T2semiconductores 0506

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J J.D.Aguilar Pea; http://voltio.ujaen.es/jaguilar

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UNIDAD N 0. INTRODUCCIN A LA ASIGNATURA
UNIDAD N 1. REPASO DE CONCEPTOS Y DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES
DE POTENCIA
UNIDAD N 2. AMPLIFICADORES DE POTENCIA
UNIDAD N 3. DISPOSITIVOS DE CUATRO CAPAS
UNIDAD N 4. CONVERTIDORES
Leccin 1.- Repaso conceptos: Potencia elctrica. Armnicos
Leccin 2.- Elementos semiconductores de potencia
Leccin 3.- Disipacin de potencia
Electrnica de Potencia

Rashid,M; Electronica de Potencia. Prentice Hall.1995
Hart,D; Electrnica de Potencia. 2001
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Diodo de Potencia. Introduccin Diodo de Potencia. Introduccin
Es el elemento rectificador de potencia ms comn.
Caractersticas: Caractersticas:
Presenta dos estados dos estados bien diferenciados: corte y conduccin corte y conduccin. El
paso de uno a otro no es instantneo y en dispositivos en los que el
funcionamiento se realiza a frecuencia, es muy importante el
tiempo de paso entre estados, puesto que ste acotar las
frecuencias de trabajo.
Mrgenes de funcionamiento: Mrgenes de funcionamiento:
En conduccin pueden soportar una corriente media de 3000 3000A A
llegando hasta tensiones inversas de 5000 5000V V.
El Si Si es el elemento semiconductor ms empleado
TEMA 2: ELEMENTOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA.
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En conduccin es capaz de soportar intensidades con cadas de
tensin.
En inverso soportan tensiones negativas de nodo con corriente
de fugas.
Inconvenientes: Inconvenientes:
Dispositivo unidireccional unidireccional.
nico procedimiento de control: inversin del voltaje.
Simbologa empleada: Simbologa empleada:
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Caractersticas estticas del diodo de Potencia. Caractersticas estticas del diodo de Potencia.
Parmetros en estado de bloqueo: Parmetros en estado de bloqueo:
Parmetros Parmetros
en estado de en estado de
conduccin: conduccin:
I
F(AV)
(Intensidad media nominal)
I
FRM
(Intensidad de pico repetitivo)
I
FSM
(Intensidad de pico nico)
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Modelos estticos del diodo: Modelos estticos del diodo:
real (asinttico)
V
r
d
ideal
0
i
V
V
pendiente = 1/r
d
Circuito equivalente asinttico
Curva
caracterstica real
Curva caracterstica
asinttica
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Modelos estticos del diodo: Modelos estticos del diodo:
200 V
600 V
10 A 10 A
Curva real de un dispositivo
0.82 V
1.1 V
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Datos del diodo en corte
Tensin inversa V
RRM
Repetitive Peak Voltage
La tensin mxima es crtica
Pequeas sobretensiones pueden romper el dispositivo
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Datos del diodo en conduccin
Corriente directa I
F
Forward Current
La corriente mxima se indica suponiendo que el dispositivo est
atornillado a un radiador
Corriente directa de pico repetitivo I
FRM
Repetitive Peak Forward Current
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Potencia disipada por el diodo en conduccin: Potencia disipada por el diodo en conduccin:
Potencia instantnea: Potencia instantnea: Ser el producto de la tensin en sus extremos por
la intensidad que lo recorre en ese instante. Es decir:
Donde i
d
y V
d
son corriente y tensin nodo - ctodo respectivamente.
(t) I (t) V (t) P
d d d

Potencia media: Potencia media: En funcin
de la tensin e intensidad por
el diodo, podemos determi-
narla mediante la siguiente
integral:
dt i
T
R
dt i
T
V
dt i ) R i V (
T
1
P
T
0
2
d
D
d
T
0
T
0
D
d D d D d(AV)
+ +

