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5.- SOBRETENSIONES POR ARMNICOS Concepto.

- Son las corrientes y tensiones con frecuencias correspondentes a mltiplos enteros de la frequencia fundamental. Las causas: Cargas de coneccin directa al sistema Generadores y motores CA. Transformadores Lmparas de descarga Hornos a arco Compensadores tipo reactor saturado, etc. Rectificadores/motores CC controlados; Inversores/motores de induccin Electrlisis por rectificacin Cicloconversores/motores sncronos Hornos de induccin etc. Hornos de induccin controlados por reactores saturados; Cargas de especiales controlados por tiristores; Velocidad de motores CA controlados por tensin de estator; Reguladores de tensin a ncleo saturado; Computadoras; Eletrodomsticos con fuentesenclavadas, etc.

Cargas conectadas va conversores

Reguladores

A nivel de las caractersticaselctricas, el ondulador, queconstituye el generador del Sistemas de Alimentacin Ininterrumpida (SAI) son generadores elctricos casi perfectos,su fiabilidad es muy grande y por su naturaleza aseguran (dentro del lmite de la autonoma de la batera) una disponibilidad de la energaelctrica sin fallo.

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Tiene unas caractersticas deestabilidad de la frecuencia y de latensin que son mejores que las delsector. La nica caractersticaincierta en el espritu de muchostcnicos es su aptitud de crear unatensin senoidal cualquiera que seala forma de la corriente absorbidapor la carga. Este tema tiene porobjeto aclarar este punto ydemostrar que los onduladoresmodernos son excelentesgeneradores de tensin senoidalincluso cuando alimentan cargas nolineales. Esto es debido a que sonaparatos concebidos y generalmenteutilizados para alimentarordenadores que absorbencorrientes no senoidales. 5.1.- Caractersticas de las magnitudes alternas no senoidales Descomposicin armnicade una funcin peridica El teorema de Fourier indica quetoda funcin peridica no senoidalse puede representar en forma deuna suma de trminos compuesta por: Un trmino senoidal a frecuenciafundamental, Trminos senoidales cuyasfrecuencias son mltiplos enteros dela fundamental (armnicos), Y eventualmente una componentecontinua. La frmula correspondiente a ladescomposicin armnica de unafuncin peridica es la siguiente: y (t) = Yo + Yn 2 sen(nwt - n) donde: Yo : valor de la componentecontinua, generalmente nula. Yn: valor eficaz del armnico derango n, w : pulsacin de la frecuenciafundamental, n: desfase de la componentearmnica para t = 0. Valor eficaz de unamagnitud alterna nosenoidal Aplicando la frmula general: Yef = [(1/T) 0T y2(t) dt]1/2

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dando para el caso de larepresentacin armnica: Yef = [yn2]1/2 y (t) = Yo Yn 2 sen(nwt - n) Tasa de distorsinTasa de armnicos(segn la definicin CEI).Este parmetro, llamado tambindistorsin la relacinentre el armnica valor o factor de dedistorsin, representa eficaz

losarmnicos (n 2) y el valor eficazde la magnitud alterna: THD % = DF% = 100 (yn2de n2 a ) /(yn2n1 a )) Tasa global de distorsin(segn la definicin dada por laCIGREE) Este parmetro representa larelacin entre el valor eficaz de losarmnicos y el valor eficaz de lafundamental: D% = 100(yn2de n2 a ) / Y1 Nota:Cuando la tasa de distorsines baja, que es el caso msfrecuente para la tensin, las dosdefiniciones conducen prcticamenteal mismo resultado.Por ejemplo, si: yn2de n2 a ) = 10% de Y1 La expresin CEI da: THD % = DF% = 100 (0.12) /(1+0.12) Cuando la expresin CIGREE da: D% = 100 ( 0,1/1) = 10% En consecuencia, utilizaremos parala tasa de distorsin, la expresinD que corresponde a una visinms analtica de la influencia de losarmnicos sobre la onda nodeformada. Tasa individual de armnicos Este parmetro representa larelacin entre el valor eficaz de lamagnitud alterna (segn diccionarioCEI) o el valor eficaz de lafundamental (segn CIGREE);segn definicin del diccionarioCEI:

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Hn% = 100 Yn / [yn2de n =1 a )] segn definicin del diccionarioCIGREE: Hn% = 100 Yn / Y1 Factor de potencia y cos 1 Segn la CEI, el factor de potenciaes el cociente entre la potenciaactiva P y la potencia aparente S. Esto es = P / S Este factor de potencia no debeconfundirse con el factor de desfasecos1 que representa el cosenodel ngulo formado por los fasoresde las componentes fundamentalesde la tensin y corriente. 1 = cos 1 = P1 / S1 donde: P1 = potencia activa de lacomponente fundamental yS1 = potencia aparente de lacomponente fundamental. Factor de deformacin de n La norma CEI 146-1-1, nos permitedefinir la relacin entre el factor de potencia y el cos1como: v = / cos 1 En el caso de que las corrientes ylas tensiones sean perfectamentesenoidales, el factor de deformacines 1 y el cos1es igual al factor depotencia. Factor de crestaSegn la definicin dada por la CEIes el cociente entre el valor decresta y el valor eficaz de unamagnitud peridica. 5.2.- Relacin entre distorsinde corriente y de tensin Para una fuente de tensin dada,siempre es posible definir unaimpedancia de salida, incluso si stadepende de la frecuencia. En lamedi-da que esta impedancia esindependiente del valor de lacorriente

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(linealidad) es posible,para cada armnico de corriente,calcular una tensin armnicacorrespondiente y deducir de ello latasa individual de armnicos.El valor eficaz de la tensinarmnica de rango n vale: Un = Zsn.In donde: Zsn: impedancia de salida para elarmnico n, y In: valor eficaz de la corrientearmnica. La tasa individual de armnicos derango n vale pues para la tensin Un = Hn / U1 donde: U1: valor eficaz de la fundamental. La tasa global de distorsin detensin se obtiene pues con laexpresin:D% = 100(un2de n2 a ) / U1 siendo tambin:D% = 100(Hn2 de n2 a ) La impedancia de la fuente para lasdiferentes frecuencias armnicasjuega por tanto un papelfundamental en la aparicin de ladistorsin de tensin. Cuanto mselevada sea la impedancia de lafuente, mayor ser la tasa dedistorsin de tensin, para unacorriente no senoidal dada. Influencia de la impedancia delneas sobre lasdistorsiones en tensin.- La parte anterior pone enevidencia que es deseable alimentara travs de lneas especiales losreceptores generadores decorrientes armnicas.Esto es cierto para las cargas tipoRCD, pero tambin para todos losreceptores que utilizan la electrnicade potencia tales comorectificadores, cargadores debatera, variadores de velocidad, etc.Utilizar una lnea especial permite un acoplamiento por impedancia (figura 5.1).

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Para el receptor lineal.- Si la impedancia del receptor (Zp) espreponderante frente a laimpedancia de la lnea Z1 la tasa dedistorsin D1 es prcticamenteigual a D.

Para el receptor no lineal.- D2 es tanto ms bajo cuanto mspequea sea la suma Z2 + Zs; enotras palabras, que el receptor nolineal tendr una potencia bajafrente a su alimentacin. El ejemplo nos muestraprecisamente la influencia de Z2sobre D y D2. Un conjunto de micro ordenadoresabsorben 10 kW a 230 V y est alimentado por un cable de 100 mde longitud conectado a untransformador. Las caractersticas del cable son: Seccin: 10 mm2 LW= 0,1 W por km a 50 Hz, r = 20 W por km para una seccinde 1 mm2. Caractersticas del transformador:50 kVA(con UCCX = 4% y UCCR = 2%).Es preciso calcular las impedanciasde cortocircuito inductiva y resistivadel transformador, referidas a lapotencia activa de los microordenadores,es decir: U'1CCX = U1CCX . PR/ PSU'1CCR = U1CCR . PR/ PS Por tanto U'1CCX = 4% .10/ 50 = 0.8 %U'1CCX = 2% .10/ 50 = 0.4

