UNIVERSIDAD NACIONAL DE TUCUMAN

ELECTRNICA IV Departamento de Electricidad, Electrnica y Computacin.

Memorias de Computadoras
Estructura de las Memorias Las memorias pueden ser consideradas como un conjunto de localizaciones llamados registros o palabras (words), los cuales estn constituidos por celdas de almacenamiento (storage cell). Cada celda (cell) de almacenamiento guarda uno o ms elementos de informacin. Este

Fig. 1

conjunto de registros de memoria posee dos caractersticas que identifica a cada estructura de la memoria. Un conjunto de N lneas que ingresan a la memoria proveen la direccin o localizacin (S 0, S1, S2 ......SN-1) y que a travs del decodificador selecciona la ubicacin de los registros y un conjunto de M lneas que transportan el contenido de cada registro. Los registros poseen un conjunto de celdas y en las memorias de computadoras, cada celda generalmente acumula un bit de informacin. En las memorias digitales se distinguen dos canales principales, un canal (bus) de direcciones (address) donde ingresan N lneas (N bits) de direcciones que permiten seleccionar 2N registros y un canal (bus) de datos donde ingresan y egresan M lneas de entrada - salida (input - output), por las cuales se accede a los datos contenidos en cada celda elemental donde generalmente se almacena un bit de informacin o bit de datos (M bits de Datos). Podemos representar a una memoria mediante un diagrama de bloques con las siguientes lneas:

Bus de Direcciones N bits

Matriz de elementos de memoria

Bus de Datos M bits

Lnea de control de lectura escritura

Fig. 2

Lnea de control para seleccin del dispositivo

Capacidad o Densidad de la Memoria = 2N x M bit Estructura u Organizacin de la Memoria= 2N registros de M bit Dos memoria que poseen la misma capacidad o densidad de integracin (4Megabit) pueden estar armada en dos estructuras distintas, 1Mega x 4bit o 512K x 8bit, como se detalla en el ejemplo a continuacin.

SRAM Async. Fast (Samsung) Number K6R4004V1D K6R4008V1D Density 4MBit 4MBit Organization 1Mx4 512Kx8 Vcc(V) 5.0 3.3 Speed-tAA(ns) Operating Current 8 65 8 - 10 80 - 65

Para usos en Switch, Router, Network Base station

Tiempo de Acceso (TACC) Se denomina tiempo de acceso al tiempo que tarda un controlador en acceder a la informacin contenida en un registro de una memoria. El tiempo de acceso puede diferir para los distintos tipos de memorias y tambin segn el tipo la operacin (lectura o escritura) realizada sobre la misma. Generalmente el tiempo total de acceso est constituido por diferentes tiempos parciales como son: El tiempo de latencia o tiempo de preparacin para el posicionamiento o direccionamiento del registro requerido. Este tiempo depende del retardo de los elementos electrnicos o mecnicos que constituyen las diferentes memorias. A este tiempo se le suma los tiempos de deteccin y decodificacin de la informacin, mas el tiempo necesario para la extraccin o introduccin de los datos.

Clasificacin de las Memorias de Computadoras

Las memorias se clasifican segn diversas caractersticas que definen su funcionamiento

Clasificacin por el tipo de acceso

Memorias de Acceso Aleatorio (acceso al azar): En estas memorias el tiempo que tarda en obtenerse la informacin (tiempo de acceso) es independiente de la direccin de la celda seleccionada. Las memorias de acceso aleatorio se denominan mediante la sigla RAM (Random Access Memory). Ejemplo: RWM, ROM, PROM etc... Memorias de Acceso Secuencial: En estas memorias el tiempo que tarda en obtenerse un dato depende de la ubicacin (direccin) del mismo dentro del dispositivo. El ejemplo tpico es la informacin almacenada en una cinta magntica. La informacin ser accedida en un tiempo reducido si se halla al comienzo de la cinta y demorar ms tiempo de acuerdo a su ubicacin dentro de la misma. El tiempo de acceso depende de la ubicacin del registro. Ejemplo: Cinta magntica, Registro de desplazamiento. Memorias de Acceso Asociativo: Son aquellas estructuras de memoria donde la ubicacin de la informacin y el acceso se realiza por comparacin de un determinado campo del registro. Ejemplo: Memoria Cach, Base de Datos, etc.

