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Universidad Nacional de Ingeniera

Facultad de Ingeniera Elctrica y Electrnica

UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERIA FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRICA Y ELECTRONICA DEPARTAMENTO DE INGENIERIA ELECTRNICA
INFORME FINAL DE ESTUDIO DEL OSCILADOR GUNN
Maria Esther Bueno Quispe, mariabq.4@gmail.com Jose Diaz Pomalaya, jdiazp@uni.pe Ronald Tomas Mucha Aquino, ronald.mucha.aquino@gmail.com Jaime Torres Huerto, efmamjjasond_7@hotmail.com Jimmy Salvatierra Tucto, jimmysalvatierra91@gmail.com Joel Dante Verastegui Alvarez, jhoelval@gmail.com

RESUMEN: En este laboratorio buscamos analizar y descrbir el comportamiento de los osciladores Gunn, tales como la grafica carcteristica de tension y corriente, representando asi la resistencia negativa. Estos dispositivos tienen una larga lista de aplicaciones, entre las que se incluyen mediciones de distancia, deteccin de movimientos, radares de velocidad, detectores para automatismos de apertura/cierre de puertas, y otras muchas ms. 1. Titulo Estudio del oscilador Gunn 2. Resumen En este laboratorio buscamos analizar y descrbir el comportamiento de los osciladores Gunn, tales como la grafica carcteristica de tension y corriente, representando asi la resistencia negativa. Estos dispositivos tienen una larga lista de aplicaciones, entre las que se incluyen mediciones de distancia, deteccin de movimientos, radares de velocidad, detectores para automatismos de apertura/cierre de puertas, y otras muchas ms. 3. Objetivo Determinar la curva del diodo Gunn y hallar las frecuencias de corte y resonancia en una gua de ondas. 4. Marco Teorico Cuando aplicamos una diferencia de potencial (un campo elctrico) a un semiconductor, lo que se hace es, esencialmente, inclinar las bandas de energa. Cuanto ms alta est la banda, a mayor potencial est el material en ese punto. El campo elctrico apunta de potenciales bajos a potenciales altos, y los electrones van cuesta abajo por la banda de conduccin (en contra del campo elctrico). Cuanto mayor sea el potencial aplicado, ms inclinada est la pendiente y ms se aceleran los electrones. Se est

tratando elGaAS, as que no tenemos huecos de los que preocuparnos. An as, no es una propiedad exclusiva del GaAs, y aparece tambin en otros semiconductores, como el nitruro de galio (smbolo GaN), que tantos avances ha proporcionado. Uno esperara que, en el trozo de GaAs tipo n, al aumentar la tensin (i.e. al aumentar el campo elctrico aplicado, aumentando as la inclinacin de las bandas), la corriente elctrica que atraviesa el material (es decir, la cantidad de electrones que pasan por un punto determinado en un intervalo de tiempo: no es otra cosa la corriente) aumentar tambin progresivamente. Si miramos la Figura 2 (que representa, con la lnea continua, la velocidad de los electrones en funcin del campo elctrico aplicado), vemos que esto es as al principio, en el tramo de la curva etiquetado con una A. Para campos elctricos muy pequeos, un aumento del campo se convierte en un aumento de la corriente: hasta aqu todo normal. Sin embargo, al llegar al punto marcado como B ocurre algo inesperado, y es que si seguimos aumentando el campo, la corriente no slo no aumenta ms, sino que empieza a disminuir. Esta tendencia sorprendente se mantiene para un rango de campos elctricos aplicados, marcado como C. Ms all del punto marcado con una D, la tendencia vuelve a ser la habitual (aunque, ojo, ahora la corriente aumenta ms despacio al aumentar el campo elctrico: la curva es ms plana). Al tramo de la curva que he marcado con una C se le suele llamar regin de resistencia diferencial negativa (RDN). Esto slo significa que para ese rango de valores del campo elctrico aplicado, un aumento en el campo elctrico hace que la corriente disminuya en lugar de aumentar. Es gracias a esta propiedad del GaAs tipo n (y de otros semiconductores tambin, como dije ms arriba) que el efecto Gunn existe y, por tanto, que los diodos Gunn funcionan. Por qu la curva corriente-tensin (o velocidad