2
rms D dc D d(AV)
I R I V P +
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J J.D.Aguilar Pea; http://voltio.ujaen.es/jaguilar 10/100
Potencia disipada por el diodo en conduccin: Potencia disipada por el diodo en conduccin:
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Caractersticas dinmicas del diodo de Potencia (tiempos de Caractersticas dinmicas del diodo de Potencia (tiempos de
conmutacin) conmutacin)
Tiempo de recuperacin inverso: Tiempo de recuperacin inverso:

Los portadores minoritarios requieren un cierto tiempo para recombinarse con cargas
opuestas y neutralizarse
t
rr
= t
s
+ t
f
Tiempo de recuperacin Tiempo de recuperacin
inverso (t inverso (t
rr rr
): ): Instante en que
el diodo permite la
conduccin en el sentido
contrario al normal.
Tiempo de almacenamiento ( Tiempo de almacenamiento (t
s
) )
Tiempo de cada ( Tiempo de cada (t
f
) )
Carga elctrica desplazada (Q Carga elctrica desplazada (Q
rr rr
): ):
di/dt di/dt
I I
RR RR
Factor de suavizado S Factor de suavizado S
F F
: : Se define como:
s
F
t
S
f
t

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Para el clculo de los parmetros I I
RM RM
y Q Q
rr rr
podemos suponer los siguientes
casos:
* 1er caso:
* 2 caso:
2
trr
t t )
t t 0 t ) a
f s
rr s f

b
RM rr
id
s
I t
2
1

d
t

rr
RM
Q
dt
I
dt di
t
D
rr
rr
Q
2
dt di I
D RM
( Q 2
rr

dt di
t
D
rr
rr
Q
4
) ( Q
rr
dt di I
D RM

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Prctica
Prctica
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03/02/03
Tipos de diodos de Potencia. Tipos de diodos de Potencia.
Diodo rectificador normal Diodo rectificador normal
Presenta tiempo de recuperacin inverso (tpicamente de 25s) y es utilizado en
aplicaciones de frecuencia.
Diodo de barrera Schottky. Diodo de barrera Schottky.
Eliminan problemas de carga producida por zona de deplexin p-n. Se fabrican usando
el efecto de barrera potencial (contacto entre metal - semiconductor).
Mrgenes de funcionamiento: Mrgenes de funcionamiento: 1A ... 300A. Son usados en rectificadores de bajo
voltaje para mejorar la eficacia de la rectificacin.
Diodo de recuperacin rpida. Diodo de recuperacin rpida.
Diodo con tiempo de recuperacin muy corto. Esta caracterstica es especialmente
valiosa en altas frecuencias. Un diodo con esta variacin de corriente tan rpida
necesitar ctos de proteccin, sobre todo cuando en el cto exterior encontramos
elementos inductivos.
Margen de funcionamiento: Margen de funcionamiento: < 1A < 1A ... 300 A 300 A; 50V 50V ... 3KV 3KV
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Asociaciones de diodos. Asociaciones de diodos.
Serie( cuando la tensin inversa es grande) Serie( cuando la tensin inversa es grande)
Cuando la capacidad de bloqueo de un nico diodo no es suficiente.
R2 s2 R1 s1
I I I I + + I
2
2
s2
1
1
1
V
I
R
V

R
I
s
+ +
R R
I
s
D2
s2
D1
1
V
I
V
+ +
R = R1 = R2 R = R1 = R2:
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Los dos diodos que se muestran en la figura 2.11 estn conectados en serie, un
voltaje total de V
D
= 5 kV. Las corrientes de fuga inversas de los dos diodos
son I
S1
= 30 mA e I
S2
= 35 mA.
(a) Encuentre los voltajes de diodo, si las resistencias de distribucin del
voltaje son iguales, R
1
= R
2
= R = 100k .
(b) Encuentre las resistencias de reparticin del voltaje R
1
y R
2
, si los voltajes
del diodo son iguales, V
D1
= V
D2
= V
D
/2.
(c) Utilice PSpice para verificar los resultados de la parte (a). Los parmetros
del modelo PSpice son: BV = 3 kV e I
S
= 20 mA para el diodo D
1
, e I
S
= 35
mA para el diodo D
2

