Captulo 1

Componentes pasivos
En este captulo analizaremos los tres componentes pasivos ms importantes:
Resistencias, Condensadores y Bobinas.

Resistencias:
La resistencia es uno de los componentes imprescindibles en la construccin de
cualquier equipo electrnico, ya que permite distribuir adecuadamente la tensin y
corriente elctrica a todos los puntos necesarios.
El valor de la resistencia se expresa en ohm, que representamos con el smbolo
Si sometemos los extremos de una resistencia al paso de una corriente continua se
producir en la misma una cada de tensin proporcional a su valor. La corriente que la
atraviese ser tambin proporcional a la tensin aplicada y al valor en ohms de la
resistencia. Para calcular dicha relacin no hay mas que aplicar la Ley de Ohm: I=V/R.
Hay dos formas de asociar resistencias en un circuito: asociacin serie y asociacin
paralelo:

La resistencia equivalente de la asociacin serie es:

RT = R1 + R2 + R3 + ... + Rn
lo que nos indica que una sola resistencia de valor R T se comportar de la misma
forma que las n resistencias R1, R2, R3 ... Rn conectadas en serie.
Si la combinacin es paralelo entonces la resistencia equivalente es:

RT = 1/(1/R1 + 1/R2 + 1/R3 + ... + 1/Rn)

Igualmente que en la asociacin serie, R 1, R2, R3 ... Rn. Ntese que siempre el valor
de la resistencia RT de una asociacin paralelo es menor que la menor R n del paralelo.
Las resistencias tienen un cdigo de colores que indica su valor. Este cdigo est
compuesto por bandas de colores divididas en dos grupos; el primero consiste de tres o
cuatro de estas bandas, de las cuales las primeras dos o tres indican el valor nominal
de la resistencia y la ltima es un multiplicador para obtener la escala. El segundo
grupo est compuesto por una sola banda y es la tolerancia expresada en porciento,
dicha tolerancia nos da el campo de valores dentro del cual se encuentra el valor
correcto de la resistencia.
Dgitos
Negro
Marrn
Rojo
Naranja
Amarillo
Verde
Azul
Violeta
Gris
Blanco

0
1
2
3
4
5
6
7
8
9

Multiplicador
Plateado
Dorado
Negro
Marrn
Rojo
Naranja
Amarillo
Verde
Azul

-2

10
10-1
100
101
102
103
104
105
106

Tolerancia
Plateado
Dorado
Marrn

10 %
5%
1%

De esta forma si tenemos una resistencia cuyo cdigo de colores sea verde, negro,
naranja, dorado tendremos una resistencia de 50.000 y su tolerancia es del 5 %.
En el mercado no es posible encontrar todos los valores de resistencia, sino
solamente los estandarizados, los cuales son:
1

1,5

2,2

3,3

4,7

6,8

1,2

1,8

2,7

3,9

5,6

8,2

1,1

1,3

1,6

2,4

10

3,6

4,3

5,1

6,2

7,5

9,1

La primera lnea es correspondiente a valores con 20 % de tolerancia.

Las dos primeras corresponden a valores con el 10 % de tolerancia.

La tabla completa representa los valores para las resistencias cuya tolerancia es del
5 %.
Para obtener toda la gama de valores se multiplican los valores anteriores por los
multiplicadores ya especificados en la tabla de cdigos de colores.
Adems de estar las resistencias caracterizadas por su valor y tolerancia, stas
estn definidas por su poder de disipacin de potencia, los valores ms tpicos son: 1/8,
1/4, 1/3, 1/2, 1 y 2 W, con tolerancias del 1 %, 2 %, 5 %, 10 % y 20 %. La potencia que
disipa una resistencia se calcula multiplicando la tension que le aplicamos a la
resistencia por la corriente que pasa a traves de ella P=V*I
Tambin existen resistencias de valor variable llamadas resistencias variables o
potencimetros, que son muy utilizados cuando es necesario realizar sobre un circuito
algn tipo de ajuste interno. Tambin se usan para hacer correcciones externas, tales
como el caso de control de volumen, tono, luminosidad, etc.

