FOTOTRANSISTORES

Los fototransistores combinan en un mismo dispositivo la deteccin de luz y la ganancia. Su construccin es similar a la de los transistores convencionales, excepto que la superficie superior se expone a la luz a travs de una ventana o lente como se muestra en la Figura 27.

(a)

(b)

(c) Figura 27. Fototransistor (a) Smbolo. (b) Circuito equivalente. (c) Corte. Los fotones incidentes generan pares electrn-hueco en la proximidad de la gran unin CB. Las tensiones de polarizacin inversa de la unin CB, llevan los huecos a la superficie de la base y los electrones al colector. La unin BE polarizada directamente, hace que los huecos circulen de base a emisor mientras que los electrones fluyen del emisor a la base. En este punto la accin convencional del transistor se lleva a cabo con los electrones inyectados del emisor cruzando la pequea regin de la base y alcanzando el colector que es ms positivo. Este flujo de electrones constituye una corriente de colector inducida por la luz. Los pares electrn-hueco fotoinducidos contribuyen a la corriente de base y si el fototransistor se conecta en configuracin de emisor comn, la corriente de base inducida por la luz, aparece como corriente de colector multiplicada por hfe. La Figura 28 muestra los datos de un fototransistor tpico. La sensibilidad de radiacin colector a emisor (SRCEO) de la Fig.28, se define como la corriente de salida de colector por unidad de irradianca incidente con la base abierta. La correspondiente sensibilidad SRCBO se refiere a la corriente de la base por unidad de irradiancia incidente con el emisor abierto. As pues, SRCBO se refiere a la pequea corriente de base generada por los fotones y SRCEO incluye el factor multiplicador del fototransistor. puede calcularse de; S RCEO 1mA = = S RCBO 2 A

(mW )(cm 2 ) = 500 (mW )(cm 2 )

para el transistor de la Fig. 28. De la definicin de SROEO, se observar que: Ic = SRSEO (densidad de flujo)

U2-T4 Fototransistor -

Figura 28. Hoja de datos de un Fototransistor. Puede pensarse que la combinacin de deteccin de luz y la funcin de amplificacin en un solo dispositivo, es ya el sensor perfecto, pero esto no es cierto en muchas aplicaciones. Primero, es importante tener en cuenta que en el fototransistor la corriente oscura (ICBO) tambin se multiplica por , como la fotocorriente de base. Una buena prueba de este hecho es una comparacin de la irradiancia cuando Iluz = Ioscura para varios fotodetectores. La respuesta en frecuencia de los fototransistores es menor que la de 1a combinacin fotodiodo-amplificador. Esto es debido a la gran capacidad base-colector del fototransistor que toma una carga elevada que slo puede descargarse por la corriente oscura, relativamente baja (Figura 5-22(d). Las Figuras 29 y 30, muestran que la regin de funcionamiento lineal del fototransistor es varios rdenes de magnitud menor que en los fotodiodos. El problema de la linealidad y muchas otras limitaciones del fototransistor, se deben a la variacin de con el nivel de corriente y la temperatura.

U2-T4 Fototransistor -

Figura 29. ICB en funcin de la radiacin. A la vista de las desventajas mencionadas del fototransistor, su uso se restringe generalmente a aplicaciones ON-OFF, en que su ganancia propia puede eliminar la necesidad de amplificacin posterior. De hecho, el mayor mercado para el fototransistor es para las aplicaciones de mayor velocidad donde es mejor fotoconductores de una pieza y ms ganancia que un fotodiodo, con lo cual se elimina la necesidad de una amplificacin posterior

Figura 30. IB en funcin de la radiacin.

U2-T4 Fototransistor -

Figura 31. Interruptor simple con fototransistor. La Figura 31 muestra un fototransistor en su aplicacin ms general, que es un interruptor sensible a la luz. En estas aplicaciones, el terminal de la base no est conectado y de hecho muchos fototransistores no cuentan con terminal de base. El fototransistor est EN CORTE antes de aplicar la radiacin, y por tanto no circula corriente de emisor por RE y la salida es 0 V. Con una iluminacin adecuada, el fototransistor CONDUCE y una gran corriente de emisor origina una salida igual a IERE. La salida aumenta cuando RE aumenta; sin embargo, la frecuencia disminuye debido a la constante de tiempo CCBRL, como muestra la figura 32. Como ejemplo del uso de los datos del fototransistor de la Figura 28, considrese que Vcc en la Figura 31 es + 20 V, RE = 1 k y que se desea una salida de 5 V cuando el fototransistor conduzca. Como VSALIDA = IERE , IE = 5 V /1 k = 5mA. Usando la Ecuacin Ic = SRSEO y el valor tpico de SRCEO de la figura 6-22(a), se ve que la densidad de flujo requerida para producir una Ic de 5Ma es:

