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aqu:
L : cambio en la longitud debido a la fuerza aplicada
L : longitud original
se expresa con frecuencia en microdeformaciones ( E) , por ejemplo, micras por metro.
- Sensores y Acondicionadores de Seal - ELEL 171
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Para mantener el funcionamiento lineal de estos transductores, la fuerza aplicada no debe
deformar el material del transductor ms all del 50% de su lmite elstico ( el lmite
elstico es la mxima deformacin longitudinal que puede soportar un material y retornar a
su longitud original) una vez que el esfuerzo se ha dejado de aplicar.
Cuando se estira una galga , su resistencia cambiar de acuerdo con:
A
L
R
donde:
= resistividad del material ( - m)
L = cambio en la longitud efectiva del conductor
A = rea del conductor
La mayora de las galgas extensomtricas se fabrican de tal modo que la resistencia vare
linealmente con los cambios en la longitud .
En una galga extensomtrica , se define el factor de galga K como:
L
L
R
R
g
K
=
siendo
R = cambio en la resistencia de la galga
Rg = resistencia de la galga
L = cambio en la longitud de la galga
L = longitud de la galga
La mayor parte de las galgas resistivas tienen un factor de sensibilidad o factor de galga de
alrededor de 2, dando los hilos de cobre-nquel valores entre 1,9 y 2,1; no obstante, se
pueden emplear aleaciones de hierro-cromo-aluminio y de hierro-nquel-cromo para
obtener factores de sensibilidad de 2,8 a 3,5.
El tamao de una galga extensomtrica depende de la aplicacin pretendida, pero hay
galgas resistivas de varias longitudes, desde unos 3 mm hasta 150 mm, y existe toda una
gama de valores nominales de la resistencia siendo los tipos preferidos los de 120
y 600 .
Las aplicaciones de las galgas extensiomtricas resistivas son casi innumerables, pero su
aplicacin directa se puede concretar a aquellas situaciones que requieren la medida de
esfuerzos y deformaciones en estructuras tales como aviones, vagones e tren, puentes,
gras, hormign armado, automviles, edificios, etc.
- Unidad 01 - Sensores y Transductores
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Figura 5.3.- Algunos tipos de galgas.-
Ejercicio 5.1.-
Supngase que una galga extensomtrica de 120 se fija a una superficie.
Cuando se ocasiona en sta una deformacin y por consiguiente tambin en la galga. Si el
factor de galga es 2,00 y la deformacin resultante es 237 E, calclese el cambio en la
resistencia de la galga.
Desarrollo.-
De la expresin para el factor de galga :
00 , 2
10 237
120
6
=
R
K
R = 0,0569 ohms
Nota : Como el cambio de resistencia de una galga extensomtrica por lo general es
muy pequeo, lo usual es emplear puentes de Wheatstone para medirlo.
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2.2.1.3. Detectores de temperatura resistivos ( RTD).-
Los detectores de temperatura basados en la variacin de una resistencia elctrica se suelen
designar con sus siglas inglesas RTD (Resistance Temperatura Detector). El smbolo
general para estos dispositivos es :
Fig.2.4.- Smbolo RTD.
El fundamento de las RTD es la variacin de la resistencia de un conductor con la
temperatura. En un conductor, el nmero de electrones disponibles para la conduccin no
cambia apreciablemente con la temperatura. Pero si sta aumenta, las vibraciones de los
tomos alrededor de sus posiciones de equilibrio son mayores, ya s dispersan ms
eficazmente a los electrones, reduciendo su velocidad media. Esto implica un coeficiente de
temperatura positivo, es decir, un aumento de la resistencia con la temperatura. Esta
dependencia se puede expresar de la forma:
donde R0 es la resistencia a la temperatura de referencia y T el incremento de temperatura
respecto a la de referencia. Por ejemplo, para el hilo de platino, 1 = 3,90 x
3
10
/K
(dependiendo de la pureza) y 2= -5,83 x
7
10
/
2
K .
Algunos parmetros de metales empleados en RTD se muestran en la siguiente tabla:
Parmetro Platino Nquel Cobre Molibdeno
Resistividad a 20C
(- cm)
10,6 6,844 1,673 5,7
R0, a 0C 25, 50,100,
200, 500 ....