Clasificacin por el uso

Memoria de Lectura y Escritura. Son dispositivos de memorias cuyo dato o contenido es alterable, estn generalmente constituidas por celdas de memoria o flip flops. Normalmente son empleadas para almacenar variables y constituyen la memoria principal de un sistema microprocesado. Tienen la caracterstica de poseer bajo tiempo de acceso y muy semejantes tanto para lectura como para la escritura. Estas memorias deberan ser denominadas por las siglas RWM (Read Write Memory) pero tcnicamente se las suele mal llamar RAM. Memorias de Solo Lectura: Este tipo de memorias son llamadas habitualmente ROMs ( Read Only Memories). Son dispositivos de memoria cuya contenido se programa en fbrica mediante un sistema de mscara, para luego acceder a la informacin en un proceso de solo lectura. Las factoras solo aceptan pedido de produccin de estos dispositivos en grandes cantidades (mas de 5000). La informacin contenida no puede ser alterada. Para producciones de equipos ya depurados y estabilizados (posterior a la etapa de desarrollo con la certeza de que no se cambiar el programa) y en cantidades pequeas que no permitan producir ROMs en factoras. La opcin es utilizar memorias programables por el usuario y se denomina por la sigla PROM (Pogrammable ROM). Poseen la caracterstica de que solo pueden ser programados una sola vez y por ello tambien reciben el nombre de OTPROM (One Time PROM o ROM de una sola programacin). Estos dispositivos generalmente son de acceso aleatorio (RAM). Memoria de Lectura Mayoritaria: Son dispositivos que son utilizan normalmente para leer la informacin contenida, pero cuyo contenido puede ser alterada o cambiada mediante procedimientos especiales de programacin. Entre ellas podemos encontrar las EPROM, EEPROM.

Clasificacin Segn la Provisin de Energa en las Memoria de Lectura/Escritura

Memorias Estticas: Son aquellas memorias de lectura/escritura en las que la energa de alimentacin se provee en forma permanente. Memorias Dinmicas: Son aquellas en que la provisin de energa se realiza en forma discontinua. La informacin en estos dispositivos se almacena como una carga de un capacitor (parsito o intencional). Por mnimas que sean las corrientes de fuga, el dielctrico real producir una pequea descarga del capacitor. Ello obligar que peridicamente deban reponerse las cargas perdidas. Ese efecto de reposicin lleva el nombre de refresco. Este tipo de memorias ser analizado en detalle en el punto Memorias Dinmicas.

Clasificacin por la persistencia de la Informacin ante la falta de Energa

Memorias voltiles: Son aquellas en las que la informacin se pierde al eliminarse la alimentacin. Un ejemplo tpico son las memorias RWM (RAM) de una PC. Si se desconecta de la red de alimentacin, se pierde la informacin que se hubiera procesado hasta ese momento. Memorias Perennes: Son aquellas en las que la informacin no se pierde al privarle la alimentacin. Por ejemplo un diskette mantiene su contenido al quitarse la alimentacin. Podemos incorporar en esta categora a las memorias ROM, EPROM, EEPROM, FLASH, Discos Magnticos (disco duro y disquete), discos pticos (CD, DVD, etc.), cintas magnticas, etc.

Clasificacin por la Tecnologa de Almacenamiento

Semiconductoras: El mecanismo de almacenamiento se basa en la conduccin o almacenamiento de cargas elctricas (iones) en un dispositivo semiconductor. Memorias PMOS, NMOS, CMOS, FLASH. Magnticas: El almacenamiento se logra mediante la orientacin de los espines magnticos en la superficie de un material paramagntico. Ejemplo Disco rgido, disquete, cinta magntica (tape). pticas: La informacin reside en una superficie donde se indujeron zonas reflectoras y no reflectoras mediante un haz luminoso de adecuada potencia (lser). Los datos almacenados son ledos con la misma tcnica. Ejemplo son los CD (R/RW) y los DVD. Opto - Magnticas: Combinan ambas tcnicas para el posicionamiento (direccionamiento) y la lectura/escritura de los datos. Generalmente estos cintas poseen una doble banda, una banda ptica reflectiva donde estn rotulado los cluster , track y registros, mientras que la otra banda es sensible a la magnetizacin de un cabezal para la lectura y escritura de los datos. El direccionamiento o posicionamiento sobre los registros de inters se realiza mediante el mecanismo ptico, mientras que la lectura o escritura de los datos se realiza magnticamente. Ejemplos comerciales: cintas o "Tape cartridges Jazz and Zip".