Solucin: (a) VD1=2750V, VD2=2250V; (b) R1=100k , R2=125k ;
[Rashid]
PROBLEMA 2.2
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03/02/03
Se pretende colocar 3 diodos, de tensin inversa mxima 40V, en serie para soportar
una tensin total de 100V. Calcular las resistencias de ecualizacin necesarias
sabiendo que la corriente inversa mxima de estos diodos (para 40V de tensin
inversa) es de 40mA. Qu nombre recibe este tipo de ecualizacin?
Solucin:
Por d
1
no circula corriente inversa y por d
2
y d
3
circula la mxima, por lo tanto, para
estos dos tenemos:
Despejando tenemos: R = 0.3K
(Parmetro introducido para facilitar el clculo)
Debe cumplirse que: ;
[Gualda]
K 1
mA 40
V 40
I
V
R
RM
RRM
eq

R R
R R 2
R R
R R
R R
R R
eq
eq
eq
eq
eq
eq
+

'
R R
R R 2
R
U
R u V 40 V u
eq
eq
Total
1 RRM 1
+

+
<
R
R
a
min eq
RRM
Total
RRM Total
V
U
n
1 /V U
a
>
1 /V U
V
U
n
I
V
R
RRM Total
RRM
Total
RM
RRM
<
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Paralelo. Paralelo.
Se utiliza cuando se requieren intensidades. Presenta como problema problema el
reparto desigual de la corriente por cada una de las ramas de los diodos debido a las
distintas caractersticas de conduccin de los mismos.
Se puede resolver utilizando dos criterios:
* Conectando resistencias en serie con cada diodo. * Conectando resistencias en serie con cada diodo.
Estas resistencias ayudan a estabilizar e igualar los valores de intensidad I
1
e I
2
.
Conectando en serie inductancias Conectando en serie inductancias
iguales acopladas en cada rama de la iguales acopladas en cada rama de la
red paralelo. red paralelo.(solo caso de seal (solo caso de seal
senoidal o pulsatoria) senoidal o pulsatoria)
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Los dos diodos conectados en paralelo de la figura, conducen en total
100A.
a.-) Determinar el valor de las resistencias para que ningn diodo
conduzca ms de 55A.
b.-) Calcular la potencia en cada rama.
c.-) La caida de tensin en cada rama.
Datos: Vd1 = 1.5 V; Vd2 = 1.8 V
a.-) Suponiendo el caso de que algn diodo conduzca 55A, ste diodo
ser el de menor tensin de codo, por lo tanto:
V = R I
1
+ V
D1
= R I
2
+ V
D2

55 R + 1.5 = 45 R + 1.8 R = 0.03
b.-) La potencia en cada rama ser:
P
R1
= R I
2
= 0.03 55
2
= 90.75W
P
R2
= 0.03 45
2
= 60.75W
c.-) La caida de tensin ser:
V = R I
1
+ V
D1
= 0.03 55 + 1.5 = 3.15V
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Dos diodos con rango de 800 v de voltaje y corriente inversa de
1 mA, se conectan en serie a una fuente de AC de 980 voltios de
tensin de pico( Vsmax) . La caracterstica inversa es la
representada en la figura Determinar:
1.- Voltaje inverso de cada diodo
2.- Valor de la resistencias a colocar en paralelo de forma que el
voltaje en los diodos no sea superior al 55% de Vsmax
3.- Corriente total y perdidas de potencia en las resistencias.
Solucin: 1.- Vd1=700v, Vd2=280v
2.- Vd1=539v Vd2=441v R=140K 3.-
IR1 +IR2=4.55 mA PR=2.54 w
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Dos diodos tienen las caractersticas presentadas son conectados en
paralelo. La corriente total es de 50 Amp.Son conectadas dos
resistencias en serie con los diodos para provocar una redistribucin
de la corriente.
1.- determinar el valor de la resistencia de forma que por un diodo no
circulo mas del 55% de Imax
2.- Potencia total de perdidas en las reistencias
3.-Cada de tensin diodo resistencia
.
Solucin: 1.- R=0.06 Ohm.
2.- PR=75.8W 3.- 2.95v
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Transistor Bipolar (BJT). Introduccin Transistor Bipolar (BJT). Introduccin
Es conocido como elemento amplificador de seal elemento amplificador de seal. En el contexto de los
componentes electrnicos de Potencia, es usado como dispositivo de
conmutacin, ya que, dispone de las caractersticas que lo convierten en un
conmutador conmutador casi ideal.
Los estados ms importantes estados ms importantes de funcionamiento son el de saturacin saturacin y
corte corte. Estos estados se corresponden al estado abierto y cerrado del
conmutador ideal.
Los transistores bipolares de alta potencia son utilizados fundamentalmente
para frecuencias por debajo de 10KHz 10KHz y son muy efectivos hasta en
aplicaciones que requieran 1200V 1200V y 400A 400A como mximo.
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Intensidad mxima de Colector I
C
.
Tensin de ruptura de colector con base abierta, V
CE0