%Suponiendo como primeraaproximacin que Z2 = 0 (carga

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muyprxima al transformador).Las curvas de lasfiguras nos danD = 4,6% = D2. Es necesario calcular D y D2 conla lnea 100 m/10 mm2: Impedancias de cortocircuito de lalnea referidas a PR:

U'2CCX = L W . PR . 100 / US2U'2CCR = L W . PR . 10 / US2 Es decir con I W = 0.1 . 100 / 1000 = 10 m r = 20 .(100 / 1000) ( 1 / 10) = 0.2 U'2CCX = 10 E-3. (10000/2302). 100 = 0.19 % U'2CCR = 0.2 (10000/2302). 100 = 3.8 % Impedancias totales de cortocircuito: U'CCX = 0,8% + 0,19% = 0,99% es decir U'CCX = U'1CCX + U'2CCX U'CCR = 0,4% + 3,8% = 4,2% U'CCR = U'1CCR + U'2CCR

La tasa de distorsin en tensin D'L y D'R relativa a las impedancias de cortocircuito inductivas y resistivas. Estos valores vienen dados en las figuras 5.2y 5.3y son respectivamente: D'L = 3,9 %, D'R = 3,9 %. Tasa de distorsin a la entrada delos microordenadores: D2 = [3,92 +3,92]1/2 = 5,52% Tasa de distorsin en tensin DL yDR al nivel de la fuente:
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DL = D'L. U'1CCX / . U'1CCX DR= D'R. U'1CCR / . U'1CCR donde: DL = 3,9%.0,8 / 0.99 = 3.15 % DR = 3,9%.0,4 / 4.2 = 0.37 % Tasa de distorsin en tensin D alnivel de la fuente D = ( DL2+ DR2)1/2 D = (3,152 + 0,372 )
1/2

= 3,17%

En este ejemplo, la lnea dealimentacin hace pasara D de 4,6% a 3,17%, ya D2 de 4,6% a 5,52%. Filtros de entrada de los equipos informticos.- Tienen como objeto participar en laatenuacin de ciertas perturbaciones provocadas por las alimentacionesestticas o presentes en la red porotros motivos y que pueden alterarel funcionamiento de otros equiposque sean sensibles a ellas, comoequipos informticos o electrnicos. La cuestin es averiguar si estosfiltros atenan las corrientesarmnicas generadas por laalimentacin RCD. Inyeccin de parsitos en la red.- Con el fin de reducir el tamao y elpeso del o de los transformadores,las alimentaciones estticas utilizanel acoplamiento a alta frecuencia. En el esquema de untransformador y su carga sustituyenla resisten-cia de carga R delmontaje bsico; en estecaso la corriente de lnea es lamisma debido a la presencia delcondensador C. La frecuencia de barrido essiempre alta y en todo caso superiora 20 kHz para que el funcionamientosea inaudible. Los tiempos de conmutacin deltransistor (paso del bloqueo aconduccin y viceversa) son muycortos y pueden, en ciertos casos,ser inferiores a algunas decenas denano segundos.

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Estas conmutaciones a altafrecuencia son generadoras deparsitos HF que se propagan porconduccin y radiacin. De ello sededuce la presencia de parsitosaguas arriba de la alimentacinesttica. Para limitar la circulacin de estascorrientes a alta frecuencia, losconstructores de equipos informticos sitan aguas arriba de la alimentacin esttica filtros cuya estructura general se representa en la figura 5.5.Estos filtros atenan lasperturbaciones: De modo comn que afectan de la misma manera los dos conductores respecto a tierra. Diferenciales que estn presentesentre los dos conductores. La inductancia L presenta una altaimpedancia para las corrientes demodocomn peroprcticamente nula para lascorrientes diferenciales ya quesus arrollamientos presentanpolaridades opuestas. Las perturbaciones de modo comnse derivan a tierra a travs de los condensadores C1 y son bloqueadaspor la inductancia L. Las perturbaciones de mododiferencial son atenuadas por loscondensadores CA y CR que, en altafrecuencia, presentan una bajaimpedancia entre los conductores. 5.3.- Proteccin de la alimentacinesttica El filtro situado entre la red dealterna y la alimentacin RCDasegura una segunda funcin la cual protege a stas contrasobretensiones tipo

