TRABAJO COLABORATIVO UNIDAD 1

MICROELECTRONICA
299008
JULIO CESAR GARAY
COD 801417571
Trabaj !r"#"$%a& A
'AIBER ROBAYO
D(r")%r &" C*r#
UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA+ UNAD
ESCUELA DE CIENCIAS B,SICAS- TECNOLOG.A E INGENIER.A
INGENIER.A ELECTR/NICA
ABRIL DE 2012 + BOGOT,
'ABRICACION DE CIRCUITOS INTEGRADOS
En la actualidad la microelectrnica es de gran importancia ya que su desarrollo
ha generado ventajas e innovacin de equipos con menos robustez y con
disminucin de costos, para darnos mayor confiabilidad dado que estos
dispositivo presentan en su proceso de produccin menos mrgenes de erros ya
que se eliminan procesos de soldadura reduciendo notablemente la aparicin de
fallas para proporcionarnos igualdad de caractersticas. Podemos hallar algunas
definiciones o concepto que definen a microelectrnica como la aplicacin de la
ingeniera electrnica a componentes y circuitos de dimensiones muy peque!as,
microscpicas y hasta de nivel molecular para producir dispositivos y equipos
electrnicos de dimensiones reducidas pero altamente funcionales
"
.
Para ahondar un poco ms en este tema vamos a centralizarnos en la fabricacin
de circuitos integrados monolticos partiendo de su definicin que nace de las
races griegas #ono y ithico, es decir que estos circuitos son de una sola pieza
que es un monocristal de silicio la cual integra diversos componentes y su
fabricacin est fundamentada en la tecnologa planar que estn formadas de
capas de silicio que forma el cuerpo en el que se llevara a cabo la construccin
del circuito y tiene un funcin adicional que consiste en aislar los componentes,
para la elaboracin de estas capas se emplean los procesos epite$ial, difusin e
implantacin de iones respectivamente.
El proceso planar se llevan a cabo a partir de los procesos de %recimiento
epita$ial, difusin de impurezas, implantacin de iones, crecimiento del o$ido,
fotolitografia, grabado qumico y mentalizacin y de los cuales podemos definir los
siguientes conceptos&
%recimiento del cristal del 'ustrato& se forma un lingote de cristal tipo p
mediante le proceso de %zochrals(i )El m*todo consiste en tener un crisol
que contiene el semiconductor fundido, por ejemplo germanio. a
temperatura se controla para que est* justamente por encima del punto de
fusin y no empiece a solidificarse
+
,, este lingote se corta en obleas de
espesores apro$. de -.+mm en este sustrato se ubicaran los componentes.
1
[En lnea] Disponible http://es.wikipedia.org/wiki/Microelectr%C3%3nica.
!
[En lnea] Disponible http://es.wikipedia.org/wiki/"roceso#C$ochralski
%recimiento epita$ial, es este proceso fundamentalmente se hace crecer
una capa de silicio adicional a la ya e$istente en un reactor con un
temperatura entre los .-- y "---/% un horno y se aplican las impurezas P01
para el dopado tipo n o 2+03 para el dopado tipo p
4$idacin& El di$ido de silicio )'i4+, es atacado por 05 y las impurezas
empleadas para el dopado no penetran al)'i4+,, y en este proceso es donde
se puede obtener un dopado selectivo para zonas especificas del chip.
5otolitografa y ataque qumico, se suprimen zonas de 'i4+, mediante el
proceso de de foto corrosin, se aplica una emulsin foto sensible sobre la
cual ubicamos un negativo a manera de mascara para luego someterla a los
rayos uz 67, para luego ser sumergida en un solucin de acido
fluorhdrico que elimina el o$ido donde se depositara el dopante.
8ifusin& es este proceso se introducen impurezas de manera controlada a
"---/% por un lapso de " a + hora, como impurezas se emplean 0idruros
de 2oro, 9rs*nico y 5osforo. El tipo de difusin vara dependiendo el tipo de
8ispositivo ya sea un npn o pnp.
:mplantacin. 'egundo m*todo para introducir impurezas como 2oro para el
tipo p o 5osfor para el tipo n y la velocidad de penetracin se encuentra
determinada por la concentracin de iones dopantes y la energa de
aceleracin y se emplea para la obtencin de capas finas de silicio como la
regin de emisor de un 2;<, el canal de un #osfet, y la regin de puerta de
un ;5E<, y este es considerado como el principal procedimiento de la
fabricacin de %:.