Potencia mxima, Pmax.
Tensin en sentido directo.
Corriente de fugas.
Frecuencia de corte.
Otros parmetros importantes Otros parmetros importantes: :
Tensin de ruptura colector base con base abierta, V
CBO
.
Tensin de ruptura emisor base con base abierta, V
EBO
.
Tensin de ruptura por aumento excesivo de corriente de colector y
de la tensin C E, V
CEOSUS
. V
CEOSUS
< V
CE0
< V
CBO
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En funcin de la polarizacin B - E: En funcin de la polarizacin B - E:
V
CEO
: Tensin de ruptura colector emisor, con base abierta.
V
CER
: Tensin colector emisor, con resistencia de base especificada.
V
CEX
: Tensin colector emisor, con circuito especificado entre base y
emisor.
V
CEV
: Tensin colector emisor, con tensin especificada entre base y
emisor.
V
CES
: Tensin colector emisor, con unin base - emisor
cortocircuitada.
V
CEO
< V
CEX
< V
CBO
03/02/03
V V
CEmx CEmx
depende esencialmente de: depende esencialmente de:
Polarizacin base emisor.
Gradiente de tensin (variacin de tensin en funcin del tiempo).
Estructura interna del transistor (tecnologa de fabricacin).
Los transistores bipolares de
potencia presentan durante la
conmutacin un fenmeno
complejo conocido como efecto
de segunda ruptura segunda ruptura. Si la
ruptura por avalancha avalancha se
denomina primera ruptura primera ruptura, la
segunda ruptura segunda ruptura se puede
definir como la ruptura de la unin
debido a efectos trmicos efectos trmicos
localizados (creacin de puntos
calientes).
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03/02/03
03/02/03
Conmutacin y prdidas. Tiempos de conmutacin: Conmutacin y prdidas. Tiempos de conmutacin:
tiempo de excitacin o encendido tiempo de excitacin o encendido (t (t
on on
) ) tiempo de apagado (t tiempo de apagado (t
off off
). ).
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* Tiempo de retardo (Delay Time, t
d
): Es el que transcurre desde que se aplica la
seal de entrada en el dispositivo conmutador, hasta que la seal de salida alcanza el
10% de su valor.
* Tiempo de subida (Rise Time, t
r
): Tiempo que emplea la seal de salida en
evolucionar entre el 10% y el 90% de su valor final.
* Tiempo de almacenamiento (Storage Time, t
s
): Tiempo que transcurre desde que
se quita la excitacin de entrada y el instante en que la seal de salida baja al 90% de
su valor final.
* Tiempo de cada (Fall time, t
f
): Tiempo que emplea la seal de salida en evolucionar
entre el 90% y el 10% de su valor final.
03/02/03
03/02/03
t
2
- t
1
= t
A
=ton=tr

t
3
- t
2
= t
B
t
4
- t
3
= t
C
=toff=tf
La energa perdida en el pulso tambin la podemos
descomponer como la suma de las energas perdidas
en t
A
, t
B
y t
C
:
W(t) = W
A
(t) + W
B
(t) + W
C
(t)