50, 100 120 10 ( a 20C) 100,,200, 500,
1000
Margen (C) -200 a +850 -80 a +320 -200 a +260 -200 a +200
1 /K
0,00385 0,00681 0,0043 0,003786
El que ofrece mejores prestaciones es el platino , y la sonda de 100 , designada como
Pt 100, es uno de los sensores de temperatura ms comunes. La tolerancia en los valores de
resistencia est entre el 0,1% y el 1%. La resistividad es un dato importante pues interesa
que sea alta para poder tener una sonda con valor hmico suficientemente alto para permitir
el empleo de hilos de conexin largos y, a la vez, con poca masa, para tener una respuesta
trmica rpida.
Una desventaja en el uso de RTDs , es que se deben emplear corrientes que circulen a
travs de ellos lo suficientemente pequeas para evitar el autocalentamiento.
( )
T a T a T a T a R R
n
n T
+ + + + + = .....
3
3
2
2 1 0 1
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Figura.2.5.- Circuito bsico para el empleo de RTD.
Ejemplo 7.1.-
Para medir temperaturas de entre 0C y 300C se utiliza un detector de
temperatura resistivo hecho de platino. Los coeficientes de temperatura son:
C 10
96 , 3
1 3
1
=
y
C 10
85 , 5
2 7
2
=
Si Ro = 100 , encontrar la sensibilidad del sensor en los extremos del intervalo de
temperaturas. Encontrar tambin la resistencia a 100C y a 300C.
Desarrollo.-
En este caso ignoramos los coeficientes superiores a 2 . As, la expresin se reduce a:
la sensibilidad es, entonces:
de aqu ,a 0C, se obtiene una sensibilidad de 0,396. Evale Ud, para 200C.
Por otra parte la resistencia a 100C es R100 = 139,0
en forma similar , para 300C ,
R300 = 213,5
V
Rx
Iref
Rcables
( )
T a T a R RT
2
2 1 0 1
+ + =
( )
T a a R
dT
dR
2 2 1 0
+ =
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2.2.1.4. Termistores.-
Son resistores variables con la temperatura, que estn basados en
semiconductores. Si su coeficiente de temperatura es negativo se denominan NTC
(Negative Temperature Coefficient), mientras si es positivo se denominan PTC (Positive
Temperature Coefficient).
Figura.2.6.- Smbolos termistores PTC y NTC.
Figura 2.7.- Curvas caractersticas resistencia - temperatura para termistores.
Para termistores NTC, en un margen de temperatura reducido (50C), la dependencia se
puede considerar de tipo exponencial de la forma:
e
R R
T T o
o T
*
1 1
(
(
|
|
|
\
|
=
donde Ro es la resistencia a 25C u otra temperatura de referencia, y To es dicha
temperatura expresada en kelvins.
En el caso anterior, To = 273 + 25 = 298 K. El parmetro es la denominada temperatura
caracterstica del material, y tiene valores de 2000 K a 5000 K, pero vara con la
temperatura, aumentando al aumentar esta.
0 150 -50 50 100
PTC
NTC
R
e
s
i
s
t
e
n
c
i
a
Temp.(C)
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Los NTC se fabrican a base de mezclar y sintetizar xidos dopados de metales como el
nquel, cobalto, manganeso, hierro y cobre. El proceso se realiza en una atmsfera
controlada dndoles la forma y tamao deseados. La proporcin de xidos determina la
resistencia y el coeficiente de temperatura. Para altas temperaturas (> 1000C) se emplean
xidos de itrio y circonio.
En los termistores PTC hay dos tipos de comportamiento segn la composicin y el
dopado. Las de tipo cermico presentan un cambio brusco de resistencia cuando se alcanza
la temperatura de Curie . Su coeficiente de temperatura es positivo solo en un margen
concreto de temperaturas, fuera de l es negativo o casi nulo. La tempertura de
conmutacin especificada, Ts , corresponde a aquella a la que el termistor tiene una
resistencia doble del valor mnimo.
Los PTC basadas en silicio dopado presentan una variacin ms suave con la temperatura.
A veces se comercializan ya linealizadas, con denominaciones tales como silistores.
Las limitaciones que cabe considerar en el empleo de los modelos anteriores al aplicar los
termistores a la medida de temperatura u otras magnitudes, son similares a las expuestas
para las RTD. Hay que evitar el autocalentamiento si no lo requiere la aplicacin
pretendida. El coeficiente de disipacin (mW/K), que depende del fluido en que est
inmerso el termistor y de su velocidad, permite evaluar el autocalentamiento.
