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UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERIA FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRICA Y ELECTRONICA DEPARTAMENTO DE INGENIERIA ELECTRNICA
INFORME FINAL DE ESTUDIO DEL OSCILADOR GUNN
Maria Esther Bueno Quispe, mariabq.4@gmail.com Jose Diaz Pomalaya, jdiazp@uni.pe Ronald Tomas Mucha Aquino, ronald.mucha.aquino@gmail.com Jaime Torres Huerto, efmamjjasond_7@hotmail.com Jimmy Salvatierra Tucto, jimmysalvatierra91@gmail.com Joel Dante Verastegui Alvarez, jhoelval@gmail.com
RESUMEN: En este laboratorio buscamos analizar y descrbir el comportamiento de los osciladores Gunn, tales como la grafica carcteristica de tension y corriente, representando asi la resistencia negativa. Estos dispositivos tienen una larga lista de aplicaciones, entre las que se incluyen mediciones de distancia, deteccin de movimientos, radares de velocidad, detectores para automatismos de apertura/cierre de puertas, y otras muchas ms. 1. Titulo Estudio del oscilador Gunn 2. Resumen En este laboratorio buscamos analizar y descrbir el comportamiento de los osciladores Gunn, tales como la grafica carcteristica de tension y corriente, representando asi la resistencia negativa. Estos dispositivos tienen una larga lista de aplicaciones, entre las que se incluyen mediciones de distancia, deteccin de movimientos, radares de velocidad, detectores para automatismos de apertura/cierre de puertas, y otras muchas ms. 3. Objetivo Determinar la curva del diodo Gunn y hallar las frecuencias de corte y resonancia en una gua de ondas. 4. Marco Teorico Cuando aplicamos una diferencia de potencial (un campo elctrico) a un semiconductor, lo que se hace es, esencialmente, inclinar las bandas de energa. Cuanto ms alta est la banda, a mayor potencial est el material en ese punto. El campo elctrico apunta de potenciales bajos a potenciales altos, y los electrones van cuesta abajo por la banda de conduccin (en contra del campo elctrico). Cuanto mayor sea el potencial aplicado, ms inclinada est la pendiente y ms se aceleran los electrones. Se est
tratando elGaAS, as que no tenemos huecos de los que preocuparnos. An as, no es una propiedad exclusiva del GaAs, y aparece tambin en otros semiconductores, como el nitruro de galio (smbolo GaN), que tantos avances ha proporcionado. Uno esperara que, en el trozo de GaAs tipo n, al aumentar la tensin (i.e. al aumentar el campo elctrico aplicado, aumentando as la inclinacin de las bandas), la corriente elctrica que atraviesa el material (es decir, la cantidad de electrones que pasan por un punto determinado en un intervalo de tiempo: no es otra cosa la corriente) aumentar tambin progresivamente. Si miramos la Figura 2 (que representa, con la lnea continua, la velocidad de los electrones en funcin del campo elctrico aplicado), vemos que esto es as al principio, en el tramo de la curva etiquetado con una A. Para campos elctricos muy pequeos, un aumento del campo se convierte en un aumento de la corriente: hasta aqu todo normal. Sin embargo, al llegar al punto marcado como B ocurre algo inesperado, y es que si seguimos aumentando el campo, la corriente no slo no aumenta ms, sino que empieza a disminuir. Esta tendencia sorprendente se mantiene para un rango de campos elctricos aplicados, marcado como C. Ms all del punto marcado con una D, la tendencia vuelve a ser la habitual (aunque, ojo, ahora la corriente aumenta ms despacio al aumentar el campo elctrico: la curva es ms plana). Al tramo de la curva que he marcado con una C se le suele llamar regin de resistencia diferencial negativa (RDN). Esto slo significa que para ese rango de valores del campo elctrico aplicado, un aumento en el campo elctrico hace que la corriente disminuya en lugar de aumentar. Es gracias a esta propiedad del GaAs tipo n (y de otros semiconductores tambin, como dije ms arriba) que el efecto Gunn existe y, por tanto, que los diodos Gunn funcionan. Por qu la curva corriente-tensin (o velocidad