H=

Ic S RCEO

5ma = 3.12 mW cm 2 2 1.6ma (mW ) cm

Figura 32. Respuesta a la frecuencia de un fototransistor en funcin de resistencia de carga.

U2-T4 Fototransistor -

(La Figura 29 muestra un valor algo mayor, Estas irradiancias se obtienen normalmente con pequeas lamparitas incandescentes) La Fig. 32 muestra que la respuesta en frecuencia cae a 50 Hz para una RB de 1 k. Un mtodo de evitar esta reduccin de velocidad reteniendo aproximadamente la misma ganancia, se demuestra en la Fig. 33. En este caso, la baja impedancia de salida de la etapa en base comn (Q2), est en paralelo con RL y proporciona as una resistencia de carga baja para el fototransistor. De esta forma, la respuesta en frecuencia se hace prcticamente independiente de la resistencia de carga. Como la ganancia de corriente de una etapa en base comn es aproximadamente la unidad, la corriente por Rc es aproximadamente la misma que si no existiese Q2. Suponiendo las mismas condiciones que en el ejemplo anterior de la Figura 31, la respuesta en frecuencia de la Figura 33 aumentara en la relacin de la reduccin de la resistencia de carga efectiva:
RL = 1000 5 para Ic = 5 mA r 'e es decir, 200:1. Como con cualquier transistor conmutador, el tiempo de recuperacin del fototransistor aumenta al estar saturado. As pues, la entrada ptica debe limitarse a un valor que produzca una Ic satisfactoria. El fototransistor tiene una ventaja comn con cualquier dispositivo de tres terminales, y es que la tercera terminal o base, proporciona un medio de control elctrico o compensacin. Por ejemplo, considrese el aumento de la corriente oscura con la temperatura, inherente a todo dispositivo con unin.

Figura 33.Circuito para alta frecuencia.

En el fototransistor esto se aade a la corriente de colector, pero puede mantenerse un grado de estabilizacin de la corriente del colector con la temperatura empleando las tcnicas de estabilizacin con termistor en el circuito de polarizacin de la base, como se muestra en la Fig. 34. La estabilizacin con termistores es en esencia, un aumento de Ioscura y por tanto de Ic, debido a la temperatura, se compensa con una reduccin de la tensin base-emisor debido a la reduccin de la resistencia del termistor con la temperatura. Esto hace que IB disminuya y por tanto, como IcIB, la corriente de salida de colector se estabiliza dentro de un margen. Con la corriente de colector estabilizada por temperatura, el terminal de la base puede usarse para cortar elctricamente al fototransistor y su corriente de colector. Entonces se requerir una cierta

U2-T4 Fototransistor -

radiacin para hacer que el dispositivo CONDUZCA; de esta forma es posible establecer un control de umbral. (Aumentando RBE se reduce la sensibilidad.)

Figura 34. estabilizacin de la temperatura con termistor.

La figura 35 un detector muy sensible a la luz el cual energiza la carga cuando la luz no irradia al fototransistor esto es que cuando la luz da al fototransistor el capacitor no se puede cargar porque la corriente pasa por el fototransistor y en la carga no hay corriente. Cuando la luz no da al fototransistor este se apaga permitiendo que el capacitor se cargue y el resto del circuito funciona como un oscilador de relajacin llegando corriente a la carga.

Figura 35. Detector de falta de luz de gran sensibilidad.

U2-T4 Fototransistor 6

La figura 36 muestra dos circuitos de rel manejados por luz, en l (a) el transistor Q2 conduce cuando le da luz al fototransistor pasando corriente por el rel, en l (b) pasa la corriente por el rel cuando no le da luz al fototransistor.