Los termistores PTC de conmutacin estn basadas en titanato de bario la que se aade
titanato de plomo o de circonio para determinar la temperatura de conmutacin. Hay
modelos entre -100C y +350C. Los PTC de medida estn basadas en silicio dopado.
2.2.1.5. Fotorresistencias (LDR).
Las fotorresistencias o fotoconductores (Light
Dependent Resistors- LDR) se basan en la variacin de la resistencia elctrica de un
semiconductor al incidir en l radiacin ptica (radiacin electromagntica con longitud de
onda entre 1mm y 10 nm).
Figura 2.8.- Smbolo fotorresistencia.
Los elementos fotosensibles son tiles para detectar energa radiante o luz. Exceden la
sensibilidad del ojo humano para todos los colores del espectro y adems funcionan en
otras regiones del espectro electromagntico.
- Sensores y Acondicionadores de Seal - ELEL 171
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Figura 2.9.- Espectro electromagntico.
La conductividad elctrica de un material depende del nmero de portadores en la banda de
conduccin. En un semiconductor, a baja temperatura la mayor parte de los electrones estn
en la banda de valencia, y se comporta casi como un aislante. Pero al aumentar la
temperatura y con ella la agitacin de los electrones, dado que las bandas de valencia y de
conduccin estn prximas, (a diferencia de lo que sucede en un aislante), cada vez hay
ms electrones que saltan de la banda de valencia a la de conduccin., aumentando la
conductividad. Si el semiconductor est dopado, este salto es an ms fcil.
El sulfuro de cadmio - CdS - es el material cuyo comportamiento se acerca ms a la
respuesta del ojo humano .Consiste en un circuito con dos contactos que internamente est
diseada como un zig-zag para que la longitud sea mayor y que podamos detectar ms luz.
Figura 2.10.- Fotorresistencias comerciales.
- Unidad 01 - Sensores y Transductores
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Los parmetros que se utilizan para definir una fotorresistencia son los siguientes:
a) Variacin de resistencia con la iluminacin:
La resistencia en la oscuridad vara de 10 k a 200 M. La relacin de la resistencia en la
oscuridad a la resistencia iluminada puede ser tan alta como 10.000.
Figura 2.11.- Resistencia en funcin de la iluminacin
b) Tiempo de respuesta, ste depende fuertemente de la cantidad de luz que est llegando,
podemos observar en la tabla ejemplos de los tiempos de subida (inicio de iluminacin) y
de bajada (fin de iluminacin) en funcin de la iluminacin.
Iluminacin
(pie-candelas)
Tiempo de subida
( mseg )
Tiempo de bajada
( mseg )
1 18 120
100 2,8 48
c) Respuesta espectral. slo un intervalo de longitudes de onda generar seal en nuestra
fotorresistencia,
Figura 2.12.- Respuesta espectral de una fotorresistencia.
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As como se observa en la grafica anterior, cada celda es sensible a distintas longitudes de
onda. Su respuesta espectral mxima vara desde 0,5 hasta 2,2 m.
Los fotoconductores ms comunes, utilizables a temperatura ambiente, son el Scd, Spb y
XSePb (en particular el primero). Se fabrican en formas muy variadas con dispositivos
simtricos, diferenciales, etc., para facilitar su aplicacin. En la figura 2.8 se muestra un
modelo econmico encapsulado en plstico, apto para temperaturas y humedades
moderadas. Los tiempos de respuesta van desde los 100 ms de algunos modelos de Scd
hasta los 2 s de algunos SePb. La tensin mxima que aceptan sin iluminacin puede ir de
100 a 600 V, y la disipacin permitida a 25C, de 50mW a 1 W.
Las aplicaciones de las LDR ordinarias se pueden dividir entre las de medida de luz, con
poca precisin y bajo coste, y las que emplean la luz como radiacin a modificar. En el
primer grupo estn: el control automtico de brillo y contraste en receptores de televisin,
el control de diafragma de cmaras fotogrficas, la deteccin de fuego, el control de
iluminacin de vas pblicas, etc. En el segundo grupo estn los detectores de presencia y
posicin y algunas medidas de nivel de depsitos.
