UNIVERSIDAD PRIVADA TELESUP

INGENIERIA DE SISTEMAS E INFORMATICA

UNION P-N
CURSO CICLO PROFESOR ALUMNO :

"

Fsica Aplicada : : : IV to.

Carrasco Sajami Eusebio Ramirez Huaman Miguel Angel

2012
LIMA PERU

DIODO DE UNIN PN Se denomina unin PN a la estructura fundamental de los componentes electrnicos comnmente denominados semiconductores, principalmente diodos y transistores BJT. Est formada por la unin metalrgica de dos cristales, generalmente de Silicio (Si), aunque tambin se fabrican de Germanio (Ge), de naturalezas P y N segn su composicin a nivel atmico. Estos tipos de cristal se obtienen al dopar cristales de metal puro intencionadamente con impurezas, normalmente con algn otro metal o compuesto qumico UNIN P-N POLARIZADA Se entiende como polarizacin de una unin p-n a la aplicacin externa de una diferencia de potencial continua o con un determinado sentido a la unin. La polarizacin del diodo puede ser en directa o en inversa, como veremos a continuacin. Unin p-n polarizada directamente La unin p-n est polarizada directamente cuando a la regin p se le aplica un potencial mayor que a la regin n. Para ello, tal y como se ve en las Figuras 5.1 y 5.2, se debe conectar el polo positivo de la batera al nodo del diodo (zona p) y el polo negativo al ctodo (zona n).

Unin p-n polarizada en directa.

Representacin circuital del diodo polarizado en directa y conexin real. En estas condiciones podemos observar los siguientes efectos: Los huecos de la regin p y los electrones de la regin n son empujados hacia la unin por el campo elctrico Epol a que da lugar la polarizacin. Por lo tanto, se reduce la anchura de la zona de transicin. El campo elctrico de la polarizacin Epol se opone al de la unin Eu. As, se reduce el campo elctrico de la unin y, consecuentemente, la barrera de potencial. Recordar que, como vimos en el Tema 4, la barrera de potencial sin polarizacin es VJ=Vo. Con la polarizacin directa de la unin p-n se reduce en la forma VJ=Vo-V, siendo V la tensin directa aplicada a dicha unin, tal y como se muestra en la figura siguiente.

Reduccin de la barrera de potencial en la unin p-n polarizada en Dado

LA LEY DE SHOCKLEY
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Un diodo Shockley es un dispositivo de dos terminales que tiene dos estados estables: uno de bloqueo o de alta impedancia y de conduccin o baja impedancia. No se debe confundir con el diodo de barrera Schottky. Est formado por cuatro capas de semiconductor de tipo N y P, dispuestas alternadamente. Es un tipo de tiristor. La caracterstica Tensin-Corriente (V-I) se muestra en la figura. La regin I es la regin de alta impedancia y la III, la regin de baja impedancia. Para pasar del estado apagado al de conduccin, se aumenta la tensin en el diodo hasta alcanzar la tensin de conmutacin, denominada Vs. La impedancia del diodo desciende bruscamente, haciendo que la corriente que lo atraviesa se incremente y disminuya la tensin, hasta alcanzar un nuevo equilibrio en la regin III (Punto B). Para volver al estado apagado, se disminuye la corriente hasta la corriente de mantenimiento, denominada Ih. En ese instante el diodo aumenta su impedancia, reduciendo, todava ms la corriente, mientras aumenta la tensin en sus terminales, cruzando la regin II, hasta que alcanza el nuevo equilibrio en la regin I (Punto A). La tensin inversa de avalancha es denominada Vrb. Este dispositivo fue desarrollado por William Bradford Shockley tras abandonar los Laboratorios Bell y fundar Shockley Semiconductor. Fueron fabricados por Clevite-Shockley.

Smbolo del diodo Shockley.

Grfica V-I del diodo Shockley

Ecuacin del diodo, ley del diodo o ecuacin de Shockley

Teniendo en cuenta la suma de corrientes de electrones y huecos, la corriente que circula por un diodo viene definida por:

A = rea de Silicio. ni2 = Concentracin de huecos o electrones. (Ley de accin de masas: Producto de huecos y electrones libres es constante). LP, LN = Longitudes de difusin de huecos y electrones. Nd, Na = Concentraciones de tomos donadores y aceptores. = Parmetro dependiente del material (1 para el Germanio y 2 para el Silicio). Los transistores, desarrollados en 1947 por los fsicos W. Shockley, J. Bardeen y W. Brattain, resolvieron todos estos inconvenientes y abrieron el camino que, junto con otras invenciones como la de los circuitos integrados potenciaran el desarrollo de las computadoras. Y todo a bajos voltajes, sin necesidad de disipar energa (como era el caso del filamento), en dimensiones reducidas y sin partes mviles o incandescentes que pudieran romperse.

Comparacin entre las vlvulas y antiguos transistores individuales de germanio

Esquema del triodo (vlvula) donde se detallan sus distintos componentes.

CONMUTACIN DEL DIODO

Los diodos de conmutacin o rpidos se caracterizan por ser capaces de trabajar con seales de tipo digital o <<lgico>> que presenten unos tiempos de subida y bajada de sus flancos muy breves.

El factor o parmetro que caracteriza a estos diodos es el tiempo de recuperacin inverso (TRR) que expresa el tiempo que tarda la unin P-N en desalojar la carga elctrica que acumula, cuando se encuentra polarizada inversamente (efecto similar a la acumulacin de carga de un condensador), y recibe sbitamente un cambio de tensin que la polariza en sentido directo. Pueden ser considerados rpidos aquellos diodos con un TRR inferior a 400 nanosegundos, en modelos de media potencia, para los de baja potencia este tipo es del orden de los 5 nanosegundos.

TIEMPOS DE CONMUTACIN DEL DIODO CD >> CT => Es mucho ms importante el tiempo de recuperacin al pasar de conduccin directa a inversa que al revs.

INFLUENCIA DEL TRR EN LA CONMUTACIN Si el tiempo que tarda el diodo en conmutar no es despreciable : Se limita la frecuencia de funcionamiento. Existe una disipacin de potencia durante el tiempo de recuperacin inversa. Para altas frecuencias, por tanto, debemos usar diodos de recuperacin rpida. Factores de los que depende trr : A mayor IRRM menor trr. Cuanta mayor sea la intensidad principal que atraviesa el diodo mayor ser la capacidad almacenada, y por tanto mayor ser trr.

REFERENCIAS
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http://quegrande.org/apuntes/grado/1G/TEG/teoria/10-11/tema_5__diodos_de_union_p-n.pdf http://quegrande.org/apuntes/ETIS/1/TE/teoria/09-10/diodo_de_union_p-n.pdf http://es.wikipedia.org/wiki/Uni%C3%B3n_PN http://es.wikipedia.org/wiki/Diodo_Shockley http://es.wikipedia.org/wiki/William_Bradford_Shockley http://ocw.bib.upct.es/pluginfile.php/7884/mod_resource/content/1/Capitulo_4__Transistores_Bipolares.pdf http://www.electronicafacil.net/tutoriales/Diodos-Semiconductores.php http://webs.uvigo.es/mdgomez/DEI/Guias/tema4.pdf