4
3
3
2
2
1
) ( ) (
) ( ) ( ) ( ) (
t
t
ce c C
t
t
ce c B
t
t
ce c A
dt t v t i W
dt t v t i W dt t v t i W
B C(sat) C(sat) B
C CC C(sat)
C
A CC C(sat)
A
t V I W
6
t V I
W ;
6
t V I
W

T
W W W
P
C B A
TOT(AV)
+ +
[ ] f T P
on D
+ + ) W (W P
on off on
VCEsat=0 IE0=0
Disipacin total de Potencia del BJT en Disipacin total de Potencia del BJT en
conmutacin. conmutacin.
03/02/03
W V I t t
t C sat
ON
+
1
2
1 2
* * *( )
( )
W
cond
= V
C(sat)
* I
C(sat)
* t
5
W V I t t
t C sat
OFF
+
1
2
3 4
* * *( )
( )
P
W W W
T
f W W W
TOT AV
t t cond
t t cond
ON OFF
ON OFF
( )
*( )
+ +
+ +
Carga inductiva
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Requerimientos dinmicos de base: Requerimientos dinmicos de base:

La figura muestra la forma de onda
idnea de la corriente de base.
Inicialmente interesa una corriente
elevada, para disminuir el tiempo de
retardo, y finalmente, una corriente
negativa, para forzar el bloqueo en
el menor tiempo posible.
1
BE i
B1
R
v V
I

2 1
BE i
B2
R
v V
I
R +
1
2 1
2 1
1
C
R R
R R
C R
E

,
`
.
|
+

03/02/03
03/02/03
Zona 1: Zona 1: (I
C(mx)

continuous). Mxima
corriente que puede
circular por el colector
a la tensin dada.
Zona 2: Zona 2: (DC operation
dissipation limites).
Mxima disipacin de
potencia del dispositi-
vo.
Zona 3: Zona 3: (I
S/B
limited). Lmite producido por el fenmeno de avalancha
secundaria.
Zona 4: Zona 4: (V
CEO(mx)
). Lmite debido a la tensin de ruptura del transistor.
Curva SOA(Safe Operating Area): Curva SOA(Safe Operating Area):
1
2
3
4 4
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Proteccin del BJT Proteccin del BJT
Sobreintensidades: Sobreintensidades:
Las sobreintensidades estn asociadas al periodo de saturacin saturacin del
transistor. Cuando Ic, si la tensin V
CE
es , la disipacin de potencia
y se puede llegar a alcanzar la mxima temperatura de la unin.
Los fusibles no son utilizables en este caso, ya que, la accin del transistor
es mucho ms rpida que la del fusible !!!
Sobretensiones: Sobretensiones:
Las sobretensiones estn asociadas al periodo de corte corte del transistor.
Debemos prestar especial atencin a la posibilidad de ruptura primaria del
dispositivo, tambin llamada ruptura por avalancha (cuando se sobrepasa la
tensin mxima permitida)
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Transitorios: Transitorios:
Los transitorios de corriente y de tensin son eliminados mediante inductancias y
condensadores. Las primeras limitan el tiempo de variacin de corriente y los
segundos limitan el tiempo de variacin de tensin.
Las redes snubber redes snubber en serie estn constiuidas por una bobina L
S
y se usan para limitar
el tiempo de subida de la corriente del transistor dI
c
/dt en el paso a conduccin. Si la
corriente I
c
crece muy rpidamente, conforme decrece la tensin V
CE
puede darse el
fenmeno de ruptura secundaria.
S r
C c
L
Vcc
t
I
dt
di

L
r
S
I
t Vcc
L

La inductancia L La inductancia L
S S
se coloca en serie con la fuente de alimentacin Vcc. se coloca en serie con la fuente de alimentacin Vcc.
Para carga inductiva: Para carga inductiva:
Durante el paso a corte la tensin V
CE
no debe crecer rpidamente, a medida que la
corriente de colector cae, ya que podra darse el fenmeno de ruptura secundaria ruptura secundaria.
Una red snubber en paralelo red snubber en paralelo soluciona este inconveniente.
S f
CE CE
C
) t ( i
t
V
dt
dV

