2

do
Semestre 2013
Gua 3: Transistores
1) En los circuitos de la Fig. 1:
a) Cul es el h
fe
mnimo que deben tener los transistores para activar el rel?
b) Obtenga las grcas para i
c
, y v
c
asumiendo que la constante de tiempo de la impedancia del rel es =T/20.
Suponga v
ce_sat
=0[V], |v
be
|=0.7[V] y un diodo ideal.
Fig. 1.
2) Para cada circuito de la Fig. 2, determine el valor de R tal que el transistor se encuentre al borde de la saturacin
y el valor de la corriente i
c
. Indique si la resistencia calculada es el valor mximo o mnimo para que el transistor
entre en saturacin. Suponga v
ce_sat
=0.2 [V], v
be
=0.7[V], h
fe
=100.
Fig. 2.
3) Para el circuito de la Fig. 3, dibuje la forma de onda de v
c
, asumiendo que el voltaje inicial del condensador es v
c
=0.
Cul debera ser el valor de la resistencia de 50k para que T1 nunca se sature?
Fig. 3.
PLI V1.2 1
2
do
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4) En base al circuito de la Fig. 5(a) determine:
a) El valor (o rango de valores) para R
b
tal que ambos transistores, cuando conduzcan, operen en Zona Lineal.
Considere R
3
, es decir, un circuito abierto.
b) La forma de onda de v
o
si R
b
=200k y R
3
=250. Para esto utilice las formas de onda provistas en la Fig. 5(b).
Seale claramente la(s) magnitud(es).
Fig. 4. (a) Circuito para el problema 5; (b) Formas de onda para el problema 5.b).
5) En base al circuito de la Fig. 5, determine la forma de onda de i
b
, i
c2
y v
c
para el rango 0 t 1.2[s]. Determine el
estado de conduccin de los transistores T
1
y T
2
durante dicho intervalo de tiempo. Considere que el voltaje inicial
del condensador es v
c
(0) = 0[V].
Fig. 5.
PLI V1.2 2
2
do
Semestre 2013
6) Para el circuito de la Fig. 6, determine el valor de R
c
y el rango dentro del cual se puede mover la impedancia
(principalmente resistiva) de lnea Z
l
, tal que el voltaje de salida v
o
sea 3.3[V].
Fig. 6.
7) Para el circuito de la Fig. 7 determine la forma de onda de la seal v
o
(t).
Fig. 7. Circuito para el problema 7.
8) Qu funcin lgica realiza el circuito de la Fig. 8? (considere 5[V] como un "1" lgico y un voltaje menor a 2[V]
como un "0")
Fig. 8.
PLI V1.2 3
2
do
Semestre 2013
9) Para el circuito de la Fig. 9 determine los valores de v
o1
y v
o2
para todas las combinaciones de v
a
, v
b
y v
c
si
v
x
{0, 5V }, x {a, b, c}.
5V
5V
5V 5V
15kW
15kW
15kW
250W
5V
15kW
5V
15kW
v
a
v
b
v
c
h
fe
= 50
v
be
= 0,7V
v
ce sat _
= 0,2V
v
o1
v
o2
5V
15kW
v
ak
= 0,7V
Fig. 9. Circuito para el problema 9
10) Para el circuito de la Fig. 10 determine:
a) El valor de R
b
para obtener la Mxima Seal Simtrica en v
o
(t).
b) Determine la eciencia del circuito si v
s
= 9 sin(t).
c) Determine la eciencia del circuito si v
s
= 3 sin(t).
d) La forma de onda de v
o
(t) si se utiliza una resistencia de la mitad del valor de la calculada en el punto 10a y
v
s
= 9 sin(t).
Fig. 10.
11) De acuerdo con el circuito de la Fig. 11, determine:
a) La magnitud de la mxima seal simtrica que se puede obtener.
b) La eciencia mxima que se puede obtener del circuito. Considere v
ce_sat
= v
be
= 0.
c) R
b
y R
l
tal que v
o
sea 3 veces v
s
= 3 sin(t) y la corriente por la base no sobrepase los 20[mA]. Considere
v
ce_sat
= v
be
= 0, h
fe
=100.
d) La eciencia para las condiciones de operacin del punto c).
Fig. 11.
PLI V1.2 4