd1
=
1 . 0 2 . 0
153 . 0 190 . 0

= 0.37
rd 2
=
2 . 0 4 . 0
190 . 0 227 . 0

= 0.185
rd 3
=
4 . 0 8 . 0
227 . 0 263 . 0

= 0.09
rd 4
=
8 . 0 6 . 1
263 . 0 307 . 0

= 0.055
rd 5
=
6 . 1 5 . 2
307 . 0 338 . 0

= 0.0344
rd 6
=
5 . 2 0 . 5
338 . 0 393 . 0

= 0.022
rd 7
=
0 . 5 0 . 8
393 . 0 434 . 0

= 0.0136
rd 8
=
0 . 8 0 . 10
434 . 0 454 . 0

= 0.01
rd 9
=
0 . 10 0 . 12
454 . 0 474 . 0

= 0.01
rd10
=
0 . 12 0 . 15
474 . 0 498 . 0

= 8x

rd11
=
0 . 15 0 . 20
498 . 0 530 . 0

= 6.4x

Tabla 6
Calcular la resistencia dinmica:

rd1
=
5 . 1
0 960 . 0
= 0.64
rd 2
=
5 . 1 2
960 . 0 926 . 1

= 1.932
rd 3
=
2 5 . 2
926 . 1 92 . 3

= 3.988
rd 4
=
5 . 2 25 . 3
92 . 3 9 . 5

= 2.64
rd 5
=
25 . 3 4
9 . 5 89 . 7

= 2.6533
rd 6
=
4 5 . 4
89 . 7 93 . 9

= 4.08
rd 7
=
5 . 4 025 . 5
83 . 9 8 . 11

= 3.7523
rd 8
=
025 . 5 5 . 6
8 . 11 8 . 14

= 2.0338
Id(mA) 0.1 0.2 0.4 0.8 1.6 2.5 5.0 8.0 10.0 12.0 15.0 20.0
Vd(v.) 0.153 0.190 0.227 0.263 0.307 0.338 0.393 0.434 0.454 0.474 0.498 0.530
Id(mA) 0 0.960 1.926 3.92 5.9 7.89 9.83 11.8 14.8 17.75 19.74
Vd(v.) 0 0.15 2 2.5 3.25 4 4.5 5.025 68.5 8.5 9.5

rd9
=
5 . 6 5 . 8
8 . 14 75 . 17

= 1.475
rd10
=
5 . 8 5 . 9
75 . 17 74 . 19

= 1.99


3. Interpretar los datos obtenidos en las tablas
En la tabla 1 se mide las resistencias que da el diodo de silicio en modo normal
y en modo inverso.
En la tabla 2 se hace que en el miliampermetro de una intensidad determinada
y se miden los datos del voltaje de la fuente y la del diodo, todo se anota en
esta tabla . Lo que nos muestra la tabla es que el diodo polarizado
directamente se comporta como un corto circuito.

En la tabla 3 se hace algo parecido a lo de la tabla 2 pero en lugar de poner una
corriente determinada ponemos un voltaje de fuente determinado y anotamos
todos los datos incluyendo el voltaje del diodo y la corriente del sistema.
Vemos que los valores de la corriente que pasa por el diodo polarizado
inversamente (Id) es pequea y casi nula, no obstante la corriente no se anula
por completo pero si se hace muy pequeo casi a nivel de A lo cual la hace
casi despreciable, por lo cual el diodo se comporta como un circuito abierto
.

En la tabla 4 se mide la resistencia del diodo de germanio en forma normal y en
forma inversa.

