Instituto Tecnolgico De Morelia

Jos Mara Morelos y Pavn

Departamento De Ingeniera Electrnica Diodos y Transistores Reporte de investigacin Temas: Diodo Schottky Diodo Emisor de Luz Fotodiodos Profesor: Rodrigo Alfonso Villareal Ortiz Alumnos: Herrejon Merino Jos Juan
Nmero De Control: 11120054

Fecha de entrega del Reporte: 08/Marzo/2013

Diodo Schottky
El diodo Schottky o diodo de barrera Schottky, llamado as en honor del fsico alemn Walter H. Schottky, es un dispositivo semiconductor que proporciona conmutaciones muy rpidas entre los estados de conduccin directa e inversa (menos de 1ns en dispositivos pequeos de 5 mm de dimetro) y muy bajas tensiones umbral (tambin conocidas como tensiones de codo, aunque en ingls se refieren a ella como "knee", o sea, de rodilla). La tensin de codo es la diferencia de potencial mnima necesaria para que el diodo acte como conductor en lugar de circuito abierto; esto, dejando de lado la regin Zener, que es cuando existe una diferencia de potencial lo suficientemente negativa para que a pesar de estar polarizado en inversa ste opere de forma similar a como lo hara regularmente. A frecuencias bajas un diodo normal puede conmutar fcilmente cuando la polarizacin cambia de directa a inversa, pero a medida que aumenta la frecuencia el tiempo de conmutacin puede llegar a ser muy bajo, poniendo en peligro el dispositivo. El diodo Schottky est constituido por una unin metal-semiconductor (barrera Schottky), en lugar de la unin convencional semiconductor P - semiconductor N utilizada por los diodos normales. As se dice que el diodo Schottky es un dispositivo semiconductor "portador mayoritario". Esto significa que, si el cuerpo semiconductor est dopado con impurezas tipo N, solamente los portadores tipo N (electrones mviles) desempearn un papel significativo en la operacin del diodo y no se realizar la recombinacin aleatoria y lenta de portadores tipo N y P que tiene lugar en los diodos rectificadores normales, con lo que la operacin del dispositivo ser mucho ms rpida. La alta velocidad de conmutacin permite rectificar seales de muy altas frecuencias y eliminar excesos de corriente en circuitos de alta intensidad. A diferencia de los diodos convencionales de silicio, que tienen una tensin umbral valor de la tensin en directa a partir de la cual el diodo conduce de 0,7 V, los diodos Schottky tienen una tensin umbral de aproximadamente 0,2 V a 0,4 V emplendose, por ejemplo, como proteccin de descarga de clulas solares con bateras de plomo cido. La limitacin ms evidente del diodo de Schottky es la dificultad de conseguir resistencias inversas relativamente elevadas cuando se trabaja con altos voltajes inversos pero el diodo Schottky encuentra una gran variedad de aplicaciones en circuitos de alta velocidad para computadoras donde se necesiten grandes velocidades de conmutacin y mediante su poca cada de voltaje en directo permite poco gasto de energa, otra utilizacin del diodo Schottky es en variadores de frecuencia (inverters) para que la corriente que vuelve desde el motor al variador no pase por los transistores IGBT del chopper, lo cual conducira a su rpido deterioro. Cuando el motor se comporta como generador, la corriente circula hacia el bus de continua a travs de los diodos y no es absorbida por los IGBTs. El diodo Schottky se emplea en varios circuitos integrados de lgica TTL. Por ejemplo los tipos ALS y AS permiten que los tiempos de conmutacin entre los transistores sean mucho menores puesto que son ms superficiales y de menor tamao por lo que se da una mejora en la relacin velocidad/potencia. El tipo ALS permite mayor potencia y menor velocidad que la LS, mientras que las AL presentan el doble de velocidad que las Schottky TTL con la misma potencia. Funcionamiento electrnico: Cuando se realiza una ensambladura entre una terminal metlica y un material semiconductor, el contacto tiene, tpicamente, un comportamiento hmico cualquiera, la resistencia del contacto gobierna la secuencia de la corriente. Cuando este contacto se hace entre un metal y una regin semiconductora con la densidad del dopante relativamente baja, las hojas dominantes del efecto debe ser el resistivo, comenzando tambin a tener un efecto de rectificacin. Un diodo Schottky, se forma colocando una pelcula metlica en contacto directo con un semiconductor, segn lo indicado en la figura N2. El metal se deposita generalmente en un tipo de material N, debido a la movilidad ms grande de los portadores en este tipo de material. La parte metlica ser el nodo y el semiconductor, el ctodo.

Se puede observar que solamente los electrones (los portadores mayoritarios de ambos materiales) estn en trnsito. Su conmutacin es mucho ms rpida que la de los diodos bipolares, una vez que no existan cargas en la regin tipo N, siendo necesaria rehacer la barrera de potencial (tpicamente de 0,3V). La Regin N tiene un dopaje relativamente alto, a fin de reducir la prdida de conduccin, por esto, la tensin mxima soportable para este tipo de diodo est alrededor de los 100V.

Aplicaciones: 1.- En fuentes de baja tensin en la cuales las cadas en los rectificadores son significativas. 2.- Circuitos de alta velocidad para computadoras donde se necesiten grandes velocidades de conmutacin. 3.- El diodo Schottky no acepta grandes voltajes que lo polaricen inversamente.

