Tipos de materiales por su

comportamiento frente a la
corriente elctrica


Dra. Ma. Ldice Soto Portas
Mtra. Teresa Merchand Hernndez



Tipos de materiales por su
comportamiento frente a la
corriente elctrica

Conductores
Semiconductores
Aislantes
Conductores


Ejemplos: metales y aleaciones

Semiconductores


Ejemplos: materiales con base de silicio o germanio

Aislantes


Ejemplos: polmeros, madera, cemento

Materiales conductores
Son materiales que presentan altas conductividades, resultado de la
movilidad de los electrones de valencia en el metal.
Los ncleos y los e
-
internos, se disponen como si fueran esferas
rgidas con carga positiva (cationes del metal) que ocupan
posiciones definidas y alrededor de las cuales se mueven los
electrones formando lo que se conoce como mar elctrico. A
temperatura ambiente las partculas (cationes y electrones)vibran en
sus posiciones de equilibrio.
+ + + +
+ + + +
+ + + +
+ + + +
+ + + +
+ + + + + + + +
+ + + +
+ + + + + + + +
+ + + +
+ + + +
+ + + +
+ + + +
+ + + + + + + +
+ + + +
+ + + +
+ + + +
+ + + +
+ + + +
+ + + +
+ + + +
+ + + + + + + +
+ + + +
+ + + +
Conductores
Al incrementarse la temperatura las esferas rgidas con carga
positiva vibran con velocidades mayores, adicionalmente se
incrementa la energa cintica de los e de valencia, ello origina
colisiones entre los electrones (e-e) y entre los electrones y los
tomos en la estructura cristalina (e-esferas rgidas).

En consecuencia la conductividad
en el material disminuye.
Ley de Ohm
Si consideramos un alambre de cobre conectado a
una batera como en la figura:







Se generar un flujo elctrico a travs del cobre y
podr medirse una intensidad de corriente.
Ampermetro
Resistor variable
Batera
Longitud, l
rea, A
V voltaje en volts
i corriente en amperes
R resistencia en ohms
La Ley de
Ohm indica:
R
V
i =
Resistividad


La resistencia (R) es funcin de la geometra: sta aumenta con
la longitud y disminuye con el rea.
Sin embargo, se requiere una propiedad independiente de la
geometra, que queda expresada con la resistividad ()







La resistividad se entiende como la oposicin que presenta el
material al paso de la corriente elctrica.

| | m ohm
m
m ohm
l
RA
=
(

= =
2

Conductividad
La conductividad (o), es la facilidad que presenta el
material al paso de la corriente elctrica. Por tanto, la
conductividad es el recproco de la resistividad.



En funcin del valor de la conductividad se puede
clasificar un material como:
Conductor, aislante o semiconductor

( )
1
1 1

=
(

= = m ohm
m ohm
o
Conductividad
Los conductores (metales) presentan conductividades altas
de alrededor de 10
7
(ohm . m)
-1
Los aislantes (polmeros) poseen conductividades elctricas
muy bajas 10
-14
(ohm m)
-1
Los semiconductores (silicio y germanio) presentan valores
intermedios de conductividad por ello se clasifican como
semiconductores.






Conductividades elctricas a temperatura ambiente
Metales y
aleaciones
o (O m)
-1
No metales o (O m)
-1
Plata 6.3 x 10
7
Grafito 10
5
(promedio)
Cobre, pureza
comercial
5.8 x 10
7
Germanio 2.2

Oro 4.2 x 10
7
Silicio 4.3 x 10
-4
Plata pureza
comercial
3.4 x 10
-7
Polietileno 10
-14
Poliestireno 10
-14
Diamante 10
-14
Conductividad
La conductividad es producto de la densidad de portadores
de carga (n), la carga del portador (q) y la movilidad de cada
portador ().




La naturaleza de los portadores de carga depende del tipo
de material que se tenga.
o nq =
n expresada en m
3
q en coulombs
en m
2
/(Vs)
Tipos de portadores de carga
En un cristal metlico los portadores de carga son los electrones:



En un cristal covalente los portadores de carga son los e y los
huecos:



En un cristal inico los portadores de carga son los iones (en
solucin o fundidos):
e
-
e
-
e
-
e
-
e
-
e
-
e
-
e
-
e
-
e
-
e
-
e
- e
-
Teora de bandas
Un modelo sencillo para explicar el enlace metlico es a partir
de la Teora del Mar de electrones.
Tambin se puede utilizar el modelo de bandas para explicar el
enlace metlico. Considerando un elemento del grupo 1,
presenta una configuracin ns
1