En la tabla 5 se hace lo mismo que se hizo en la tabla 2 pero con el diodo de
germanio. Lo que nos muestra el diodo de germanio polarizado directamente
es que se comporta como un corto circuito pues se comporta como un resistor
de baja resistencia
En la Tabla 6 para el diodo de Germanio polarizado inversamente
variamos con el ajuste fino el valor del voltaje de la fuente para obtener
el valor de Id y Vd del diodo.
Los valores que nos muestra la tabla 6 nos indica que el diodo de
germanio polarizado inversamente se comporta como un circuito abierto
pues lo valores de la corriente son muy pequeos.
.
4 Explicar los controles de operacin de la fuente dc utilizada.
La fuente Dc es una Fuente Bk precision que puede ser una fuente de corriente
o una fuente de voltaje.
Cuando trabaja como fuente de voltaje tiene 2 reguladores uno para determinar
el voltaje y el otro es para tener mas precisin al regularlo.
Cuando trabaja como fuente de corriente tiene un regulador de corriente y un
switch que cambia el rango del voltaje seleccionado.
Rango

Modelo 1730

Modelo 1710

High

0 a 3 A

0 a 1 A

Low

0 a 0.5 A

0 a 0.25 A


Tiene tres entradas:
Roja: Polaridad positiva
Negra: Polaridad negativa
Verde: Conexin a Tierra

Tiene 2 Medidores, uno de voltaje y otro de corriente.
En la parte posterior tiene la entrada para el cable de poder y un switch que cambia la
cantidad de voltaje de entrada de 110 o 220.


5. Exponer las conclusiones del experimento.

Se determina con la experimentacin que en forma normal los dos
diodos tienen una buena conductividad.
En forma inversa el diodo de silicio no conduce la corriente pero el
de germanio si la conduce.
En los 2 diodos la resistencia inversa es gigante, se llega a medir en
mega ohmios.
El dispositivo electrnico como el diodo es un elemento ms
importante de los elementos en un circuito elctrico y electrnico
que el hombre ha podido fabricar, pues no existe aparato elctrico
que no tenga dentro de sus componentes a este. Y aun ms
realiza diversas aplicaciones que lo hace vital en cualquier equipo
elctrico y/o electrnico
En el experimento observamos que el valor de tensin umbral
(barrera de potencial) que se puede apreciar en los grficos, para
el diodo de Silicio es mucho ms constante que en el caso del
diodo de Germanio, esta puede explicar por qu se usa con
mayor frecuencia el diodo de silicio
En cambio cuando se polariza inversamente (ctodo positivo,
nodo negativo) el diodo se comporta como un circuito abierto,
limitando el paso de la corriente a travs de l, debido a su alta
resistencia

VII Recomendaciones :

Debes tener cuidado al medir la corriente del sistema cuando el
diodo esta invertido ya que si la mides cuando estas midiendo el
voltaje del diodo va a marcar una intensidad de corriente en el
miliampermetro.
Tener cuidado con las conexiones porque sino puedes generar
una mala medicin por tanto las leyes con las cuales trabajas
pueden no cumplir y fallar en la experimentacin para
demostrarlo.


VIII Bibliografa

http://electronica-es-facil.blogspot.com/p/polarizacion-directa-del-
diodo.html
http://webs.uvigo.es/mdgomez/DEI/Guias/tema4.pdf
http://www.dav.sceu.frba.utn.edu.ar/homovidens/pablo_folino/ProyectoFina
l/RCD.htm
CIRCUITOS ELECTRICOS Dorf-Svoboda,
ta
5 edicin, Alfaomega grupo
editor, Mxico, 2003.

- TEORIA DE CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
Boylestad-Nashelsky, 8
va
edicin, Pearson educacin, Mxico, 2003.





















UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS

FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRONICA , ELECTRICA
Y DE TELECOMUNICACIONES


APELLIDOS Y NOMBRES N MATRICULA
Olivera Garayar Alejandro Manuel
Reao Prez Daniel Alexander
Marcos Uribe Jair Alexander
Gaviln Are Edwin Moiss
13190087
13190164
13190085
13190008
CURSO TEMA
Dispositivos Electrnicos
Caractersticas bsicas del diodo
semiconductor(Silicio y Germanio)
INFORME FECHA NOTA
Final REALIZACIN ENTREGA
NUMERO


27/01/2014


4/02/2014

3
GRUPO PROFESOR
G2 Luis Paretto Q.