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Repblica Bolivariana de Venezuela

Ministerio del Poder Popular para la Defensa


Universidad Nacional Experimental Politcnica
De La Fuerza Armada Bolivariana
Ncleo-Maracay




Circuito Sensible a la Luz



Profesora: Integrantes:
Alicia De Sousa Diego Tern CI: 20.897.212
Rosanglica Diaz CI:





Junio 2014
Marco Terico

Fotorresistencia: Una fotorresistencia o resistor dependiente de la luz es una resistencia
cuyo valor disminuye con el aumento de la intensidad de la luz incidente, es decir,
presenta fotoconductividad.
Un fotorresistor est hecho de un semiconductor de alta resistencia. Si la luz que
incide en el dispositivo es de frecuencia lo suficientemente alta, los fotones absorbidos
por el semiconductor dar electrones ligados energa suficiente para saltar a la banda de
conduccin. La resultante de electrones libres conducen la electricidad, lo que reduce la
resistencia.


Transistor (BC547): Es un transistor bipolar, compuesto por silicio, con una corriente
mxima de colector de 0.6, y en su composicin posee una placa de semiconductor con 3
regiones consecutivas de diferente conductibilidad elctrica los cuales forman 2 uniones
N-P-N, las dos regiones extremas tienen un mismo tipo de conductibilidad, pero la
intermedia posee una conductibilidad de otro tipo, estas son llamadas, emisor, colector y
base. Son mayormente usados en amplificadores de audio, fuentes de voltaje, como
diferenciales y complementarios en amplificadores.



LDR: Es una fotorresistencia cuyo valor resistivo vara en funcin de la luz, el valor de la
resistencia elctrica de este componente es bajo cuando hay luz incidiendo en l, llegando
a un valor ms o menos estndar que es entre los 50 y cuando est a oscuras varios M
dependiendo de su valor resistivo. La variacin del valor de la resistencia tiene cierto
retardo, diferente si se pasa de oscuro a iluminado o de iluminado a oscuro. Esto limita a
no usar los LDR en aplicaciones en las que la seal luminosa vara con rapidez. El tiempo
de respuesta tpico de un LDR est en el orden de una dcima de segundo. Esta lentitud da
ventaja en algunas aplicaciones, ya que se filtran variaciones rpidas de iluminacin que
podran hacer inestable un sensor.




Materiales Utilizados:
Resistencias: 1k, 2.2k , 330 ohm.
1 diodo led.
2 transistores BC547.
1 fotorresistencia.
1 fuente de voltaje.
Protoboard.




SIMULACIN
El siguiente circuito fue simulado en proteus.
CIRCUITO: Fotorreceptor sensible a la Oscuridad.



Este circuito funciona de la siguiente manera:
En el instante en el que la fotorresistencia (LDR) percibe ausencia de luz o lo que se
conoce como oscuridad, el LED conectado al colector del segundo Transistor enciende, y
en el caso inverso en el momento en el que la LDR se ilumina su resistencia es menor y el
led no enciende. Este sistema fue diseado segn los principios bsicos de los transistores
bipolares NPN, los valores de resistencias son simplemente valores agregados para no
daar los elementos electrnicos que yacen en el sistema, es decir, la sensibilidad el LDR,
y regular la tensin de los transistores para no sobrecargarlos o saturarlos con una tensin
superior a la que estos elementos estn diseados para su funcionamiento ptimo.
Conclusin

El comportamiento de los dispositivos detectores de luz se basa en la respuesta de
stos cuando incide radiacin sobre el material semiconductor que los constituye. Al
incidir esta radiacin, los electrones de la banda de valencia del semiconductor adquieren
suficiente energa para poder ser excitados hacia la banda de conduccin, superando el
gap de energa que existe entre las dos bandas. De esa forma se genera un hueco en la
banda de valencia y un electrn en la banda de conduccin. Para que esto ocurra la
energa del fotn debe ser mayor o igual a la energa del gap. La respuesta espectral,
mxima longitud de onda que el semiconductor puede absorber, depender del gap de
energa y como el gap es distinto para cada semiconductor, dependiendo del material
semiconductor utilizado.

La resistencia de una fotorresistencia disminuye al aumentar la intensidad
luminosa.




























LDR: Es una fotorresistencia cuyo valor resistivo vara en funcin de la luz, el valor de la
resistencia elctrica de este componente es bajo cuando hay luz incidiendo en l llegando a
un valor ms o menos estndar que es entre los 50 y cuando est a oscuras varios M
dependiendo de su valor resistivo. La variacin del valor de la resistencia tiene cierto
retardo, diferente si se pasa de oscuro a iluminado o de iluminado a oscuro. Esto limita a no
usar los LDR en aplicaciones en las que la seal luminosa vara con rapidez. El tiempo de
respuesta tpico de un LDR est en el orden de una dcima de segundo. Esta lentitud da
ventaja en algunas aplicaciones, ya que se filtran variaciones rpidas de iluminacin que
podran hacer inestable un sensor.






Transistor (BC547): Es un transistor bipolar, compuesto por silicio, con una corriente
mxima de colector de 0.6, y en su composicin posee una placa de semiconductor con 3
regiones consecutivas de diferente conductibilidad elctrica los cuales forman 2 uniones N-
P-N, las dos regiones extremas tienen un mismo tipo de conductibilidad, pero la intermedia
posee una conductibilidad de otro tipo, estas son llamadas, emisor, colector y base. Son
mayormente usados en amplificadores de audio, fuentes de voltaje, como diferenciales y
complementarios en amplificadores, aunque nosotros en lo particular lo utilizaremos con un
filtro de tensin para encender o apagar una luz visible (LED).





SIMULACIN

CIRCUITO: Fotoreceptor sensible a la Oscuridad.



En el instante en el que el LDR percibe ausencia de luz o lo que se conoce como
oscuridad, el LED conectado al colector de segundo Transistor enciende, este sistema fue
diseado segn los principios bsicos de los transistores bipolares NPN, los valores de
resistencias son simplemente valores agregados para no daar los elementos electrnicos
que yacen en el sistema, es decir, la sensibilidad el LDR, y regular la tensin de los
transistores para no sobrecargarlos o saturarlos con una tensin superior a la que estos
elementos estn diseados para su funcionamiento ptimo.

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