MATERIALES

SEMICONDUCTORES
 ¿QUÉ ES UN
SEMICONDUCTOR?
 Elemento que se comporta
como conductor o como
aislante dependiendo de las
condiciones en las que se
encuentre.
 TIPOS DE SEMICONDUCTORES

Electrones en
Elemento Grupo
la última capa

Cd II A 2 e-

Al, Ga, B, In III A 3 e-

Si, Ge IV A 4 e-

P, As, Sb VA 5 e-

Se, Te, (S) VI A 6 e-

 ESTRUCTURA DE UN
SEMICONDUCTOR
 Los semiconductores son elementos que
tienen en su último orbital entre 2 y 6
electrones de valencia.
 Los semiconductores están formados por
arreglos ordenados cristalinos de átomos en
los cuales los vecinos mas cercanos están
unidos por enlaces covalentes.
BANDAS DE ENERGIA
 SEMICONDUCTORES
EXTRINSECOS E INTRINSECOS
 INTRINSECO: Se da cuando la cantidad de huecos
que quedan en la banda de valencia es la misma
cantidad de electrones que están en la banda de
conducción.
 EXTRINSECOS: Si a un semiconductor intrínseco,
como el anterior, le añadimos un pequeño
porcentaje de impurezas, es decir, elementos
trivalentes o pentavalentes, el semiconductor se
denomina extrínseco, y se dice que está dopado.
Evidentemente, las impurezas deberán formar parte
de la estructura cristalina de silicio.
Los dispositivos semiconductores
•Consisten de un cristal conformado de átomos de silicio o germanio

si - - si - - si - - si - - si
- - - - -
- - - - -
si - - si - - si - - si - - si
- - - - -
- - - - -
si - - si - - si - - si - - si Enlaces
covalentes
- - - - -
- - - - -
si - - si - - si - - si - - si
Se somete un cristal a temperatura

si - - si - - si - - si - - si
- - - - -
- - - - -
si - - si - - si - - si - - si
- - - - -
- - - - -
si - - si - - si - - si - - si
- - - - -
- - - - -
si - - si - - si - - si - - si
Se somete un cristal a temperatura

si - - si - - si - - si - - si
- - - - -
Electrón
- - - - - -
si - - si - - si - si - - si Conducción
- - - - -
- - -
- - - -
si - - si - si - - si - - si Valencia
- - - - - - -
- - - - -
si - - si - - si - - si - - si
Bandas de energía
Hueco
Contaminación de un cristal (Dopado) con atomos trivalentes: 3e-
(boro, indio,aluminio)

Se tienen más
huecos en la banda
Hueco si - - si - - si - - si - - si de valencia
extra - - - - -
- - - - - Los portadores
si - - Br - - si - si - - si mayoritarios son
- - - - - huecos
- - - - - -
si - - si - si - - Br - si Este tipo de cristal
- - - - - se conoce como
- - - - - material tipo P
si - - si - - si - - si - - si
Contaminación de un cristal (Dopado) con atomos pentavalentes: 5e-
(fósforo, arsénico, antimonio)
Se tienen más
electrones en la
Electrón banda de
si - - si - - si - - si - - si
extra conducción
- - - - -
- - - - - - -
si - - Sb - - si - si - - si Los portadores
- - - - - mayoritarios son
- - - - - - - electrones
si - - si - si - - Sb - - si
- - - - - Este tipo de cristal
- - - - - se conoce como
si - - si - - si - - si - - si material tipo n
p n
- - --
- - - -

Estos son materiales electricamente neutros

p n
- - --
- - - -
 Los electrones buscan
los huecos que están
del otro lado de
la unión y se
recombinan ...
n
p - --
-
- - - -
La barrera que forman
los iones negativos no Los electrones buscan
permiten que continue la los huecos que están
recombinanción de electrones y huecos del otro lado de
la unión y se
recombinan ...
n produciendo cargas
p - -- netas positivas del
+
- --
- + - lado de la unión n
y cargas netas
negativas del lado de
la unión p
Zona de agotamiento
El diodo:

Polarización a favor
p n

ID
n
p - --
+
- --
- + -

+ - La barrera es superada por la

presencia del campo eléctrico
El diodo:

Polarización en contra
p n

Io
n
p - --
+
- --
- + -

- +
La barrera es favorecida por la
presencia del campo eléctrico
 JUNTURA PN (Cont)

Lo más importante es la formación de la zona de

agotamiento
 TRANSISTORES

Un transistor se diseña para funcionar como un

switch. Puede estar conduciendo como un metal o
no conduciendo como un aislante

> BJT
> FET
> Transistores Modernos
 BJT (Bipolar Junction Transistor)
> Inventado en 1947 en Bell Laboratories.
> Ha revolucionado la electrónica, reemplazando los tubos de vacio
 FET (Field Effect Transistor)
> Base de la electrónica digital moderna