ELECTRONICA ANALOGICA 1

UNIDAD 1

El diodo semiconductor

1.1.-Caractersticas de los diodos semiconductores.
1.2.-El diodo rectificador.
1.3.-El diodo como Recortador.
1.4.-Sujetadores (cambiadores de nivel).
1.5.-Multiplicadores de voltaje o (Tensin).
1.6.-Diodo Zener.
1.7.-Diodo Emisores de luz (leds).


UNIDAD 2

El Transistor BJT

2.1.- Caractersticas y polarizacin de los transistores BJT.
2.2.- Amplificador en conexin Base Comn.
2.3.- Amplificador en conexin Emisor Comn
2.4.- Amplificador en conexin Colector Comn
2.5.- Diseo de un Amplificador en conexin Emisor Comn

UNIDAD 3

El Transistor Efecto De Campo (FET)

3.1.- Constitucin y Caractersticas
3.2.- Polarizacin
3.3.-Diseo de un Amplificador o Base de FETS
3.4.- El Transistor MOSFET (Metal Oxido
Semiconductor (FET)
3.5.-Mosfet Decremental
3.6.-Mosfet Incremental












1.-Electronica, Bibliografa
Teoria de circuitos.
Boylestad y Nashelsky
Edit. Prentice Hall


2.-Principios de Electronica
Malvin Edit. Mc Grawhill


3.-Apuntes de la materia


4.-Serie 1-7 Electrnica
Harry Mileaf. Edit. Limusa


Evaluacin


UNIDAD 1

Por cada unidad se va a efectuar 2 exmenes



Teora 65%
Practica 35%
100%


Calificacin Terica = promedio de la calificacin final por 0.65%




Calificacin practica = 0.35%
N. practicas





CONDUCTOR: tomos que tienen uno o dos electrn en su rbita de valencia.
PLATA, ORO Y COBRE

SEMICONDUCTOR: tomos que tiene 3,4 o 5 electrones en su rbita de
valencia.
3 electrones: INDIO, BORO, GALIO.
4 electrones: GERMANIO, SILICIO.
5 electrones: ARSENICO, FOSFORO, ANTIMONIO.

AISLANTES: tomos que tienen 8 electrones en su rbita de valencia.

Todos los Gases nobles (Nen, argn, Xenn etc.), compuestos qumicos
(vidrios, baquelita, madera, aguas puras algunos plsticos.















MATERIAL TIPO N MATERIAL TIPO P






Polarizacin Directa Polarizacin inversa



SIMBOLO DEL DIODO SEMICONDUCTOR








TENSION CONTINUA TENSION ALTERNA











ONDA TRIANGULAR










ONDA SENOIDAL





1 ciclo es el desarrollo de un fenmeno
Hasta el instante es que vuelve a repetirse.
T= PERIODO= tiempo en el que se
Concreta un ciclo.
LONGITUD DE ONDA = distancia en la que
se desarrolla el ciclo.
FRECUENCIA= es el nmero de veces que
un
Fenmeno se desarrolla en la unidad de
Tiempo.



D= V t (metro)

= C T (metros)

T = 1/f por lo tanto f= 1/T

Por consiguiente = C/f (metros)

La tensin de la red de corriente alterna tiene un valor de tensin RMS de 127v
y una frecuencia de 60Hertz.

= C/f = 300x10^6 m/seg = 5x10^6 = 5000 km
60 Hertz c/seg

Cuando se mide la tensin Alterna con un Voltmetro digital Analgico, se
obtiene volts RMS.
Siempre que se lea un valor de tensin no especificado debe entenderse como
una tensin RMS.





=
1^2+2^2+3^2+4^2+^2+^2

RMS = Root mdium square (Raz Cuadrada Media


=
1+2+3+4+5+6
6
volts


=

2
max +
2
min
2
=

2
max +0
2
=

2
max
2
=

2
max
2
=
Emax
1.414
= 0.70091 Emax


RECTIFICACION

RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA















RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA













Rectificador de onda completa tipo puente




RECORTADORES

Un recortador es un circuito que permite que pase solo un parte de la seal de
entrada. Por lo tanto en la salida aparecer solo una parte de la seal que se
aplica en la entrada.