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Frecuencia de corte: Es la mnima frecuencia de operacin que posee una gua de onda. Las frecuencias por debajo de la frecuencia de corte no sern propagadas por la gua de onda. Definiendo ahora m y n .El primero se refiere al nmero de medios ciclos de variacin de campo a lo largo de la dimensin A, y el segundo se refiere al nmero de medios ciclos de variacin de campo a lo largo de B. (A y B vistos en las siguientes figuras)
( )
( )
Funcionamiento: En guas de onda rectangulares el modo es el TE1,0 y en guas de onda circulares es el TE1,1. El BW de una gua de onda viene limitado por la aparicin de modos superiores. En una gua rectangular, sera el TE2,0 . Las GO tienen una frecuencia de corte por debajo de la cual la transmisin es imposible. Esta frecuencia es inversamente proporcional a la dimensin transversal de la gua; Factible para transmisiones>1 GHz (microondas). Ventajas y desventajas: Ventajas: Blindaje total (elimina perdidas por radiacin). No hay perdidas en el dielctrico (no hay aisladores dentro). Prdidas por conductor son menores. Mayor capacidad en el manejo de potencia.
Desventajas: La instalacin y operacin de un sistema de GO es ms compleja. Considerando la dilatacin y contraccin con la temperatura, se debe sujetar mediante soportes especiales. Se debe mantener sujeta a presurizacin para mantener las condiciones de uniformidad del medio interior.
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Fig. 5.3 (a=1.11cm) 6. Calculos Teoricos Medir la frecuencia de resonancia (utilizando el frecuencmetro) para valores diferentes del valor de frecuencia de la cavidad resonante Gunn y completar la tabla 6.1 y 6.2 Donde d2=d1-0.815cm
Tabla 6.1
5. Desarrollo de la experiencia
Tabla 6.2
Ahora para la gua de ondas, cuya frecuencia de operacin fue en 8.5 GHz cuyas dimensiones son: a= 2.23cm , b= 1.1cm donde: la frecuencia de corte est dado por: ( ) Fig. 1 (Circuito completo) ( )
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Hallar la frecuencia de resonancia de la cavidad con los valores medidos (a, b y d) a= 2.23cm , b= 1.1cm y d2 =d (valores de la tabla 1.2) ahora la frecuencia de resonancia est dado por : ( ) ( ) ( ) en Hz.
0 0 5 10 V (tensin) 15
Pero un caso prctico para este tipo de gua de Cavidad Resonante Gunn.(m=1, n=0 y p=1)
Grfico 7.1 2.2.- Hallar la potencia DC (Vdc x Idc) con los valores indicados en la tabla 1.1. y graficarlos. Los datos de potencia ya se obtuvieron en la tabla 6.1. y procedemos a graficar la grfica caracterstica del Diodo Gunn y tambin de la Potencia DC.
Potencia (mW)
10
15
V (voltios)
Tabla 6.4
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9. Referencias Bibliograficas http://thetuzaro.wordpress.com/2012/02/29/d iodos-gunn-planares-de-gaas/12/Sep/2013 11:15 pm http://www.iuma.ulpgc.es/~jrsendra/Docencia /Com_Opt_I/download/Com_Opt_I/Temario/tr ansmision.pdf 13/09/13 10:00am http://es.scribd.com/doc/46062081/Guias-deondas#download 13/09/13 11.02 am. http://es.scribd.com/doc/46062081/Guias-deondas#download 13/09/13 12:25 pm http://151.100.120.244/personale/galli/disp_c em/CAMPI%20ELETTROMAGNETICI%20A.A.%20 2012-13/13b.pdf 13/09/13 , 2.04pm
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