Clasificacin de las Memorias segn la Tecnologa de Semiconductor

PMOS. Las primeras memorias fueron desarrolladas en esta tecnologa. Eran lentas (pues los portadores son laguna de escasa movilidad) y algunas requeran una tensin negativa de alimentacin. Han cado por completo en desuso. Un ejemplo fue el microprocesador Rockwell 6502, memorias y sus dispositivos perifricos. NMOS. Emplean electrones como portadores de mayor movilidad. Son de mayor velocidad que las de la tecnologa PMOS y su consumo de energa son importantes, en la actualidad la mayora de los procesadores y memorias usan esta tecnologa. CMOS La versin de tecnologa MOS complementaria a la que se hace referencia aqu es la que se emple desde la dcada del 60 hasta mediados de la dcada del 80. Si bien su consumo era bajo (vinculado con la frecuencia), su densidad de integracin pequea y su velocidad limitada a bajos valores, slo algunos microprocesadores empleaban memorias de este tipo, en la actualidad los dispositivos de memoria para las microcomputadora porttiles (Note Boock) usan esta tecnologa. HCMOS Es una versin de alta performance de la vieja tecnologa CMOS. Posee un consumo muy bajo y alta velocidad de trabajo al punto de ser igual o mejor que la de la tecnologa NMOS.

Tipos de Memorias de solo lectura

Memorias ROMs de Mscara. Las ROMs de mscara son memorias producidas en fbricas de semiconductores, en funcin a los datos provistos por el diseador del sistema. Las distintas celdas bsicas de memoria ROM son:

Fig. 3

Estas celdas se implementan usando: a- Matriz de diodos: un diodo (Fig 3 a) permite interconectar la lnea de la fila seleccionada con la columna de salida de datos posibilitando un nivel alto en la salida de datos (Dato=1"), si el diodo no fue implementado en fbrica (Fig.3 a) la salida ser un nivel bajo (Dato=0"). b- MOS: Un transistor MOS (Fig 3 b) se activa, cuando la lnea de la fila de seleccin a travs de la puerta (gate) del transistor, colocando la columna de salida de datos a fuente V DD (Dato=1"), si el transistor no fue implementado (Fig.3 b) el nivel de salida sera nivel bajo (Dato=0"). c- MOS: Es otra variante implementada con transistores MOS en lgica negativa.

Fig. 4

Arreglo de celdas ROM MOS en configuracin NOR

Los transistores superiores son MOS de canal P y en esta configuracin trabajan como cargas activas. Esto es que varan su resistencia en funcion con la tensin entre drenador y fuente. Estas cargas activas colocan las lneas BL (columnas) a nivel alto. Cuando una lnea del decodificador de direcciones se activa, Ejemplo WL(0)=1", el transistor de la primera fila se activa colocando la columna BL(1) a masa, la palabra de datos que se presenta en las lneas de salida de datos ser: BL(0)=1", BL(1)=0", BL(2)=1", BL(3)=1". Cuando se activa la segunda fila WL(1) el dato de salida ser: BL(0)=0", BL(1)=1", BL(2)=1", BL(3)=0". La implantacin en un sustrato de silicio de esta configuracin se muestra en al figura 5.