2.2.2. Sensores Generadores.-
2.2.2.1. Termopares.-
Los termopares se utilizan extensamente, ya que ofrecen una gama de
temperaturas de operacin mucho ms amplia .Son elementos activos, esto es, que generan
una seal elctrica proporcional a la temperatura a la que estn sometidos. Los termopares
se componen de dos conductores de diferente coeficiente trmico unidos en su extremo.
Figura 2.13.- Smbolo del termopar.
Estudios realizados sobre el comportamiento de termopares han permitido establecer tres
leyes fundamentales:
Ley del circuito homogneo. En un conductor metlico homogneo no puede sostenerse la
circulacin de una corriente elctrica por la aplicacin exclusiva de calor en los extremos.
Ahora , si dos metales, A y B, son sometidos a temperaturas T1 y T2 en sus uniones,
entonces, existir una f.e.m. generada en los extremos.
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Ley del metal intermedio. Dos metales homogneos A y B tienen sus uniones a
temperaturas T1 y T2. Si un tercer metal X se conecta en un corte del metal A formando
uniones J1 y J2 y la temperatura a la que est sometido el metal X es uniforme en toda su
longitud, la f.e.m. generada en el arreglo ser igual a aquella sin el conductor X.
Ley de las temperaturas sucesivas. La f.e.m. generada por un termopar con sus uniones a
las temperaturas T
1
T
3
es la suma algebraica de la f.e.m. del termopar con sus uniones a T
1
T
2
de la f.e.m. del mismo termopar con sus uniones a las temperaturas T
2
T
3
.
El comportamiento de un termopar se basa en la teora del gradiente, segn la cual los
propios hilos constituyen el sensor. La figura 2.14a ilustra este concepto. Cuando se
calienta uno de los extremos de un hilo, le produce una tensin que es una funcin de (A) el
gradiente de temperatura desde uno de los extremos del hilo al otro, y (B) el coeficiente de
Seebeck, una constante de proporcionalidad que vara de un metal a otro.
Un termopar se compone sencillamente de dos hilos de diferentes metales unidos en un
extremo y abiertos en el otro (Figura 2.14b). La tensin que pasa por el extremo abierto es
una funcin tanto de la temperatura de la unin como de los metales utilizados en los dos
hilos. Todos los pares de metales distintos presentan esta tensin, denominada tensin de
Seebeck en honor a su descubridor, Thomas Seebeck.
Figura 2.14a. Tensin trmica generada en un metal.
Figura 2.14b. Termopar.
La tabla siguiente entrega algunos termopares estndares patrones, sus rangos tiles de
temperatura, el cambio de voltaje en ese rango y sus iniciales ANSI ( American National
Standards Institute).
V
CALOR
Ta
Tx
V
CALOR
Ta
Tx
Tb
- Sensores y Acondicionadores de Seal - ELEL 171
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TABLA Caractersticas de algunos termopares comunes.
Tipo
termopar
Materiales de unin
Rango tpico de
temperatura de
aplicacin ( C )
Variacin del voltaje
en el rango
(mV)
B Platino - 6% rodio / Platino - 30%
rodio
40 a 1800 13.6
E
Cromel / constantan
0 a 980 75.0
J
Hierro / constantan
- 180 a 760 50.0
K
Cromel / alumel
- 180 a 1260 56.0
S
Platino / Platno - 10% rodio
0 a 1500 16.0
T
Cobre / constantan
0 a 980 75.0
Constantan : aleacin con un 45% de nquel y 55% de cobre.
Alumel : aleacin de nquel - aluminio
Cromel : aleacin de nquel cromo
En el manejo de los termopares debe considerarse que stos generan voltajes de salida muy
pequeos (decenas de microvoltios), lo que hace difcil desde el punto de vista de los
circuitos electrnicos de acondicionamiento de seal que permitan resoluciones aceptables
de menos de 1C. Adems , la linealidad entre la temperatura y el voltaje de salida en
muchos tipos de termopares no es muy buena.
2.2.2.2. Piezoelctricos.-
El efecto piezoelctrico consiste en la aparicin de una
polarizacin elctrica en un material al deformarse bajo la accin de un esfuerzo. Es un
efecto reversible de modo que al aplicar una diferencia de potencial elctrico entre dos
caras de un material piezoelctrico, aparece una deformacin. Ambos efectos fueron
descubiertos por Jacques y Pierre Curie en 1880-81.
