Efecto Hall anmalo

Freire Fernndez, Francisco

Abstract

El objeto de esta prctica fue el estudio del AHE en lminas delgadas Co/Pt haciendo uso de medidas de voltaje atendiendo al mtodo de Van der Pauw. A partir de estas experiencias se calcularon los coeciente OHE y AHE , apoyndonos tambin en medidas de imacin de la muestra a partir de un VSM.

Preprint submitted to Elsevier

10 de febrero de 2013

ndice 1. Introduccin 2. Metodologa y experimentacin 3. Conclusiones 3 4 7

1.

Introduccin

El efecto Hall es una de los fenmenos de transporte fundamentales en fsica del estado slido. Este es consecuencia directa de la ruptura de la simetra de inversin temporal en el estado ferromagntico, al campo magntico

T.

El origen del efecto Hall normal es la aparicin de la fuerza Lorentz debida

e F = v H, c v y al

que produce una aceleracin en los electrones perpendicular a su velocidad campo

H.

Para electrones libres esto se traduce en un movimiento ciclotrnico

con frecuencia

c = eH/ (mc).

La fuerza Lorentz provoca la acumulacin de

cargas opuestas en los dos lados de la muestra. En estado estacionario, La fuerza Lorentz se compensa gracias al campo elctrico transversal resultante que se observa por medio del voltaje Hall,

VH .

Posteriormente al descubrimiento de este efecto fue el mismo Hall quin se dio cuenta de que en el hierro ferromagntico se encontraba este efecto pero magnitud diez veces mayor, lo que pas a conocerse como efecto Hall anmalo, AHE. Ante esto surgieron diversas teoras para intentar justicarlo. Por una lado tenemos la teora KL la cual nos dice que cuando aplicamos un campo elctrico a un slido, sus electrones adquieren una velocidad adicional que se suma a su velocidad de grupo. La velocidad anmala KL se considera perpendicular al campo elctrico y por ello puede contribuir al efecto Hall. En el caso de conductores ferromagnticos, la suma de la velocidad anmala sobre todas las bandas ocupadas puede ser no nula, implicando una contribucin a la conductividad Hall

xy , la que se conoce como contribucin intrnseca al AHE. La mayor

crtica a esta teora es que no considera el scattering. Aqu entran en juego Smit y Berger. Smit armaba que la principal fuente de las corriente AHE era el scattering antisimtrico por las impurezas debido a la interaccin spin-rbita (SOI). Por otro lado Berger sostena que la principal fuente de las corrientes AHE eran los sucesos de side-jump dados por cuasipartculas tras el scattering debido al SOI acoplada a las impurezas. El efecto Hall anmalo es en su ncleo un fenmeno cuntico que se origina por la coherencia cuntica del mezclado de las bandas como consecuencia tanto del campo elctrico aplicado y el potencial desorden. Como vimos el AHE es fruto de tres contribuciones independientes, intrnseca, side-jump y skew scattering. Una forma de clasicar estas contribuciones es separndolas atendiendo a su dad Hall

del estado Bloch. De modo que la conductivi 0 . Cuando esta vara como hablamos de skew 0 scattering, y cuando vara como tenemos contribucin intrnseca y side-jump.
de su vida media de transporte

AH xy

vara entre

2.

Metodologa y experimentacin

La muestra que se analiz en las distintas experiencias fue una lmina delgada cuadrada compuestas por diez doble-capas de Co/Pt cuya magnetizacin est fuera del plano. Las dimensiones son de capas cada una con un espesor de

0,4 nm

de Co y

5 mm x 5 mm x 11 nm 0,7 nm de Pt).

(tenemos 10

Para poder estudiar el AHE se utiliz un dispositivo experimental basado en medidas tipo Van der Pauw. Este mtodo consiste en hacer pasar a travs de una de las diagonales de la muestra cuadrangular una determinada corriente al tiempo que se mide la diferencia de potencial en la otra diagonal a campo

RHall = U24 /I13 (U24 hace referencia a la diferencia de potencial medida entre los vrtices opuestos 2 y 4, dem para la intensidad I13 ). Conociendo la resistencia Hall podremos calcular la resistividad Hall como H = RH t (donde t es el espesor
magntico variable. De este modo, la resistencia Hall vendr dada por de la muestra). A partir de los datos obtenidos en estas experiencias y sabiendo que la resistividad Hall en los metales como Fe, Ni y Co viene dada por dos contribuciones tendremos que:

H = AHall H + AS M (T, H )
donde

(1)

M (T, H )

es la magnetizacin media sobre el material,

As

es el

coeciente Hall anmalo y medida que

AHall

es el coeciente Hall normal. El coeciente

Hall anmalo en la Ec.(1) es proporcional al AHE en un nico dominio. A

H 0,

la aparicin de ms dominios reduce

M (T, H )

a cero; lo

que conlleva la cancelacin de la resistividad anmala entre dominios, i.e., lleva a un corriente Hall neta nula. El papel de

es simplemente alinear las

corrientes AHE rotando dominios y alinendolos.

