ELECTRNICA INDUSTRIAL

Transistor Unijuntura (UJT)

Transistor Unijuntura Programable (PUT)





6B ELECTRNICA
2011

E.E.T N 460 Guillermo Lehmann
Departamento de Electrnica
ELECTRNICA INDUSTRIAL



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1. TRANSISTOR UNIJUTURA (UJT)
Se trata de un dispositivo semiconductor compuesto por tres terminales; en dos terminales,
denominados base 1 (B1) y base 2 (B2), se sita una resistencia semiconductora (tipo n)
denominada resistencia interbase R
BB
, cuyo valor varia desde 4,7 a 10 K. En un punto
determinado de esta resistencia, se difunde una zona p que forma una juntura p-n (diodo) que
se conecta al tercer terminal, denominado emisor (E). En la figura 1.1 siguiente grafico se
observa la caracterstica tensin-corriente del emisor respecto a la base 1 (B1) y tambin su
smbolo.

Figura 1.1.- (a) Caracterstica tensin-corriente del terminal Emisor-Base 1. (b) Smbolo.
La polarizacin se realiza aplicando una tensin positiva a la base B2 (V
BB
5 a 30 Volt). La
mxima tensin aplicada, esta limitada por la disipacin del UJT. El UJT se dispara cuando la
juntura p-n se polariza directamente. Si la tensin del emisor (V
E
) es menor a V
C
, circula por la
juntura una corriente inversa denominada I
EBO
. Cuando la tensin del emisor supera a la
tensin V
C
, la juntura se polariza directamente y la corriente del emisor se hace positiva,
inyectando portadores minoritarios en la porcin de la resistencia R
BB
, comprendida entre el
diodo y la Base-1 (B1), haciendo que este tramo aumente drsticamente su conductividad y
disminuya su resistencia elctrica. En esta situacin, la tensin del emisor disminuye cuando la
corriente del emisor aumenta (zona de resistencia negativa), dado que la tensin V
C
disminuye
al disminuir R
1
. El la grafica V-I este fenmeno comienza en el punto V
P
-I
P
.. La corriente
queda limitada solamente por la resistencia R
1
y por la de la fuente de tensin que polariza al
emisor (se produce un pulso de corriente). En la figura 1.2 se observa el circuito elctrico
equivalente.

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Figura 1.2- Circuito elctrico equivalente
La tensin V
E
, para producir el disparo o sea V
P
, vale:
D BB D BB P
V V V V
R R
R
V + = +
|
|

\
|
+
=
2 1
1

|
|

\
|
+
=
2 1
1
R R
R
se denomina relacin intrnseca y tiene un valor en particular para cada UJT.
La relacin intrnseca toma valores tpicos que van de 0,45 a 0,82. La V
BB
, se denomina
tensin nter bsica y es la tensin que se aplica entre las bases B1 y B2. La V
D
es la
tensin umbral de polarizacin directa de la juntura p-n, cuyo valor es aproximadamente de
0,56 Volt a 25 C y disminuye en aprox. 2 mV/C. Cuando I
E
aumenta, V
E
disminuye (zona de
caracterstica negativa) hasta un valor dado por I
V
-V
V
, donde nuevamente comienza aumentar.
Si al dispositivo lo hacemos trabajar por debajo de los valores de I
V
y V
V
, el valor de R
1
retoma
su valor original. Si la tensin de emisor se mantiene constante y mayor que V
V
, R
1
se
mantiene en su valor bajo y no se reestablece. En la aplicacin, la tensin de disparo V
E
= V
P
,
se debe mantener constante, pero como varia con la temperatura, debido al valor de V
D
, resulta
entonces necesario compensar esta variacin. El procedimiento es colocar una resistencia de
carbn en la base B2 que tiene un coeficiente de variacin positivo, para contrarrestar el
coeficiente negativo de la juntura p-n. La figura 1.3 muestra el circuito:

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Figura 1.3.- Circuito que contrarresta el coeficiente negativo de la juntura p-n
1.1. OSCILADOR DE RELAJACIN CON UJT


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El transistor unijuntura se lo utiliza como oscilador de relajacin, para generar pulsos de
disparo. El circuito trabaja de la siguiente forma. El capacitor, conectado entre el emisor y la
base B1 se carga exponencialmente con una constante de carga (base de tiempo) dada por el
producto de
E E
R C . Cuando se llega al valor de la tensin de disparo " "
P
V el capacitor se
descarga a travs del emisor, rpidamente, dado por la constante de descarga de
( )
1 1 B E
R R C + . Cuando se llega al valor
V E
V V = , el emisor se bloquea, parando la descarga
del capacitor y nuevamente comenzando el ciclo de carga.
Para calcular el perodo de los pulsos, partimos de la tensin de carga del condensador:
|