Vcc
t I
C
f L
S

al final del paso a corte V

CE
= Vcc y
que
L
I i
03/02/03
Circuitos de proteccin del BJT: Circuitos de proteccin del BJT:
Hart. Electrnica de Potencia.Prentice Hall.Cap. 10
Transitorio endendido
Transitorio apagado
03/02/03
Circuitos de proteccin del BJT: Circuitos de proteccin del BJT: Transitorio encendido
v
d
D
f
L
s
D
Ls
I
0
R
Ls
i
C
C
d
di
dt
L
s
v
d
i
C
v
CE
t
ri
t
rr
(b)
(a)
i
Ls
o off LS
L
t R -
o LS
I 1 . 0 ) (t i haciendo e I (t) i
S
LS
<
<
S
off LS
L
t R
10 ln
off
S
LS
t
L
R
10 ln
>
Cuando el transistor pasa
a corte, la energa
almacenada en la
inductancia (1/2 L
S
) se
disipa en la resistencia
R
LS
a travs del diodo D
LS

con una constante de
tiempo igual a L
S
/R
LS
.
03/02/03
Circuitos de proteccin del BJT: Circuitos de proteccin del BJT: Transitorio apagado
mediante red Snubber para turn off ( paso a corte). mediante red Snubber para turn off ( paso a corte).
Se pretende Se pretende que conforme aumenta la tensin en el transistor, I
C
disminuya, para
evitar que el producto sea elevado. Para ello, colocamos un condensador en paralelo
con el transistor, como podemos apreciar en la figura. Este condensador debe absorver
ms intensidad cuando la tensin empiece a crecer.
C CS 0
I I I +
f
o
CS
t
t I
i

f S
2
o
t
0
CS
S
CE CS
t 2C
t I
dt i
C
1
V V

S
f o
CS d
2C
t I
V V

d
f o
S
V
t I
C
2
Cs
ton
R RsCs ton
S
< >
5
03/02/03
03/02/03
Con red RC paralelo
Carga Inductiva y
Vcc=10v
Con diodo volante en extremos de bobina
03/02/03
Con red RC paralelo
Carga Inductiva y Vcc=10v Con diodo volante en extremos de bobina
03/02/03
Transistor Mosfet de potencia Transistor Mosfet de potencia
El nombre viene dado por las iniciales de los elementos
que los componen; Metal - M, xido - O, Semiconductor - S.
Las aplicaciones aplicaciones se encuentran en la conmutacin a altas
frecuencias, chopeado, sistemas inversores para controlar motores,
generadores de altas frecuencia para induc-cin de calor,
generadores de ultrasonido, amplificadores de audio y trasmisores
de radiofrecuencia.
La principal diferencia principal diferencia entre los Transistores Bipolares y los
Mosfet Mosfet consiste en que estos ltimos son controlados por tensin controlados por tensin
aplicada en la puerta (G) y requieren slo una pequea corriente de
entrada, mientras que los transistores Bipolares (BJT BJT), son
controlados por corriente controlados por corriente aplicada a la base.
G
I
D
I
S
D
S Surtidor
Drenador
I
G
V
gs
Puerta
Es un dispositivo unipolar:
la conduccin slo es debida a un tipo de portador
03/02/03
Ventajas de los Mosfet frente a los BJT: Ventajas de los Mosfet frente a los BJT:
La velocidad de conmutacin para los Mosfet est en el orden de los

nanosegundos, por esto son muy usados en convertidores de pequea
potencia y alta frecuencia.
Los Mosfet no tienen el problema de segunda ruptura (coeficiente positivo

de temperatura).
Mayor rea de funcionamiento.
Mayores ganancias.
Circuito de mando ms simple.
Alta impedancia de entrada.