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de electrones en funcin del campo elctrico aplicado, que es lo mismo). 4.1. Guia de Ondas: Una gua de onda, es un tubo conductor hueco, que generalmente es de seccin transversal rectangular, o bien circular o elptica. Las dimensiones de esta de la seccin transversal se seleccionan de tal forma que las ondas electromagnticas se propaguen dentro del interior de la gua; cabe recordar que las ondas electromagnticas no necesitan un medio material para propagarse. Las paredes de la gua de onda son conductores y por lo tanto reflejan energa electromagntica de la superficie. En una gua de onda, la conduccin de energa no ocurre en las paredes de la gua de onda sino a travs del dielctrico dentro de la gua de onda. La energa electromagntica se propaga a lo largo de la gua de onda reflejndose hacia un lado y otro en forma de zig-zag. En algunos sistemas de telecomunicaciones utilizan la propagacin de ondas en el espacio libre, pero tambin se puede transmitir informacin mediante el confinamiento de las ondas en cables o guas. En altas frecuencias las lneas de transmisin y los cables coaxiales tienen atenuaciones muy elevadas por lo que impiden que la transmisin de la informacin sea la adecuada, son imprcticos para aplicaciones en HF(alta frecuencia) o de bajo consumo de potencia, especialmente en el caso de las seales cuyas longitudes de onda son del orden de centmetros, esto es, microondas. La transmisin de seales por guas de onda reduce la disipacin de energa. En las guas, los campos elctricos y los campos magnticos estn confinados en el espacio que se encuentra en su interior, de este modo no hay prdidas de potencia por radiacin y las prdidas en el dielctrico son muy bajas debido a que suele ser aire. Este sistema evita que existan interferencias en el campo por otros objetos, al contrario de lo que ocurra en los sistemas de transmisin abiertos. Tipos de guas de onda En este trabajo solo se profundizara acerca de las guas de onda rectangulares, circulares y elpticas, tomando ms como referencia las guas de ondas rectangulares que es el anlisis ms prctico que hay, pero existen varios tipos de guas de onda, entre los tipos de guas ms importantes se encuentran: Gua de onda rectangular (circular, elptica): Son aquellas cuya seccin transversal es rectangular (circular, elptica). Gua de onda tabicada: formada por dos cilindros metlicos coaxiales unidos en toda su longitud pro un tabique radial metlico. Gua de onda acanalada, guiada en V; guiada en H: Gua de onda rectangular que incluye resaltes conductores interiores a lo largo de una de cada una de las paredes de mayor dimensin.

Frecuencia de corte: Es la mnima frecuencia de operacin que posee una gua de onda. Las frecuencias por debajo de la frecuencia de corte no sern propagadas por la gua de onda. Definiendo ahora m y n .El primero se refiere al nmero de medios ciclos de variacin de campo a lo largo de la dimensin A, y el segundo se refiere al nmero de medios ciclos de variacin de campo a lo largo de B. (A y B vistos en las siguientes figuras)

( )

( )

Funcionamiento: En guas de onda rectangulares el modo es el TE1,0 y en guas de onda circulares es el TE1,1. El BW de una gua de onda viene limitado por la aparicin de modos superiores. En una gua rectangular, sera el TE2,0 . Las GO tienen una frecuencia de corte por debajo de la cual la transmisin es imposible. Esta frecuencia es inversamente proporcional a la dimensin transversal de la gua; Factible para transmisiones>1 GHz (microondas). Ventajas y desventajas: Ventajas: Blindaje total (elimina perdidas por radiacin). No hay perdidas en el dielctrico (no hay aisladores dentro). Prdidas por conductor son menores. Mayor capacidad en el manejo de potencia.

Desventajas: La instalacin y operacin de un sistema de GO es ms compleja. Considerando la dilatacin y contraccin con la temperatura, se debe sujetar mediante soportes especiales. Se debe mantener sujeta a presurizacin para mantener las condiciones de uniformidad del medio interior.

