UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERA

FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA Y ELECTRNICA

ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERA ELECTRNICA


Ing. Virginia Romero
Docente FIEE

1
GUA EXPERIENCIA N3 - LABORATORIO DEL CURSO EE441 N
EL TRANSISTOR BIPOLAR POLARIZACIN, CORTE Y SATURACIN
Octubre 04
INTRODUCCIN
El transistor bipolar es un dispositivo que posee tres capas semiconductoras con sus respectivos
contactos llamados; colector (C), base (B) y emisor (E).
La palabra bipolar se deriva del hecho que internamente existe una doble circulacin de corriente:
electrones y lagunas o agujeros.
CLASIFICACIN DE LOS TRANSISTORES BIPOLARES
1.- Por la disposicin de sus capas: Transistores PNP y NPN
2.- Por el material semiconductor empleado: Transistores de Silicio y de Germanio
3.- Por la disipacin de Potencia: Transistores de baja potencia, de mediana potencia y de alta potencia
4.- Por la frecuencia de trabajo: Transistores de baja frecuencia y Transistores de alta frecuencia
POLARIZACIN DE LOS TRANSISTORES BIPOLARES
Para que un transistor bipolar funcione adecuadamente, es necesario polarizarlo correctamente. Para
ellos se debe cumplir que:
La juntura BASE - EMISOR este polarizado directamente, y
La juntura COLECTOR BASE este polarizado inversamente.
Ejemplo: Si el transistor es NPN, la base debe tener un voltaje positivo con respecto al emisor y el
colector debe tener un voltaje tambin positivo pero, mayor que el de la base. En el caso de un transistor
PNP debe ocurrir lo contrario.
CODIFICACIN DE LOS TRANSISTORES BIPOLARES
Los transistores tienen un cdigo de identificacin que en algunos casos especifica la funcin que
cumple y en otros casos indica su fabricacin.
Pese a la diversidad de transistores, se distinguen tres grandes grupos: Europeos, Japoneses y
Americanos.
CODIFICACIN EUROPEA
Primera letra:

A : Germanio
B : Silicio
Segunda Letra:
A : Diodo (excepto los diodos tnel)
B : Transistor de baja potencia
D : Transistor de baja frecuencia y de potencia
E : Diodo tnel de potencia
F : Transistor de alta frecuencia
L : Transistor de alta frecuencia y potencia
UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERA
FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA Y ELECTRNICA
ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERA ELECTRNICA


Ing. Virginia Romero
Docente FIEE

2

P : Foto semiconductor
S : Transistor para conmutacin


U : Transistor para conmutacin y de potencia
Y : Diodos de potencia
Z : Diodo Zener
Nmero de serie
100 999 : Para equipos domsticos tales como radio, TV, amplificadores, grabadoras, etc.
10 99 y la letra X, Y o Z : Para aplicaciones especiales.
Ejemplo: AD149, es un transistor de potencia, de germanio y sus aplicaciones son de baja frecuencia.
CODIFICACIN JAPONESA
Primero
0 (cero): Foto transistor o fotodiodo

1: Diodos
2: Transistor
Segundo
S : Semiconductor
Tercero
A : Transistor PNP de RF (radiofrecuencia)
B : Transistor PNP de AF (audiofrecuencia)
C : Transistor NPN de RF
D : Transistor NPN de AF
F : Tiristor tipo PNPN
G : Tiristor tipo NPNP
Cuarto
Nmero de serie : comienza a partir del nmero 11
Quinto
Indica un transistor mejor que el anterior
Ejemplo:

Es un transistor PNP de RF con mejores caractersticas tcnicas que el 2SA186.
CODIFICACIN AMERICANA
Anteriormente los transistores americanos empezaban su codificacin con el prefijo 2N y a continuacin
un nmero que indicaba la serie de fabricacin. Ejemplo 2N3055, 2N2924 (manuales del laboratorio).
Actualmente, cada fbrica le antepone su propio prefijo, as se tiene por ejemplo : TI1411, ECG128, etc.
que corresponden respectivamente a TEXAS INSTRUMENTS Y SYLVANIA.
UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERA
FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA Y ELECTRNICA
ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERA ELECTRNICA