Figura 5

Memorias PROMs Para las pequeas producciones en cantidades reducidas de equipos con programas depurados y estabilizados (posteriores a la etapa de desarrollo) y que no justifiquen producir ROMs en fbricas. La opcin es utilizar memorias programables por el usuario y se denominan por la sigla PROM (Programmable Read Memory) o versiones OTP (One Time Program) Programables una sola vez . El esquema bsico se observa en la figura 6. La estructura original de fbrica de la memoria PROM, es una matriz completa de diodos. Cuando se lee la memoria todos los bits de la totalidad de registros son unos (1"). Estos diodos son fabricados con una juntura frgil a la ruptura por alta corriente (se representa en la figura como un fusible). Cuando se ha seleccionado una direccin a travs del bus de entrada, el decodificador selecciona una fila y si la memoria est en modo programacin, una alta corriente circula desde VPP (+14 V) a travs de los diodos cuyas columnas fueron puestas a masa (por el equipo programador de memorias), rompiendo los fusibles y programando as ceros. Este tipo de memoria solo puede ser programada una sola vez y por ello tambien se denominan versiones OTP (One Time Programm).

La figura representa una memoria de 4 bit de datos y N lneas de direcciones realizada con una matriz de diodos. El decodificador habilita con tension algunas de las 2N (filas) de la estructura.

VDD= +5V

VPP= +14V

Lineas de Direcciones

Decodificador

Fig. 6

VSS= 0V D0 D1 D3 D4

Salida de Datos (4 bit)

En modo normal de lectura, la memoria solo es alimentada con la tensin VDD=+5V y una corriente mnima circula por los diodos que permanecen despus de la programacin, mostrando niveles altos (1") en la salida de datos, donde fueron rotos los fusibles se leer nivel bajo (0"). Las PROM a fusibles son baratas y rpidas (tecnologa Schottky) , pero tienen como inconvenientes, su escasa capacidad de integracin por razones de la disipacin tolerable y fundamentalmente que al eliminar un fusible por error, el mismo no puede ser repuesto. sta ltima es una desventaja importante si deseamos trabajar con prototipos, en las que suelen ser frecuentes las correcciones y modificaciones. Memorias EPROM. Las memorias EPROM (ErasablePROM) son memorias PROM borrables, es decir que pueden ser programadas y luego borradas. Este tipo de memoria se utiliza para el desarrollo de programa de sistemas que estn en la faz de diseo. Estos dispositivos abaratan los costos para producciones de baja cantidad o nmero de equipos. Las memorias actuales en lugar de diodos, estn armadas con transistores MOS con compuerta aislada y avalancha por inyeccin (FAMOS en ingls).

Esta celda de memoria se basa en un transistor MOS que tiene inserta en el oxido una capa metlica. La capa de oxido que separa el contacto de puerta o comando (Gate) del canal tiene un espesor de entre 5 a 10 nm. Programacin de la celda Para programar el dispositivo, se aplica una tensin (de programacin) V PP =+ 15 voltios, tanto en drenador (drain) como en la puerta (G), con ello se produce un alto campo elctrico y por consiguiente una intensa corriente en la regin del canal de conduccin del transistor. La fuerte corriente por el canal produce que algunos electrones alcancen la energa necesaria para saltar la barrera de potencial del xido aislante (por mecanismo CHEI- Chanel Hot electrn Inyection) desde la zona de la regin del canal hacia la puerta flotante (G1). La puerta flotante (G1) se halla rodeada por dixido de silicio (SiO2) que es un excelente aislante, de manera que las cargas inyectadas a la compuerta flotante quedan efectivamente atrapadas (iones negativos). Las cargas negativas acumuladas en la puerta flotante actan como una barrera de potencial e impiden que se forme un canal de portadores minoritarios (electrones), an cuando se polarice la puerta G con tensin positiva (Fig. x2). Aquellas celdas que retuvieron cargas en la compuerta flotante quedan polarizada en corte, mientras que las celdas que no retuvieron cargas quedarn polarizadas en conduccin (Fig. x1). Para borrar las celdas programadas, se somete a la memoria a una radiacin ultravioleta de una longitud de onda de 2537 Angstroms equivalente a 253 manmetros. Esta radiacin de alta energa excita a los electrones atrapados en la compuerta aislada y les provee una energa lo suficientemente alta para volver al sustrato y recombinarse (efecto tnel). Lectura de la EPROM Una vez programado el dispositivo, para la operacin de lectura se aplica una tensin positiva V DD= +5V en la puerta (G) para seleccionar la celda EPROM. El campo resultante en el canal ser igual a la sumatoria del campo originado por la tensin positiva (seleccin) sobre la puerta G, mas el campo originado por los iones (negativos) atrapados por la puerta enterrada G1. Si el campo resultante es positivo, atraer portadores minoritarios del sustrato de silicio P formando un canal inducido N que posibilita la conduccin de corriente entre drenador y fuente.

