1-Fisica Del Estado Solido

Electrnica analgica.
Fsica del Estado Slido

1- Fsica del Estado slido
1.1 Repaso de la teora atmica elemental
Sabemos que el tomo se compone en su ncleo de Protones y Neutrones;
y en posiciones orbitales de electrones (Fig. 1.1-2! que
equilibran al tomo el"ctricamente respecto de los protones.
#as posiciones orbitales de los electrones no son cualquiera!
ni los electrones se sitan en ellas indiscriminadamente! si no
que e$isten unas leyes %&sicas que lo rigen.
'l Principio de exclusin de Pauli postul( que)
a #os electrones no pueden poseer ms que ciertas cantidades de
energa permitidas.
'sto nos *ace suponer dos cosas)
- +ue los electrones no pueden mo,erse ms que en
unos ni,eles determinados de energ&a. #o que supone
la determinaci(n de las (rbitas electr(nicas
utili-ables.
- Para que un electr(n pueda .saltar/ a otra (rbita
di%erente ser preciso que radie o absorba energ&a en
%unci(n de si se acerca al ncleo o se ale0a. 'stas
cantidades de energ&a son discretas! ya que discretas
son las cantidades de energ&a que separan los
di%erentes orbitales. 1n electr(n posee menos
energ&a potencial cuanto ms cerca est" del ncleo.
b 2os electrones no pueden ocupar e$actamente el mismo ni,el de
energ&a.
's decir! en un orbital permitido no puede permitirse acumulaci(n de
electrones.
EL ATOMO DE SILICIO
'l nmero at(mico del Silicio es 13 y la distribuci(n
electr(nica es la mostrada en la Fig. 1.1-3.
#as di%erentes capas de energ&a 4! #! 5 pueden
desdoblarse en subcapas y "stas a su ,e- en estratos
orbitales! que albergan electrones con di%erentes
ni,eles de energ&a.
Juan Carlos Bertoln Burillo.

1
Fig. 1.11
N
K
L
M
eV
eV
e
-
e
-
e
-
Fig. 1.12
Si
+14
K
L
M
N
2 8 4 0
Fig. 1.13
Electrnica analgica. Fsica del Estado Slido
#a capa ms ale0ada! la que contiene los electrones ms e$ternos! son los
que determinan las propiedades qu&micas y el"ctricas del elemento.
'sta capa ms ale0ada se llama capa de valencia y a los electrones!
electrones de ,alencia.
#os ni,eles energ"ticos por encima de la capa de ,alencia se llaman
.ni,eles de excitacin/. 6 medida que los electrones se ale0an del ncleo
se ,a reduciendo la %uer-a que lo retiene *acia "l. 1n electr(n e$citado en
ni,eles de e$citaci(n podr&a separarse %cilmente de su mbito de
in%luencia. 7uando esto sucede! es decir cuando se produce un transporte
de carga el"ctrica! se dice que se *a producido .conduccin elctrica/.
'n esta asignatura contemplaremos dos mecanismos de transporte de
carga)
6rrastre de un campo el"ctrico
2i%usi(n
6 la temperatura de 8 4el,in no e$iste ningn electr(n e$citado! luego la
conducci(n ser imposible. Por encima del 8 absoluto si ser posible
encontrar electrones en ni,eles de e$citaci(n.
1.2 El slido Cristalino
1.2.1 Esquema de la estructura cristalia a i!el de la "ada de
!alecia
#os tomos de 9e y Si por separado son inestables; tienen cuatro
electrones de ,alencia.
:endern a asociarse! produci"ndose desdoblamientos de ni,eles
energ"ticos en la banda de ,alencia! que trae como consecuencia una
compartici(n de electrones de ,alencia entre tomos *asta alcan-ar una
situaci(n de estabilidad! aunque "sta sea condicional. 's lo que se llama
.enlace co,alente/
6 los tomos de 9e y Si les %altan 3 electrones de ,alencia para lograr la
situaci(n de estabilidad condicional de ; electrones de ,alencia.
#a asociaci(n de tomos de silicio por enlace co,alente acaba %ormando
una red cristalina! en que cada tomo se rodea de otros 3 tomos y
comparte con ellos los electrones de ,alencia.
'squemticamente puede representarse como indica la Fig. 1.2-2)

4 # 5 N
<:=5=S 'S:6>#'S 2 ; 1; ?2
7=N2@7@=N6#5'N:'
'S:6>#'S
7- ; 7 A ;! 1;
2
Segn cristalice el silicio pude clasi%icarse en dos tipos) monocristalino
y policristalino.


3
Fig. 1.21 Esquema del enlace covalente del cristal de silicio
Si
Si
Si Si Si
#as l&neas representan
orbitales de ,alencia
#os puntos representan
electrones de ,alencia
Fig. 1.23 Lingote
de Silicio
monocristalino
Fig. 1.23 lingote de
silicio policristalino
6mbos tienen sus aplicaciones en el mundo de la electr(nica. 'l tipo de
ms calidad! me0or comportamiento el"ctrico-electr(nico y el
*abitualmente utili-ado es el monocristalino! aunque es muc*o ms
costoso de %abricar que el policristalino.
1.2.2 #e$resetaci % &eora 'e (adas 'e Eer)a E Slidos
#a representaci(n en bandas de energ&a de un tomo aislado! por e0emplo el
de 9e! se muestra en la Fig. 1.2-1 . 'n el que se aprecia que cada capa es
propia solamente del
tomo
correspondiente. 'so
es di%erente en el
s(lido cristalino
%ormado.
#a asociaci(n de
tomos da como
resultado la
creaci(n de nue,os
ni,eles de energ&a
permitidos
adicionales dentro de la capa de ,alencia.
1na representaci(n gr%ica podr&a ser)

4
Ge
+32
8
'
n
e
r
g
&
a
K
L
!
Ni,el de ioni-aci(n total
Primer ni,el de e$citaci(n
7apa de ,alencia
Fig. 1.24
'n un cristal el nmero
de desdoblamientos de
ni,eles energ"ticos es
tan grande! que podr&a
*ablarse de bandas de
energ&a! dentro de las
cuales los electrones
pueden ocupar distintos
ni,eles! sin
discontinuidades ni
saltos.
#a banda de ,alencia es
comn a los di%erentes
tomos de la red
cristalina! debido al
enlace co,alente que
permite alcan-ar
estabilidad condicional.
2ebido a que ningn subni,el de la banda de ,alencia del sistema %ormado!
podr ser ocupado por ms de un electr(n y al gran nmero de orbitales
posibles dentro de las bandas comunes! los electrones de los di%erentes
tomos pueden intercambiarse el ni,el de energ&a en el que estn
situados! sin necesidad de modi%icar el estado energ"tico del s(lido
('quilibrio termodinmico.
2e todo ese esquema Fig. 1.2-8! lo que interesa solo es lo concerniente a la
>anda de ,alencia! >anda pro*ibida (9ap y >anda de conducci(n Fig. 1.2-7! ya
que a partir de sus ni,eles de energ&a podrn obtenerse modelos de
comportamiento electr(nico del s(lido cristalino.