Ing. Virginia Romero
Docente FIEE

3

I. OBJETIVO:
Conocer las caractersticas tcnicas y los requerimientos de uso del transistor.
Adquirir destreza en el uso de los equipos y la obtencin de las curvas caractersticas del
transistor Bipolar.
Adquirir destreza en el manejo de los manuales y obtencin de los data sheet de los dispositivos
a usar de Internet y los equipos de medicin.
Determinar las operaciones de corte y saturacin de los transistores.
Identificar las rectas de carga y punto de operacin.
Adquirir destreza en el manejo de los equipos y el ensamble de los circuitos.
Afianzar el trabajo en equipo asumiendo responsabilidades en el desarrollo de la experiencia.
II. COMPETENCIAS
Maneja correctamente el multmetro, generador, fuente de alimentacin y osciloscopio,
configurando y conectndolos apropiadamente.
Selecciona correctamente los componentes a utilizar para el anlisis de corte y saturacin del
transistor bipolar.
Elabora informes tcnicos claros mediante un formato digital establecido, detallando el proceso de
laboratorio desarrollado, entregando puntualmente.
Usa software de simulacin y compara con los resultados experimentales.
Reconoce la importancia del trabajo en equipo y se integra y participa en forma efectiva en
equipos multidisciplinarios de trabajo.
III. PREGUNTAS PARA EL INFORME PREVIO:
a. Realice los clculos para hallar
B
I ,
C
I empleando el simulador ORCAD / Pspice o similar.
b. Simule los pasos de la gua de laboratorio y anote las tensiones y corrientes que se piden en el
experimento.
c. Con los valores obtenidos con el simulador, haga las grficas de las curvas:
C
I vs
CE
V ;
C
I vs
B
I ;
vs
C
I ;
B
I vs V
BE
; y obtenga el grfico de respuesta en frecuencia indicando la ganancia de
tensin vs. Frecuencia usando la escala logartmica.
d. Obtenga el Data Sheet del transistor y determine las caractersticas de corte y saturacin as como
el punto de operacin del 2N 2222 y el 2N 3904.
e. Que voltaje AC de entrada puede soportar el transistor 2N 2222 y el 2N 3904
f. Determine la impedancia de entrada y salida a 60 Hz.

UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERA
FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA Y ELECTRNICA
ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERA ELECTRNICA


Ing. Virginia Romero
Docente FIEE

4

IV. EQUIPOS Y MATERIALES:
V. PROCEDIMIENTO.
5.1 POLARIZACIN- CURVAS DEL TRANSISTOR
a. Mida las resistencias y los potencimetros con el multmetro y anote los valores.
b. Determine los terminales del transistor con el multmetro o use los manuales e imprima EL Data
Sheet obtenida en Internet (Nota: si el multmetro tiene probador de transistores selo)
c. Arme el siguiente circuito: Tenga cuidado de colocar correctamente los terminales del transistor.
50K
DC = 12V
10k
E
100K
500k
C
B
IC
IB

Figura 1
d. Si usa un transistor equivalente busque en el data sheet sus caractersticas y modifique si es
necesario el voltaje de entrada.
e. Verifique las conexiones con el multmetro, ajuste la fuente a 12
DC
V y conctela al circuito.
f. La corriente de base (
B
I ) obtenida en el informe previo, la puede ajustar con el potencimetro
de 500 K. La corriente de base (
B
I ) la puede medir indirectamente con la tensin en la
resistencia de 10K. La tensin de colector-emisor (
CE
V ) la puede ajustar con el potencimetro
de 50K. La corriente de colector (
C
I ) la puede medir indirectamente con la tensin en la
resistencia de 100 si solo cuenta con un ampermetro.
01 transistor NPN 2N2222 2N3904 01 protoboard
01 Resistencia de 100; 2de 1K de 1W 02 Fuente DC; puntas de prueba
01 protoboard y cables conectores
01 multmetro
Resistencias:10K;15K;56K;22K;180K;
3.3K;6.2K;10K;510K;2K de 1W
01 Potencimetro lineal de 50K y 500 K 0.5W 01 Generador de funciones
02 transistores BJT iguales BC548A
02 Diodos LED

01 Osciloscopio, puntas de prueba
01 ampermetro analgico

UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERA
FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA Y ELECTRNICA
ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERA ELECTRNICA


Ing. Virginia Romero
Docente FIEE

5


g. Para determinar las curvas
C
I vs
CE
V , ajuste y mantenga
B
I en 40A y llene la siguiente tabla:

CE
V (V) 0.2 0.5 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
C
I (mA)


Ajuste y mantenga
B
I en 80A y llene la siguiente tabla:

CE
V (V) 0.2 0.5 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
C
I (mA)


h. Obtener las Curvas
C
I vs
B
I : (
B
C
I
I
= )
Mantenga
CE
V = 5V y llene la siguiente tabla:

B
I (A) 2 5 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
C
I (mA)




i. Obtener las curvas
B
I vs
BE
V


Mantenga
CE
V = 5V y llene la siguiente tabla:






5.2 TRANSISTORES BIPOLARES EN ZONA ACTIVA, CORTE Y SATURACIN
a. Armar el circuito de la figura 2:














Fig. 2
B
I (A)
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120
BE
V (V)