#etalizacin& mediante este proceso se forman las intercone$iones de los
componentes y el chip.
En conclusin y luego de una breve descripcin de los proceso de fabricacin de
los %:, en este momento tras el desarrollo avanzado que ha tenido el silicio, se
est trabajando para desarrollar el 'ystem 4n %hip, donde se quiere integrar a
voluntad mdulos analgicos, de potencia, memoria y =5. 9ctualmente e$isten
muchas de estas plataformas en desarrollo para los altos niveles de frecuencia y
potencia e$istira una solucin que se llamara 'i>e2i%#4'. 8efinitivamente esta
tecnologa se ha desarrollado de manera tal que ya no ser problema tener un
ancho de banda de forma inalmbrica y soluciones integrales a bajo coste, aunque
no debemos dejar atrs el hecho que el silicio tiene sus lmites y solo puede llegar
hasta un punto especifico.
20 1LANTEAMIENTO DEL 1ROBLEMA
8ise!o y simulacin de un la compuerta ?@4= %#4' mediante el uso de la
herramienta #icroAind.
1 COM1UERTAS L/GICAS
6n computador digital, como su nombre lo indica, es un sistema digital que realiza
diversas operaciones de cmputo. a palabra 8igital implica que la informacin
que se representa en el computador por medio de variables que toman un nBmero
limitado de valores7iscretos o cuantizados. Estos valores son procesados
ntemamente por componentes que pueden mantener un nBmero limitado de
estados discretos. os dgitos decimales por ejemplo, proporcionan "- valores
discretos ) - .. . ,. %omo sabemos en la prctica, los computadores funcionan ms
confiablemente si slo utilizan dos estados equiprobables. 8ebido al hecho que los
componentes electrnicos atienden a dos estados ) encendido C apagado , y que
la lgica humana tiende a ser binaria ) esto es, cierto o falsa, si o no , se utiliza el
sistema binario y se dice que son binarias.
os computadores digitales utilizan el sistema de nBmeros binarios, que tiene dos
dgitos - y ". 6n dgito binario se denomina un bit. D a infonnacin est
representada en los computadores digitales en grupos de bits. 6tilizando diversas
t*cnicas de codificacin los grupos de bits pueden hacerse que representen no
solamente nBmeros binarios sino tambi*n otros smbolos discretos cualesquiera,
tales como dgitos decimales o letras de alfabeto. 6tilizando arreglos binarios y
diversas t*cnicas de codificacin, los dgitos binarios o grupos de bits pueden
utilizarse para desarrollar conjuntos completos de instrucciones para realizar
diversos tipos de clculos.
a informacin binaria se representa en un sistema digital por cantidades fsicas
denominadas se!ales, as se!ales el*ctricas tales como voltajes e$isten a trav*s
del sistema digital en cualquiera de dos valores reconocibles y representan un a
variable binaria igual a " o -. Por ejemplo, un sistema digital particular puede
emplear una se!al de 1 Evolts " para representar el binario F:F y -.G Evolts " para el
binario F-F. a siguiente ilustracin muestra un ejemplo de una se!al binaria.
%omo se muestra en la figura, cada valor binario tiene una desviacin aceptable
del valor nominal. a regin ntermedia entre las dos regiones permitidas se cruza
solamente durante la transicin de estado. os terminales de entrada de un
circuito digital aceptan se!ales binarias dentro de las tolerancias permitidas y los
circuitos responden en los terminales de salida con se!ales binarias que caen
dentro de las tolerancias permitidas.
a lgica binaria tiene que ver con variables binarias y con operaciones que toman
un sentido lgico. Es utilizada para escribir, en forma algebraica o tabular. a
manipulacin y. procesamiento de informacin binaria. a manipulacin de
informacin binaria se hace por circuitos lgico que se denominan %ompuertas.
as compuertas son bloques del hardAare que producen se!ales del binario " -
cuando se satisfacen los requisitos de entrada lgica. as diversas compuertas
lgicas se encuentran comBnmente en sistemas de computadores digitales. %ada
compuerta tiene un smbolo grfico diferente y su operacin puede describirse por
medio de una funcin algebraica. as relaciones entrada H salida de las variables
binarias para cada compuerta pueden representarse en forma tabular en una tabla
de verdad.