, K Z ,

Figura 1: Dependencia de la resistividad Hall,

H,

para una muestra de 10 capas de Co/Pt de

H , a campo magntico perpendicular aplicado, 1, 1 nm de espesor

En primer lugar veamos la dependencia de la resistividad Hall con el campo de nuestra muestra. Como podemos ver en la Figura 1 la resisitividad Hall aumenta rpidamente a valores de campo prximos a cero que se corresponde al efecto de la rotacin de los dominios, y satura para un campo pequeo

1 T esla.

Como ya hemos mencionado antes, para valores de campo pequeos la imanacin de nuestra muestra ser prcticamente nula debido a la multiplicidad de dominios presentes. Dado este hecho, para calcular el valor del coeciente Hall ordinario se proceder a estudiar la dependencia de H para valores de campo (100, 100) Oe. A sabiendas de que debemos obtener un comportamiento lineal, haciendo uso de clculos de regresin se obtiene un coeciente Hall ordinario,

cm AHall = (4 1) 1011 Oe .

Identicando

mente el valor de la densidad de carga

AHall = n1 e podemos conocer 19 media, n = (5,2 0,7) 10 emu.

fcil-

Estimemos ahora el valor del coeciente Hall anmalo, para ello procederemos de un modo similar al anterior. En este caso esperamos un comportamiento lineal por parte de la resistividad Hall a medida que vare la imanacin. Haciendo uso de los datos de imanacin obtenidos por medio de un VSM y, comparando estos con nuestros valores de resisitividad en funcin del campo, podremos hacer corresponder a groso modo valores de resistividad e imanacin.

D K

, K ,

Figura 2: Ciclo de histresis de la muestra.

Otro mtodo ms correcto sera calcular la susceptibilidad de la muestra y a partir de esta obtener valores de imanacin con mayor veracidad. Se nos presentaron un inconveniente principalmente a la hora de hacer esto. Por un lado nos encontramos con que desconocemos el espesor de vidrio sobre el que se ha hecho el sputtering que, a la vista del ciclo de histresis debe ser bastante grande ya que la contribucin diamagntica que se aprecia en el ciclo es muy notable. El conocer este espesor nos impedir renormalizar de una forma adecuada nuestra imanacin y por tanto no podramos calcular debidamente la susceptibilidad de la muestra. Ello nos fuerza a trabajar con valores de campo cercanos a la zona de saturacin, de

0, 2 a 0, 8 Teslas, y por tanto, trabajaremos en una zona donde

la muestra est prxima a la saturacin hasta completarla; donde la corriente Hall anmala alcanzar su valor ms notable, pero si caer demasiado en la zona afectada pro la contribucin diamagntica. Con todo lo dicho y dado que esperamos un comportamiento lineal en la zona de trabajo especicada, nuevamente bastar hacer uso de clculos de regresin para obtener el valor del coeciente Hall anmalo, obtenindose

cm (2,0 0,2) 1010 Oe

As =

3.

Conclusiones

Analicemos ahora los datos que hemos obtenido: y

cm As = (2,0 0,2) 1010 Oe . Una primera | AS |>| AHall |, hecho que es razonable, decir

cm AHall = (4 1) 1011 Oe

inspeccin da cuenta de que respecto del signo menos del

coeciente Hall anmalo que no sabemos si realmente este es as o es reejo del contribucin diamagntica de la muestra, aunque en principio no habra inconveniente en que este fuese negativo. Para poder conocer que fenmenos son predominantes en nuestra muestra hemos de ver en que factor mos en un valor de

AS H . Dado que en la zona de trabajo nos move 2,19106 cm se deduce rpidamente que 1, 7. 0,45106 (cm)
1
. Esto

Segn la bibliografa esto nos indica que nos encontramos en el lmite de rgimen de buen metal y rgimen de alta conductividad

sugiere un mecanismo independiente del scattering domina en nuestra muestra ( intrnseco y side-jump). Experimentalmente, estas contribuciones no pueden ser distinguidas para medidas dc, pero si pueden ser separadas experimentalmente

AH int , como la extrapolacin de la conxy ductividad Hall de la interbanda-ac a frecuencia cero y en el lmite de , con 1/ 0 ms rpido que 0. Esto nos lleva a una nica denicin AH sj AH AH int para la contribucin de side-jump, como xy xy xy .
deniendo la contribucin intrnseca,

Bibliografa

[1] Naoto

Nagosa

et

al.,

Anomalous

Hall

eect,

http://arxiv.org/pdf/0904.4154v1.pdf [2] Wikipedia (Van der Pauw method). [3] Powerpoint de clase.