Condensadores:
Los condensadores tampoco estn ausentes en los circuitos electrnicos, consisten
bsicamente en dos placas metlicas separadas por un material aislante (llamado
dielctrico). Este material dielctrico puede ser aire, mica, papel, cermica, etc.
El valor de un condensador se determina por la superficie de las placas y por la
distancia entre ellas, la que est determinada por el espesor del dielctrico, dicho valor
se expresa en trminos de capacidad. La unidad de medida de dicha capacidad es el
faradio (F). Los valores de capacidad utilizados en la prctica son mucho ms
pequeos que la unidad, por lo tanto, dichos valores estarn expresados en
microfaradios (1 F = 1 x 10-6 F), nanofaradios (1 F = 1 x 10-9 F) o picofaradios (1 F =
1 x 10-12 F).
Cuando se aplica una tensin continua entre las placas de un condensador, no
habr circulacin de corriente por el mismo, debido a la presencia del dielctrico, pero
se producir una acumulacin de carga elctrica en las placas, polarizndose el
condensador.
Una vez extrada la tensin aplicada, el condensador permanecer cargado debido a
la atraccin elctrica entre las caras del mismo, si a continuacin se cortocircuitan
dichas caras, se producir la descarga de las mismas, produciendo una corriente de
descarga entre ambas.

Si ahora le aplicamos una tensin alterna se someter al condensador a una tensin

continua durante medio ciclo y a la misma tensin, pero en sentido inverso, durante la
otra mitad del ciclo. El dielctrico tendr que soportar esfuerzos alternos que varan de
sentido muy rpidamente, y por lo tanto, su polarizacin deber cambiar conforme el
campo elctrico cambia su sentido, entonces si aumentamos la frecuencia el dielctrico
ya no podr seguir estos cambios, producindose eventualmente una disminucin en la
capacidad. En sntesis, la capacidad de un condensador disminuye conforme aumenta
la frecuencia de la seal aplicada.
Los condensadores, al igual que las resistencias, se pueden conectar tanto en serie
como en paralelo:

La capacidad equivalente serie es:

CT = 1/(1/C1 + 1/C2 + 1/C3 + ... + 1/Cn)
y la capacidad equivalente paralelo es:
CT = C1 + C2 + C3 + ... + Cn
Una forma facil de recordarlo es ver que es justo al reves de lo que sucedia con las
resistencias en serie y en paralelo.
Existe mucha variedad de condensadores a lo que a tipos se refiere. Existen los
cermicos, que estn construidos normalmente por una base tubular de dicho material
con sus superficies interior y exterior metalizadas con plata, sobre las cuales se
encuentran los terminales del mismo. Se aplican tanto en bajas como en altas
frecuencias.
Otro tipo es el de plstico, que est fabricado con dos tiras de polister metalizado
en una cara y arrolladas entre s. Este tipo de condensador se emplea a frecuencias

bajas o medias. Con este tipo de condensador se pueden conseguir capacidades

elevadas a tensiones de hasta 1.000 V.
Tambin existen condensadores electrolticos, que presentan la mayor capacidad de
todos para un determinado tamao. Pueden ser de aluminio o de tntalo. Los primeros
estn formados por una hoja de dicho metal recubierta por una capa de xido de
aluminio que acta como dielctrico, sobre el xido hay una lmina de papel embebido
en un lquido conductor llamado electrolito y sobre ella una segunda lmina de
aluminio. Son de polaridad fija, es decir que solamente pueden funcionar si se les
aplica la tensin continua exterior con el positivo al nodo correspondiente. Son usados
en baja y media frecuencia.
Los condensadores electrolticos de tntalo son muy similares a los de aluminio.

