• Estructura de sólidos cristalinos.

• Imperfecciones en sólidos.
• Propiedades Mecánicas.
• Propiedades Eléctricas.
• Propiedades Magnéticas.
• Materiales Metálicos:

– Vacancia: Ausencia de un
átomo en la estructura
cristalina.

– Intersticio: Presencia de un
átomo en un lugar donde
normalmente no se
encontraría.
• Materiales Cerámicos:
Se debe conservar el principio de electroneutralidad

– Frenkel:
• Vacancia catiónica.
• Intersticio catiónico.

– Schottky:
• Vacancia aniónica.
• Vacancia catiónica.
 Defecto de línea o arista:
Un porción extra de un plano
(semiplano) termina dentro del cristal.
La dislocación es perpendicular al
plano de la página. Los átomos en la
parte superior de la dislocación están
sometidos a compresión, los de la
parte inferior a tracción. Se representa
con

Vector de Burgers: Magnitud y dirección de la distorsión reticular asociada a una dislocación

Dislocación helicoidal:

Se forma por aplicar un efecto de

cizallamiento. Está situada entre el eje
descrito por la línea A B.

Forma un espiral o camino de rampla

helicoidal de planos atómicos
alrededor de la línea de dislocación
que se representa con el símbolo
Dislocación mixta:

En el punto A se presenta una

dislocación helicoidal, en el punto
B se presenta una dislocación de
arista.

Lejos de las caras del cubo (puntos

A y B) se presenta un dislocación
reticular mixta, es la más común en
los materiales cristalinos.
Se estudia el efecto sobre la forma del material que tiene una
carga (fuerza) que puede ser de cuatro tipos.

a) Tracción: Produce un alargamiento

y una deformación lineal positiva.

b) Compresión Produce una

contracción y una deformación
lineal negativa

c) Cizalladura

d) Torsional
• Objetivo: Determinar propiedades del material.
• Método: La probeta (Fig 1) se alarga o comprime hasta la rotura,
manteniendo una deformación constante en el dispositivo mostrado (Fig 2).
Está diseñado para medir la carga instantánea y el alargamiento resultante.
• Resultado: Se obtiene una gráfica de carga-alargamiento , por conveniencia
se normalizan respecto al área.
• Variables:
Tensión (esfuerzo) nominal (s)

Deformación nominal (v)

Fig 1: Probeta de fracción estándar 1 Fig 2: Dispositivo ensayo tracción compresión 1

Definición: Si el esfuerzo es proporcional a la
deformación, se cumple ley de Hooke.

La constante de proporcionalidad E es modulo

de elasticidad o modulo de Young.

Significado físico: Cambio en el espaciado y la

longitud de los enlaces interatómicos,
proporcional a la rigidez elástica del material.
Para mayores módulos, mayor es la resistencia.

Consecuencia: No es permanente, cuando se

retira el esfuerzo el material regresa a su forma
original instantáneamente. Fig 3: Curva de deformación elastica1
 Fig 4: Curva de deformación no elastica1

Si el la curva de esfuerzo
deformación no es recta, se pueden
definir dos tipos:
• Módulo tangente
• Modulo secante (Fig. 4)

DEFORMACION ELASTICA DE CIZALLAMIENTO

• La tensión ( ) para este tipo de carga se define mediante:

• La deformación ( ) se define como :
• La deformación de cizalladura y torsión elásticas se ralacionan
mediante el módulo de cizalladura (G) mediante:
 • Naturaleza de los enlaces:
Cerámicos
Metales
Polímeros

• Temperatura. Es inversamente
proporcional (Fig n)

•Tiempo: Para materiales en los que

la recuperación no es instantánea.

Concepto de ANAELASTICIDAD.
Fig : Dispositivo ensayo tracción compresión1
• MODULO DE POISSON :
Coeficiente entre las deformaciones
latearles y axiales generadas al
introducir una deformación axial

• Relación modulo de elasticidad,

cizalladura y Poisson.
• Definición:
La deformación deja de ser proporcional al esfuerzo y ocurre una
deformación irrecuperable del material.

• Significado físico:
Rompimiento y reformación de los enlaces atómicos. Al eliminar la
tensión los átomos no retoman su posición original.