Inconvenientes de los Mosfet: Inconvenientes de los Mosfet:
Son muy sensibles a las descargas electrostticas y requieren un embalaje

especial.
Es relativamente difcil su proteccin.
Son ms caros que sus equivalentes bipolares.
La resistencia esttica entre Drenador-Surtidor, es ms grande, lo que

provoca mayores perdidas de potencia cuando trabaja en Conmutacin.
03/02/03
03/02/03
Tipos de Mosfet. Tipos de Mosfet.
Mosfet de Deplexin o empobrecimiento. Mosfet de Deplexin o empobrecimiento.
Existe un canal por el cual circula la corriente
aunque no se aplique tensin en la puerta.
Mosfet de Acumulacin o enriquecimiento (enhancement). Mosfet de Acumulacin o enriquecimiento (enhancement).
El canal por el cual circula la corriente se crea cuando se le aplica
una tensin en la puerta.
Substrato
D
S G
+
P
-
N
+
N
+
G
D
S
G
S
Canal N
Canal P
Conduccin debida a
electrones
Conduccin debida a
huecos
Los ms usados son los MOSFET de canal N
La conduccin es debida a los electrones y por tanto, son ms rpidos
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Regiones de trabajo. Regiones de trabajo.
VGS<VGS(th)
VGS-VGS(th)>=VGS(th)
VGS-VGS(th)<VGS(th)
R
DSon
Cuanto ms baja
es la resistencia,
mejor es el
transistor
Este parmetro est
directamente
relacionado con la
tensin de ruptura y con
la capacidad de manejar
corriente
V
DS
R
DSon
I
D
R
DSon
DS(ON)
2
D ON
R i P
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Ejemplos de Mosfet comerciales. Ejemplos de Mosfet comerciales.
IRF 3205
R
DSon
I
D
V
DS
55 V 110 A 8 m
IRF 1405 55 V 169 A 5.3 m
IRF 520 100 V 10 A 180
m
IRF 3710 100 V 75 A 25
m
IRFP 460 500 V 20 A 270
m
IRF 540 500 V 8 A 850 m
IRFPG 30 1000 V 3 A 5
IRFPG 50 1000 V 6 A 2
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Circuitos excitacin. Circuitos excitacin.
Para gobernar un MOSFET hay que cargar y descargar rpidamente el
condensador de puerta
El circuito ms usado es una estructura complementaria:
G
D
S
V
MANDO
+12 V 12 V
V
MANDO
Los bipolares amplifican la corriente veces Tanto en carga
como en descarga
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Circuitos de gobierno para MOSFET con aislamiento
Es muy comn tener estructuras de MOSFET en las que algn
transistor no est referido a masa
400 V
Cto.
Control
12 V
?
La fuente no est en la masa del circuito
Cuando el transistor conduce, la fuente
est a aproximadamente 400 V
Necesitaramos una tensin de 412 V
12 V
V
GS1
V
GS1
Para llevar los pulsos hasta ese transistor
se utilizan drivers con aislamiento
ptico
Transformador
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Circuitos de gobierno para MOSFET con aislamiento
12 V
V
GS2
Aislamiento
galvnico
Desmagnetizacin del transformador
0 V
12 V
C
o
r
t
a
d
o
12 V
12 V
12 V
i
B
El bipolar descarga el condensador de
puerta
El transformador pone 12 V en
la puerta del MOSFET
MOSFET en conduccin
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Circuitos de gobierno para MOSFET comerciales
Hay drivers comerciales que no requieren el uso de
transformadores
Por ejemplo, el IR 2110
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IGBT IGBT( (Insulated Gate Bipolar Transistor ). Introduccin. . Introduccin.
Este dispositivo aparece en los aos 80
Mezcla caractersticas de un transistor bipolar y de un MOSFET
La caracterstica de salida es la de un bipolar pero se controla por
tensin y no por corriente
MOSFET
G
C
E
Bipolar
Alta capacidad de manejar corriente (como un bipolar)
Facilidad de manejo (MOSFET)
Menor capacidad de conmutacin (Bipolar)
No tiene diodo parsito
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El IGBT se suele usar cuando se dan estas condiciones:
Bajo ciclo de trabajo
Baja frecuencia (< 20 kHz)
Pequeas variaciones de entrada y de carga
Aplicaciones de alta tensin (>1000 V)
Alta potencia (>5 kW)
Aplicaciones tpicas del IGBT
Control de motores
Sistemas de alimentacin ininterrumpida
Sistemas de soldadura
Iluminacin de baja potencia (<100 kHz)
IGBT IGBT( (Insulated Gate Bipolar Transistor )
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Gran capacidad de manejo de corriente
Comparacin IGBT-MOSFET con el mismo rea de semiconductor
El IGBT tiene menor cada de tensin
Menores prdidas en conduccin
Problema:
Coeficiente de temperatura negativo
A mayor temperatura, menor cada
de tensin
Conduce ms corriente
Se calienta ms.Esto es un problema
para paralelizar IGBTs
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Parmetros fundamentales para seleccionar un MOSFET
Tensin de ruptura
Corriente mxima
Tensin colector-emisor
Tensiones de ruptura de dispositivos comerciales
Media tensin
Alta tensin
250 V
300 V
600 V
900 V
1200 V
(Poco usuales)
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1200 V
Ic < 50 A Vce : 2.5 3 V
Mdulos
600 V
Ic < 500 A Vce : 1.5 2.5 V
Encapsulado discreto
600 V Ic < 50 A V
ce
: 2 V
TO 247
MTP
E
L