E campo resultante de canal = E campo producido por puerta de comando - E campo producido por puerta enterrada
Cuando se selecciona una celda EPROM , si la celda fue programada, la puerta aislada no contiene cargas como se indica en la figura. El campo elctrico resultante sobre el canal que es inducido por la puerta, origina sobre el canal una acumulacin de portadores minoritarios. Este canal N as formado posibilita que la corriente fluya desde fuente (source) a drenador (drain) y la informacin de salida ser un 1".

Figura

Cuando se selecciona la celda aplicando VDD a la Lnea de palabra o seleccin (Word line), si la celda fue programada inyectando cargas (electrones) en su puerta aislada, estas cargas actuarn como una barrera de potencial, el campo resultante sobre el canal es nulo, evitando que se acumulen portadores minoritarios que posibiliten la conduccin. El transistor est cortado y la informacin de salida ser un 0".

Fig. x2

Las EPROMs estn encapsuladas en cermica con una pequea ventana circular de cuarzo transparente a la radiacin ultravioleta (el acrlico y el vidrio comn es opaco) para que se pueda borrar dichas memorias. Normalmente con 15 minutos de radiacin una EPROM se borrar completamente. Para

borrarla con la radiacin de un tubo fluorescente se necesitarn una semana completa de exposicin. Por precaucin, una vez programadas las memorias, se les colocarn una etiqueta opaca sobre el cuarzo para evitar su borrado involuntario. En la EPROM, toda la memoria se borra cuando se la expone la luz ultravioleta, es decir que el borrado no es selectivo. .
Luz UV

La Fig. representa un encapsulado de una memoria EPROM, en la que se observa la ventana de cuarzo Tiempo de acceso de lectura: es el tiempo que tarda un dispositivo de memoria para colocar un dato vlido en la puerta de salida, contado a partir del momento en que se coloc las direcciones en la entrada de Address (para la localizacin del registro). M5M27C64A-25 es una memoria EPROM de 8 Kilo byte, de 250 nano - segundos de tiempo de acceso.

Memorias EEPROM. Son aquellas memorias que pueden ser programadas y borradas elctricamente. Las EPROM posean varias desventajas importantes: 1. La memoria debe ser removida para poder ser borrada. 2. No es posible borrar un solo byte. Todas las celdas debern ser expuestas a la radiacin ultravioleta. 3. La ventana de cuarzo es costosa. Por estas razones es que se ha desarrollado una memoria no voltil, borrable en forma elctrica. El resultado se ha llamado EEPROM (Electrically Erasable PROM) E2PROM. La EEPROM o EAROM (Electrically Alterable ROM) es una memoria de solo lectura, reprogramable elctricamente. Estas memorias suelen denominarse RMM (Read Mostly Memories) o "memorias de lectura mayoritaria", ya que el contenido no suelen modificarse casi nunca, pues los tiempos de escritura son significativamente mayores que los de lectura. Son adecuadas para situaciones en las que las operaciones de escritura son muchsimo menos frecuentes que las de lectura.

Programacin usando Tcnica Hot-Electron Injection CHEI La diferencia entre la celda de una EPROM y la de una E 2PROM, consiste en que la capa de SiO2 existente sobre la difusin del drenaje es muy delgada. Aplicando una tensin positiva de programacin Vpp= +12 Voltios a la compuerta (G) de seleccin y en drenador (D) conectando el terminal de Fuente (S) a masa, ocasiona que un alto campo elctrico y por consiguiente una intensa corriente en la regin del canal del transistor posibilite que algunos electrones ganen la energa para saltar la barrera de potencial del xido aislante. Esta tcnica llamada Inyeccin de Electrones de Canal Caliente (HotElectron Injection - CHEI) produce que algunos electrones salten la barrera de potencial del xido aislante, los electrones son atrados a la compuerta flotante por accin del campo que aplica la puerta G.

