23/02/2010

JASSER CAHUI ACUÑA

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en circuitos de control de puerta para SCR y TRIACs.EL TRANSISTOR UJT (transistor de unijuntura) ‡ También llamado transistor monounión. ‡ Este dispositivo puede provocar grandes tiristores con un pulso en la base 1 Símbolo. y màs importante aùn. ‡ Sus características lo hacen muy útil en muchos circuitos industriales. osciladores. ‡ Este es un dispositivo de conmutación del tipo ruptura. base 1 (B1) y base 2 (B2) 23/02/2010 JASSER CAHUI ACUÑA 2 . incluyendo temporizadores. Consiste de tres terminales llamados emisor (E). uniunión. generadores de onda.

Por ello.‡ Es un dispositivo semiconductor unipolar. Es un dispositivo de disparo. ‡ Esta constituido por dos regiones contaminadas con tres terminales externos: dos bases y un emisor. con un funcionamiento diferente al de otros dispositivos. RBB o resistencia interbase. Estructura. La unión P-N del dispositivo se forma en la frontera entre la varilla de aluminio y la barra de silicio tipo N 23/02/2010 JASSER CAHUI ACUÑA 3 . es elevada (de 5 a 10KŸ estando el emisor abierto). El emisor esta fuertemente dopado con impurezas P y la región N débilmente dopado con N. la resistencia entre las dos bases.

23/02/2010 JASSER CAHUI ACUÑA 4 . RB1 y RB2 . la caída de tensión en R1 (V1) se puede expresar como: Donde: ‡ En donde VB2B1 es la diferencia de tensión entre las bases del UJT y y el es el factor de división de tensión conocido como relación intrínseca. que verifican RBB = RB1+ RB2. Cuando el diodo no conduce.CIRCUITO EQUIVALENTE ‡ El modelo equivalente representado en la siguiente figura esta constituido por un diodo que excita la unión de dos resistencias internas.

‡ Si el emisor no está conectado ó VE < VP Diodo polarizado inversamente no conduce IE = 0. si IE disminuye hasta alcanzar un valor inferior a IV el diodo se polariza inversamente. ‡ Cuando IP < IE < IV entramos en una zona de resistencia negativa donde RBB varia en función de IE. ‡ El funcionamiento del UJT se basa en el control de la resistencia RB1B2 mediante la tensión aplicada al emisor. 23/02/2010 JASSER CAHUI ACUÑA 5 .FUNCIONAMIENTO DEL UJT ‡ El punto de funcionamiento viene determinado por las características del circuito exterior. ‡ A partir del punto de funcionamiento. ‡ Si VE • VP Diodo polarizado directamente conduce aumenta IE.

VV: voltaje de valle del emisor IV: corriente de valle el emisor 23/02/2010 JASSER CAHUI ACUÑA 6 . ‡ La tensión alcanza un mínimo en el punto valle. la resistencia de saturación es mas bajo en el punto valle.CURVA CARACTERÌSTICA ‡ En la curva se puede apreciar que a medida que aumenta el VE. aumenta la corriente IE hasta un punto máximo IP.). ‡ La resistencia RB1. Donde: VP: voltaje de pico o tensión de disparo. ‡ Mas allá del punto máximo. IP: corriente de pico (de 20 a 30 µA. la corriente aumenta a medida que disminuye la tensión en la región de resistencia negativa.

35 V a 0. Esta tensión de pico en el UJT viene definida por la siguiente ecuación: Donde la VD varia entre 0. Región de resistencia negativa. 23/02/2010 JASSER CAHUI ACUÑA 7 . El UJT en esta región se comporta como un elemento resistivo lineal entre las dos bases de valor RBB. Si la tensión de emisor es suficiente para polarizar el diodo de emisor.5 V. la tensión de emisor es baja de forma que la tensión intrínseca mantiene polarizado inversamente el diodo emisor. VE=VP entonces el diodo entra en conducción e inyecta huecos a B1 disminuyendo bruscamente la resistencia R1 debido a procesos de recombinación. La corriente de emisor es muy baja y se verifica que VE < VP e IE < IP. es decir. En esta región.7 V con un valor típico de 0.Región de corte.

Desde el emisor. (El 2N2646 es la versión más utilizada de la UJT) El transistor monounión programable o PUT . la corriente de emisor es mayor que la corriente de valle (IE > IV). Si no se verifica las condiciones del punto de valle. es un primo cercano del tiristor (El 2N6027 es un ejemplo de tal dispositivo). o UJT. En esta región. se observa como el UJT disminuye su resistencia interna con un comportamiento similar a la de una resistencia negativa (dVE/dIE < 0). la corriente de emisor esta comprendida entre la corriente de pico y de valle (IP< IE< IV). Región de saturación. En esta región. Esta zona es similar a la zona activa de un tiristor con unas corrientes y tensiones de mantenimiento (punto de valle) y una relación lineal de muy baja resistencia entre la tensión y la corriente de emisor. 23/02/2010 JASSER CAHUI ACUÑA 8 . Hay dos tipos de transistores monounión: El transistor monounión original. el UJT entrara de forma natural a la región de corte.

cuando esto sucede este se descarga a través de la unión E-B1.5 Voltios. 23/02/2010 JASSER CAHUI ACUÑA 9 . (Ver la línea verde en el siguiente gráfico) ‡ El gráfico de línea negra representa el voltaje que aparece en el resistor R3 (conectado entre B1 y tierra) cuando el capacitor se descarga. ‡ El capacitor se descarga hasta que llega a un voltaje que se llama de valle (Vv) de aproximadamente 2.APLICACIONES DEL UJT Funcionamiento de un oscilador de relajación con UJT ‡ Circuito que sirve para generar señales para dispositivos de control de potencia como Tiristores o TRIACs ‡ El capacitor se carga hasta llegar al voltaje de disparo del transistor UJT. ‡ Con este voltaje el UJT se apaga (deja de conducir entre E y B1) y el capacitor inicia su carga otra vez.

R2 y R3 también son importantes para encontrar la frecuencia de oscilación.‡ Si se desea variar la frecuencia de oscilación se puede modificar tanto el capacitor C como el resistor R1. ‡ La frecuencia de oscilación está aproximadamente dada por: F = 1/R1C ‡ Es muy importante saber que R1 debe tener valores que deben estar entre límites aceptables para que el circuito pueda oscilar. Estos valores se obtienen con las siguientes fórmulas: R1 máximo = (Vs .Vv) / Iv 23/02/2010 JASSER CAHUI ACUÑA 10 .Vp) / Ip R1 mínimo = (Vs .

1 de 47Ÿ.1 uF. 1 de 330Ÿ.‡ donde: Vs = es el valor del voltaje de alimentación (en nuestro circuito es de 20 Voltios) Vp = valor obtenido dependiendo de los parámetro del UJT en particular Ip = dato del fabricante Vv =dato del fabricante Iv = dato del fabricante ‡ Lista de componentes: Transistores: 1 transistor de uniunión UJT 2N4870 o 2N2646 Resistores: 1 de 50 KŸ. (Kilohmios). (uF = microfaradios) Otros: 1 fuente de 20 voltios (una batería de 12 o 9 voltios puede funcionar) 23/02/2010 JASSER CAHUI ACUÑA 11 . (Ohmios). (Ohmios) Capacitores: 1 de 0.

FIN GRACIAS 23/02/2010 JASSER CAHUI ACUÑA 12 .

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