DIODO EMISOR DE LUZ (LED):

Las uniones pn puedan absorber luz y producir una corriente elctrica. Lo contrario tambin es posible; es decir, un diodo de unin puede emitir luz o tener electroluminiscencia. Esta emisin de luz debida a la inyeccin de electrones en un semiconductor, es uno de los hechos ms notables en la tecnologa moderna de semiconductores. La luz emitida en este caso procede de la recombinacin electrn-hueco. Esto se ve claramente al considerar que cuando un electrn se recombina, cae desde un nivel sin ligadura, o de alta energa, a su estado neutro y se obtiene luz de una longitud de onda correspondiente a la diferencia de niveles de energa asociada con esta transicin. En los diodos emisores de luz de estado slido (LED), el suministro de electrones de mayor energa proviene de la polarizacin directa, inyectando as electrones en la regin n (y huecos en la regin p). Los huecos y electrones inyectados se recombinan con los portadores mayoritarios prximos a la unin. La radiacin por recombinacin es emitida en todas direcciones, observndose la mayor luz en la superficie superior porque el promedio de material entre la unin y esta superficie es mnimo. La electroluminiscencia tambin ocurre en materiales de una pieza, o sin dopar, en condiciones de fuertes campos elctricos, sin embargo, una unin dopada tiene un rendimiento grande, lo que significa una generacin en exceso de electrones y huecos a niveles de energa apropiados.

La intensidad de la iluminacin de un LED depende de la caracterstica de aumento de la lente del encapsulado representada en la figura siguiente.

El rendimiento cuntico del LED convencional de infrarrojos (fotones de salida por electrn de entrada) ha aumentado considerablemente, pero an es bajo. Puede aumentarse considerablemente trabajando en la regin del lser. La relacin entre la energa de luz visible a la energa elctrica de entrada para un LED, es menor de 1 %. (El rendimiento del GaAsP es mximo a 650 nm y cae a mayor o menor longitud de onda). Para tener una inyeccin luminiscente eficaz o un alto rendimiento de conversin de energa elctrica en energa de recombinacin, es necesario: (1) una buena alimentacin o inyeccin de portadores minoritarios, (2) un alto rendimiento de recombinacin radiativa, y (3) una elevada probabilidad de los fotones de escapar del LED. Para tener el mximo rendimiento de un LED, los fabricantes: 1. Utilizan los materiales menos absorbentes y de alto rendimiento directo con cristales lo menos defectuosos posible, de forma que los portadores o fotones no se pierdan en el sistema, atrapados en los defectos del cristal. 2. Colocan lentes con ndices de refraccin lo ms prximos posible al del material del LED, de forma que se refleje la menor luz posible hacia el interior cuando atraviesan la separacin LED-aire. 3. Trabajan en funcionamiento intermitente para eliminar problemas de Saturacin y temperatura. 4. Enfran los dispositivos para disminuir el nmero de transiciones no radiantes originadas por la dispersin de estados de energa cuando se aade energa trmica. La mayora de los LEDs tienen un encapsulado comercial de plstico con una lente directamente sobre la unin p-n. No todos los fotones generados por la unin salen de la superficie del LED, tres elementos separados disminuyen la cantidad de fotones emitidos. 1. Perdidas debidas a los materiales de construccin (GaAsP/GaAs =0.15, GaAsP/GaP =0.76). 2. Perdidas FRESNEL (en dos elementos con diferente ndice de refraccin una parte de la radiacin se refleja). FOTODIODOS: Existe un dispositivo ptico anlogo que responde a la luz en vez de a una seal elctrica. La primera vez que se observ que un diodo semiconductor era sensible a la luz, tuvo lugar probablemente al observarse un considerable aumento de la corriente de prdida de un diodo de unin, al exponerlo a la luz. La estructura bsica y el funcionamiento de un diodo de unin pn de silicio. Cuando son absorbidos por el dispositivo fotones cuya energa es mayor que la del intervalo de energa, se generan pares electrn-hueco. Una de las ventajas principales del dopado es introducir impurezas que originan electrones o huecos muy prximos a la banda de conduccin; por tanto se requiere menor energa para excitar estos estados aadidos hasta la banda de conduccin. FOTODIODO DE AVALANCHA. El fotodiodo de avalancha es un fotodiodo especial que trabaja en la regin de ruptura en avalancha para obtener una amplificacin de corriente interna. La generacin de par electrn-hueco y la separacin es la misma que la descrita en las subsecciones anteriores. Los electrones separados se desplazan hacia la regin de avalancha donde un campo electrosttico elevado los acelera hasta una velocidad muy elevada. Cuando los electrones acelerados se recombinan o chocan hay una gran posibilidad de que se cree un nuevo par por ionizacin por impacto. El segundo par tambin se separa y estos nuevos electrones repiten

el proceso. El proceso contina hasta que todos los portadores abandonan la regin de avalancha. De esta forma puede generarse un nmero considerable de portadores por la absorcin de un solo fotn. El fotodiodo de avalancha puede considerarse como el equivalente en estado slido de un fototubo multiplicador. Los fotodiodos de avalancha se fabrican con rendimientos cunticos de 100 a l GHz, y potencias equivalentes de ruido de 10-12 W /{Hz1/2). Como su respuesta espectral es similar a la de los fotodiodos y fototransistores, son probablemente los ms rpidos, los ms sensibles y los de banda ms ancha entre los foto detectores disponibles. El fotodiodo de avalancha tambin tiene sus desventajas; entre ellas est que la ganancia es sensible a la temperatura; micro plasma o pequeas zonas de ruptura; el ruido aumenta ms rpidamente que la ganancia a la seal, y existen problemas de polarizacin debido a la dependencia de la ganancia.

INSTITUTO TECNOLOGICO DE MORELIA.

DIODOS Y TRANSISTORES.

Rodrigo Alfonso Villareal Ortiz.

Irving Omar Garca Garduo. 11120051

Temas. Diodo Schottky. Emisor de luz. Fotodiodo.