23/02/2010

JASSER CAHUI ACUÑA

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osciladores. ‡ Este es un dispositivo de conmutación del tipo ruptura. y màs importante aùn. uniunión. Consiste de tres terminales llamados emisor (E). incluyendo temporizadores. base 1 (B1) y base 2 (B2) 23/02/2010 JASSER CAHUI ACUÑA 2 . ‡ Este dispositivo puede provocar grandes tiristores con un pulso en la base 1 Símbolo. ‡ Sus características lo hacen muy útil en muchos circuitos industriales. en circuitos de control de puerta para SCR y TRIACs.EL TRANSISTOR UJT (transistor de unijuntura) ‡ También llamado transistor monounión. generadores de onda.

La unión P-N del dispositivo se forma en la frontera entre la varilla de aluminio y la barra de silicio tipo N 23/02/2010 JASSER CAHUI ACUÑA 3 . con un funcionamiento diferente al de otros dispositivos. RBB o resistencia interbase. Es un dispositivo de disparo.‡ Es un dispositivo semiconductor unipolar. El emisor esta fuertemente dopado con impurezas P y la región N débilmente dopado con N. la resistencia entre las dos bases. Estructura. Por ello. ‡ Esta constituido por dos regiones contaminadas con tres terminales externos: dos bases y un emisor. es elevada (de 5 a 10KŸ estando el emisor abierto).

la caída de tensión en R1 (V1) se puede expresar como: Donde: ‡ En donde VB2B1 es la diferencia de tensión entre las bases del UJT y y el es el factor de división de tensión conocido como relación intrínseca. que verifican RBB = RB1+ RB2. RB1 y RB2 . Cuando el diodo no conduce.CIRCUITO EQUIVALENTE ‡ El modelo equivalente representado en la siguiente figura esta constituido por un diodo que excita la unión de dos resistencias internas. 23/02/2010 JASSER CAHUI ACUÑA 4 .

‡ Cuando IP < IE < IV entramos en una zona de resistencia negativa donde RBB varia en función de IE. si IE disminuye hasta alcanzar un valor inferior a IV el diodo se polariza inversamente. ‡ El funcionamiento del UJT se basa en el control de la resistencia RB1B2 mediante la tensión aplicada al emisor.FUNCIONAMIENTO DEL UJT ‡ El punto de funcionamiento viene determinado por las características del circuito exterior. ‡ Si el emisor no está conectado ó VE < VP Diodo polarizado inversamente no conduce IE = 0. ‡ A partir del punto de funcionamiento. ‡ Si VE • VP Diodo polarizado directamente conduce aumenta IE. 23/02/2010 JASSER CAHUI ACUÑA 5 .

aumenta la corriente IE hasta un punto máximo IP. ‡ La resistencia RB1. ‡ La tensión alcanza un mínimo en el punto valle.). VV: voltaje de valle del emisor IV: corriente de valle el emisor 23/02/2010 JASSER CAHUI ACUÑA 6 . Donde: VP: voltaje de pico o tensión de disparo. IP: corriente de pico (de 20 a 30 µA. la resistencia de saturación es mas bajo en el punto valle. ‡ Mas allá del punto máximo.CURVA CARACTERÌSTICA ‡ En la curva se puede apreciar que a medida que aumenta el VE. la corriente aumenta a medida que disminuye la tensión en la región de resistencia negativa.

es decir. 23/02/2010 JASSER CAHUI ACUÑA 7 . El UJT en esta región se comporta como un elemento resistivo lineal entre las dos bases de valor RBB. Esta tensión de pico en el UJT viene definida por la siguiente ecuación: Donde la VD varia entre 0.7 V con un valor típico de 0. Si la tensión de emisor es suficiente para polarizar el diodo de emisor. la tensión de emisor es baja de forma que la tensión intrínseca mantiene polarizado inversamente el diodo emisor.35 V a 0.Región de corte. Región de resistencia negativa. En esta región. VE=VP entonces el diodo entra en conducción e inyecta huecos a B1 disminuyendo bruscamente la resistencia R1 debido a procesos de recombinación. La corriente de emisor es muy baja y se verifica que VE < VP e IE < IP.5 V.

la corriente de emisor es mayor que la corriente de valle (IE > IV). En esta región.Desde el emisor. Región de saturación. se observa como el UJT disminuye su resistencia interna con un comportamiento similar a la de una resistencia negativa (dVE/dIE < 0). es un primo cercano del tiristor (El 2N6027 es un ejemplo de tal dispositivo). Hay dos tipos de transistores monounión: El transistor monounión original. la corriente de emisor esta comprendida entre la corriente de pico y de valle (IP< IE< IV). 23/02/2010 JASSER CAHUI ACUÑA 8 . o UJT. Si no se verifica las condiciones del punto de valle. el UJT entrara de forma natural a la región de corte. Esta zona es similar a la zona activa de un tiristor con unas corrientes y tensiones de mantenimiento (punto de valle) y una relación lineal de muy baja resistencia entre la tensión y la corriente de emisor. (El 2N2646 es la versión más utilizada de la UJT) El transistor monounión programable o PUT . En esta región.

‡ El capacitor se descarga hasta que llega a un voltaje que se llama de valle (Vv) de aproximadamente 2. ‡ Con este voltaje el UJT se apaga (deja de conducir entre E y B1) y el capacitor inicia su carga otra vez.5 Voltios. cuando esto sucede este se descarga a través de la unión E-B1.APLICACIONES DEL UJT Funcionamiento de un oscilador de relajación con UJT ‡ Circuito que sirve para generar señales para dispositivos de control de potencia como Tiristores o TRIACs ‡ El capacitor se carga hasta llegar al voltaje de disparo del transistor UJT. 23/02/2010 JASSER CAHUI ACUÑA 9 . (Ver la línea verde en el siguiente gráfico) ‡ El gráfico de línea negra representa el voltaje que aparece en el resistor R3 (conectado entre B1 y tierra) cuando el capacitor se descarga.

R2 y R3 también son importantes para encontrar la frecuencia de oscilación.Vp) / Ip R1 mínimo = (Vs . ‡ La frecuencia de oscilación está aproximadamente dada por: F = 1/R1C ‡ Es muy importante saber que R1 debe tener valores que deben estar entre límites aceptables para que el circuito pueda oscilar.‡ Si se desea variar la frecuencia de oscilación se puede modificar tanto el capacitor C como el resistor R1.Vv) / Iv 23/02/2010 JASSER CAHUI ACUÑA 10 . Estos valores se obtienen con las siguientes fórmulas: R1 máximo = (Vs .

(uF = microfaradios) Otros: 1 fuente de 20 voltios (una batería de 12 o 9 voltios puede funcionar) 23/02/2010 JASSER CAHUI ACUÑA 11 . 1 de 47Ÿ. 1 de 330Ÿ.‡ donde: Vs = es el valor del voltaje de alimentación (en nuestro circuito es de 20 Voltios) Vp = valor obtenido dependiendo de los parámetro del UJT en particular Ip = dato del fabricante Vv =dato del fabricante Iv = dato del fabricante ‡ Lista de componentes: Transistores: 1 transistor de uniunión UJT 2N4870 o 2N2646 Resistores: 1 de 50 KŸ. (Ohmios).1 uF. (Kilohmios). (Ohmios) Capacitores: 1 de 0.

FIN GRACIAS 23/02/2010 JASSER CAHUI ACUÑA 12 .

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