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4.2. Cavidad Resonante. Consideremos una gua de ondas que terminamos en cortocircuito. Si a una distancia de media longitud de onda (en la gua) colocamos otro, la cavidad as formada permite la existencia de una onda estacionaria, de aquellas frecuencias cuyas semi-longitudes de onda sean mltiplos enteros de la longitud de la gua. En otras palabras: la estructura resuena a esas frecuencias, por lo que se llama cavidad resonante. El anlisis de la estructura conduce al clculo de los modos que permite, TEXYZ y TMXYZ. El acoplo se realizar para excitar el modo de inters. Los modos tienen tres subndices debido a que la onda estacionaria se puede propagar en las tres direcciones del espacio. La existencia de modos superiores indica que la cavidad resonar a la frecuencia fundamental y a sus armnicos. Cavidades rectangulares

Fig. 5.2 (b=2.21cm)

Fig. 5.3 (a=1.11cm) 6. Calculos Teoricos Medir la frecuencia de resonancia (utilizando el frecuencmetro) para valores diferentes del valor de frecuencia de la cavidad resonante Gunn y completar la tabla 6.1 y 6.2 Donde d2=d1-0.815cm

Tabla 6.1

5. Desarrollo de la experiencia

Tabla 6.2

Ahora para la gua de ondas, cuya frecuencia de operacin fue en 8.5 GHz cuyas dimensiones son: a= 2.23cm , b= 1.1cm donde: la frecuencia de corte est dado por: ( ) Fig. 1 (Circuito completo) ( )

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en modos m y n 6.72 < 8.5 (se propaga) 13.63 >8.5 (no se propaga) 13.45 >8.5 (no se propaga) 15.205 >8.5 (no se propaga) Tabla 6.3 Entonces nuestra frecuencia de corte es: (En GHz) 7. Recoleccion de Resultados y Grficas. Trazar la grfica V (tensin) vs I (corriente) usando los datos de la tabla 6.1.

200 150 I(mA) 100 50

Hallar la frecuencia de resonancia de la cavidad con los valores medidos (a, b y d) a= 2.23cm , b= 1.1cm y d2 =d (valores de la tabla 1.2) ahora la frecuencia de resonancia est dado por : ( ) ( ) ( ) en Hz.

0 0 5 10 V (tensin) 15

Pero un caso prctico para este tipo de gua de Cavidad Resonante Gunn.(m=1, n=0 y p=1)

Grfico 7.1 2.2.- Hallar la potencia DC (Vdc x Idc) con los valores indicados en la tabla 1.1. y graficarlos. Los datos de potencia ya se obtuvieron en la tabla 6.1. y procedemos a graficar la grfica caracterstica del Diodo Gunn y tambin de la Potencia DC.

1400 1200 1000 I (mA) 800 600 400 200 0 0


a(cm) 2.23 2.23 2.23 2.23 b(cm) 1.1 1.1 1.1 1.1 d(cm) 4.27 4.025 3.74 3.54 Frec. Resonancia 7.58 GHz 7.68 GHz 7.83 GHz 7.94 GHz 8. Observaciones: Al momento de las mediciones con el vernier, es inevitable que no se cometa errores, por ello el vernier digital, muestran una gran herramienta de reemplace para evitar esos errores tan comunes. Efectivamente se esperaba observar en la grfica tensin vs corriente, la resistencia negativa (la relacin tensin-corriente, cuya pendiente es negativa), adems de ese descenso en la pendiente una recuperacin y regreso a la resistencia positiva, por lo tanto, el nmero de puntos muestreados, es suficiente para poder ver ese fenmeno caracterstico del diodo Gunn, as completando uno de los objetivos que se expuso al inicio del laboratorio. Grfico 7.2

Potencia (mW)

10

15

V (voltios)

Tabla 6.4

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Una de las tcnicas de diseo en las guas de ondas, y tambin en las cavidades rectangulares, para ambos casos, es hacer la relacin de 1 a 2, entre la base y la altura, de esta forma garantizando la optimizacin de costos, asi de solo hacer pasar el modo dominante. Una cavidad resonante es un sistema pasivo, su modelo es similar al de una lnea de transmisin de (/2) en corto circuito. Normalmente son construidas con sectores de guas de onda normalizadas.

9. Referencias Bibliograficas http://thetuzaro.wordpress.com/2012/02/29/d iodos-gunn-planares-de-gaas/12/Sep/2013 11:15 pm http://www.iuma.ulpgc.es/~jrsendra/Docencia /Com_Opt_I/download/Com_Opt_I/Temario/tr ansmision.pdf 13/09/13 10:00am http://es.scribd.com/doc/46062081/Guias-deondas#download 13/09/13 11.02 am. http://es.scribd.com/doc/46062081/Guias-deondas#download 13/09/13 12:25 pm http://151.100.120.244/personale/galli/disp_c em/CAMPI%20ELETTROMAGNETICI%20A.A.%20 2012-13/13b.pdf 13/09/13 , 2.04pm

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