Un circuito rectificador es as mismo un recortador que permite el paso
nicamente uno de los dos semiciclos, ya sea el positivo o el negativo,
dependiendo de la posicin en que se coloque el diodo


















Sujetadores o cambiadores de nivel

Los sujetadores o cambiadores de nivel son circuitos que no ce permiten
producir desplazamientos en una seal con otro sentido sin producir ningn
cambio en la seal.















El circuito debe tener capacitor, diodo y un elemento resistivo, pero tambin
puede usar una fuente de corriente directa independiente para introducir un
cambio de voltaje continuo adicional. La magnitud de R y C debe elegirse de
tal forma que la constante.


En general los siguientes pasos son tiles cuando generalizan redes
cambiadores de nivel.
1.- inicial el anlisis de las redes cambiadoras de nivel considerando, la parte
de la seal de entrada que daba polarizacin directa al diodo.


2.- durante el periodo en que el diodo esta conduciendo se supondr que el
capacitor se cargara de manera el nivel del voltaje que determine la red.
3.- se considera durante el periodo que el diodo no est conduciendo el
capacitores mantendr el voltaje adquirido.
4.- tener siempre en mente la regla general de que la amplitud total de la seal
de salida ser igual a la amplitud total de la seal e entrada.


Multiplicador de Tensin


DOBLADOR DE VOLTAJE DE MEDIA ONDA:




DOBLADOR DE TENSION DE ONDA COMPLETA





























DIODO ZENER


En la regin zener, pequeos aumentos de voltaje negativos ocasionan
grandes aumentos de la corriente atreves del diodo, esto quiere decir que la
resistencia interna del diodo disminuye si el voltaje negativo se reduce
entonces la corriente disminuye, lo que quiere decir que la R1 del diodo
aumenta.
Por lo tanto en la regin Zener , el diodo esta importando como un dispositivo
de resistencia variable.

Smbolo del diodo ZENER:






Esta facultad del diodo ZENER puede ser aprovechada para mantener un
voltaje de salida constante cuando el voltaje de entrada varia, o cuando la
resistencia de de carga varia.
Entonces el diodo ZENER puede ser utilizado como un regulador de voltaje o
tensin.
Se pueden conseguir diodos ZENER para distintos valores de tensin
dependiendo de los elementos utilizados para dopar el cristal de silicio y la
cantidad de dichos elementos en el dopado.






SALIDA DE VOLTAJE CONSTANTE:




Voltaje de entrada fijo Resistencia de carga variable:


Vc = Vz= Rc Ve/ Rc + R (VOLTS)

Rcmin = R Vz/ Vc Vz

Vr = Ve Vz (VOLTS)

I2 = IR Ic

Rcmax = Vz/ Icmin

Icmax = Vc / Rcmin = Vz /Rcmin (amperes)

Ir = Vr /r (amperes)

Icmin =Ir Izm

Izm = corriente maxima atravez del diodo






Rcmin (1k) (10V) / (50-10) v = 10k/ 40v = 250

Rcmin = 250

Vr = (50 10)v = 40v

Ir = 40v/1k = 40 mili amperes.

Icmin = (40 -32 m A)= 8 m A

Rcmin = 10v/ 8m A =1,250 = 1.25 K






VC = VZ = (RC * VE) / (RC + R).

VE MIN = (RC + R) * (VZ) / (RC).

IC = VC / RC.

IRMX = IZM + IC

VE MX = VE MX + VZ

VEMX = (IRMX * R) + VZ.









VOLTAJE DE ENTRADA:





VEMIN = ((RC + R) (VZ)) / RC = (1,200 + 220) (20V) / (1200) = 23.67

VOLTS.

IC = VC / RC = 20V / 1200 = 16.67mA.

IRMX = IZM + IC = (16.67mA + 60 mA) = 76.67mA.