5
>anda de conducci(n
>anda de ,alencia
K
L
!
',
'c
@nter,alo de
energ&a
Ni,eles de
e$citaci(n
>anda pro*ibida '
9
Fig. 1.27 diagrama de bandas de energa en el s!lido cristalino de silicio
".#.
".P.
".$.
'
%c
%v
%
G
'nerg&a de conducci(n
'nerg&a de ,alencia
6nc*o de >anda pro*ibido
(9ap
Fig. 1.2" #iagrama de $andas de Energa en S!lidos
1.3 Conductores, Semiconductores y Aislantes
#a consideraci(n de las bandas de energ&a puede ser,ir para la clasi%icaci(n
de materiales segn su conducti,idad. #a di%erencia esencial! para
nosotros! entre estos tres tipos de materiales radica en el ,alor de la
banda pro*ibida ('
9
UNIDADES DE ENERGIA (eV)

19 19
19 7 12
1 (1.6 10 ) (1 ) 1.6 10
1 (1.6 10 ) (10 / ) 1.6 10
eV C V Julios
eV J Erg J Erg

g g g
g g g
1.4 Conduccin Intrnseca
'ntendiendo como conducci(n el"ctrica! al transporte de carga el"ctrica!
"sta puede darse en di%erentes tipos de medios. #a .$onduccin
&ntrnseca' es la que se produce en semiconductores intr&nsecos.
1n semiconductor intr&nseco es aquel que est compuesto de s(lo tomos
del mismo elemento. 's decir est puro! sin aBadidos.
Para que e$ista conducci(n! primero *an de estar disponibles cargas
el"ctricas para ser transportadas. 6l %en(meno de aparici(n de estas
cargas de %orma espontnea! a partir de la energ&a t"rmica del propio
cristal semiconductor se le llama .Generacin &ntrnseca/.
1.4.1 *eeraci +trseca
Supongamos una red de tomos semiconductores de Si)
6 8C 4el,in ningn electr(n tiene energ&a su%iciente para saltar a la banda de
conducci(n y por tanto la conducci(n no ser posible.

6
18eD
>.D.
>.P.
>.7.
(islante
)a*iro
+i,
2
'
8.E2 eD - Ge
1.1 eD A +i
1.3? eD - Ga(s
>.D.
>.P.
>.7.
+emiconductor
'
>.D.
>.P.
>.7.
$onductor
'
Plata
$obre
Fig. 1.31 %omportamiento el&ctrico de materiales a partir de el anc'o de banda pro'ibida (E
)
*
6 temperatura ambiente (?88C4. 6lgunos electrones de la banda de ,alencia
son su%icientemente acelerados (Fig. 1.3-2 como para poder saltar a la de
conducci(n generndose as& .electrones libres'.
Se obser,a que por cada electr(n libre
en la banda de conducci(n se genera
una ,acante de carga negati,a en los
orbitales de la banda de ,alencia!
pudi"ndose considerar esta ,acante
como un portador de carga positi,a
llamada .-ueco/.
1n *ueco es un orbital de la banda de
,alencia que deber&a estar ocupado por
un electr(n! pero que sin embargo est
,ac&o.
#a cantidad de electricidad del *ueco!
es la misma que la del electr(n pero de
signo contrario.
N(tese que por cada electr(n libre se genera un *ueco! es decir se generan
simultneamente y en pare0as; a esto es a lo que se llama .Generacin de
Pares Electrn-!ec"#$
#a concentraci(n de electrones libres es representada por .n/.
#a concentraci(n de *uecos es representado por .p/.
'stas concentraciones! ob,iamente! son iguales en un semiconductor
intr&nseco.
n
i
F concentraci(n intr&nseca
n F concentraci(n de electrones libres (eGcm
?
p F concentraci(n de *uecos (*uecosGcm

?
1.4.2 ,oducci itrseca

Partiendo de la e$istencia de
portadores libres de carga en
un semiconductor intr&nseco
(generaci(n intr&nseca! "stos
podr&an despla-arse por el
cristal! por cualquier tipo de
causa! constituyendo una
conducci(n (conducci(n
intr&nseca.

7
n F p F n
i
>.D.
>.P.
>.7.
'
'g
Fig. 1.41 )eneraci!n +ntrnseca
>.7.
>.P.
>.D.
'
7ristal
2espla-amiento
de los electrones
2espla-amiento
de los *uecos
Fig. 1.42 %onducci!n intrnseca
'n la conducci(n de un semiconductor los electrones circulan en la banda
de conducci(n (con energ&a de conducci(n y los *uecos en la banda de
,alencia (con energ&a de ,alencia.
1.5 ecanismo de mo!imiento del "ueco
1n *ueco tiene capacidad de mo,imiento! pero siempre a e$pensas del
mo,imiento de algn electr(n de ,alencia ,ecino. 'n la %igura Fig. 1.H-?!
puede apreciarse este mecanismo dependiente.
7uando el electr(n ,ecino ocupa el orbital ,ac&o (*ueco! lo rellena
desapareciendo as& el *ueco primario. 'n su mo,imiento de0a detrs de s&
otro orbital ,ac&o que pasa a con,ertirse en *ueco. 2esaparece un *ueco
pero inmediatamente aparece otro en un lugar pr($imo.
#a apariencia de con0unto es el despla-amiento de un *ueco.
1.# Semiconductores E$trnsecos
#a creaci(n de semiconductores e$tr&nsecos consiste en sustituir tomos de
silicio por otros elementos qu&micos (impure-as! elementos con ? o H
electrones de ,alencia! para lograr un de%ecto de electrones o un e$ceso!
en la red cristalina. 6 esta operaci(n se la llama dopado.
#a relaci(n de dopado puede ser de 1)18
;
(1 tomo de impure-a por cada
18
;
tomos de silicio
1.-.1 Semicoductores 'e &i$o N

8
Si
Si
Si Si Si
Si
Si
=rbital ,ac&o
(*ueco
6usencia
de electr(n
Fig. 1.,2 -a- .omento 1
Si
Si
Si Si Si
Si
Si
Nue,o orbital ,ac&o
6usencia
de electr(n
.espla/amiento de
un electrn
Fig. 1.,1-b- .omento 2
Se obtiene al introducir en la red
cristalina del Si! tomos con H
electrones de ,alencia. 7ontienen H
electrones en su ltima capa (grupo D
- 6! de la tabla peri(dica