I
G
B
T

D
E

P
O
T
E
N
C
I
A
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Circuitos excitacin. Circuitos excitacin.
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Introduccin a los GTO. Introduccin a los GTO.
Definicin: Definicin: El tiristor (SCR SCR, Silicon Controlled Rectifier
o Rectificador Controlado de Silicio), es un dispositivo
semiconductor biestable biestable formado por tres uniones PN
con la disposicin PNPN. Est formado por tres
terminales, llamados Anodo Anodo, Ctodo Ctodo y Puerta Puerta. El
instante de conmutacin, puede ser controlado con toda
precisin actuando sobre el terminal de puerta. Es un Es un
elemento unidireccional, conmutador casi ideal, elemento unidireccional, conmutador casi ideal,
rectificador y amplificador a la vez rectificador y amplificador a la vez.
SCR SCR
El tiristor de bloqueo por puerta GTO, es un interruptor
semiconductor biestable de tres terminales utilizado para
el control de corriente, que combina la caracterstica ms
deseada del tiristor convencional con las del transistor
bipolar. El GTO puede ser llevado a conduccin y
bloqueo a elevada velocidad, controlando la circulacin
de una pequea corriente que entre o salga del terminal
de Puerta.
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Optoacopladores. Optoacopladores.
La seal de entrada es aplicada al fotoemisor y la salida es tomada
del fotorreceptor. Los optoacopladores son capaces de convertir
una seal elctrica en una seal luminosa modulada y volver a
convertirla en una seal elctrica. La gran ventaja ventaja de un optoaco-
plador reside en el aislamiento elctrico aislamiento elctrico que puede establecerse
entre los circuitos de entrada y salida. entre los circuitos de entrada y salida.
Los fotoemisores que se emplean en los optoacopladores de
potencia son diodos infrarrojos (IRED) y los fotorreceptores pueden
ser tiristores o transistores.
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Rels. Rels.
Dispositivos electrnicos o electromecnicos que poseen dos dos
estados estados claramente diferenciados (abierto o cerrado).
03/02/03
Rels de Estado Slido: Rels de Estado Slido:
Un rel de estado slido SSR (Solid State Relay), es un circuito
elctrnico que contiene en su interior un cto disparado por nivel,
acoplado a un interruptor semiconductor, un transistor o un tiristor.
Partes del SSR Partes del SSR

T2semiconductores 0506

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03/02/03

J J.D.Aguilar Pea; http://voltio.ujaen.es/jaguilar

al final del paso a corte V

TEMA 2: ELEMENTOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA.

La velocidad de conmutacin para los Mosfet est en el orden de los

Los Mosfet no tienen el problema de segunda ruptura (coeficiente positivo

Mayor rea de funcionamiento.

Circuito de mando ms simple.

Alta impedancia de entrada.

Son muy sensibles a las descargas electrostticas y requieren un embalaje

Es relativamente difcil su proteccin.

Son ms caros que sus equivalentes bipolares.

La resistencia esttica entre Drenador-Surtidor, es ms grande, lo que

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