TI POS DE MEMORI A

Memoria RAM
Definicin
Memoria de lectura aleatoria (Read Aleatory
Memory)
Almacenar datos e instrucciones de manera temporal
(que pierde los datos almacenados una vez apagado
el equipo)
Muy alta velocidad para realizar la transmisin de la
informacin
Depende de la capacidad de la memoria RAM el
numero de programas en ejecucin sin
inconvenientes.
La velocidad con la que se envan los datos hacia el
procesador se expresan en Hertzios.
Dos tipos bsicos:
DRAM: RAM Dinamica
Mayor capacidad y densidad
Menor consumo de potencia
Velocidad de acceso baja
SRAM: RAM Estatica
Velocidad de acceso alta
Menor capacidad
Mayor costo por bit y mayor consumo de potencia
Tipos
VRAM
SIMM
DIMM
DIP
RAM
DISK
RAM
CACH

SRAM
DRAM
SDRA
M
FPM
EDO
PB
SRAM
VRAM Video RAM
Propsito especial: adaptadores de video
Mejor rendimiento grafico
Acceso dos dispositivos simultneamente:
Monitor: actualizaciones de pantalla
Procesador grafico: suministrar nuevos datos
SIMM - Single In line Memory Module
Tipo de encapsulado de ciruito impreso que
almacena chips de memoria.
Fciles de instalar
Formato:72 contactos y almacena hasta 64
megabytes de RAM
Ordenadores antiguos

DIMM- Dual In Line Memory Module
Tipo encapsulado de circuito impreso que almacena
chips de memoria que se inserta en un scalo DIMM
Usa un conector de 168 contactos.
Ordenadores
modernos, pueden
transmitir 64 hasta
72 bits.
DIP - Dual In Line Package
Un tipo de encapsulado consistente en almacenar un
chip de memoria en una caja rectangular con dos
filas de pines de conexin en cada lado.

RAM DISK
Simular un disco duro
Mil veces ms rpido que el disco duro
Aplicaciones que precisan frecuentes accesos a disco
Pierde contenido cuando se apaga la pc
Copiar ficheros desde disco real al inicio de sesin y
al apagarlos.
Memoria Cach o RAM Cach
Sistema de almacenamiento de alta velocidad
Dos tipos de cach:
memoria cach: parte de memoria RAM esttica de alta
velocidad, ms lenta y barata RAM dinmica
cach de disco: mejorar el rendimiento de las aplicaciones,
acceder a un byte de datos de RAM es mil veces ms rpido
SRAM: Static RAM
Ms rpida y fiable que la ms comn DRAM
Necesita ser refrescada menos veces que la RAM
dinmica.
Tiempos de acceso del orden de 10 a 30
nanosegundos, mientras que las RAM dinmicas
estn por encima de 30.
Las RAM precisan ms espacio y usan ms energa,
debido a su alta velocidad

DRAM-Dynamic RAM
Gran capacidad pero precisa ser constantemente
refrescada (re-energizada) o perdera su contenido.
Usa un transistor y un condensador para representar
un bit los condensadores debe de ser energizados
cientos de veces por segundos.
SDRAM - Synchronous DRAM
Es casi un 20% ms rpida que la RAM EDO.
Entrelaza dos o ms matrices de memoria interna:
mientras que se est accediendo a una matriz,
la siguiente se est preparando para el acceso.
DDR SDRAM o SDRAM II:
Ms rpida: leer y escribir datos a dos veces la velocidad bus
Conocido como
Double Data Rate DRAM
FPM - Fast Page Mode
Memoria en modo paginado, el diseo ms comn
de chips de RAM dinmica.
El acceso a los bits se realiza por medio de
coordenadas: fila y columna.
La fila se selecciona solo una vez para todas las
columnas (bits) dentro de la fila, dando como
resultado un rpido acceso.
EDO - Extended Data Output
Un tipo de chip de RAM dinmica que mejora el
rendimiento del modo de memoria Fast Page alrededor
de un 10%.
Puede ser substituida por chips de modo Fast Page.
Elimina los estados de espera manteniendo activo el
buffer de salida hasta que comienza el prximo ciclo.


BEDO (Burst EDO): ms rpido de EDO que mejora la
velocidad usando un contador de direccin para las
siguientes direcciones y un estado 'pipeline' que
solapa las operaciones

PB SRAM - Pipeline Burst SRAM
Pipeline: categora de tcnicas que proporcionan
un proceso simultneo, y se refiere a las operaciones
de solapamiento moviendo datos o instrucciones en
una 'tubera' conceptual con todas las fases del 'pipe'
procesando simultneamente.
Por ejemplo, mientras una instruccin se est
ejecutando, la computadora est decodificando la
siguiente instruccin.
Velocidades de entre 4 y 8 nanosegundos.

Mdulos de memoria RAM.
SDR: 168 contactos: 1 bite por ciclo de
reloj
DDR: 168 contactos: 3 bites por ciclo
de reloj (velocidad: 200 a 600 MHZ).
DDR2: 240 contactos: 4 bites por ciclo
de reloj (velocidad: 400 a 800 MHZ).
DDR3: 240 contactos: 8 bites por ciclo
de reloj.


DDR (Double Data Race): Doble tasa de datos, la memoria es capaz
de procesar el doble de datos por cada ciclo de reloj

Gracias