6l %ormar enlace co,alente con los
tomos de Si! no pueden compartir
con ellos ms que 3 electrones! ya que
el desdoblamiento de ni,eles de energ&a en la banda de ,alencia no se lo
permite.
'l quinto electr(n (sobrante se situar en un ni,el energ"tico ms ele,ado
que los electrones compartidos. 'ste ni,el de energ&a nue,o se llama ni,el
donador! 8!81eD por deba0o de la '
7
.
6 temperatura de 84 el electr(n
sobrante se sita en un ni,el
energ"tico! llamado ni,el donador Fig.
1.I-?. Ningn electr(n tiene
su%iciente energ&a para alcan-ar la
banda de conducci(n! luego no *ay
ningn electr(n libre. Por otro lado
todos los orbitales in%eriores a la
banda de conducci(n estn
ocupados! luego no *ay ningn *ueco.
6 temperatura de ?884 el HC electr(n se desliga ms an del ncleo
pasando a la banda de conducci(n Fig. 1.I-3! y con,irti"ndose en
electr(n libre.
o:ambi"n se crearn pares electr(n A *ueco a causa de la temperatura
(generaci(n intr&nseca
o6l desligarse el electr(n libre de%initi,amente de
su tomo penta,alente! este queda
el"ctricamente desequilibrado (*a perdido un
electr(n. Se con,ierte en un i(n positi,o de gran
masa! su0eto a la red por los enlaces con otros
tomos y sin ninguna posibilidad de
despla-amiento. 's decir! aunque tengan carga
el"ctrica no pueden contribuir a la conducci(n
el"ctrica.

9
As - Arsnico
Sb - Antimonio
P - Fsoro
Si
Si
Si Si .
Sobrante (e- libre
Fig. 1."1 /dici!n de 0 con , e
-
de valencia
>.D.
>.P.
>.7.
'c
',
'g
8.81 eD
Ni,el
donador
Fig. 1."2 Semiconductor 1 a 23
>.D.
>.P.
>.7.
'
7
'
D
Fig. 1."3 Semiconductor 1
a 3223
Por este mecanismo *emos producido un incremento muy grande de
electrones libres. 'sto *ace que en este tipo de cristal a los
electrones libres les llamemos portadores mayoritarios y a
los *uecos portadores minoritarios.
'l cristal es! en su con0unto! el"ctricamente neutro (igual nmero de
cargas positi,as que negati,as)
#os electrones de generaci(n intr&nseca quedan compensados con sus
*uecos.
#os electrones de generaci(n e$tr&nsecas quedan compensados con los
tomos ioni-ados.
1.-.2 Semicoductores de &i$o .
Se obtienen a partir del dopado con impure-as aceptoras. (9rupo @@@ A 6
7on ? electrones de ,alencia
6l sustituir un tomo de Si por uno de impure-a! a la temperatura de 84 la
situaci(n es la re%le0ada en las %iguras Fig. 1.I-I y Fig. 1.I-H.
'l tomo de aluminio solo puede compartir con la red! tres electrones de
,alencia; sin embargo el desdoblamiento de ni,eles energ"ticos crea un
orbital en e$ceso respecto del tomo de aluminio. =rbital que quedar
,ac&o al ser el aluminio tri,alente.
Jste orbital posee una energ&a algo superior que la energ&a de ,alencia. 'se
ni,el energ"tico recibe el nombre de ni,el aceptor

10
n !! "
# - #oro
A$ % A$&minio
'( % '($io
)n - )n*io
Si
Si
Si Si /l
Si
Si
*ueco
Fig. 1.", Silicio de tipo 0
>.D.
>.P.
>.7.
'c
',
'g
8.81 eD
Ni,el
aceptor
Fig. 1."4 Situaci!n al cero absoluto
6 temperatura ambiente (?88C 4)
#os electrones pr($imos al *ueco creado
alcan-an su%iciente energ&a como para ser
e$citados al ni,el aceptor produci"ndose la
mo,ilidad del *ueco.
6l mismo tiempo al ale0arse el *ueco de su
tomo generador! al tomo de impure-a P
queda con un electr(n en e$ceso en sus (rbitas!
quedando desequilibrado el"ctricamente! y
comportndose como un i(n negati,o de gran
masa! que est anclado en la red cristalina sin
posibilidad de mo,imiento.
Kuecos A portadores mayoritarios
'lectrones A portadores minoritarios
1.% &ey 'e Accin 'e asas
'n todo semiconductor a te%&erat!ra c"nstante con o sin impure-as! se
cumple la ecuaci(n)
n A concentraci(n de electrones
p A concentraci(n de *uecos
n
i
A concentraci(n intr&nseca
'n un semiconductor intr&nseco n F
p; en un semiconductor e$tr&nseco n
L p! pero nMp F n
i
2
en ambos casos!
siempre que el cristal
semiconductor de base sea el
mismo! y la temperatura tambi"n
sea la misma.

11
n ++ "
n , " - n
i
2
>.D.
>.P.
>.7.
'c
',
'g
Fig. 1."" 4ipo 0 a 45 ambiente
N
P
b
c
a
:1
:2
Pb Pc Pa
Na
Nc
Nb
n
i
2
ni
2
:
2
N :
1
Fig. 1.71 +nterpretaci!n gr67ica de la le8 de acci!n de masas
'n un semiconductor cualquiera)
3/ 2
19 2
2.5 10
300
Eg
KT
T
ni e
_

,
_

,
g g g
2onde)
: es la temperatura en 4 (4el,in
'
9
es el 96P en eD (electron,oltios
4 es la constante de >olt-man) ;!I2O18
-H
eDG4
Se utili-a muc*o el cuadrado de la e$presi(n anterior)
2 31 3
2.3110
Eg
KT
ni T e
g g g
#a concentraci(n de portadores tiene dos dependencias) generaci(n
intr&nseca y generaci(n e$tr&nseca! e$istiendo un equilibrio entre ellas
regida por la #ey de acci(n de masas.
Segn la #ey de acci(n de masas! si se aumenta uno de los dos tipos de
portadores (por generaci(n e$tr&nseca! entonces el otro tipo disminuir.
's decir! disminuir la generaci(n intr&nseca.
1.( Ecuaciones de neutralidad de car)a
#os semiconductores! est"n dopados o no! en su con0unto estn
equilibrados el"ctricamente (igual nmero de e
-
que de *
P
.
Supongamos que un cristal *a recibido dopado con impure-as P e
impure-as N.
6 temperatura ambiente todos los tomos se *an ioni-ado.
6 la concentraci(n de tomos aceptores se la denomina Na (iones
negati,os a temperatura ambiente ?884
6 la concentraci(n de tomos donadores se la denomina Nd (iones positi,os
a temperatura ambiente! ?884
'cuaci(n de neutralidad de carga) n P N
a
F p P N
d
Particulari-aci(n de la ecuaci(n de neutralidad de carga)
Semiconductor intrnseco:

12
3/ 2
19 2
2.5 10
300
Eg
KT
T
n p ni e
_

,
_

,
g g g
Semiconductor extrnsecos con impurezas solo de tipo P:
p F n P N
a
(e$acto
como n QQ p p N
a
(apro$imado
Semiconductor extrnseco con impurezas solo de tipo N:
n F p P N
d
(e$acto
como n NN p n N
d
(apro$imado
Hemos despreciado la generacin intrnseca en los dos ltimos casos.
1.* C+lculo e$acto de la concentracin de portadores a ,-
am.iente
Semiconductor intr&nseco (visto anteriormente)
3/ 2
19 2
2.5 10
300
Eg
KT
T
n p ni e
_

,
_

,
g g g
5
8.62 10 /. k eV k
g / T T en C4el,in
'$tr&nseco tipo N
#a concentraci(n depende de dos mecanismos que estn relacionados
mediante la ley de acci(n de masas.
Partimos de)
7ombinando ambas ecuaciones! se obtiene una ecuaci(n de segundo grado
en n)
2 2
d
ni n n N g ;
n
2
A n M N
d
A n
i
2
F 8 'cuaci(n de 2C grado
#a concentraci(n de electrones en la banda de conducci(n ser)
2 2
4
2
d d
N N ni
n
t +


13
n - 0
*
1 " 2c. *2 n2&tr($i*(* *2 c(r3(
n , " - n
i
2
425 *2 (ccin *2 m(s(s
Pn Dlida
-n Sin signi%icado %&sico
#a concentraci(n de *uecos a partir del ,alor de n)
2
ni
p
n
_

,
'$tr&nseco tipo P
Partiendo de)

2 2
a
ni p p N g
;
p
2
A p M N
a
A n
i
2
F 8 'cuaci(n de 2C grado
#a concentraci(n de *uecos en la banda de ,alencia ser)
2 2
4
2
a a
N N ni
p
t +

#os electrones)
2
ni
n
p
_

,
1.1/ o!ilidad y conducti!idad de un cristal
Supongamos un cristal sometido a un campo el"ctrico.
#as cargas el"ctricas se pondrn en
mo,imiento Fig. 1.18-2 y se despla-arn
ms o menos deprisa! en %unci(n de las
caracter&sticas del cristal.
'l cristal permitir mayor o menor
mo,ilidad a sus portadores de carga y se
comprende que la ,elocidad (v alcan-ada
por ellos est en relaci(n directa con el
campo el"ctrico aplicado y a la mo,ilidad
( que les permita el cristal.
v E g
2
/
/
v cm s cm
E V cm V s

g
ovilidad
Se sabe que e$iste una dependencia de la mo,ilidad de las cargas! respecto
del dopado y de la temperatura. 7omo obser,amos en la gr%ica Fi3. 1.10-3! la
mo,ilidad disminuye con el aumento tanto del dopado como de la
temperatura.

14
" - 0
(
1 n 2c. *2 n2&tr($i*(* *2 c(r3(
n , " - n
i
2
425 *2 (ccin *2 m(s(s
Pp Dlida
-" Sin signi%icado %&sico
D
'
(,elocidad de
mo,imiento S
e-
,
Fig. 1.121
Para dopados ba0os! el aumento de la temperatura pro,oca una disminuci(n
notable de la mo,ilidad.
'n cambio! en dopados altos el aumento de la temperatura no a%ecta casi en
el ,alor de la mo,ilidad.
#a cantidad total de carga (
!
despla-ada a lo largo del tiempo! en el
cristal ser)
[ ]
T
T
! " c v s t
! Coulom#ios
g g g g
[ ]
[ ]
[ ]
3
2
/ (r3(
(r3( /
/
" Coulom#ios c
c Concentracin c s cm
v Velocidad cm sg
s Seccin cm
t Tiempo Seg
1
]
1
]
2ensidad de corriente RST

2
/
T
!
J " c v $ cm
s t
1
]
g g
g
7onducti,idad R
T
[ ]
1 J " c v
" c cm
E E

g g
g g g
#a conducti,idad es una cualidad intr&nseca del cristal. Dalor propio para
cada cristal
7onclusi(n)
7onducti,idad depende directamente de la)
- 7oncentraci(n de portadores

Fig. 1.122 #ependencia de la movilidad con el dopado 8
la temperatura
15
" c g g
- 5o,ilidad
Se desprende que a mayor concentraci(n de impure-as la conducti,idad
del cristal aumenta! debido al aumento de portadores.
1.11 C+lculo 'e &as Conducti!idades
F(rmula 9eneral)
'n los semiconductores e$isten dos tipos de conducci(n)
- 6 ni,el de la banda de conducci(n
- 6 ni,el de la banda de ,alencia
+ue son di%erentes y causarn que la conducti,idad total sea la suma de
conducti,idades independientes.
#lamando)
p

7onducti,idad causada por los *uecos
n

7onducti,idad causada por los electrones

7onducti,idad del semiconductor
n p n p
" n " p + + g g g g '$presi(n general de la
conducti,idad.
=bser,aci(n)
n
5o,ilidad de electrones
p
5o,ilidad de *uecos
2onde
n p
>
2ebido a que las causas del mo,imiento son di%erentes.
Para el silicio intr&nseco (o e$tr&nseco con dopados in%eriores a 18
13
a ?884
los ,alores de mo,ilidad son)
2
2
1300
500
n
p
cm
V s
cm
V s

'

#uego
p
Q
n

1.11.1 ,oducti!idad e u semicoductor itrseco

16
( )
n p
" ni + g g 5( 6&27
n p ni
1.11.2 ,oducti!idad E 0 Semicoductor E1trseco &i$o N
( )
n p
" n p + g g g '$presi(n e$acta
6pro$imando p00n
d
n N ;
N
d
"oncentracin de #tomos
donadores
n d n
" n " N g g g g
'$presi(n apro$imada
1.11.2 ,oducti!idad E 0 Semicoductor E1trseco &i$o .
( )
n p
" n p + g g g '$presi(n e$acta
6pro$imando n00p
a
p N ;
N
a
"oncentracin de #tomos
aceptores
p a p
" p " N g g g g
'$presi(n apro$imada
1.12 C+lculo de la resistencia de un tro0o de material
semiconductor
@ntr&nseco
( )
1
n p
%
&
s " ni
+
g
g g
'$tr&nseco N
1
n
%
&
S " Nd
g g