Figura 2.15.- Placas paralelas sometidas a fuerza y circuito equivalente
para medir voltaje generado por stas.
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La descripcin de la interrelacin entre las magnitudes elctricas y las mecnicas en un
material piezoelctrico se hace mediante las denominadas ecuaciones piezoelctricas. En la
figura 2.15, se han dispuesto dos placas metlicas de manera que se constituye un
condensador, se tiene, para un material dielctrico no piezoelctrico, que al aplicar una
fuerza F, segn la ley de Hooke, en el margen elstico aparece una deformacin. Al aplicar
una diferencia de potencial entre las placas, se crea un campo elctrico . Es decir, respecto a
un material no piezoelctrico, aparece una deformacin debida tambin al campo elctrico
y una carga elctrica debida al esfuerzo mecnico (las cargas desplazadas en el interior del
material inducen en las placas cargas superficiales de polaridad opuesta).
Entre los materiales piezoelctricos naturales, los de uso ms frecuente son el cuarzo y la
turmalina. De las sustancias sintticas, las de mayor aplicacin son cermicas. En ellas hay
muchos monocristales pequeos (del orden de 1 m), con una gran compacidad. Estas
cermicas son ferroelctricas y para orientar los monocristales por igual (polarizarlos) se
someten a un campo elctrico durante su fabricacin.
Las cermicas piezoelctricas tienen gran estabilidad trmica y fsica, pueden fabricarse en
muy distintas formas y con un amplio margen de valores en las propiedades de inters
(constante dielctrica, coeficiente piezoelctricos, temperatura de Curie, etc. ). Su principal
desventaja es la sensibilidad trmica de sus parmetros y su susceptibilidad a envejecer
(prdida de propiedades piezoelctricas) si su temperatura se acerca a la de Curie. Las ms
empleadas son los titanatos plomo y bario y, el metaniobato de plomo.
2.2.2.3. Fotodiodos.-
El efecto fotoelctrico interno visto para los fotoconductores, cuando se
produce en la zona de una unin p-n permite obtener una tensin elctrica que es funcin de
la intensidad de la radiacin incidente. A la generacin de un potencial cuando una
radiacin ioniza una zona donde hay una barrera de potencial se la denomina efecto
fotovoltaico.
Al poner en contacto un semiconductor P con un semiconductor tipo N , debido al
movimiento trmico hay electrones que pasan a la zona p y huecos que pasan a la zona n,
donde se recombinan, respectivamente, con los portadores de carga de signo opuesto.
Aunque existen formas adicionales a la unin p-n para crear una barrera de potencial, sta
es la ms frecuente en sensores.
Si la unin p-n, en circuito abierto, se irradia con radiacin (visible o no) cuya energa
supere la anchura de banda prohibida, aparecen pares electrn-hueco adicionales que se
desplazan bajo la accin del campo elctrico en la zona de la unin . La llegada de
electrones a la zona n y de huecos a la zona p, produce un cambio de potencial de contacto,
el que se puede medir mediante conexiones externas a una resistencia de carga. Esta
tensin, en vaco, aumenta al hacerlo la intensidad de la radiacin incidente hasta llegar a la
saturacin (su lmite es la anchura de banda prohibida). Si se cortocircuitan los contactos, la
corriente es proporcional a la iluminacin para un amplio margen de valores de sta.
- Sensores y Acondicionadores de Seal - ELEL 171
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Los fotodiodos son dispositivos que tiene las mismas caractersticas elctricas que los
diodos convencionales PN cuando no estn sometidos a iluminacin. Vale decir, su
resistencia de conduccin en directa es baja y su resistencia inversa es alta. Sin embargo
cuando se iluminan con luz de la frecuencia adecuada, la corriente inversa del diodo
aumenta con la intensidad de la iluminacin.
0 -10 -20 -30 -40 -50
20
40
60
80
50 uW
100 uW
150 uW
200 uW
I
p
-
f
o
t
o
c
o
r
r
i
e
n
t
e
(
u
A
)
Voltaje polarizacin - VAK (V)
potencia radiante a 900 nm
+ 0,5
Figura 2.16.- Curvas caractersticas de fotodiodo.