Vemx = (76.67) * (220 ) + 20V = 36.67VOLTS



DIODO EMISOR DE LUZ (LED)



LED LIGHT EMITTING DIODE







El diodo Emisor de luz (LED) es, como su nombre lo indica, un diodo que
producir luz visible cuando se encuentre energizado. El cualquier unin p-n
polarizado directamente dentro de la estructura y muy cercas de la unin ocurre
una recombinacin de huecos y electrones. Esta recombinacin requiere que la
energa que posee un electrn libre no nidada se transfiera a otro estado en
todas las uniones p-n , de los semiconductores una parte de esta energa se
convierte en calor y otro tanto en la forma de fotones, es decir en luz. En el
silicio y el germanio esta el mayor porcentaje de esta energa se transforma en
calor y la luz emitida es insignificante. En otros materiales como el fosfuro
arseniuro de galio (GaAsP), el numero de fotones de la energa luminosa
emitida, es suficiente para crear una fuente luminosa muy visible, y en este
caso el calor generado en la unin es muy poco. El proceso de la produccin
de la luz aplicando una fuente de energa elctrica se denomina
electroluminiscencia. Cuando se dopa el (Ge o el S), con elementos como el
GaAs, GaPaS), la mayor parte de la energa de la recombinacin e convierte
en luz y solo una muy pequea parte en calor.








= 700*10-9m
f= C /

PARA EL ROJO
f= (300*10^6m /seg ) / (700*10-9) = 4.28 TERAHERTZ

PARA EL NARANJA
= 650*10-9m
f= (300*10^6m / seg ) / (650*10-9) = 4.61 TERAHERTZ

PARA EL AMARILLO
= 600*10-9m
f= (300*10^6m / seg ) / (600*10-9) = 5 TERAHERTZ





PARA EL VERDE
= 550*10-9m
f= (300*10^6m / seg ) / (550*10-9) = 5.45 TERAHERTZ


PARA EL AZUL
= 500*10-9m
f= (300*10^6m / seg ) / (500*10-9) = 6.14 TERAHERTZ

PARA EL VIOLETA
= 450*10-9m
f= (300*10^6m / seg ) / (450*10-9) = 6.66 TERAHERTZ

PARA EL VIOLETA ALTA
= 400*10-9m
f= (300*10^6m / seg ) / (400*10-9) = 7.5 TERAHERTZ

Los colores fundamentales son 3:


Desde el punto de vista qumico:


1.- rojo
2.- azul
3.- amarillo


Azul y rojo forman el violeta; Amarillo y azul forman el verde; Rojo y amarillo el
naranja.



Desde el punto de vista elctrico:

1.-rojo
2.-Azul
3.-verde

Rojo y azul forman el violeta; azul y verde el amarillo; rojo y verde el naranja.










COMPUESTO COLOR LONG DE ONDA.
ARSENIURO DE GALIO
(GaAs)
INFRARROJO 940 nm.
ARSENIURO DE GALIO
Y ALUMINIO (AlGaAs)
ROJO E INFRARROJO 890 nm
ARSENIURO FOSFURO
DE GALIO (GaAsP)
ROJO, NARANAJA Y
AMARILO
630 nm
FOSFURO DE GALIO
(GaP)
VERDE 555 nm
NITRURO DE GALIO
(GaN)
VERDE 525 nm
SELENIURO DE ZINC
(ZnSe)
AZUL 450 nm
NITRURO DE GALIO E
INDIO (InGaN)
AZUL 450 nm
CARBURO DE SILICIO
(SiC)
AZUL 480 nm
DIAMANTE (C) ULTRAVIOLETA 380 nm
SILICIO (Si) EN DESARROLLO




Con el desarrollo del LED azul se pudo conseguir la luz blanca formando un
pixel con un LED rojo y otro verde y uno azul, entonces al encender los 3
colores se obtiene el color blanco.
El desarrollo ms reciente es el blanco, que tiene la intensin de sustituir a las
bombillas luminosas actuales, con dispositivos mucho ms eficientes desde un
punto de vista energtico, ya que los leds tienen un consumo de corriente muy
bajo y pueden llegarse a producir con potencias suficientes para sustituir en las
lmparas incandescentes y fluorescentes.
La diferencia de potencial que requieren los diodos de diferentes colores:

En trminos generales puede considerarse que la tensin que debe aplicarse a
un diodo para obtener su mxima intensidad debe ser, para:
Rojo = 1 volt
A ojo de alta luminosidad= 1.9 volts
Amarillo= 1.7 a 3 volts
Verde= 2.4 volts
Verde de alta luminosidad= 3.4 volts
Naranja= 2.4 volts
Blanco brillante= 3.4 volts
Azul = 3.4 volts
Azul de 430nm = 4.6 volts
Blanco = 3.7 volts




UNIDAD II: EL TRANSISTOR BJT








































El BJT= Bipolar Junction Transistor o Transistor Bipolar de Unin



Smbolo del Smbolo del
Transistor BJT Transistor BJT





El colector es positivo con respecto a la Base y con respecto al Emisor.

La base es positivo con respecto al Emisor y negativo con respecto al
colector.

El Emisor es negativo con respecto a la Base y con respecto al Colector.



El emisor es positivo con respecto a la Base y con respecto al Colector.

La Base es positiva con respecto al Emisor y negativa con respecto al Emisor.

El Colector es negativo con respecto a la Base y con respecto al Emisor.

Para los transistores existen 3 tipos de Amplificadores que son:

El transistor en conexin Base comn y Base a Tierra
El transistor en conexin Emisor comn y Emisor a Tierra.
El Transistor en conexin Colector comn y Colector a Tierra.






EL AMPLIFICADOR EN CONEXIN BASE COMUN














La seal de salida es mayor que la seal de entrada y por lo tanto existe una
amplificacin (este es de 10).

Entonces en un amplificador en conexin Base comn o Base a Tierra, las
seales de entrada y salida tienen la misma fase.

EL AMPLIFICADOR EN CONEXIN EMISOR COMUN














DISEO DE UN AMPLIFLICADOR EN CONEXIN EMISOR COMUN






La cada de Tensin Vce + Vre debe ser igual a la unidad de Vcc entonces:


Av= ganancia de voltaje

Vrc= Vre = Vcc

Av= Rc/Re por lo tanto

Rc= (Av)(Re)

Vrc = (Ic)( Re)

V= ( Ie)(Ic)

Pero Ie=Ic

( Ic)(Rc)+ ( Ie)(Ic) = Vcc

Ie (Rc + Re)= Vcc

Sustituyendo Rc en funcin de Re

Ie (AvRe+Re)= Vcc

IeRe (Av +1) = Vcc

Re = Vcc / 2 Ie (Av+1)

R2 se elige entre:

10Rc<= R2<= 30Rc

Hacia la derecha es ms estable mientras que la izquierda es menos estable
por eso se elige arriba de 20 R2.

Vb= Vre + Vbe = (Vre+0.7)v

Entonces

I2 = Vb/R2 amperes

Como Ib=0

I2= I1

R1= (Vcc- Vb)/ I1 Su medicion es en ohmios.







Disear un amplificador con las siguientes caractersticas.

Vcc= 18v

Ie= 10 mA

Av= 4


Re = Vcc/ 2Ie (Av +1)

Re = 18v/ 20 (4+1)mA

Re = 180

Rc = AvRe = 4(180)

Rc = 720

R2 se elige de 20Rc = 20(720)

R2 = 14,000 = 14.4 K

Ve = Ie * Vbe = (10mA) (18) = 1.8v

Vb = Vre + Vbe = 1.8v + 0.7v = 2.5v

I2 = Vb/R2 2.5/ 14.4k = 173.6f

R1 = (Vcc - Vb) / I1 = (18v 2.5v )/ 173.6f = 15.5v /173.6x10^-6 =89.2k






DISEO DE UN AMPLIFICADOR DE 2 ETAPAS



CALCULO DE LA PRIMERA ETAPA:

VCC1= 12V
Ie1= 6MA
Av=2

RE1= VC/2IE(Av+1)
RE1= 333.333 OHMS

RC1= AVRE1= (2) (333.333)=666.66OHMS
SE PROPONE R2
R2,1= 20RC= (20)(666.66)
R2,1= 13,333.32OHMS
VE1= IE1RE1=(6MA)(333.33OHMS)
VE1=1.9V
VB1= VE1+0.7= 1.9+0.7=2.6V
VB1=2.6V
I2= VB1/R2,1= 2.6V/13,333.32OHMS = 195MA
R1,1= (VCC+VB1)/I1= 9.4V/195MA= 48250OHMS

CALCULO DE LA SEGUNDA ETAPA:
VCC=18V
IE2=8MA
Av=3

RE2=18/2(8MA)(4)= 231.25 OHMS
RC1=(281)(3)= 843.75
R22=20(843.75)=1687.5
VE2=2.25V
VB2=2.95V
I22=174MA
R12=86321.83OHMS


ECUALIZADOR



Un ecualizador es un dispositivo que nos permiten modificar la curva de la
respuesta de una seal.
Si se aplica una seal plana entre 2 limites de frecuencia la entrada del
dispositivo, a la salida obtendremos una seal diferente a la de la entrada.












Ecualizador =======






Para obtener esto se requiere de elementos reactivos, es decir, de capacitores
e inductores.
Vamos a analizar el comportamiento de la inductancia y de la capacitancia con
respecto a la frecuencia.
El comportamiento de una inductancia es el siguiente

La reactancia inductiva es:

XL = 2 f L

Si f tiende a 0 XL tiende a 0
Si f tiende a infinito por lo tanto XL tiende a infinito







= =

El comportamiento de la capacitancia es el siguiente

Xc = 1/ 2 f L

Si f tiende a 0 Xc tiende a infinito
Si f tiende a infinito Xc tiende a 0

= =




































ECUALIZADOR TIPO BAXANDALL









Para el diseo nos basaremos en la ecuacin:

F=1/RC

Rango de frecuencia bajas de 20 Hz a 3 KHz
Se propone C2=10f fb=20Hz
Entonces:

R2=1/Fc2=1/(20 Hz)(10f)= 5000

Frecuencia alta de las frecuencias bajas = 3KHz

R1=1/C1

Se propone C1=0.01f

R1= 1/(3KHz)(0.01f)= 33,333= 33.33 K

El valor de p, se propone en 100K

Para la rama de las frecuencias altas (agudos)

Se propone P2=100K
Rango de las frecuencias altas:

Para la frecuencia baja de las frecuencias altas: 2KHz

C4=1/p=1/(2000)(100000)=5000 p

Para la frecuencia alta de las frecuencias altas = 10KHz

C3=1/p=1/(10000)(100000)=1000p




















ETAPA DE SALDIA DE AUDIO















IE=Ics/B=1A /40=1000/40= 25mA

Calculo de la etapa excitadora

RE=24/2(25ma)(21)=22.85

RcE=AvRE=(20)(22.85)=457

R2E se propone 20 RCE

R2E=AvRE=(20)(457)=9.14 K

VEE=(25ma)(22.85)=0.57 v

VBE=0.57+0.7=1.27V

I2E=1.27/9.14 K=138A

R1E=(24-1.27)/138A=164.71 K


Impedancia.-es la oposicin que presenta un circuito que contiene resistencia,
inductancia, y capacitancia al paso de la corriente alterna. Se representa por la
letra Z.









AMPLIFICADOR CON CAPACITOR EN EL EMISOR





Al instalar un capacitor en paralelo con Re suceden 2 consecuencias
beneficiarias

1.-el capacitar tiende a mantener constante la tensin de polarizacin del
transistor (emisor) este se opone a los cambios de la tensin continua.