17
1 %
&
S
g
S
#
Fig. 1.121
'$tr&nseco P
1
a p
%
&
S " N
g g
E'ERCICIO 1
a 7alcular la resisti,idad del Silicio puro a ?88C4.
#a concentraci(n intr&nseca a ?88C4 es (niF 1.HM18
18
cm
-?
.
2
2
1300 /
500 /
n
p
cm V s
cm V s

( ) ( )
( )
19 10 3 2
1 1 1
1
231.481
1.6 10 1.5 10 1300 500 /
n p n p
" n p " ni
cm
C cm cm V s

+ +

+
b 7alcular la resisti,idad del Silicio anterior si se le aBaden impure-as
donadoras en la proporci(n de 1tomo de impure-a por cada 18
;
tomos de Silicio. #a concentraci(n del Silicio es (N
Si
F H.1M18
22
cm
-?
.
( )
( )
( )
22
14 3
8 8
14 3
2
10
2
5 3
14
19 14 5
5.1 10
5.1 10
10 10
1
5.1 10
1.5 10
4.5 10
5.1 10
1
9.61
1.6 10 5.1 10 1300 4.5 10 500
Si
d
n p
d
N
N cm
" n p
n N cm
ni
p cm
n
cm

+
;
;
E'ERCICIO (
a 2eterminar la concentraci(n de electrones y *uecos en una muestra de
9ermanio a ?88C4! a la cual se le *a sometido a un dopado de
N
a
F?M18
13
cm
-?
y N
d
F2M18
13
cm
-?
. U+ue tipo de semiconductor esV
('
g
del 9ermanioF8.E2 eD
2
a d
n p ni
n N p N

' ;
+ +

( ) ( )
2
2
4
2
a d a d
N N N N ni
n
t +
Kabr que calcular la ni)


18
3/ 2
19 13
2
2 31 3
2.5 10 2.249 10
300
2.31 10
Eg
KT
Eg
KT
T
ni e
ni T e
_

,

Sustituyendo en esta ltima (a ?88C4
5
0872
8862 10 300
2 31 3 26 6
2.31 10 300 58 05 10
eV
eV
K
K
ni e cm

g
( ) ( )
2
14 14 14 14 26
12 3
3 10 2 10 3 10 2 10 4 5.05 10
4.82 10
2
n cm
t +

2 26
14 3
12
5.05 10
1.05 10
4.82 10
ni
p cm
n

; pNn :ipo P
b Si N
d
FN
a
F18
1H
cm
-?
! U+u" tipo de cristal esV
d a
p N n N + +
; Si N
a
F N
d
pFn @ntr&nseco
c Wepetir el apartado a! para una tX de 388C4
5
0.72
2 31 3 30 6
8.62 10 400
2.31 10 400 1.26 10 ni e cm

( ) ( )
2
14 14 14 14 30
15 3
2 10 3 10 2 10 3 10 4 1.26 10
1.07 10
2
n cm
t +

2 30
15 3
15
18 26 10
1817 10
18 07 10
ni
p cm
n

n p ;
@ntr&nseco
E'ERCICIO ?
2isponemos de un cristal de 9ermanio intr&nseco que tiene (a ?88C4 una
resisti,idad de 3Y.I cm . 6 este cristal de 9ermanio le introducimos
impure-as en las siguientes cantidades
14 3
10
d
N cm
y
13 3
7 10
a
N cm
. 6
continuaci(n aplicamos un potencial en e$tremos del cristal!
estableci"ndose una densidad de corriente de
2
52.3 / J m$ cm (a ?88C4.
7onsiderando que la mo,ilidad de los electrones es 2.11 ,eces mayor que
la de los *uecos! y adems in,ariante con el dopado! calcular el campo
el"ctrico e$istente en el seno del cristal.
T'())K
E
*
')+,-eV

19
@ntr&nseco '$tr&nseco
9e
9e
49.6 cm g
: F ?88Z
2.11
n p

N
a
FEM18
1?
; N
d
F18
13
2
52.3 / J m$ cm
'V
dopado
K' .+/- 0)
12
ev3K
4
*e
'56+/ 7cm
8
N
' -+009 8
:
N
;
'0)
05
cm
1(
N
$
',90)
0(
cm
1(
J' 2-+/m$3cm
-
E<
#o que relaciona a .'/ con .S/ es .
/ ( J E
's decir que)
( ) ( )
( ) 2.11 2.11
p n p p p
J J J J
E
" n p " n p " n p

+ + +

Podemos calcular
p
a partir del intr&nseco)

( )
1 1
2.11
p
cte
" n p

+
donde nFpFni
( )
1 1
2.11 1 3.11
p
p
" ni " ni

+
donde
5
0872
3
2
2 8862 10 300
19 13 3
300
28 5 10 28 25 10
300
eV
eV
K
K
ni e cm

_

,
o sea que)
2 2
19 13
1
1800 3800
49.6 1.6 10 2.25 10 3.11
p n
cm cm
V s V s

Dol,iendo al e$tr&nseco! se obtiene el ,alor de n y p)
( )
2
2 13 3 26 6
2.25 10 5.06 10 ni cm cm

13 3
2 13 3
4.21 10
1.2 10
a d
n N p N n cm
n p ni p cm
+ +
' '

Por tanto el campo el"ctrico (' ,ale)
( )
3 2
19 13 3 13 3
52.3 10 /
1.8 /
1.6 10 4.21 10 3800 1.2 10 1800
$ cm
E V cm
C cm cm

+

20

21
1.13 'i1usin2
'l transporte de cargas en un semicnductor no se causa nicamente por el
arrastre de un cmapo el"ctrico sobre las cargas positi,as o negati,as.
'$iste tambi"n otra causa que llamaremos 5'76N@S5= 2' 2@F1S@[N.
Si se considera un cristal *omog"neo! en el que la repartici(n de part&culas
portadoras de carga es uni%orme! no se produce despla-amiento alguno de
las mismas. Sin embargo! si se aumenta en una -ona del cristal la
concentraci(n de portadores! de modo que e$ista un gradiente de
concentraci(n a lo largo de aquel! las part&culas tendern a mo,erse desde
la -ona de mayor concentraci(n *acia la de menor concentraci(n! dando
lugar a una corriente el"ctrica de di%usi(n! proporcional! al gradiente de
concentraci(n.
2e0ando que las cargas se redistribuyan y pasado un cierto tiempo se
llegar&a a la uni%ormidad en la concentraci(n de portadores en todo el
cristal y el mo,imiento por di%usi(n desaparecer&a.
Sea un semiconductor de tipo P con concentraci(n no uni%orme de
portadores Fig. 1.1?-2. 'l gradiente de concentraci(n ser&a negati,o (es
decreciente con la distancia)
( )
0
p =
=
<
'n esta situaci(n si estableci"ramos una %rontera de igual concentraci(n de

portadores! podremos obser,ar que son ms los portadores que se mue,en
*acia la -ona de menor concentraci(n que en sentido contrario.
#a densidad de corriente! cuando los portadores sean e$clusi,amente
*uecos! ,iene dada por la e$presi(n)
( )
( ) 9 9
: :
p =
J = " ;
=
o Siendo 2
P
la constante de di%usi(n para los *uecos! sus
dimensiones son)
2
cm
s
1
1
]
o q la carga del electr(n y