• Mecanismos:
Cristalino: Deslizamiento, movimiento de dislocaciones a través planos
cristalinos
Amorfo: Flujo viscoso, la velocidad de deformación es aplicada a la
tensión aplicada.
• FLUENCIA: Nivel de tensiones en el
cual empieza la deformación plástica

•LIMITE ELASTICO: Desviación de la

linealidad para una transición gradual
de deformación elástica a plástica.
Punto P en Fig

•LIMITE PROPORCIONAL: Tensión en

el punto de corte de la línea de
esfuerzo-deformación con una línea
paralela a línea de deformación
elástica corrida en una deformación
de 0.002. en Fig
DEFINICION:

Máxima tensión que puede ser soportada

por una estructura en un ensayo de
tracción. TS en figura .

Se describe la curva típica de tracción. El

punto M indica el máximo . El punto F
indica el punto de ruptura.

Se observan dos zonas en al curva:

•Zona de deformación uniforme punto

(0,0) a punto M.

•Zona de encuellamiento desde punto M a

F
• DUCTILIDAD: Medida del grado de
deformación plástica que se puede soportar
hasta la ruptura.

Cuantitativamente
Alargamiento porcentual

Porcentaje reducción área

• Indican del grado de deformación de la estructura y el grado de deformación permitido

durante las operaciones de conformación .

•Se considera materiales frágiles aquellos con una deformación de ruptura menor al 5 %.
• Influencia de la temperatura en la curva
de tracción
DUREZA

• Definición: Medida de la resistencia de un material a la deformación plástica

localizada.

• Método: Se mide la profundidad que logra un penetrador que es forzado sobre

una superficie en condiciones controladas de carga y velocidad.

• Significado físico: La profundidad se relaciona con la dureza; mientras más

blando el material la huella es mayor y más profunda, menor el número de
dureza.

Existen 4 ensayos diferentes:

• Rockwell.
• Brinell.
• Vickers
• Knoop.
• DEFORMACIÓN PLÁSTICA: movimiento de gran número de dislocaciones que se
mueven como respuesta a la cizalladura aplicada en un dirección perpendicular
a la línea de dislocación:

• DESLIZAMIENTO: Proceso mediante el cual se produce la deformación plástica

Macroscópicamente, el resultado del movimiento de las dislocaciones es una
deformación permanente , que depende del tipo de deformación:
• DENSIDAD DE DISLOCACIONES: Se expresa como la longitud entre las
dislocaciones por unidad de volumen o el número de dislocaciones que
atraviesan una unidad de área de una sección al azar.

• SISTEMA DE DESLIZAMIENTO: Compuesto por el Plano de deslizamiento. Plano

con la mayor densidad atómica de superficie. Dirección de deslizamiento:
Dirección en el plano de deslizamiento con mayor densidad atómica lineal

Para cada sistema cristalino existen diferentes sistemas de deslizamiento, mientras

más sistemas haya mas dúctil es el material por las diversas posibilidades de
deformación plástica
«LA CAPACIDAD DE UN METAL PARA DEFORMARSE PLASTICAMENTE DEPENDE DE
LA CAPACIDAD PARA QUE LAS DISLOCACIONES SE MUEVAN»

• REDUCCIÓN DE TAMAÑO DE GRANO:

Los límites de grano son dificultades en el

movimiento de dislocaciones porque :

• Se debe cambiar la dirección de

desplazamiento.
• Hay discontinuidad en el plano de
deslizamiento.

Los materiales de granos más finos son más duros

que aquellos con mayores tamaños de grano. L
a relación de la dureza y el tamaño de grano es:
• DISOLUCIÓN SÓLIDA:
Introducción de impurezas, mientras mayor es el número de impurezas, mayor
resistencia a la tracción y dureza.

Las aleaciones son más resistentes que los metales puros porque la presencia de
impurezas provoca alteraciones en la estructura cristalina que impide el deslizamiento
de las dislocaciones.
• POR DEFORMACIÓN O TRABAJO EN FRIO (%CW):

Un material dúctil se hace más fuerte cuando se ha

deformado plásticamente . Este trabajo puede
medirse como:

La densidad de las dislocaciones aumenta con la

deformación. La distancia entre dislocaciones es menor
y cada dislocación tiene mayores dificultades para
moverse por la presencia de otras.
Recuperación: Liberación de tensiones
residuales debido a los desplazamientos
de las dislocaciones. Reducción del
número de dislocaciones.

Recristalización: Formación de nuevos

granos libres de dislocaciones. El metal
se hace más blando, menos resistente,
más dúctil. La fracción cristalizada (fr) se
define como:

Crecimiento de grano: Generado por la

difusión atómica después de la
cristalización.
• La propiedades eléctricas definen el comportamiento que tiene el
material ante un campo eléctrico.

