23/02/2010

JASSER CAHUI ACUÑA

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en circuitos de control de puerta para SCR y TRIACs. incluyendo temporizadores. uniunión. ‡ Este es un dispositivo de conmutación del tipo ruptura. base 1 (B1) y base 2 (B2) 23/02/2010 JASSER CAHUI ACUÑA 2 . osciladores.EL TRANSISTOR UJT (transistor de unijuntura) ‡ También llamado transistor monounión. ‡ Sus características lo hacen muy útil en muchos circuitos industriales. y màs importante aùn. ‡ Este dispositivo puede provocar grandes tiristores con un pulso en la base 1 Símbolo. generadores de onda. Consiste de tres terminales llamados emisor (E).

‡ Esta constituido por dos regiones contaminadas con tres terminales externos: dos bases y un emisor. Estructura. Es un dispositivo de disparo. es elevada (de 5 a 10KŸ estando el emisor abierto). la resistencia entre las dos bases. Por ello. con un funcionamiento diferente al de otros dispositivos.‡ Es un dispositivo semiconductor unipolar. RBB o resistencia interbase. La unión P-N del dispositivo se forma en la frontera entre la varilla de aluminio y la barra de silicio tipo N 23/02/2010 JASSER CAHUI ACUÑA 3 . El emisor esta fuertemente dopado con impurezas P y la región N débilmente dopado con N.

la caída de tensión en R1 (V1) se puede expresar como: Donde: ‡ En donde VB2B1 es la diferencia de tensión entre las bases del UJT y y el es el factor de división de tensión conocido como relación intrínseca. que verifican RBB = RB1+ RB2.CIRCUITO EQUIVALENTE ‡ El modelo equivalente representado en la siguiente figura esta constituido por un diodo que excita la unión de dos resistencias internas. RB1 y RB2 . 23/02/2010 JASSER CAHUI ACUÑA 4 . Cuando el diodo no conduce.

‡ Si el emisor no está conectado ó VE < VP Diodo polarizado inversamente no conduce IE = 0. ‡ El funcionamiento del UJT se basa en el control de la resistencia RB1B2 mediante la tensión aplicada al emisor. ‡ Cuando IP < IE < IV entramos en una zona de resistencia negativa donde RBB varia en función de IE. 23/02/2010 JASSER CAHUI ACUÑA 5 .FUNCIONAMIENTO DEL UJT ‡ El punto de funcionamiento viene determinado por las características del circuito exterior. ‡ A partir del punto de funcionamiento. ‡ Si VE • VP Diodo polarizado directamente conduce aumenta IE. si IE disminuye hasta alcanzar un valor inferior a IV el diodo se polariza inversamente.

‡ La tensión alcanza un mínimo en el punto valle. la corriente aumenta a medida que disminuye la tensión en la región de resistencia negativa. VV: voltaje de valle del emisor IV: corriente de valle el emisor 23/02/2010 JASSER CAHUI ACUÑA 6 . aumenta la corriente IE hasta un punto máximo IP.). Donde: VP: voltaje de pico o tensión de disparo. ‡ Mas allá del punto máximo. la resistencia de saturación es mas bajo en el punto valle. IP: corriente de pico (de 20 a 30 µA. ‡ La resistencia RB1.CURVA CARACTERÌSTICA ‡ En la curva se puede apreciar que a medida que aumenta el VE.

Región de resistencia negativa. Esta tensión de pico en el UJT viene definida por la siguiente ecuación: Donde la VD varia entre 0. VE=VP entonces el diodo entra en conducción e inyecta huecos a B1 disminuyendo bruscamente la resistencia R1 debido a procesos de recombinación.7 V con un valor típico de 0.Región de corte. es decir. La corriente de emisor es muy baja y se verifica que VE < VP e IE < IP.5 V. 23/02/2010 JASSER CAHUI ACUÑA 7 . Si la tensión de emisor es suficiente para polarizar el diodo de emisor. En esta región. la tensión de emisor es baja de forma que la tensión intrínseca mantiene polarizado inversamente el diodo emisor. El UJT en esta región se comporta como un elemento resistivo lineal entre las dos bases de valor RBB.35 V a 0.

Región de saturación. se observa como el UJT disminuye su resistencia interna con un comportamiento similar a la de una resistencia negativa (dVE/dIE < 0). 23/02/2010 JASSER CAHUI ACUÑA 8 . Hay dos tipos de transistores monounión: El transistor monounión original. Esta zona es similar a la zona activa de un tiristor con unas corrientes y tensiones de mantenimiento (punto de valle) y una relación lineal de muy baja resistencia entre la tensión y la corriente de emisor. (El 2N2646 es la versión más utilizada de la UJT) El transistor monounión programable o PUT . o UJT. Si no se verifica las condiciones del punto de valle. la corriente de emisor es mayor que la corriente de valle (IE > IV). es un primo cercano del tiristor (El 2N6027 es un ejemplo de tal dispositivo). el UJT entrara de forma natural a la región de corte. En esta región. En esta región. la corriente de emisor esta comprendida entre la corriente de pico y de valle (IP< IE< IV).Desde el emisor.

23/02/2010 JASSER CAHUI ACUÑA 9 . cuando esto sucede este se descarga a través de la unión E-B1.5 Voltios.APLICACIONES DEL UJT Funcionamiento de un oscilador de relajación con UJT ‡ Circuito que sirve para generar señales para dispositivos de control de potencia como Tiristores o TRIACs ‡ El capacitor se carga hasta llegar al voltaje de disparo del transistor UJT. ‡ Con este voltaje el UJT se apaga (deja de conducir entre E y B1) y el capacitor inicia su carga otra vez. ‡ El capacitor se descarga hasta que llega a un voltaje que se llama de valle (Vv) de aproximadamente 2. (Ver la línea verde en el siguiente gráfico) ‡ El gráfico de línea negra representa el voltaje que aparece en el resistor R3 (conectado entre B1 y tierra) cuando el capacitor se descarga.

‡ Si se desea variar la frecuencia de oscilación se puede modificar tanto el capacitor C como el resistor R1. Estos valores se obtienen con las siguientes fórmulas: R1 máximo = (Vs .Vp) / Ip R1 mínimo = (Vs .Vv) / Iv 23/02/2010 JASSER CAHUI ACUÑA 10 . R2 y R3 también son importantes para encontrar la frecuencia de oscilación. ‡ La frecuencia de oscilación está aproximadamente dada por: F = 1/R1C ‡ Es muy importante saber que R1 debe tener valores que deben estar entre límites aceptables para que el circuito pueda oscilar.

‡ donde: Vs = es el valor del voltaje de alimentación (en nuestro circuito es de 20 Voltios) Vp = valor obtenido dependiendo de los parámetro del UJT en particular Ip = dato del fabricante Vv =dato del fabricante Iv = dato del fabricante ‡ Lista de componentes: Transistores: 1 transistor de uniunión UJT 2N4870 o 2N2646 Resistores: 1 de 50 KŸ. (uF = microfaradios) Otros: 1 fuente de 20 voltios (una batería de 12 o 9 voltios puede funcionar) 23/02/2010 JASSER CAHUI ACUÑA 11 . (Ohmios) Capacitores: 1 de 0. 1 de 47Ÿ. 1 de 330Ÿ. (Kilohmios).1 uF. (Ohmios).

FIN GRACIAS 23/02/2010 JASSER CAHUI ACUÑA 12 .

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