%ompuerta @4=&
a compuerta @4= es el complemento de la compuerta 4= y utiliza un smbolo
grfico 4= seguido de un crculo peque!o. <anto las compuertas @9@8 como
la @4= pueden tener ms de dos entradas, y la salida es siempre el complemento
de las funciones 9@8 u 4=, respectivamente.
2010 SIMULACION EN DSC2 20
Esta aplicacin consta de un editor lgico, basado en una captura de esquemas, y
un simulador. Est orientado a la validacin del circuito lgico antes de pasar a la
fase de sntesis de microelectrnica.
Proporciona un entorno sencillo para el dise!o lgico jerrquico y simulacin de
anlisis en retardo, todo lo cual permite el dise!o y la validacin de estructuras
lgicas complejas. 6na caracterstica muy importante es la posibilidad de estimar
el consumo de potencia del circuito lgico que puede tomar como entrada la
aplicacin #icroAind + para crear el ayout.
El entorno grafico 8sch es muy sencillo. %onsta de una barra de menB, una barra
de herramientas con las tareas ms comunes y la superficie de edicin.
2020 D"#arr33 &"3 E#4*"5a "$ DSC2.
Micro%ind & D'C(
) Micro%ind es *na herra+ienta para dise,o & si+*laci-n de circ*itos
a ni.el de dise,o. /a herra+ienta c*enta con instalaciones co+pletas de
edici-n
0copiar1 cortar1 pasado1 d*plicar1 +o.er21 p*ntos de .ista di3erentes 0M4'
caractersticas1 la secci-n trans.ersal !D1 .isor de procesos 3D21
& *n si+*lador anal-gico.
) D'C( es *n so3tware para el dise,o de la l-gica. asado en las
pri+iti.as1
*n circ*ito 5er6r7*ico p*ede ser constr*ido & si+*lado. ta+bi8n
incl*&e retardo & la e.al*aci-n del cons*+o de energa.
) El silicio es para la .is*ali$aci-n en 3D de la estr*ct*ra at-+ica
de silicio1
con 8n3asis en la estr*ct*ra cristalina del silicio1 los agentes de
dopado1 & el
di-9ido de silicio.
Par crear el fichero vamos a 5ileI@eA
uego en la 'imbol ibrary, seleccionamos los objetos que vamos a utilizar
:bri+os el Editor en Micro%ind 0D'C(32. (ace+os clic en el s+bolo
transistor en la librera de s+bolos al lado derecho
<omamos una instancia de @#4' transistores P#4' de la librera de smbolos y
lo colocamos en la ventana del editor
<omamos dos transistores @#4' y dos P#4'
Conecta+os los Drains & 3*entes de los transistores de la 3or+a 7*e aparece e+
la i+agen

Conecta+os ;dd and <=D en el es7*e+a 7*e he+os creado.
Conecta+os el bot-n & el indicador led
:hora tene+os listo n*estro es7*e+a para si+*lar el
co+porta+iento de *na co+p*erta =4>
Procedemos a realizar la correspondiente
simulacin, damos clic( en 'imulate JK start
simulation
8amos clic( en el botyon para poner un " o un -. El
color rojo en el sAitch indica un "
Entradas en -H-
Entradas en -H"
Entradas en "H-
Entradas en "H"
a simulacin de salidas puede observada
concomo una forma de onda despu*s de la
aplicacin de las entradas de las anteriores
imgenes, hacemos clic( en el icono de diagrama
de tiempos en el menB, para ver el diagrama de
tiempo de entrada y las formas de onda en la
salida, all podremos evidenciar el comportamiento
de acorde a la tabla de verdad correspondiente a la
compuerta @4=
'imulamos nuestro sistema calculando
manualmente los tama!os del transistor
0acemos clic en 9rchivo HK %rear 7erilog
9rchivo. El 7erilog,
;erarqua y @etlist
9parece la ventana. Esta ventana nos muestra el verilog
representacin de la compuerta @4=. 0acemos clic en 9ceptar para guardar el
7erilog como un archivo. <$t.
9brimos el editor de dise!o
ventana en #icroLind.
0acemos clic en 9rchivo HK 'eleccionar
5oundry y ?.rul de seleccin.
0aga clic en %ompile HK
%ompilar archivo 7erilog. 9brimos una ventana
2010 SIMULACION EN MICRO6IND0
>uardamos el archivo ?nor.#'M. del Programa 8'%0 y proseguimos a llamarlo
con #icroAind & 5ile J 4pen H ?nor.#'M
8espu*s de seleccionar el archivo. <$t, aparece una nueva ventana
archivo llamado 7erilog.