2.-el capacitor permite el paso de la corriente alterna para que las frecuencias
de audio que maneja el capacitor restituya la conexin emisora a tierra, que se
havia perdido al calcular Re


Calculo del amplificador:
Vcc=18v
IE=10 ma
Av=3

RE=Vcc/2IE(Av1)=18/2(10ma)(4)=225
Rc=3RE=3(225)=675
Se propone:
R2=20(675)=13500=13.5 K
VE=IERE=(10ma)(225)=2.25 v
VB=2.25 + O.7= 2.95 V
I2=2.95/13500=218.5A
R2=(18-2.95)/218A=69030

Si se instala una capacitor en paralelo con RE se modificara necesariamente la
ganancia

Se elije una frecuencia de paso mnimo de 30 Hz entonces



Xc=1/2c

Si se elije instalar una capacidad de 47 f
Entonces:

Xc=1/2(30Hz)(47f)=112.87

Entonces la impedancia de emisor ser:

ZE=REXE/RE+XE=(225)(112.87)/225+112.87= 75.16

L nueva ganancia de voltaje ser:

Av=Rc/ZE=675/75.16=8.98


AMPLIFICADOR DE 3 ETAPAS



CALCULO DE LA PRIMERA ETAPA:

Vcc1= 12V
Ie1= 6MA
A1=2

RE1= VC/2IE(A1+1)
RE1= 333.333

RC1= AVRE1= (2) (333.333)=666.66
SE PROPONE R2
R2,1= 20RC= (20)(666.66)
R2,1= 13,333.32OHMS
VE1= IE1RE1=(6MA)(333.33OHMS)
VE1=1.9V


VB1= VE1+0.7= 1.9+0.7=2.6V
VB1=2.6V
I2= VB1/R2,1= 2.6V/13,333.32 = 195mA
R1,1= (VCC+VB1)/I1= 9.4V/195mA= 48.205 K

CALCULO DE 2 ETAPA:
Vcc=18V
IE2=8mA
A2=3

RE2=18/2(8MA)(4)= 231.25
RC1=(281)(3)= 843.75
R22=20(843.75)=1687.5
VE2=2.25V
VB2=2.95V
I22=174MA
R12=86321.83=86321 K

CALCULO 3 ETAPA:
Vcc=24 v
IE3= 12mA
Av= 4

RE=24/2(12mA)(5)= 200
RC2=4(200)=800
Se propone:
R23=20(800)=16000=16 K
VE3=(12mA)(200)=2.4 V
VB3=0.7+2.4= 3.1 V
I23=3.1/16K=193mA
R13=(24-3.1)/193Ma=106.632 k

RA=6V/6.195 ma=968.52
IB=6.195+0.174+8=14.36 ma
RD=6 V/14.36ma=417.82

















El transistor de efecto de campo (FET)
Fet = field effect transistor








Comparacin de un fet con una llave de agua
Transistor de efecto de campo de union = junction field effect transistor







LAS CURVAS DE UN TRANSISTOR JFET SE OBTIENEN POR MEDIO DE
LA ECUACIN DE SHOCKLEY.




Formula-
2
1
|
.
|

\
|

=
VP
VGS
IDDS ID


Entonces, cuando VGs = 0 volts

( ) mA mA mA ID 8
4
0
1 8
2
=
|
.
|

\
|

=


Cuando VGs = -1v

( ) 5 . 4
4
1
1 8
2
=
|
.
|

\
|

= mA mA ID

Cuando VGs = -2v
( ) mA mA
v
mA ID 2
4
2
1 8
2
=
|
.
|

\
|

=

Cuando VGs = -3v

( ) mA mA mA ID 5 . 0
4
3
1 8
2
=
|
.
|

\
|

=

Cuando VGs = -4

( ) mA mA mA ID 0
4
4
1 8
2
=
|
.
|

\
|

=
























TIPOS DE MOSFET JFET:




COMPARACIN ENTRE LOS TRANSISTORES JFET Y BJT

Cuando se introduce un dispositivo nuevo en un rango de aplicaciones
semejantes a otras presentado con anterioridad existe una tendencia natural al
comparar alguna de las caractersticas generales de una con otra.
Una de las caractersticas mas importantes del JFET es su amplia impedancia
de entrada que va desde 1 hasta varios cientos de ohms este dispositivo
excede con mucho los niveles tpicos de resistencias de entrada de las
configuraciones con transistores BJT. Un transistor BJT tiene muy baja
resistencia de entrada debido a que esta se presenta a travs de un diodo
polarizado.