Cuando el fotodiodo no est polarizado con un voltaje, y sin embargo est iluminado, acta
como una fuente de voltaje ( siendo la polaridad de la capa p positiva con respecto a la
capa n). En este modo de operacin, es usual llamarle al fotodiodo diodo fotovoltaico o
celda solar. Como tal, la clula fotovoltaica ms comn consiste en una delgada lmina de
un material semiconductor compuesto principalmente por silicio de cierto grado de pureza,
que al ser expuesto a la luz solar absorbe fotones de luz con suficiente energa como para
originar el "salto de electrones", desplazndolos de su posicin original hacia la superficie
iluminada. Al desprenderse estos electrones con su carga negativa (n) originan la aparicin
de huecos o lagunas con cargas positivas (p). Como los electrones tienden a concentrarse
del lado de la placa donde incide la luz solar, se genera un campo elctrico con dos zonas
bien diferenciadas: la negativa, de la cara iluminada donde estn los electrones y la positiva
en la cara opuesta donde estn los huecos o lagunas. Si ambas zonas se conectan
elctricamente mediante conductores adheridos a cada una de las caras de la placa el
desequilibrio elctrico origina una fuerza electromotriz o diferencia de potencial, creando
una corriente elctrica para igualar las cargas. Dicha corriente, obviamente contnua, se
genera en un proceso constante mientras acte la luz solar sobre la cara sensible de la
lmina.
Aproximadamente proveen 0,5 volt cada una de las fotoclulas, las cuales pueden
conectarse en serie o en paralelo. Al conjunto formado por clulas conectadas en serie y en
paralelo, convenientemente ensamblado y protegido contra los agentes externos, se le
denomina panel o mdulo fotovoltaico. Corrientemente slo se usan ciertos voltajes
estndar, como : 1,5 V - 6 V - 12 V - 24 V y 48 V .
- Unidad 01 - Sensores y Transductores
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Estos mdulos se presentan en el mercado para las ms variadas necesidades existiendo
presentaciones de mdulos desde 5 W a 120 W de potencia.
Figura 2.17.- Modulo solar fotovoltaico.
Por ejemplo, para un modulo solar fotovoltaico como el de la figura, el fabricante entrega:
a) caractersticas elctricas:
N de clulas policristalinas 36
Potencia (W en prueba + 10%) 5 W
Corriente (en punto de mxima potencia) 0,29 A
Tensin de (en punto de mxima potencia) 17 V
Corriente de cortocircuito 0,31 A
Tensin de circuito abierto 21 V
b) caractersticas fsicas:
Longitud 259 mm
Anchura 231 mm
Espesor 20 mm
Peso 1,5 kg
2.2.2.4. Sensores piroelctricos.
El efecto piroelctrico es anlogo al piezoelctrico, pero
en lugar de la aparicin de cargas elctricas cuando se deforma un material, aqu se trata de
la aparicin de cargas superficiales en una direccin determinada cuando el material
experimenta un cambio de temperatura. Estas cargas son debidas al cambio de su
polarizacin espontnea al variar la temperatura. Recibi este nombre de D. Brewster
en 1824.
Este efecto se aplica sobre todo a la deteccin de radiacin trmica a temperatura ambiente.
Para ello se disponen dos electrodos metlicos en direccin perpendicular a la de
polarizacin, formndose un condensador que acta como sensor trmico. Cuando el
detector absorbe radiacin cambia su temperatura y con ella su polarizacin, produciendo
una carga superficial en las placas del condensador.
Dado que la piroelectricidad, al igual que la piezoelectricidad, se basa en la anisotropa de
los cristales, muchos materiales piezoelctricos son tambin piroelctricos.
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Hay dos grupos de materiales piroelctricos: los lineales y los ferroelctricos. En los
primeros, la polarizacin no se puede cambiar a base de invertir el sentido del campo
elctrico. Estn en este grupo, entre otros, la turmalina, el sulfato de litio, y los sulfuros de
cadmio y selenio. Entre los ferroelctricos estn el tantalato de litio, el niobato de estroncio
y bario . Aparte estn los polmeros como el polivinilideno.
Dentro de las aplicaciones de este tipo de sensores, se encuentra en : pirmetros (medida de
temperatura a distancia en hornos, vidrio o metal fundido, o deteccin de prdidas de calor
en edificios), radimetros (medida de la potencia generada por una fuerte de radiacin),
analizadores de IR, detectores de CO2 y otros gases, etc.
