Diseo VLSI

Caracterizacin de circuitos MOS

Enric Pastor Dept. Arquitectura de Computadors UPC

Caracterizacin modular
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No es posible analizar un circuito con miles de transistores mirando individualmente cada uno de ellos. Estrategia de anlisis modular (igual que el diseo modular). Agrupar el comportamiento de transistores en puertas, el comportamiento de las puertas en bloques y as sucesivamente. Claves para el anlisis en un circuito MOS:
El comportamiento interno es independiente del circuito que genera las entradas (en condiciones razonables). Parmetros en la interficie: capacidad de las entradas/salidas e impedancia en la salida. Las puertas de paso son un caso aparte.
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Caracterizacin modular
l

Elementos en la caracterizacin de un mdulo:

Funcin lgica. Capacidad de las entradas (~ puertas de transistores). Capacidad de las salidas. Impedancia de las salidas. Tiempos de propagacin internos.

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Los parmetros de capacidad e impedancia son fijos. Los tiempos de propagacin internos varan con los datos y el tipo de operacin:
Caracterizar el tiempo mayor/menor. Crear caracterizaciones por funcionalidad, tipos de datos, anlisis estadstico de las operaciones, etc.
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Retardo de un puerta MOS

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Retardo depende de la relacin R C:

In Out

Out In

C R

Retardo de un puerta MOS

l

La capacidad C depende de:

Capacidad de las difusiones en el nodo de salida. Capacidad de las conexiones. Capacidad de las puertas conectadas al nodo de salida.

In

Out

Retardo de un puerta MOS

l

La resistencia R depende de:

Dimension de los transistores que realizan la carga / descarga de la capacidad en la salida (~ L/W). Transistores en serie aumentan la resistencia: L1/W1 L2 /W2 R ~ L1/W1 + L2/W2 Transistores en paralelo la reducen: L1/W1 L2 /W2 R ~1 / (1/(L1/W1) + 1/(L2 /W2) )

Retardo de un puerta MOS

l

Definimos FO1 como el retardo de un inversor atacando otro inversor equivalente: FO2 equivale a conectar dos inversores, etc.
FO1

FO2

Elementos en la caracterizacin
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Visin general de un mdulo:

Capacidad de las entradas: Capacidad de las salidas: Impedancia de las salidas.
Tiempo de propagacin proporcional a la carga:

CI CO Tpf Tp

Tiempos de propagacin internos:

R

C C C C C

Tpf
C

Tp

C R

Tpf
C
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Ejemplo: caracterizacin puerta NAND

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Parmetros en una puerta combinacional: NAND2

Capacidad de las entradas: Capacidad de las salidas: Tiempos de propagacin:
Proporcionales a la carga: Internos:
Delay

CI-A CI-B CO-Y Tpf Y Tp Y

40 fF 25 fF 0.02 ns/fF 1 ns

CA CB

CY Cload Tp

Tpf

Cload
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Ejemplo: caracterizacin inversor

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Parmetros en una puerta combinacional: INV

Capacidad de la entrada: Capacidad de la salida: Tiempos de propagacin:
Proporcionales a la carga: Internos:
Delay

CI-A CO-Y Tpf Y Tp Y

30 fF 25 fF 0.01 ns/F 0.8 ns

CA

CY Cload Tp

Tpf

Cload
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Ejemplo: caracterizacin MUX

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Podemos caracterizar un multiplexor utilizado los parmetros disponibles para la puerta NAND y el inversor: Simplicidad: utilizamos/generamos los mismos parmetros. Anlisis conservador: se produce un cierto error.
A

Y B S

Y B S

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Caracterizacin de las capacidades

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Capacidades: CA = CI-NAND= 40fF CS = CI-NAND + CI-NOT = 70fF

CB = CI-NAND = 40fF CY = CO-NAND = 25fF

Y B S

Y B S

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Caracterizacin del Tpf

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Tiempos de propagacin proporcionales a la carga: Tpf Y = Tpf NAND = 0.02ns/fF

Separando carga/descarga:

Tpf Y+ = Tpf NAND+ A

Tpf Y- = Tpf NANDA Y B S

Y B S

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Caracterizacin del Tp crtico

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Tiempos de propagacin internos:

Depende del camino crtico: camino ms lento desde una entrada hacia cada salida del circuito. Debe demostrarse su existencia: existen caminos crticos falsos.
1 A 1 0 B 0 1 S Y

Y
0 0 1 1

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Caracterizacin del Tp crtico (cont.)

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Clculo del tiempo de propagacin mximo: Tp Y = Tp INV + Tpf INV CI-NAND1 + Tp NAND1 + Tpf NAND1 CI-NAND2 + Tp NAND2 A
1
NAND1

A 1 0 B
NAND2

0
INV

Y
0 1 1

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Caracterizacin del Tp mnimo

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Clculo del tiempo de propagacin mnimo: Tp Y = Tp NAND1 + Tpf NAND1 CI-NAND2 + Tp NAND2
NAND1

A 0 1 B
NAND2

1
INV

Y
1 0 1

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Buffers para mejorar el rendimiento

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La velocidad de un componente depende de su tiempo de clculo, pero tambin de su conexin. Podemos mejorar el rendimiento sacrificando el Tp para conseguir un Tpf ms reducido.

Delay

Tpf

Tp
Mejor buffer

Cload
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Conclusiones
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La tecnologa MOS permite un anlisis modular. Podemos caracterizar un sistema utilizando un subconjunto de sus parmetros de funcionamiento. Los tiempos de propagacin Tpf solo dependen de los transistores que generan las salidas. Buffers en las salidas aumentan el Tp, pero reducirn el Tpf. Existe un mximo y mnimo, pero no siempre es el parmetro que necesitamos, e.g. en un sumador RCA: Tp mximo es proporcional al nmero de bits.
En promedio solo 4-5 bits propagan acarreo.
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