(a) (b) Figura 36 relevadores manejados por luz. (a) Se activa con la luz. (b) Se desactiva con la luz. Los dos circuitos anteriores e pueden usar para una gran variedad de aplicaciones como son actuadores para puertas automticos, alarmas como se muestra en la figura 37. El circuito (a) de la figura nos muestra al rel desactivado por luz de la figura 36(b) que se usa para disparar un SCR, cuando no le da iluminacin al fototransistor, el rel se energiza pasando corriente hacia el tiristor provocando que la alarma se active, para desactivar la alarma se usa el switch S1. La figura (b) nos muestra una modificacin al circuito anterior, aqu directamente se activa la alarma con la falta de iluminacin sin necesidad del rel.

(a)

(b)

Figura 37 Alarmas activadas por Luz. (a) Con relevador. (b) Con circuito directo.

U2-T4 Fototransistor -

La iluminacin producida por una lmpara incandescente es muy dependiente del voltaje RMS aplicado a ella, Si un fototransistor es sensible a los cambios de iluminacin de la lmpara, entonces podemos usar al fototransistor para controlar con un lazo cerrado el voltaje aplicado a la lmpara, un circuito con este propsito de muestra en la figura 38.

Figura 38 Regulador de voltaje para una lmpara de un proyector.

El voltaje RMS aplicado a la lmpara es controlado por el disparo del SCR. El ngulo de disparo del SCR es controlado por el oscilador de relajacin en el cual los transistores Q1 y Q2 forman una fuente de corriente para cargar al capacitor C. La magnitud de la corriente de carga y la posicin de R6 determinan el ngulo de disparo del SCR, La regulacin se logra con el fototransistor Q3. La brillantez de la lmpara da el nivel de corriente de Q3, el cual maneja la cantidad de corriente que llega al C. El potencimetro R6 se usa para ajustar la brillantez de la lmpara deseada. Si el voltaje de la lnea se incrementa, esto provoca que la iluminacin de la lmpara se incremente, causando que le llegue mas luz al fototransistor aumentando su corriente lo que hace que la corriente de carga del capacitor disminuya de tal modo que UJT retraza su disparo y este retraza el del SCR. El retrazo en el SCR provoca que el voltaje RMS aplicado a la lmpara disminuya logrndose que la brillantez de la lmpara se ajuste al valor deseado. El circuito de la figura 39 muestra a un flash que funciona como esclavo, esto es que funciona con la iluminacin que viene de un flash principal. Cuando le llega la luz del flash principal el fototransistor conduce provocando que se dispare el SCR Q2 activando al flash esclavo. La bobina entre la base y el emisor del fototransistor es para quitarle sensibilidad al fototransistor y no sea afectado por la iluminacin del ambiente.

U2-T4 Fototransistor -

Figura 39. Adaptador para un flash esclavo.

U2-T4 Fototransistor -

FOTOTRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

El fotofet es similar a un FET convencional, con la excepcin de contar con una lente para enfocar la luz en la unin de la puerta. Este dispositivo fotofet proporciona una excelente combinacin de unin pn fotosensible con un dispositivo de alta impedancia y amplificadores de bajo ruido. Los fotones que penetran en el rea de la puerta excitan a los electrones de la banda de valencia hasta la banda de conduccin. Los portadores de corriente fotoexcitados originan un pequeo cambio (IG) de la corriente nominar de puerta IG fluye a travs del resistor de puerta y desarrolla un cambio de tensin puerta-surtidor (VGS). La VGS se multiplica por la transconductancia del fotofet (gfs) y se produce una corriente de drenador ID. La variacin de ID vara la cada de tensin en RD alterando as la tensin drenador-surtidor. En resumen; VDS = IGRGgfsRL La tensin desarrollada en RG por la fotocorriente inducida se amplifica por la accin del FET.

(a) (b) Figura 40. (a) Seccin de Un fototransistor de efecto de campo; (b) esquema de un fototransistor de efecto de campo.

La Figura 41 muestra los datos para un fotofet tpico. Comparando estos dispositivos con los fotodiodos, se ve que el rea activa, la sensibilidad, la corriente oscura con 10 V de polarizacin inversa, la dependencia de la corriente oscura con la temperatura y el tamao fsico, son similares. La respuesta espectral relativa del fotofet est ligeramente desplazada hacia el infrarrojo.

U2-T4 Fototransistor - 10

Figura 41. Datos de un fotofet.