Considerando n tomos tenemos:



1 2 3 4
tomo
1 1 1 1
Electrn
Orbital s 1 1 1 1
N
1
1
tomos
libres
Estado enlazado
1
tomo N-sima
Teora de bandas
Al aproximarse los tomos para formar el slido se
presentan repulsiones entre sus e, en consecuencia, se
observa un desdoblamiento de los niveles energticos de los e
que ocupan cada orbital s. Dando origen a la formacin de una
banda:






El material presenta conductividad cuando los electrones se
mueven hacia los estados vacantes de la banda de energa.
N/2 estados vacantes
N/2 estados llenos
1
N-sima
Banda de
energa del
estado s E
f
E
f
= nivel de energa ms alto
= energa de Fermi
Teora de bandas
Se considera la existencia de tres bandas:
Banda de valencia: contiene los e de valencia.
Banda de conduccin: cuando los electrones pasan a
sta regin actan como portadores de carga
contribuyendo a la conductividad del material.
Banda prohibida, brecha energtica o GAP: refiere la
separacin energtica entre la banda de valencia y la
banda de conduccin, esta banda por su tamao ayuda
a diferenciar los materiales en aislantes, conductores y
semiconductores.

Teora de bandas
En los metales su banda prohibida es muy pequea. Los
electrones pueden moverse fcilmente explicando que sea un
buen conductor elctrico.
Banda prohibida, brecha
energtica o banda de
gap

Banda de conduccin
Banda de valencia
Banda de conduccin
Banda de valencia
Conductores
Teora de bandas
Por ejemplo en el diamante, la banda de valencia se encuentra
completamente llena y la separacin con la banda de
conduccin es muy grande. La energa necesaria para
promover un e- de la banda de valencia a la de conduccin nos
indica que el material es un aislante.


Banda de conduccin
Banda prohibida, brecha
energtica o banda de gap
Banda de valencia
Aislantes

Teora de bandas
Estos materiales presentan un diagrama de bandas en el cual
la separacin energtica entre las bandas de valencia y
conduccin es intermedia a la de un conductor y un aislante.
Banda de
conduccin
Banda prohibida,
brecha energtica o
banda de gap
Banda de
valencia
Semiconductores
Semiconductores
Tres definiciones de un material semiconductor:
No metales o aislantes capaces de conducir corriente
a una temperatura superior a 0 K.
(Mangonon, P. L. Ciencia de los materiales: Seleccin y diseo. Prentice Hall)

Presentan una banda prohibida estrecha y una
pequea cantidad de energa (0.785-1.2 eV) permite a
los electrones pasar a la banda de conduccin.
(Jacobs, A. A.. Kildouf, T. F. Engineering Materials Technology. Pearson. 2005)

Slidos cuya conductividad elctrica es intermedia
entre la de los metales y la de los aislantes.
(Brown, T., et. Al. Qumica. La ciencia central. Pearson. 2004)
Semiconductores intrnsecos
Su comportamiento frente a la electricidad es inherente a la
estructura electrnica del material, como ejemplos se tienen los
elementos del grupo IV A: Si y Ge.
Presentan una estructura cbica de diamante.
El slido presenta enlace covalente, a O K es un aislante.
El valor de Eg es mayor a 2 eV.

e de
valencia
Ncleo
+ e
internos
Semiconductores intrnsecos
Al incrementarse la temperatura se logra la movilidad de
algunos e de enlace que generan huecos. Tanto los e de
valencia, como los huecos actan como portadores de carga.





El diagrama de bandas para un semiconductor intrnseco es:
hueco
e de
valencia
Ncleo
+ e
internos
Banda de valencia
Banda de conduccin
E
g
Banda de gap o Zona prohibida
e
-
Semiconductores intrnsecos






El carbono en su forma alotrpica de diamante es un aislante.
El silicio es el semiconductor ms comercial en razn de su
abundancia.
El estao se considera ordinariamente un metal.
La fuerza del enlace covalente en el diamante es tan grande que se
comporta como aislante aun a altas temperaturas.
Carbono
(diamante)
5.4
Silicio 1.11 0.14 0.05
Germanio 0.67 0.38 0.18
o-Estao
0.0 0.25 0.24
Elemento E
g
(eV) Electrn Hueco
Movilidad a temperatura
ambiente (m
2
/Vs)
Semiconductores intrnsecos
Puesto que existen 2 tipos de portadores de carga la
conductividad (o) en un semiconductor intrnseco est dada
por la expresin:


En un semiconductor intrnseco el nmero de e es igual al
nmero de huecos y el valor absoluto de las cargas es el
mismo:

En un semiconductor intrnseco el nmero de portadores de
carga aumenta con la temperatura debido a que al
incrementarse sta un mayor nmero de e pueden pasar de la
banda de valencia a la banda de conduccin.
h h h e e e
q n q n o + =
( )
h e e e
q n o + =
Semiconductores extrnsecos
Los semiconductores extrnsecos son el resultado de la adicin controlada de
impurezas. Este proceso se conoce como dopado, proceso en el cual se
adicionan otros elementos del grupo IIIA VA a las redes de silicio o germanio
originalmente puras.
Con base en lo anterior se pueden obtener 2 tipos diferentes de
semiconductores extrnsecos dependiendo del tipo de elemento o impureza
adicionada:
Semiconductores extrnsecos tipo n
(Si Ge con elementos que tienen un electrn ms de valencia, es decir 5)
Semiconductores extrnsecos tipo p
(Si Ge con elementos que tienen un electrn menos de valencia, es decir 3)
.
Semiconductores extrnsecos tipo n
Prcticamente todos los semiconductores comerciales son
extrnsecos, su comportamiento elctrico es determinado por
las impurezas.
Un semiconductor extrnseco tipo n se obtiene por adicin de
un elemento del grupo 15 al semiconductor intrnseco.
14
Si 4 e- valencia
15
P 5 e- valencia
Semiconductores extrnsecos tipo n




Los e en exceso del dopante tienen una energa
menor a la de los e que estn enlazados. Se requiere
solamente de la energa Ed para promoverlos a la
banda de conduccin. El valor de Eg no se modifica.
Se tiene un e
-
en
exceso en la
estructura.
e de valencia
en exceso
Elemento del
grupo 15
Banda de valencia
Banda de conduccin
E
g
Banda de gap o Zona prohibida
e
- E
d
Semiconductores extrnsecos tipo n
La conductividad depende en un primer momento del nmero de
electrones en exceso de los tomos del dopante.
A medida que la temperatura aumenta todos los e en exceso del
dopante han pasado a la banda de conduccin.
Si la temperatura continua incrementndose la conductividad
aumenta y depender tambin de los electrones de enlace que
pasan de la banda de valencia a la banda de conduccin,
generando evidentemente huecos
La conductividad est determinada a baja temperatura por los e
-
del dopante mientras que a altas temperaturas se debe a e
-
del
dopante, e
-
intrnsecos y huecos intrnsecos.
Semiconductores extrnsecos tipo p
Un seminconductor extrnseco tipo p se obtiene por adicin de un
elemento del grupo IIIA (B, Al, Ga) al semiconductor intrnseco.
13
Al tiene 3 e- valencia
14
Si tiene 4 e- valencia





Al tener el dopante (Al) un electrn menos de valencia que el
Silicio, se genera un hueco electrnico.

Se tiene un hueco
-
en la estructura.
hueco
Elemento del
grupo 13
Semiconductores extrnsecos tipo p
El hueco presente en la estructura tiene una energa por
encima de la banda de valencia (E
a
) y es capaz de aceptar e
de la banda de valencia; se requiere una energa menor a E
g

para que el material presente conductividad.
De manera similar al caso anterior el valor de E
g
no se
modifica.
Banda de valencia
Banda de conduccin
E
g
Banda de gap o Zona prohibida
E
a
Semiconductores extrnsecos tipo n
La conductividad depende en un primer momento del nmero de
huecos de los tomos del dopante.


Si la temperatura se incrementa la conductividad aumenta y
depender tambin de los electrones de enlace que pasan de la
banda de valencia a la banda de conduccin, generando
evidentemente huecos; la conductividad est dada por:


La conductividad est determinada a baja temperatura por los
huecos

del dopante mientras que a altas temperaturas se debe a
huecos del dopante, e

intrnsecos y huecos intrnsecos.
d d
h h h
q n o=
i i i i d d
h h h e e e h h h
q n q n q n o + + =
Semiconductores extrnsecos
En resumen, los semiconductores extrnsecos tipo n pueden
obtenerse por adicin de P, As, Sb. Los e en exceso se
encuentran enlazados electrostticamente de manera dbil;
poseen una energa de enlace pequea, del orden de 0.01 eV
Los semiconductores extrnsecos tipo p pueden obtenerse por
adicin de B, Al, Ga.
La adicin de impurezas a los semiconductores intrnsecos
produce altos valores de conductividad a temperatura ambiente
en los semiconductores extrnsecos.