2.2.3. Sensores de reactancia variable.-
2.2.3.1. Sensores inductivos.
La inductancia de un circuito indica la magnitud del flujo
magntico que concatena debido a una corriente elctrica. Si se trata de una corriente
circulando por el propio circuito, se habla de autoinductancia, L. En caso contrario, se
habla de inductancia mutua.
As, cualquier variacin en N ( nmero de vueltas), (permeabilidad del material en el
interior y alrededor de la bobina) o la geometra (l o A- longitud o rea) puede emplearse,
en principio, para la transduccin. No obstante, la mayora de los sensores inductivos son
de reluctancia variable y es un desplazamiento el que la modifica, afectando sobre todo a
lo (el recorrido de las lneas de campo en el aire) y a . Los primeros se denominan
sensores de entrehierro variable y los segundos sensores de ncleo mvil. R tambin puede
variar por las corrientes de Foucault.
Entre las principales ventajas de este tipo de sensores cabe sealar que les afecta poco la
humedad ambiente y otros contaminantes, a diferencia de los sensores capacitivos; que
imponen poca carga mecnica, aunque superior a la de un condensador variable; y, sobre
todo, su alta sensibilidad.
El transformador diferencial de variacin lineal (figura 2.18) o LVDT (Linear Variable
Diferencial Transformer). Se basa en la variacin de la inductancia mutua entre un primario
y cada uno de los secundarios al desplazarse a lo largo de su interior un ncleo de material
ferromagntico, arrastrado por un vstago no ferromagntico, unido a la pieza cuyo
movimiento se desea medir. Al alimentar el primario con una tensin alterna, en la posicin
central las tensiones inducidas en cada secundario son iguales y, al apartarse de dicha
posicin el ncleo, una de las dos tensiones crece y la otra se reduce a la misma magnitud.
- Unidad 01 - Sensores y Transductores
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Figura 2.18.- Esquema bsico y aspectos fsicos de un LVDT.
Normalmente los dos devanados se conectan en oposicin-serie.
A una frecuencia dada la tensin de salida es proporcional a la diferencia de acoplamiento
mutuo entre el primario y cada uno de los secundarios. Si ste es proporcional a la posicin
del vstago, tambin lo ser la tensin de salida. Obsrvese que en este caso, aunque
dispositivo responde al desplazamiento con un cambio de impedancia mutua, la salida es
propiamente una tensin alterna modulada en amplitud, no un cambio de impedancia como
sucede, por ejemplo, con los sensores diferenciales.
La ventaja del LVDT son mltiples y justifican por qu es un sensor de uso tan frecuente.
En primer lugar, su resolucin terica es infinita y en la prctica superior al 0,1%. Tambin
un rozamientos muy bajo entre ncleo y devanados, por lo imponen poca carga mecnica,
sobre todo si se los compara con los potencimetros. Otra ventaja es que ofrecen
aislamiento elctrico entre el circuito del primario y del secundario, con lo que pueden
tener referencias o puestas a tierra distintas. Esto es una ventaja ante la posible presencia de
bucles de masa. Ofrecen tambin aislamiento entre el sensor (vstago) y el circuito
elctrico, ya que estn acoplados magnticamente.
Los sensores de posicin lineal LVDT estn fcilmente disponibles para medir
movimientos de unas pocas millonsima partes de pulgada hasta varias pulgadas, pero as
tambin son capaces de medir posiciones de hasta 20 pulgadas.
- Sensores y Acondicionadores de Seal - ELEL 171
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2.2.3.3. Sensores basados en efecto Hall.
El efecto Hall, descubierto por E. H. Hall en
1879, consiste en la aparicin de una diferencia de potencial transversal en un conductor o
semiconductor, por el que circula corriente, cuando hay un campo magntico aplicado en
direccin perpendicular a sta. En la figura 3.42 se indica el sentido de la tensin obtenida
para el caso de un semiconductor, que depende del tipo de portadores de corriente
mayoritarios. Sobre stos aparece una fuerza (de Lorenz) F=qvB, con la consiguiente
acumulacin de cargas en las superficies que dan origen a una tensin tal que la fuerza
sobre los portadores equilibra la fuerza debida al campo magntico. Como la direccin de
la fuerza depende del tipo de portadores mayoritarios, la tensin Hall tiene signo distinto
para un material p que para uno n.
Figura 2.19.- Diagrama funcionamiento sensor Hall.