1
1
1
1
1
1
1 1
1
1
1
=
p>=?
: -0
Fig. 1.131 )radiente de 'uecos a lo largo de la distancia
22
o
( ) p =
=
el gradiente de concentraci(n de *uecos a lo largo del e0e

$ del cristal.
'n la situaci(n re%le0ada en la Fig. 1.1?-2! la corriente que se genera es
positi,a! es decir en el mismo sentido que $.
'l signo menos es necesario para a0ustar el sentido de la corriente
el"ctrica ya que
( ) p =
=
es negati,o.
Para los electrones se obtendr&a de %orma anloga)
( )
( ) 9 9
n n
n =
J = " ;
=
#as constantes de di%usi(n! estn ligadas con las mo,ilidades por la

denominada Welaci(n de 'instein! en la que 4 es la constante de
>olt-mann! : la temperatura absoluta! y D
:
el potencial equi,alente de
temperatura.
9
11600
n :
T
: n
; ; K T T
V
"

6 temperatura ambiente la relaci(n entre la mo,ilidad y la constante de
di%usi(n ser)
1
9 388 69
08 0259
; ;
1.14 E1ecto Con3unto 'e 'i1usin 4 Campo El5ctrico2
'n los semiconductores pueden e$istir simultneamente corrientes de
di%usi(n y de arrastre (de un campo el"ctrico. 7ada gradiente pro,ocar
un despla-amiento de portadores propio! siendo el despla-amiento total de
portadores la suma de los dos despla-amientos independientes. Por lo
tanto la densidad de corriente total ser)
;<;A4 =)F>S)?0 @AAP< B4C@;D)@<
J J J +
Para un semiconductor tipo P.
( )
( ) 9 9
( ) 9 9 ( )9 ( )
:
;@FAS@BN
C$:C :
p =
J = " ;
=
J = " p = E =
Para los *uecos)


23
( )
( ) 9 9 ( )9 ( ) 9 9
TCT$% : :
p =
J = " p = E = " ;
=
Para los electrones)

( )
( ) 9 9 ( )9 ( ) 9 9
TCT$% n n
n =
J = " n = E = " ;
=
'l ,alor de q se da en ,alor absoluto.

#as %iguras Fig. 1.13-2 y Fig. 1.13-? representas dos casos distintos de
adici(n de corrientes.

T E ;
J J J

T ; E
J J J +

1.15 'i1erencia 'e 6otencial En 7n Semiconductor Con
Concentracin 8o 7ni1orme 'e 6ortadores2

24

-
-
N($
$

'($

2i%usi(n

-
-
-
-
S
2

S
'

P($

$
'($

2i%usi(n

P
P
P
P
P
P
S
2
S
'
Supongamos una barra con concentraci(n no uni%orme de *uecos! como se
indica en la Fig. 1.1H-2. Por el mecanismo de di%usi(n los *uecos tratarn
de repartirse uni%ormemente.
Pero si se desea mantener estable el per%il de concentraci(n indicado! ser
necesario que alguna %uer-a mantenga a los *uecos en sus posiciones. 'sto
puede lograrse mediante la aplicaci(n de un campo el"ctrico '($! segn se
indica en Fig. 1.1H-2 la e$istencia de un campo el"ctrico que contenga a la
di%usi(n de portadores.
( ) ( )
( )9 9 9 ( ) 9 9 0 ( )9 9 9 ( ) 9 9
( ) ( )
( )9 9 9 ( ) 9
( )
( )
( )
( ) ( )
9 ( ) 9 ( )
( ) ( )
p p p p p
p p
T p
p T
p
T
p
T
T T
: = : =
J : = " E = " ; : = " E = " ;
= =
; ;
V
V
;
V : = : =
: = E ; E =
V = : = =
V =
E =
=
V V V = : =
dV = d: =
= : = = : =

@ntegrando entre los puntos 1 y 2)

25
P($
$
1 2
P
1
P
2
P($
D
1
D
2
D
21
$(x)
P
Fig. 1.1,1
2 2
1 1
21
2
2 1
1
1
21
2
1 2
9$n
( )
9
9
T
V :
T
T
V :
T
V
V
V :
dV dp V V V
: = :
:
V V %n
:
: : e

E'ERCICIO )
#a %igura Fig. 1.1H-?! representa la concentraci(n de *uecos en un
semiconductor.
a Kallar la e$presi(n y esbo-ar la densidad
de corriente de *uecos Sp($ suponiendo
que no e$ista ningn campo el"ctrico
e$terior.
b 'sbo-ar y deducir una e$presi(n del
campo el"ctrico interno que debe e$istir
para que la corriente de *uecos sea nula.
c 2eterminar el potencial entre los puntos
$F8 y $F\ siendo p(8F1888P
8
.
-------------------------
a Sin la e$istencia de ningn campo el"ctrico e$terior! la densidad de
corriente ser producida e$clusi,amente por el mecanismo de la di%usi(n.
0
0
0
0
( )
( ) 9 9
0
(0)
( ) (0)
(0) ( )
(0)
( ) 9 9 ( (0) )
( )
( ) 9 90 0
( )
0
: p
p
o
p p
p p
: =
J = " ;
D
= E
: :
: = : =
E
: : : =
= E
;
: :
J = " ; " : :
E E
D E
: = :
J = " ;
: =
=
<
_

,
>

Podr e$presarse en %unci(n de
p
a tra,"s de la relaci(n de 'instein.
9 9
9
p
T p p
p
;
K T K T
V ;
" "


26
Fig. 1.1,2
P($
P(8
P
8

8
$ \
Sustituyendo)
0
0
9
( ) 9 9 ( (0) )
9
( ) 9 ( (0) )
p p
p p
" K T
J = : :
E "
K T
J = : :
E