0acemos clic a la derecha menBs superiores. 9ll nos muestra
los tama!os @#4' y P#4'. Establecemos los tama!os de acuerdo a nuestra
eleccin.
0acemos clic en %ompilar y luego de vuelta a la ventana en el
editor en el 9rchivo de 7erilog,esto nos crea el layout en la ventana layout editor
usada automticamente para la generacin de la misma
9dicionamos un capacitor a la salida de nuestro dise!o, el valor del capacitor es
de -.-"G p5
0acemos clic en la etiqueta marcada :n". 9 9parece la ventana. 0acemos clic en
el Pulso opcin en la ventana. :nsertar una secuencia de -" para que especfico
de entrada y haga clic en :nsertar. Entonces haga clic en 9signar. leve a cabo
esta asignacin en las otras entradas.
0acemos clic en 'imulacin H 'imulacinK Ejecutar.6na ventana de simulacin
nos aparece con entradas y una salida, muestra el tplh tphl, y tp del circuito. a
potencia consumo tambi*n se muestra en la parte inferior derecha de la ventana.
8ise!amos el layout manualmente, abrimos la ventana editor la&o*t in #icroAind
Click ?ile @A 'elect ?o*ndr& and select B.r*l
%arriles 7dd y >@8 son de #etal".
a barra superior se utiliza como 7dd y la parte inferior una como >@8.
0aga clic en " en metal la paleta y luego crear el rectngulo requerida en el
dise!o de la ventana.
El siguiente paso es construir los transistores @#4'.
0aga clic en el transistor smbolo en la paleta. Establecer la L, del transistor
uego haga clic en >enerar dispositivo. a fuente del transistor est conectado
al >@8.
%rear otro @#4' y coloca en paralelo a la primera
@#4' dispositivo. %ompartimos los dos dispositivos de difusiones de drenaje. 9
=epBblica 8emocrtica del %ongo de verificacin puede ser ejecutado dando
clic( en 9nalysis HK 8esign =ule %hec(er.
El siguiente paso es colocar dos transistores P#4' en serie.
%oloque el transistor P#4' sobre disposicin cerca de la barandilla 7dd en el
la parte superior. Para la construccin de dos P#4' transistores en
serie, son difusiones desplazado a un lado y otro poli lnea se a!ade
como segundo transistor.
a difusin es compartida para ahorrar rea y reducir la capacitancia.
El siguiente paso es conectar las entradas y las salidas de los dos
transistores.
El siguiente paso es conectar el poli a metal" y luego a metal+. El primer
smbolo en la primera fila de la paleta es que el contacto polietileno metal"
uego se conecta el metal" metal+ de contacto al contacto anterior.
Este es el cuarto en contacto la primera fila.
El siguiente paso es conectar la salida #etal" de #etal+. 6na vez
ms utilizar el cuarto contacto en la primera fila.
9hora nos conectamos metal+ a las dos entradas y una salida y llevarlos a la parte
superior para salir de la celda.
N 4bservamos las dos entradas )izquierda y derecha, y una salida )centro, por
encima del ral 7dd de color azul oscuro.
9hora etiquetar las entradas y una salida como :n", :n+ y por fuera.
0acer clic( en 9gregar un smbolo del pulso en la paleta )G O de la
derecha en la fila 1 P,. 9 continuacin, hacemos clic en el metal+ de uno de las
entradas. 9parecer una ventana. %ambiar el nombre de la entrada
se!al. :nsertamos un -" y hagemos clic (en :nsertar. El clic(
en 9signar. 8e manera similar asignar la entrada segundo un pulso.

'eleccionamos 7dd alimentacin y masa de la paleta )tercera fila,. <ambi*n, haga clic( en
el condensador )1 O en + P fila, y el smbolo de a!adir a la salida. Por otra parte, e$tender
el pAell en el pin 7dd. El hacer clic en Editar
HK >enerar HK %ontactos. 'eleccione P9<0
y luego en metal y elegir #etal" @ Q polarizacin.
Para ejecutar la simulacin de su circuito, hacemos clic( on
'imulate. 8ependiendo de la entrada secuencias asignadas a la entrada
la salida se observa en el simulacin. El valor de la potencia es tambi*n
dado.