V1
12Vdc
o
R1
180k
R2
1k
Q1
BC548A
V3
FREQ = 60Hz
VAMPL = 10V
VOFF = 0
V
UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERA
FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA Y ELECTRNICA
ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERA ELECTRNICA


Ing. Virginia Romero
Docente FIEE

6

b. Polarizar el dispositivo y medir
C
V y
B
V para completar la siguiente tabla:
V
3
(V) 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
V
C
(V)
V
B
(V)
I
C
(mA)
I
B
(uA)
Beta

c. A partir de esta tabla graficar la curva de transferencia de entrada a salida
C
V vs V
3
Si es
necesario, tomar medidas de puntos intermedios.
d. Graficar la curva de transferencia de corrientes (
C
I vs
B
I ) y el beta de las mismas (BETA vs
C
I ).
SIMULACIN (Tomando datos en R1):
0
V3
FREQ = 60Hz
VAMPL = 10V
VOFF = 0
0
R1
180k
V
0
R2
1k
I
V1
12Vdc
Q1
BC548A
V


____ I vs. T en R1; _____ V vs. T en Q1; _____ V vs. T en R1
Time
0s 5ms 10ms 15ms 20ms 25ms 30ms 35ms 40ms 45ms 50ms
V(R1:1)
-10V
0V
10V
SEL>>
V(Q1:b)
-10V
-5V
0V
5V
-I(R1)
-80uA
-40uA
0A
40uA

UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERA
FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA Y ELECTRNICA
ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERA ELECTRNICA


Ing. Virginia Romero
Docente FIEE

7

e. Armar el circuito de la figura 3

R6
56K
Q2
BC548A
R5
1k
R4
1k
R3
47k
V4
12Vdc


Fig. 3

f. Medir las tensiones
C
V ,
E
V y
B
V para trazar la recta de carga del circuito, variando R
6
.

R
6

56K 47K 22K 15K 3.3K
VB (V)
VC (V)
VE (V)
IC (mA)
IB (uA)
Zona

g. Determinar las corrientes y graficar la recta de carga en el plano
C
I vs
CE
V del transistor.
Indicar la zona de operacin correspondiente.









h. Graficar en un mismo plano las diferentes rectas de carga, a colores, indicando las zonas de
operacin. Adjuntar las datasheet con los datos de los transistores utilizados.
i. Armar el circuito de la figura 2, conectar los diodos LED en serie con las resistencias R1 y R2,
colocar en V
3
una fuente DC y reemplazar R1 por un potencimetro.
j. Para determinar la regin activa vare el voltaje de entrada V3 y realice las mediciones
necesarias, de tal forma que pueda determinar el intervalo de voltaje (V(min) < V
3
< V(max))
que mantiene al transistor operando en la regin activa.


R I
C
V
C
Zona
R
2
= 0

R
2
= 1K

R
2
= 3.3K

UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERA
FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA Y ELECTRNICA
ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERA ELECTRNICA


Ing. Virginia Romero
Docente FIEE

8

k. Para determinar cuando el transistor est en corte o est en saturacin, aumentar de 1v en 1v
el V(max) DC de V
3
; hasta encontrar un cambio en V
0
. Luego repetir el procedimiento
disminuyendo V(min) de V
3
desde el ltimo valor de v, hasta cero.
En la simulacin determinar la resistencia R1 que facilite el corte y saturacin de manera ms
rpida y usar ese valor en la prctica de laboratorio.
l. Tomar datos y completar la siguiente tabla.






BE : Base- Emisor ; CE: Colector-Emisor
VI. PREGUNTAS PARA EL INFORME FINAL:
a. Haga una tabla comparando los valores tericos con los valores experimentales. Cmo los
explica?
b. Para el circuito de la fig. 1, obtenga las grficas de las curvas:
C
I vs
CE
V ;
C
I vs
B
I ; vs
C
I
B
I vs
BE
V . Qu diferencia observa entre las curvas tericas y experimentales?
c. Para los circuitos de las figuras: 1, 2 y 3. Presente la forma de onda de entrada (
in
V ) y de la carga
(
L
V ) obtenida en el laboratorio. Qu relacin de fases hay entre ellas?
d. Observe los lmites para la zona activa y comprelos con los valores obtenidos para la regin de
saturacin y corte.
a. Indique y explique sus observaciones y conclusiones.
ZONA DE CORTE
ZONA
ZONA ACTIVA ZONA DE SATURACIN
VBE(corte) < ______ _______ < VBE < _______
VBE(sat) = ______
IB(corte) = ______ < IB < IB(sat) = ______
IC(corte) = ______ _______ < IC < _______ IC(sat) = ______
IE(corte) = ______ _______ < IE < _______ IE(sat) = ______
VCE(corte) = ______
_______ < VCE < _______
VCE(sat) = ______