Si P(8 y P
8
%ueran constantes! entonces S
p
($ ser&a constante! y adems
positi,a! lo que implicar&a una corriente el"ctrica asociada en el mismo
sentido que le positi,o de $! Fi3. 1.15-4.
b
Si se pretende contrarrestar el mecanismo de di%usi(n aplicando un campo
el"ctrico! "ste deber ser tal que S
p
(] F 8.
'l e%ecto con0unto de densidad de corriente entre di%usi(n y campo el"ctrico
ser)

P($
$ \
S
p
($
Fig. 1.1,3
27
0
0
0
0
0
( )
( ) ( )9 9 ( )9 9 9 0
( )
( )9 ( )9 9
1 ( )
( ) 9 9
( )
1 ( )
( ) 9 9
( )
(0)
( ) (0)
(0) ( )
( (0) ) 1
( ) 9 9
(0)
(0) 9
( )
(0)9
(0)
p p p
p p
p
p
T
T
T
: =
J = E = " : = " ;
=
: =
E = : = ;
=
;
: =
E =
: = =
: =
E = V
: = =
: :
: = : D
E
: : : =
= E
: :
E = V
: :
E
: =
E
V
E =
: E
=
: :
0
0
0
0 (0)
(0)9
(0)
( )
(0)9
(0)
1
(0)
(0)
T
T T
V
= E
: E
: :
V V
= E E E
: E
:
E
E
: :
: :

,
7ampos negati,os! luego son *acia la i-quierda (sentido negati,o de $
c
:omando como origen de potenciales $F8! calculamos D(\ - D(8.

28
\ $
8
'($
Fig. 1.1,4
0
1
0
0
0
0
( )
( ) ( ) ( )9 ( ) ( )
( )
(0)9
(0)
(0)9
( ) 9
(0)
(0)9
(0)
( ) 9
(0)9
( ) 9
(0)
(0) 1000
T
T
T
T T T
T
V =
E = V = E = = V = E = d=
=
V
V = V d=
: E
=
: :
: E
V = V = d=
: :
: E
= t d= dt
: :
dt dt
V = V V V %n t C
t t
: E
V = V %n = C
: :
: :
+
+

0
0
10009 9
( ) 9
999
0
1000 1000
999 999
1000
( ) 9$n
999
T
T
: E
V = V %n = C
:
si = E
E E
= =
V = V E = C
+
<

_
+

,
7alculemos a*ora la di%erencia de potencial)
0
0
0
0
1000 1000
( ) (0) 9 9 0
999 999
1000 1000 999
( ) (0) 9
999 999
1000
9
999 999
9 1000
08 026968 9 08179
T T
F T
F T
F T
F
V E V V %n E E C V %n E C
E E
V E V V V %n E %n
E
V V %n E %n
V V %n
V V
_ _
+ +

, ,
1

1
]
1

1
]


29
1.1# 9eneracin, Recom.inacin 4 ,iempo 'e :ida 'e &os
6ortadores2
#os portadores de carga! despu"s de *aber sido generados! tienen un
tiempo de ,ida limitado (entre nanosegundos y microsegundos *asta que
desaparecen.
'n un semiconductor! en equilibrio t"rmico! las concentraciones de *uecos
y electrones estn su0etas a dos mecanismos) por un lado en cada instante
est *abiendo electrones que pasan del ni,el donante a la banda de
conducci(n (! incluso! que saltan desde la banda de ,alencia a la de
conducci(n. Simultneamente *abr electrones que ba0en desde la banda
de conducci(n al ni,el donante ( a la banda de ,alencia. Si un electr(n
salta de la banda de ,alencia a la de conducci(n se genera un par
electrn 1 -ueco. Si el electr(n ,uel,e a la banda de ,alencia se *a
producido una recombinacin electrn 1 -ueco.
'ntendemos por proceso de generacin todos los mecanismos mediante los
cuales los electrones que se encuentran en la banda de ,alencia! puedan
ser e$citados y trans%eridos a la banda de conducci(n. #os procesos pueden
ser de origen t"rmico! por radiaci(n (ptica! por radiaciones nucleares! etc.
#os portadores libres e$citados no permanecen inde%inidamente en ese
estado! ya que e$isten di,ersos mecanismos que tienden a *acerlos ,ol,er
al estado inicial. Son los llamados mecanismos de recombinacin. 'ntre
ellos! podemos seBalar los siguientes)
- Wecombinaci(n banda a banda) 'ncuentro directo entre un electr(n y un
*ueco que se recombinan. #a energ&a sobrante del electr(n recombinado
puede disiparse o bien emitiendo un %ot(n de energ&a igual a la banda
pro*ibida (interacci(n entre dos part&culas! o bien cedi"ndola como
energ&a cin"tica a otro electr(n de la banda de conducci(n (interacci(n
entre tres part&culas.
- Wecombinaci(n por trampas (Fig. 1.1I-2) 'l electr(n es capturado por un
ni,el locali-ado (trampa! quedando en un
estado meta estable y cediendo el e$ceso de
energ&a a la red! a tra,"s de la interacci(n
entre "sta y el estado locali-ado! interacci(n
que es! en general! intensa debido a que los
ni,eles pro%undos producen una %uerte
de%ormaci(n de la red entorno a ellos.
Posteriormente dic*o ni,el puede capturar un
*ueco de la banda de ,alencia! completndose
as& la recombinaci(n. :oda la energ&a en e$ceso
se cede a la red (interacci(n entre una
part&cula y un centro.

30
#@
#E
#P
1
1
1
1
1
1
-
-
-
-
-
-
Fig. 1.1"1 9ecombinaci!n
por trampas
E*UILI+RIO
'n un semiconductor con carcter general! se estarn produciendo
simultneamente procesos de generaci(n y recombinaci(n! de di%usi(n y
arrastre de portadores! de %orma dinmica. :anto para *uecos como para
electrones e$iste una ley! ecuacin de continuidad! que e$presa la
conser,aci(n del nmero de part&culas.
'n situaciones de estabilidad t"rmica! la concentraci(n de portadores ser
estable! esto quiere decir que e$istir un equilibrio entre las ,elocidades
de 9'N'W67@[N ^ W'7=5>N67@[N
VELOCIDAD DE RECOM+INACI,N
Para medir c(mo de rpido se producen los procesos de generaci(n-
recombinaci(n! y por tanto! cuanto se tarda en ,ol,er al equilibrio %rente a
una perturbaci(n! se de%ine el tiempo de vida medio 2 3 que tarda un
minoritario en desaparecer por recombinaci(n. 'ste parmetro ,a a ser
muy dependiente del material semiconductor de que se trate! pero sobre
todo de los ni,eles que en la banda pro*ibida crean las impure-as
contaminantes ( de%ectos del semiconductor. 6s& es usual el introducir oro
para aumentar la ,elocidad de recombinaci(n. #os ,alores de tiempo de
,ida medio! ,an desde unos nanosegundos a unos cuantos microsegundos.
Supongamos (Fig. 1.1I-2 una barra semiconductora tipo n! por e0emplo de
Silicio! con una concentraci(n en equilibrio de n
8
y p
8
! que en t_ se ilumina
alcan-ndose la concentraci(n P
1
. 'n un tiempo tF8 se suprime la
iluminaci(n.
Fig. 1.1"-2
Silicio tipo n FN `pGp
8
NN `nGn
8
FN #a generaci(n de portadores (en este
caso por iluminaci(n a%ecta principalmente a los portadores minoritarios.