• La respuesta de un material a un campo eléctrico es el movimiento de

especies que tiene carga eléctrica y se denomina conducción.

• Las unidades que se transfieren en el fenómeno de conducción pueden

ser electrones o iones.

• La conductividad eléctrica es la propiedad que define el tipo de

material. Se puede establecer dos tipos: conductividad electrónica o
iónica.

• De acuerdo a su conductividad electrónica, los materiales se cpueden

clasificar en tres tipos: conductores, semiconductores y aislantes.
TIPO MATERIAL CONDUCTIVIDAD (Ωm)^-1

CONDUCTOR >1*10^7

SEMICONDUCTOR <1*10^4 ; >1*10^-6

AISLANTE <1*10^-10 ; >1*10^-20

 «Las propiedades eléctricas de un material sólido son una consecuencia de la
distribución de las bandas electrónicas más exteriores y la manera como se llenan»
• BANDA DE VALENCIA: Contiene los electrones con mayor nivel
energético. Es decir los electrones de Valencia, puede estar llena o
parcialmente llena.

• BANDA DE CONDUCCIÓN: Con mayor nivel energético que la de

valencia, generalmente vacía.

• ENERGÍA DE FERMI: Energía del electrón con mayor nivel energético a

una temperatura de 0 K (Ef).

• INTERVALO PROHIBIDO DE ENERGÍA: Espacio energético entre la

banda de valencia y la banda de conducción debido a que no hay
solapamiento entre ellas.

• ELECTRONES LIBRES: Electrones que participan en el proceso de

conducción porque tienen mayor energía que la energía de Fermi,
dado han sido excitados.

• HUECOS: Entidad cargada positivamente presente en semiconductores

y aislantes con menor energía que la de Fermi que se forma cuando un
AISLANTE SEMICONDUCTOR electrón excitado es conducido.
METALES: La barrera energética entre
la banda de valencia y la banda
conductora no existe, así que un
campo eléctrico genera un excitación
suficiente para que muchos electrones
sobre pasen la energía de Fermi y sean
conducidos.

AISLANTES Y SEMICONDUCTORES: Para

encontrar un hueco en la banda
conductora deben superar el energía del
intervalo prohibida. La conductividad es
proporcional a la temperatura. A mayor
temperatura habrá mas energía térmica
disponible para la excitación electrónica.
MECANISMO DE CONDUCION SEMICONDUTOR INTRINSECO.
•Semiconductores extrínsecos: De este tipo son
la mayoría de los semiconductores comerciales.
La conductividad se define por la presencia de
impurezas que pueden ser de tipo p o tipo n.

• Impurezas tipo p: Se añaden impurezas

con menor valencia que generan
huecos adicionales en la banda
prohibida de energía. Este estado se
denomina estado aceptor.

Habrán muchos más huecos que electrones

(p>>>n) así que la conductividad está definida
por el movimiento de estas especies que están
cargadas positivamente.
 • Impurezas tipo n: Se añaden impurezas
con mayor valencia que generan
electrones libres adicionales en la
banda prohibida de energía. Este
estado se denomina estado donador.

Habrán muchos más electrones libres que

huecos (n>>>p) así que la conductividad
está definida por el movimiento de
estas especies cargadas negativamente.

• El proceso de Dopado consiste en al introducción controlada de impurezas (tipo n o

p) a materiales muy puros.
• Los semiconductores tiene conductividades relativamente altas a temperatura
ambiente dado que el proceso de dopado se lleva cabo en estas condiciones y hay
mucha energía térmica disponible.
• Para menores temperaturas, la conductividad
tiene mayor influencia de factores
extrínsecos .

• La energía térmica disponible a bajas

temperaturas no es suficiente para excitar los
electrones.

• A mayores temperaturas la conductividad

intrínseca es mayor que la conductividad
extrínseca.

• La conductividad extrínseca también

depende de la temperatura.
•A menores temperaturas, el logaritmo natural
(ln) del numero de huecos aumenta
linealmente con T
• Cuando se disminuye temperatura se llega a
un punto donde la concentración de huecos es
independiente de T.

•Se llega a :
• Región de saturación , impureza
aceptora, todos los huecos han sido
llenados.

• Región de agotamiento, impureza

donadora, Todos los electrones han
tomado un lugar.

•A mayores temperaturas es mayor el efecto la

conductividad extrínseca se convierte en
intrínseca y es mayor en cualquier caso
INFLUENCIA DE UN AUMENTO DE TEMPERATURA EN LOS PARÁMETROS DE CONDUCCIÓN