Programming a NOR memory cell (setting it to logical 0), via hot-electron injection)

Desprogramado de la celda EEPROM Para desprogramar el dispositivo, se aplica una tensin positiva Vpp=+12 Voltios al terminal de Drenaje (D) y a la puerta de seleccin (G) se la coloca a tierra, con esta accin se descarga los iones atrapados en la puerta flotante, borrando el dato almacenado en la celda. Las memorias EEPROM emplean el fenmeno de recombinacin elctrica para el borrado: tecnologa tnel Fowler Nordheim. Ello requiere que la fuente de alimentacin provea una importante tensin aplicada entre drenador y compuerta y obliga a colocar internamente en el dispositivo un circuito que provea esa tensin, lo cual encarece el circuito y aumenta el tamao del dispositivo. Por otro lado, el borrado es selectivo y se debe realizarse byte por byte previo a la re - programacin lo cual lleva un tiempo considerable. En las EEPROM modernas el voltaje necesario para la operacin de programacin y el borrado se disminuyo a 7 Voltios. Esta tensin es generada internamente en el dispositivo a partir de la fuente de alimentacin mediante un circuito especial de conmutacin.

Erasing a NOR memory cell (setting it to logical 1), via quantum tunneling

Las memorias EEPROM, al no requerir circuitos externos pueden ser programadas directamente sobre el impreso final, por ello se denomina programable en el circuito Programmable On Board. La memoria EEPROM se poda borrar en forma selectiva. El borrado se realiza por pginas de memoria de 256 bytes. Esta caracterstica hace muy lento el borrado total de la misma. Memorias Flash Posteriormente a las memorias EEPROM, con el avance de la tecnologa de construccin del canal se desarroll la tecnologa tnel Fowler Nordheim bidireccional (tanto para programar como para borrar la celda) que a diferencia de la tcnica hot injection - CHEI, solo requiere unos pocos nanoamperes de la fuente de programacin. Esto permite emplear un tipo de generador interno para la tensin de programacin denominado bombeador de cargas (charge pump) que consiste bsicamente en un oscilador interno y un doblador de tensin, el cual posibilita que a partir de los + 5 voltios de alimentacin (Vdd) genere los 7 Voltios necesarios para la tensin de programacin (Vpp). El borrado no se realiza a nivel de byte sino a nivel de bloques, borrando de una sola accin un conjunto importante de posiciones de memoria, permitiendo a partir de all la programacin individual de cada byte. El nombre Flash proviene del borrado instantneo de un bloque de la memoria, permitiendo economizar tiempo. Las memorias Flash, al no requerir circuitos externos pueden ser programadas directamente sobre el impreso final (On board). Es comn que los fabricantes de equipos a medida o de equipos actualizables, preparen el circuito con memorias Flash sin programar y en el momento de la venta de un equipo se programe la memoria con la ltima versin de programa depurado requerido por el usuario. En las placas base de las PCs actuales se ha incorporado memorias Flash de forma que el usuario de la PC pueda actualizar va Internet su memoria BIOS sin tener que quitarla del zcalo.

Memorias de mltiples bit por celda La carga negativa en una puerta flotante es igual a una barrera de potencial, o a una polarizacin negativa a al voltaje de entrada. La cantidad de cargas negativas que se alojen en la puerta flotante define el estado de la celda de memoria. Si se intenta guardar un bit por celda, cuando la puerta flotante no posee cargas negativas se define que tiene estado 1. Esto es un alto voltaje nominal aplicado a la puerta encender el transistor. Una celda que tiene la puerta - flotante con cargas elctricas negativas es definida como que tiene programado un cero 0 y por mas que se aplique un voltaje nominal a la puerta el transistor no se encender. El avance de la tecnologa a podido dosificar la cantidad de carga que se puede alojar en la puerta flotante y con ello a permitido para una misma tensin nominal de puerta, conseguir diferentes niveles de conduccin. Estos niveles de conduccin son censados por un amplificador de lectura y discriminados por un comparador de nivel para implementar ms de un bit de almacenamiento por celda. Por ejemplo un dispositivo dosificado con cuatro niveles de conduccin permite alojar dos bit por celda. El tiempo de acceso puede volverse mas lento, pero la capacidad de almacenamiento se duplica.

