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Asignatura: Fsica Moderna

ii) Slidos Covalentes

Caso tpico: carbono slido, diamante

C: Z 6, 1s2 2s2 2p2

Cada tomo de C se enlaza con 4 tomos de C vecinos cercanos:


energa cohesiva 7,37 eV

La estructura base del carbono es tetrahdrica

Propiedades generales: Muy duros


Altas Ts de fusion
Buenos aislantes T y I

iii) Slidos Metlicos

Caso tpico: Cu

- Poseen electrones libres {1 o 2 por tomo}


- El modelo bsico es de gas de es : es movindose en torno de ncleos
metlicos +s

- Los enlaces metlicos son dbiles frente a los inicos y covalentes,


entre 1 3 eV, y se basa en fuerzas coulombianas e- - p+

Lic. Percy Vctor Caote Fajardo


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Propiedades Generales: Son brillantes debido a la reflexin en el VIS

Gran conductividad electrnica y T

Forman aleaciones de importancia tecnolgica:


Tenasidad, ductibilidad, anticorrosividad,
conductividad, etc.

5,4) Teora de Bandas

Ejemplo: Na, 1s2 2s2 2p6 3s1 , Z 11

- 2 tomos de Na

Juntos
E Separados

3s 3s 3s

Na1 Na2 Na1 - Na2


r

- 6 tomos de Na

3s

Lic. Percy Vctor Caote Fajardo


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- Ncleos tomos de Na formando un slido

3s

El ancho de banda no depende del nmero de tomos, pero si de la


interaccin de vecinos cercanos. El nmero de niveles en la banda depende
del nmero total de tomo interactuantes, N tomos producirn N niveles.

Cada banda podr contener hasta 2(2l + 1) N es .

Diagrama esquemtico de las bandas de energa para un slido de sodio,

3s N
3s1

2p 6N

2p6

2s 2N
2s2
1s
2N 1s2
SOLIDO ATOMO

Lic. Percy Vctor Caote Fajardo


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5,5) Modelo de es libres en metales



Retomamos el modelo de gas de es {modelo de Drude - Lorentz}
introduciendo los conceptos asociados al principio de exclusin de W Pauli

y que los es deben ser tratados como fermiones, esto es, partculas de
SPIN fraccionando (1/2) descritos por la estadstica de FERMI DIRAC
{estadstica cuntica}

Segn la estadstica de FD, la probabilidad de encontrar a un e - con energa


E, esta dada por la funcin de distribucin FD,

1
f ( E) ( E EF ) / k BT
e +1

Donde EF es la energa de Fermi.

Para esta funcin la temperatura T 0 K es crucial, es decir, para T 0 K


indica que todos los estados con E < EF estn ocupados, mientras que para
temperaturas T > 0 K empiezan a ocuparse estados con E > EF, ver los
siguientes graficos,

f f

1 1
T 0K T>0K

1/2

E E
0 EF 0 EF

Como veremos la importancia de la EF es tal que permite describir


materiales, por ejemplo, depender de la concentracin atmica as como
de la T,

EF ( T ) : Metles slidos
EF ( 1ra : )
EF ( T ) : semiconductores

Lic. Percy Vctor Caote Fajardo


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De igual forma, en base a la EF para metales que va de 1,6 a 14 eV, la TF va


de 1,8 a 16 x 104 K y la vF de 0,8 a 2,2 x 106 m/s ( 10-2 c!)

Si nuestro modelo nos conduce a imaginar al e - confinado a una caja de


lado L, las funciones de O que lo describen, por extensin del caso
unidimensional, tendran la forma,

z
L

e- L
y
L

r
( r ) ( x , y , z ) Asen ( k xx ) sen ( k y y ) sen (k zz )

h2 2 2
2 { x
Con E n + ny2 + nz2 }
2mL

Donde nx , n y y nz son nmeros cunticos energticos como lo era n


unidimensional. Por lo tanto, los estados energticos estarn caracterizados
por estos 3 nmeros cunticos mas el nmero de SPIN, ms,

Ee Ee ( nx , n y , nz , ms )

Para efectos se determinan una expresin que nos permita calcular la EF,
definimos la funcin de densidad de estados, g(E), que determina el nmero
de estados por unidad de volumen y energa (estados / VE), de tal forma
que el nmero de estados electrnicos por unidad de volumen y por unidad
de energa, esta dado por,

8 2 m3/ 2
1/ 2
g ( E) 3 E

h

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Por lo tanto, el nmero de es a la temperatura T, en dichas condiciones,
esta dado por,

N ( E) f ( E) g ( E)

Ahora, si n es el nmero total de electrones por unidad de volumen (n:



concentracin volumtrica de es libres), se debe cumplir que,


8 2 m3/ 2
E 1/ 2dE
n N ( E ) dE ( E E F ) / kB T
0 0

h3
e +1

En T 0 K, tenemos,

EF
8 2 m3/ 2
1/ 2 1, 0 E EF
n E dE f ( E )
0, E > EF
3
0

h

2
h2 3 3 2 / 3
EF n
8m

La velocidad de Fermi, vF, definida por la siguiente expresin,

1/ 2
2E
vF F
m

y la TF por,

Lic. Percy Vctor Caote Fajardo


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EF
TF
kB

La EF cumple un rol importante cuando se describen los materiales, en


metales vinculada al llenado parcial de bandas, en aislantes y
semiconductores, por lo general, se encuentra en la banda prohibida, pero
debido a su movilidad con la temperatura, para estos ltimos, permitir
controlar los procesos de conduccin en ellos.

Lic. Percy Vctor Caote Fajardo

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