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impulso o frenteescarpado y contra los parsitos HFde modo diferencial y de modocomn que estn presentes en elsector. Fugas a tierra.- La presencia de los condensadoresC1 provoca una corriente de fuga a50 Hz a tierra.Las normas de construccingeneralmente indican los valores decorriente de fuga que no debensobrepasarse (mA paraaparatos conectados a una toma decorriente). Por ejemplo, la norma CEI 950relativa a equipos de tratamiento deinformacin indica que estascorrientes deben ser inferiores a3,5 mA para aparatos conectados alas tomas de corriente. En realidad,la UTE ha medido corrientes delorden de 1a 2 mA.Si una lnea alimenta numerososequipos informticos y electrnicos,la suma de las corrientes de fugapuede provocar el disparo deldiferencial de alta sensibilidad (30mA) instalado en la lnea. Filtraje de armnicos. Los filtros situados entre el sector yla alimentacin RCD son eficaces enla banda de frecuencia de 10 kHz a100 MHz.Estos filtros no son capaces defiltrar las corrientes armnicas en lared. Esto se debe a que lascorrientes armnicas producidas porlas alimentaciones RCD son defrecuencia relativamente baja. 5.4.- Aplicaciones industriales Frente a las condiciones ideales de operacin de unrectificador para que este pueda trabajar plenamente es necesario: Alimentacin trifsica equilibrada en magnitud,ngulo y fase. Alimentacion sin distorciones. Frecuencia dela redde abastecimiento constante. Sistema de disparo con pulsos igualmente espaciados. Reactor de aislamiento con caractersticas infinitas.

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Los efectos de las fluctuaciones de tensin se dan en las: oscilaciones de potencia y torque de motores eltricos, interferencia de la instrumentacin eletrnica, equipamentos de procesamiento de datos y de controles de procesos industriales, interferencia en aparatos residenciales tales como: vdeos, relojes digitais y TVs; reduccin de velocidadde fundicin de la produtividadde hornos de arco; equipos comprometidos con los procesos de soldadura; interferencia visual provocado por el centelleo luminoso de las lamparas principalmente incandescentes (flicker). La reducin de los niveles de distorcin se logra con: La compensacion interna (aumento de nmero de pulsos, etc.). La inclusin de filtros pasivos e activos.

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La distorsin de la forma de las ondas en los reguladores se dan en: Hornos de inducin controlados por reactores saturados; Cargas de especiales controlados por tiristores; Velocidad de motores CA controlados por tensin de estator; Reguladores de tensin a ncleo saturado; Computadoras, eletrodomsticos con fuentes enclavadas, etc. Las variaciones de la frecuencia industrial.- Son los desvios de la frecuencia fundamental en relacin al valor nominal especificado de 60 Hz. Las causas son:diversas fallas,ingreso de grandes cargas yprdida de unidades generadoras.

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Las consecuencias son las siguientes:mala operacin de los dispositivos de proteccin, alteracinde la velocidadenel desempeo de mquinas rotativas y variaciones de las cargas entre otros.

Las fluctuaciones de tensin se dan en: Las variaciones sistemticas de los valores eficaces de la tensin dentro de un intervalo comprendido entre 0,9 e 1,1 pu. Se presentan los siguientes tipos: aleatrias (hornos de arco), repetitivas (mquinas de soldar, laminadores, equipos ferroviarios, etc) y espordicoas (arranque de motores elctricos). Las consecuencias de los armnicos son: Sobrecargas y sobrecalentamiento enequipamientos y su consecuente reducin de la vida til. Sobretensiones armnicas y solicitaciones deaislamiento de los dispositivos con su concuente stress y reducin de la vida til, Operacin indevida del equipamiento eltricos. Aumento de consumo de energia eltrica.

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