31
#a e,oluci(n de los portadores minoritarios a partir de la desaparici(n de
la e$citaci(n luminosa! sigue una ley e$ponencial)
8
0
( ) (0)
:
t
: t : p e

+
8
1 0
(0) p : :
2onde pa(8 es el e$ceso de minoritarios (*uecos en este caso en el
momento de retirar la e$citaci(n.
1na ,e- creados los portadores *a de transcurrir un cierto tiempo *asta
que se recombinen.
1.1% Inyeccin de car)a de portadores minoritarios. &on)itud
de di1usin2
Supongamos (Fig. 1.1E-1 una barra de semiconductor N uni%ormemente
dopado! a la cual se radia por un e$tremo mediante lu-! tal como podemos
obser,ar en la siguiente %igura)
Fig. 1.17-3
@nicialmente las concentraciones de portadores son)
n F Portadores mayoritarios
p F Portadores minoritarios
6l iluminar uno de los e$tremos de la barra se producir la generaci(n de
pares electr(n-*ueco! aumentando considerablemente la concentraci(n de
portadores minoritarios en la cara radiada! pero de %orma que P_(8QQn!
(inyecci(n a ba0o ni,el.
#os *uecos generados se di%undirn *acia -onas de menor concentraci(n! al
mismo tiempo que se ,an recombinando los electrones. 'sto pro,oca una
distribuci(n de *uecos! a lo largo de $! como se puede ,er en la %igura Fig.
1.1E-2)

32
Fig. 1.17-4
#a ecuaci(n que rige la concentraci(n de *uecos es)
0 0
( ) ( (0) )9
:
=
%
: = : : e :
+
2onde #p! es la longitud de di%usi(n de los *uecos! y representa la
distancia media que recorren los *uecos inyectados! antes de que se
recombinen con los electrones. #a longitud de di%usi(n de los *uecos se
de%ine como)
9
: : :
% ;
#a %unci(n de *uecos di%undidos es P_($)
0
F( ) F(0)9 ( (0) )9
: :
= =
% %
: = : e : : e

#a densidad de corriente de *uecos que se generar ser)
0
( (0) ) ( )
( ) 9 9 9 9 9
:
=
%
: p p
:
: : : =
J = " ; " ; e
= %
7onociendo la secci(n de la barra (6! la corriente generada por la di%usi(n

de *uecos ser)
0
( )
( (0) )
( ) 9 9 9 9
:
=
%
p = : p
:
: :
@ J = $ $" ; e
%


33
E'ERCICIO -
Se dispone de una pastilla de silicio monocristalino e$tr&nseco! por la cual
se sabe que circula! de i-quierda a derec*a! una intensidad de 1m6.
:ambi"n se sabe que 0usto en el borde i-quierdo la corriente est causada
e$clusi,amente por una aportaci(n de *uecos en la secci(n i-quierda! que
se di%unden *acia la derec*a.
2eterminar)
a #a concentraci(n de *uecos en esa primera secci(n i-quierda bP(8b.('n
$F8.
b #as %unciones a lo largo de $! de las di%erentes componentes de corrientes
e$istentes en el cristal.
2atos)
SF1cm
2
:F?88C4
'gF1!12e,
n
F 1H88 cm
2
GDs
p
F H88 cm
2
GDs
N
2
F18
13
cm
-?
p
F
n
F2O18
-E
s
a
0 0
0
0
0
( ) ( (0) )9
( )
( ) 9
(0) ( )
9
(0)
( ) 9 9
(0)
( ) 9 9 9 9
p
p
p
p
=
%
p p
=
%
:
=
%
p p
:
=
%
: p
:
: = : : : e
: =
J = " ;
=
: : : =
e
= %
: :
J = " ; e
%
: :
@ = s " ; e
%

34
@F1m6
Silicio tipo N
8 ]
@
n
t
e
n
s
i
d
a
d
e
s
h
+
h
+
5
2 2
2
7 3
2 6
5 3
0 14 3
1812
2 31 3 19 6 8862910 9300
2 3
2 19
7
9 08 026 9500 13
9
9 13 92910 18 61910
98 679108 9
98 67910
10
28 31910 9300 9 98 67910
10
( ) 1 918 6910 913 9
: T :
: p p
;
:
;onde
cm cm
; V V
V S S
cm
% ; S cm
S
ni cm
: cm
N cm
ni e cm
cm
@ = cm C
s
;
3
3
5 1861910
15 5 1861910
9( (0) 98 67910 )9
18 61
( ) 18 29910 9( (0) 98 67910 )9
=
=
:
: e
@ = : e

(0)
15 5
3
5
15
11 3
S23Gn $(s con*icion2s *2$ 2n&nci(*o7
si H-0 1
1 18 29910 ( (0) 98 67910 )
10
(0) 98 67910
18 29910
(0) 78 74910
:
@ m$
m$ :
:
: cm
3
3
3
910
15 11 1861
910
3 1861
910
3 1861
)
( ) ( ) ( ) ( )
( ) 18 29910 (78 74910 967000)9
( ) 10 9 ( )
( ) 1 ( )
( ) 10 9(1 )( )
: n n :
=
:
=
:
n p
=
n
#
@ @ = @ = @ = @ @ =
@ = e
@ = e $
@ = m$ @ =
@ = e $


35

36

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Electrnica analgica.

Fsica del Estado Slido

UNIDADES DE ENERGIA (eV)

p F concentraci(n de uecos (uecosGcm

1.4.2 ,oducci itrseca

2ensidad de corriente RST

Kabr que calcular la ni)

a partir del intr&nseco)

'n esta situaci(n si estableci"ramos una %rontera de igual concentraci(n de

el gradiente de concentraci(n de *uecos a lo largo del e0e

#as constantes de di%usi(n! estn ligadas con las mo,ilidades por la

Para los *uecos)

Para los electrones)

'l ,alor de q se da en ,alor absoluto.

7onociendo la secci(n de la barra (6! la corriente generada por la di%usi(n

Juan Carlos Bertoln Burillo.

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