En el diseo del amplificador es sumamente importante esta caracterstica de
impedancia de entrada que presenta los transistores BJT. Por otro lado, el
transistor BJT tiene una sensibilidad mucho mayor a los cambios de la seal
de aplicada. En otras palabras la variacin en la corriente de salida es, por lo
general, mucho mayor para los JFET que para los BJT, con el mismo cambio
en el voltaje de entrada.

Por esta razn con las ganancias tpicas de voltaje de C.A. para los
amplificadores BJT son muchos mayores que para los BJT en general, los
JFET son mas estables para las temperaturas que los BJT, y los JFET son mas
pequeos que los BJT, lo que los hace ideales en la construccin de los
circuitos integrados.


Sin embargo, las caractersticas de construccin de algunos tipos JFET
(mosfet) puede hacerlo mas sensible.



MOSFET INCREMENTAL


El MOSFET de tipo incremental de canal n se muestra en la siguiente figura.
Este difiere del MOSFET de tipo decremental en que no tiene la capa delgada
del material n sino que requiere de una tensin positiva entre la compuerta y la
fuente para establecer un canal. Este canal se forma por la accin de una
tensin positiva compuerta a fuente, VGS, que atrae electrones de la regin del
sustrato ubicada entre el drenaje y la compuerta contaminados de tipo n. Una
VGS positiva provoca que los electrones se acumulen en la superficie inferior
de la capa de xido. Cuando la tensin alcanza el valor de umbral, VT, han sido
atrados a esta regin los electrones suficientes para que se comporte como
canal n conductor. No habr una corriente apreciable iD hasta que VGS excede
VT.No existe un valor IDSS para el MOSFET de enriquecimiento, ya que la
corriente de drenaje es cero hasta que el canal se ha formado. IDSS es cero
para VGS=0. Para valores de VGS > VT, la corriente de drenaje en saturacin
se puede calcular de la ecuacin:

El valor de k depende de la construccin del MOSFET y, en principio, es
funcin del largo y ancho del canal. Un valor tpico para k es 0.3 mA / V
2
; la
tensin de umbral, VT, es especificada por el fabricante.




2
) (
T GS D
V V k i =




MOSFET DECREMENTAL









Los trminos decremental e incremental definen sus modos bsicos de
operacin, mientras que la palabra MOSFET significa transistor de efecto de
campo de metal xido semiconductor (metal-oxide-semiconductor-field-effect
transistor). Puesto que existen diferencias en las caractersticas y operacin de
cada tipo de MOSFET, stos son tratados en secciones separadas. En esta
seccin examinaremos el MOSPET tipo decremental, que parece tener
caractersticas similares a las de un JFET entre el corte y la saturacin para
IDSS, pero luego tiene el rasgo adicional de las caractersticas que se
extienden dentro de la regin de polaridad opuesta para VGS.
La construccin bsela de un MOSFET de tipo decremental de canal n
se esquematiza en la figura 5.23. Una "plancha" de material tipo p se
forma en una base de silicio y se le denomina sustrato. Es el cimiento
sobre el que se construir el dispositivo. En algunos casos el sustrato
se conecta internamente con la terminal fuente. Sin embargo, muchos
dispositivos discretos suministran una terminal adicional denominada
SS, resultando un dispositivo de cuatro terminales, como el que
aparece en la figura 5.23. Las terminales de fuente y drenaje se
conectan a travs de contactos metlicos a las regiones con dopado
tipo n (n dopadas) unidas mediante un canal n, como se muestra en la


figura. La compuerta tambin se conecta a una superficie de contacto
metlico pero permanece aislada del canal n por una capa muy
delgada de dixido de silicio (SiO2). El SiO2 es un tipo particular de
aislante conocido como un dielctrico, que establece una oposicin
(como se indica por el prefijo di-) de campos elctricos dentro del
dielctrico, cuando ste se expone a un campo externamente
aplicado. El hecho de que la capa de SiO2 sea una capa aislante
revela el hecho siguiente:
No hay una conexin elctrica directa entre la terminal de compuerta y
el canal para un MOSFET.