Las ventajas del fotofet, comparado con otros fotodetectores semiconductores, son: 1. Combinacin de unin fotosensible y el bajo ruido con la amplificacin a alta impedancia de una unin FET. 2. Eliminacin de algunas fuentes de ruido, tales como el ruido de recombinacin existente en los transistores bipolares. 3. Umbral de sensibilidad ajustable mediante el terminal de puerta. 4. Compensacin de temperatura mediante una polarizacin adecuada. 5. Tolerancia de radiacin superior. 6. Menor tensin de offset, que permite un comportamiento superior como conmutador. 7. Mayor ganancia de potencia que en muchos fototransistores. 8. Superior respuesta en frecuencia que en los fototransistores.
U2-T4 Fototransistor - 11

Las desventajas de los fotofet son: 1. Menor rea efectiva sensible. 2. Menor sensibilidad y D* que algunos fotodiodos de rea mayor. 3. Mayor mnimo de corriente oscura que en los fotodiodos (baja polarizacin) y aumento del Consumo de potencia inherente a la baja tensin puerta-surtidor necesaria para una alta gfs y baja corriente oscura. 4. Respuesta lenta y mayor ruido trmico y se requiere un resistor de puerta alto para tener sensibilidad. 5. Margen lineal limitado (caractersticas de transferencia). Como ejemplo de un diseo sencillo con fotofet, con relacin a la Figura 40(b), se supondr lo siguiente: El fotofet es un P237 (Fig. 41), VDD= + 12 V RG = 1 M RD = 2.7 k

y la irradiancia incidente = 0,1 mW /cm2. Entonces. I foto

(3A)
mW cm 2

(0.1 mW

cm 2 = 0.3A

VGSRG Ifoto 0.3 V ID = VGS gfs 0.3 (2x10-3) = 0.6 mA VD = ID RD = 0.6 mA (2.7 K) = 1.62 V La relacin de IG a IGSS (relacin seal-corriente oscura) para VGS = 2 V, es probablemente mayor de l04. La Figura 42 muestra un circuito de un amplificador operacional diferencial fotofet, muy til en aplicaciones radiomtricas lineales de bajo nivel. El segundo fotofet, en la oscuridad, cancela los desplazamientos de la seal debidos a temperatura y otras causas, porque cualquier grado razonable de ajuste, hace que las corrientes de prdida de puerta cambien similarmente con la temperatura, etctera, y producen tensiones de surtidor iguales. Como el amplificador diferencial responde slo a las diferencias entre las tensiones de entrada, la diferencia entre las salidas de los fotofet se reducir por la accin conjunta y mejorar la estabilidad del sistema. El fotofet se conecta en configuracin de seguidor de surtidor, y por tanto, producen una ganancia de tensin casi unidad y una impedancia de entrada muy alta, permitiendo que toda la fotocorriente fluya por el resistor de realimentacin. El potencimetro del surtidor permite poner a cero el sistema y/o un ajuste fino para el punto ptimo de polarizacin del FET.

U2-T4 Fototransistor - 12

Figura 42. Circuito fotofet diferencial para reducir la desviacin.

Los resistores de surtidor (RS1, RS2 y RSP, de la Fig. 42) se escogen de la siguiente forma. La polarizacin ptima del fotofet determina la variacin con la temperatura de las caractersticas ID en funcin de VDS, en un trazador de curvas. Esto determina el mejor punto de funcionamiento para un desplazamiento trmico mnimo. Con relacin a Q2, en la Fig. 42, se supone que los valores ptimos de VGS y de ID son -3 V y 1 mA, respectivamente. Como la cada de tensin en RG2 es despreciable, V a 0V, VB = + 3 V para una polarizacin apropiada y VDS = 9 v. Suponiendo que el contacto de RSP est centrado, la tensin desde el contacto a S2 es 15 V. Considerando que ID IS, el valor ptimo de ID = 1 mA se obtiene cuando: RS2 + RSP = 15 V /1 mA = 15 k Escogiendo RSP, RS1 y RS2 de 10 k se cumplen los requerimientos para una resistencia total desde S1 a S2 de 30 k y RSP es adecuada para 16% de variacin en la polarizacin. Las ventajas del FET como conmutador, son tensin de offset cero y alta impedancia de entrada. Otra ventaja adicional de aislamiento entre la entrada y el conmutador se obtiene combinando fotofet con lmparas miniatura o con diodos emisores de luz como entrada.

U2-T4 Fototransistor - 13