Figura 2.20.- Aspectos fsicos de sensores Hall.
- Unidad 01 - Sensores y Transductores
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Frente a otros sensores sensibles a un campo magntico, los elementos Hall tienen la
ventaja de que su salida es independiente de la velocidad de variacin del campo detectado.
En los sensores inductivos, cuando la velocidad de variacin del flujo es lenta, la salida es
muy pequea.
Comparados con los sensores basados en un emisor y detector ptico, los elementos Hall
ofrecen las ventajas de ser inmunes a las condiciones ambientales (contaminacin por polvo
y humedad, vibraciones), y de tener caractersticas constantes.
En la fabricacin de elementos Hall se emplean semiconductores (por ejemplo, SbIn, AsIn,
Ge, AsGe y Si), en vez de metales, porque al ser menor la conductividad, la tensin Hall es
mayor.
2.2.3.2. Sensores capacitivos.
Son quizs los ms difundidos en la industria y
meteorologa, pues son de fcil produccin, bajos costos, y alta fidelidad. Los sensores
capacitivos basan su funcionamiento en la variacin de la capacidad de un condensador
ante la modificacin de alguno de los parmetros que la definen:
C = ( * D )/A
= Constante dielctrica del aire
A = rea de las placas del condensador.
D = Distancia entre las placas
* Modificacin de :
- Por ejemplo, para la deteccin de nivel de lquidos: Al penetrar el lquido entre
las placas vara la constante dielctrica.
* Modificacin de D:
- Por ejemplo, para la deteccin de presin : la presin ejercida sobre una o
ambas las placas hace variar su capacidad.
Esos cambios de capacidad suelen acondicionarse como:
i) La atenuacin de una seal alterna que vara al cambiar la impedancia del
condensador.
ii) El desplazamiento de la frecuencia de resonancia de un circuito que vara al cambiar
la capacidad.
iii) La variacin de tensin en las placas polarizadas con carga constante.
Entre las aplicaciones ms inmediatas de los sensores capacitivos estn las medidas de
desplazamiento lineales y angulares, y los detectores de proximidad. Estos ltimos tienen
un alcance superior al doble de los detectores inductivos, y se pueden aplicar no slo a
- Sensores y Acondicionadores de Seal - ELEL 171
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materiales sino tambin a dielctricos como papel, madera, vidrio y plstico. Pueden
detectar incluso a travs de una parad o caja de cartn. Los sensores capacitivos se pueden
utilizar bien por micromecanismos y se prestan a la integracin.
Adems, los sensores capacitivos permitirn la medida de cualquier magnitud que se pueda
convertir en un desplazamiento, como pueden ser la presin, la fuerza o el par, o la
aceleracin, si se aplica a un sistema inercial.
Figura 2.21.- Algunos sensores capacitivos.
- Unidad 01 - Sensores y Transductores
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Ejercicios Propuestos.-
1.- Confeccinese una lista de la serie de pasos que se toman si se requiere seleccionar un
transductor para una determinada aplicacin de medicin.
2.- Una galga extensiomtrica de semiconductor tiene una longitud de 3 cm y una
resistencia inicial de 2,3 k . Una fuerza aplicada causa un cambio en su longitud de 0,8
mm y un cambio de 530 en su resistencia. Cul es el factor de galga de este
dispositivo?.
3.- La figura siguiente muestra un circuito para un termmetro electrnico. El
funcionamiento se basa en un circuito conversor voltaje a corriente mediante AOP ,es decir,
la salida viene expresada por la relacin:
R
v
i
L
ent
sal
=
Como resistencia de carga se usa un termistor que presenta a 0C una resistencia de 20 k
la que disminuye 200 por cada grado de aumento de la temperatura; es decir, que la
resistencia del termistor es 19,8 k , 19,6 k , 19,4 k , y as sucesivamente para
temperaturas de 1C, 2C , 3C, etc. Cul ser la lectura del ampermetro a 0C?. Cul
ser a 20C y a 60C?.
+
-
+
10V
Termistor
RM = 50
IM = 1 mA
4.- Un termistor con constantes Ro = 0,0085 y = 3950 K se utiliza en un circuito con
una resistencia en serie de R1 = 230 y una batera de V = 3 Volts. Encontrar el voltaje
de salida ( tomado en la resistencia R1) si la temperatura vara de 0C a 80 C.
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