\
|
=

C R
t
CC C
e V V 1
Para nuestro caso el tiempo
1
T lo calculamos para
V CC CC
V V V = ' y
P C
V V = .
( )
|
|

\
|
=

E E
C R
T
V CC C
e V V V
1
1
Despejando el tiempo
1
T obtenemos:
(

=
P CC
V CC
E E
V V
V V
C R T ln
1

El tiempo de descarga
2
T es difcil de calcular por la variacin que sufre la resistencia de
descarga a travs de
1
R y
1 B
R . Para el caso de 0
1
=
B
R el valor de
2
T empricamente es:
( )
Esat
V C T + 5 2
2

Donde
Esat
V es el valor dado en las caractersticas del UJT para mA I
E
50 = . No obstante
en las aplicaciones para disparo de tiristores, resulta
2 1
T T >> por lo cual el perodo lo
calculamos como:
1 2 1
T T T T + =
La expresin para el perodo se puede simplificar si hacemos 0
V
V
(

=
P CC
CC
E E
V V
V
C R T ln
Por otra parte como
CC P
V V = reemplazando:
(

=
(

=
1
1
ln ln
E E
CC CC
CC
E E
C R
V V
V
C R T
Para un transistor unijuntura para disparo de tiristores como el 2N2646, el valor de la
relacin intrnseca es 63 , 0 = , entonces reemplazando tenemos:
E E
C R T =

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Las condiciones de diseo para un circuito de disparo de tiristores con UJT, no son muy
rigurosas. La resistencia R
B1
se limita a un valor inferior a 100 . En algunas aplicaciones su
valor podr estar entre 2000 y 3000 . Si el pulso de disparo se toma de los extremos de R
B1
,
este tendr que tener un valor tal que la tensin continua producida por la corriente interbase,
no tome un valor superior a la del disparo del tiristor.
La resistencia R
E
debe ser de un valor comprendido entre 3K y 3M, para permitir que el
circuito oscile. Si es muy grande, es posible que no llegue a la tensin de disparo. Si es muy
chica, el UJT se dispara pero luego entra en la zona de resistencia positiva (saturacin) y no
vuelve a bloquearse.
2. TRANSISTOR UNIJUTURA PROGRAMABLE (PUT)
Este dispositivo, tiene un comportamiento similar al UJT, con la diferencia que la relacin
intrnseca se puede programar, mediante un divisor resistivo. A pesar de llamarse
transistor, su estructura es la de un tiristor en el que el terminal de puerta (G) se toma del lado
del nodo en lugar del de ctodo (base del transistor PNP). En la figura 2.1 se observa su
estructura interna y su smbolo:

Figura 2.1.- (a) Estructura interna de un transistor PUT. (b) Smbolo
La prxima figura (2.2) muestra la caracterstica tensin-corriente de los terminales nodo-
ctodo para un determinado valor de R
T
y V
T
.

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Figura 2.2.- Caracterstica Tensin-Corriente de un PUT
La forma tpica de polarizar al PUT, es la que se muestra en el circuito (a) de la figura 2.3. El
circuito (b) se obtiene aplicando Thevenin en el terminal de compuerta.

Figura 2.3.- (a) Circuito tpico de polarizacin. (b) Circuito equivalente aplicando Thevenin en el
terminal de compuerta
En el circuito de la figura 2.3 (b) tenemos que:
P
P
T
R R
R R
R
+

=
1
1
y
P
P GG
T
R R
R V
V
+

=
1

Para una V
T
determinada y mientras V
AA
< V
T
, la corriente de nodo I
A
es prcticamente
despreciable, estando el PUT en estado de bloqueo. Si V
AA
> V
T
en una cantidad "Vp", se
produce una inyeccin de portadores de carga por el diodo formado por el terminal del nodo y
compuerta, dando comienzo a la realimentacin interna que provoca el estado de conduccin
del PUT entre el nodo y el ctodo. Una vez activado el PUT si disminuimos la tensin V
AA
de

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manera que la corriente pase por debajo de un valor llamado de valle I
V
(mnima de
mantenimiento), el PUT nuevamente pasa al estado de bloqueo, de manera similar al UJT.
En forma similar al UJT, el PUT se utiliza para disparar tiristores en un circuito de relajacin,
sincronizado con la frecuencia de red. Sintetizando, el PUT puede reemplazar al UJT en los
circuitos de disparo que hemos analizado, conectando el terminal de nodo del PUT con el
terminal que corresponde al emisor del UJT y el ctodo del PUT, con el terminal base 2 del
UJT. Se deber agregar un divisor resistivo, para programar la relacin intrnseca .