Tecnologa de Memoria Intel StrataFlash Intel StrataFlash es una tecnologa de celda Flash multi nivel (MCL) el cual permite la programacin de mltiples bit por cada celda de memoria. Cargando la puerta flotante con diferentes niveles de iones se consiguen diferentes valores de corriente para una misma tensin de puerta. La grfica ilustra la acumulacin de niveles de conduccin por celda de memoria Strata Flash de 2 bit por celda, Fig. 12 b y 3 bit en la Fig 12c.

000 001 010

Nivel 7

0 Nivel 1

00 01 Nivel 0 10 11

Nivel 3
011

Nivel 2 Nivel 1

100 101

1 Nivel 0

110 111 Nivel 0

b
Fig. 12

Variedades de Memorias Flash Generalidades Las memorias Flash ofrecen, bajo costo por GByte, adems, caractersticas como gran resistencia a los golpes, bajo consumo y silenciosas, ya que no contiene ni actuadores mecnicos ni partes mviles. Su pequeo tamao tambin es un factor determinante a la hora de escoger para un dispositivo porttil, as como su ligereza y versatilidad para todos los usos hacia los que est orientado. Sin embargo, todos los tipos de memoria flash slo permiten un nmero limitado de escrituras y borrados, generalmente entre 10.000 a un milln, dependiendo de la celda, de la precisin del proceso de fabricacin y del voltaje necesario para su borrado. Este tipo de memoria est fabricado con puertas lgicas NOR y NAND para almacenar los 0s 1s segn correspondan. Actualmente hay una gran divisin entre los fabricantes de un tipo u otro, especialmente a la hora de elegir un sistema de arquitectura de archivos para estas memorias. En la prctica se emplea un sistema de archivos FAT (tabla de ubicacin de archivos) por compatibilidad, sobre todo en las tarjetas de memoria extrable. Memoria flash de tipo NOR En las memorias flash de tipo NOR, cuando los electrones se encuentran en la puerta enterrada, modifican (prcticamente anulan) el campo elctrico que generara G en caso de estar activo a +V DD. De esta forma, dependiendo de si la celda est a 1 a 0, el campo elctrico de la celda existe o no. Entonces, cuando se lee la celda poniendo un determinado voltaje en G, la corriente elctrica fluye o no en funcin del voltaje almacenado en la celda. La presencia/ausencia de corriente se detecta e interpreta como un 1 un 0, reproduciendo as el dato almacenado. Las memorias Flash tipo NOR se utilizan en aquellos dispositivos donde se necesita alta velocidad de acceso en el almacenamiento y lectura, como son las tarjetas de memorias (memory card ) y en los discos duros slidos, donde se necesita alta velocidad de acceso conjuntamente con alta capacidad de almacenamiento. En los dispositivos de celda multi-nivel, se detecta la intensidad de la corriente para controlar el nmero de electrones almacenados en FG e interpretarlos adecuadamente.
Bit Line Word Line 0 Word Line 1 Word Line 3 Word Line 4 Word Line 5

Word Line 2

Estructura de una memoria Flash tipo NOR

Memorias Flash de tipo NAND Las memorias flash basadas en puertas lgicas NAND funcionan de forma ligeramente diferente. Las memorias basadas en NAND tienen, adems de la evidente base en otro tipo de puertas, un coste bastante inferior, unas diez veces ms durabilidad a las operaciones pero slo permiten acceso secuencial (ms orientado a dispositivos de almacenamiento masivo), frente a las memorias flash basadas en NOR que permiten lectura de acceso aleatorio. Sin embargo, han sido las NAND las que han permitido la gran expansin de este tipo de memoria, ya que el mecanismo de borrado es ms sencillo (aunque tambin se borre por bloques) lo que ha proporcionado una base ms rentable para la creacin de dispositivos de tipo tarjeta de memoria. Las populares memorias USB o tambin llamadas Pendrives, utilizan memorias flash de tipo NAND que se caracterizan por su alta capacidad de almacenamiento en pequeos dispositivos.

Estructura de una memoria Flash tipo NAND

Para leer, la tensin de puerta de la mayora de las lneas (Word Line) de la palabra se levanta por encima de la VT del umbral de conduccin, convirtindolas en simple llaves de paso. Mientras que aquella celda a leer se coloca justo al umbral de VT o tensin de habilitacin lo cual posibilita que el dato almacenado sea accedido a la lnea de datos (Bit Line). La tensin de conduccin permite que el dispositivo conduzca aunque existan iones en la puerta enterrada. La tensin de habilitacin posibilita que el transistor conduzca solo si no existen iones en la puerta enterrada. Esta configuracin NAND a diferencia de la NOR evita realizar mltiples contactos a la lnea de bit o a masa (GND) posibilitando as una mayor capacidad de almacenamiento.

Comparacin de memorias flash basadas en NOR y NAND

Para comparar estos tipos de memoria se consideran los diferentes aspectos de las memorias tradicionalmente valorados.

La densidad de almacenamiento de los chips es actualmente bastante mayor en las memorias NAND. El coste de NOR es mucho mayor. El acceso NOR es aleatorio para lectura y orientado a bloques para su modificacin. Sin embargo, NAND ofrece tan solo acceso directo para los bloques y lectura secuencial dentro de los mismos. En la escritura de NOR se puede llegar a modificar un solo bit. Esto se destaca comparada con la limitada reprogramacin de las NAND que deben modificar bloques o palabras completas. La velocidad de lectura es muy superior en NOR (50-100 ns) frente a NAND (10 s de la bsqueda de la pgina + 50 ns por byte). La velocidad de escritura para NOR es de 5 s por byte frente a 200 s por pgina en NAND. La velocidad de borrado para NOR es de 1 ms por bloque de 64 KB frente a los 8 mseg. por bloque de 64 KB en NAND. La fiabilidad de los dispositivos basados en NOR es realmente muy alta, es relativamente inmune a la corrupcin de datos y tampoco tiene bloques errneos frente a la escasa fiabilidad de los sistemas NAND que requieren correccin de datos y existe la posibilidad de que queden bloques marcados como errneos e inservibles.

En resumen, los sistemas basados en NAND son ms baratos y rpidos pero carecen de una fiabilidad que los haga eficientes, lo que demuestra la necesidad imperiosa de un buen sistema de archivos. Dependiendo de la caracteristicas que se busque, se utiliza uno u otro tipo. Dispositivos comerciales Una memoria comercial Flash esta disponible en forma de tarjeta (Memory Card) y tiene las dimensiones de 10 por 37 por .76 milmetros y puede alojar hasta 256 Mbyte de memoria con voltajes de funcionamiento entre los 3.3 y los 5 voltios. Actualmente el mercado ofrece tarjetas MMC de 256 GigaByte (Pretec), las cuales son compatible con el denominado estndar MMC4, con capacidad para 4 paquetes de datos simultneos, con una velocidad de escritura de 18 megabit por segundo y de lectura de 22.5 mbps.

Cuadro Comparativo de distintas tecnologas de las Memorias RMM.

EPROM EEPROM FLASH

Mecanismo Cuntico involucrado Tensin de Programacin Vpp Capacidad de Integracin Facilidad de Uso, programacin y Borrado Forma y Tiempo de Borrado N Ciclos de Programacin Borrado Costo por Bit (Motivo)

CHEI - L.U.V(2537) Fuente externa +14 voltios Baja C.I < 256 Kilobit

CHEI - (FowlerNordheim tunneling) Fuente interna +7 voltios Media C.I < 1 Megabits

Fowler-Nordheim tunneling, bidireccional Fuente interna +7 voltios Alta C.I.> 20 Gigabits

Borrado y Borrado selectivo y Borrado selectivo y Programacin Programacin Borrado Total (Flash) Compleja "On Board" Programacin (debe ser removida del "On Board" circuito) Borrado total Lento Selectivo por bit Selectivo o Total (Flash) (no Selectivo) o Bytes Random = 100 nanoseg. 5 a 15 minutos 5 miliseg/Bytes Page= 50 nanoseg. < 200 20.000 a 100.000 > 100.000 Alto (Encapsulado de ventana de cuarzo) Medio (Alta complejidad) Bajo (Tecnologa de alta escala de integracin)