Bobinas:
El paso de corriente por un conductor va acompaado por efectos magnticos, es
decir que se crea un campo magntico por la circulacin de corriente.
Cuando a dicho campo magntico se le transfiere energa, la fuente de FEM (Fuerza
ElectroMotriz) efecta trabajo, lo que requiere potencia elctrica, y esta potencia es
igual a la corriente multiplicada por la tensin, entonces deber haber una cada de
tensin en el circuito mientras la energa se almacena en el campo. Esta cada de
tensin es producto de una tensin opuesta que es inducida en el circuito mientras el
campo vara, cuando este toma valor constante entonces la FEM inducida desaparece.
Como la FEM inducida se opone a la aplicada, entonces sta se opone a las
variaciones en el campo magntico.
La amplitud de esta FEM es proporcional a la variacin de la corriente y la
inductancia del circuito. La inductancia depende de las caractersticas fsicas del
conductor. Si a un conductor se lo enrolla, tendr una mayor inductancia que cuando no
lo estaba, adems a medida que aumenta la cantidad de vueltas, aumenta tambin el
valor de la inductancia. Se aumentar mas an la inductancia cuando el arrollamiento
se haga alrededor de un hierro.
La inductancia se mide en henrios (H), y los valores utilizados para las distintas
aplicaciones varan ampliamente.

Todos los conductores tienen inductancia, si es de corta longitud su inductancia ser

pequea, pero habr que tenerla en cuenta si la corriente vara rpidamente en el
mismo.
Para el clculo de la inductancia de un arrollamiento se utiliza la siguiente frmula:
L ( H) = (d2 * n2) / (18 d + 40 l)
L = Inductancia (en microhenrios)
d = dimetro de la bobina (en pulgadas)
l = longitud de la bobina (en pulgadas)
n = nmero de espiras.

Captulo 2
Teoremas de Corriente Continua
Son tiles a la hora de resolver ciertos circuitos en donde las asociaciones de
componentes revisten alguna complejidad, aunque a efectos de diseo de circuitos no
es necesario conocer estas herramientas de analisis, es bueno conocerlas porque en
casos particulares nos pueden venir bien. Los mas importantes son: Leyes de Kirchoff y
teoremas de Thvenin y Norton.

Leyes de Kirchoff:
Son dos y se las conoce con el nombre de ley de los nodos o nudos y ley de las
mallas o primera ley de Kirchoff y segunda ley de Kirchoff respectivamente.
Ley de los nodos: La suma de las intensidades de corriente que llegan a un nodo es
igual a la suma de las intensidades de corriente que sale de l.
Ley de las mallas: En un circuito cerrado (malla) la suma algebraica de las fuerzas
electromotrices en la malla es igual a la suma de los productos de cada resistencia de
la misma por la corriente que circula por ella.

Teorema de Thvenin:
Cuando tenemos un circuito desconocido, en el cual tenemos accesibles dos bornes
del mismo, podemos aplicar el teorema de Thvenin para obtener un circuito
equivalente de ste.
El teorema dice lo siguiente: Todo circuito que tenga dos terminales accesibles (A y
B) podr ser representado por un equivalente compuesto por una fuente de tensin
equivalente VTH conectada en serie con una resistencia equivalente R TH. Para obtener
los valores de VTH y RTH se hace:
RTH ser la resistencia que presente el circuito entre los terminales A y B cuando se
cortocircuiten en la circuitera original todas las fuentes de tensin y se dejen a circuito
abierto los generadores de corriente.
VTH ser la tensin presente entre los bornes A y B con stos abiertos (sin conectar).

En la figura aplicamos el teorema de Thvenin al circuito a y obtuvimos su

equivalente Thvenin que es el circuito d.

Teorema de Norton:
Este teorema expresa que toda circuitera que presente dos terminales accesibles (A
y B) podr ser sustituida por un circuito ideal equivalente que est formado por una
resistencia equivalente Rn en paralelo con una fuente ideal de corriente In.
El valor de Rn se obtiene de idntica forma que la resistencia equivalente Thvenin
RTH e In es la corriente que circula por la rama A-B.

Captulo 3
Corriente alterna
Ya hemos visto los componentes pasivos y su comportamiento en corriente continua.
Dado que el comportamiento de stos vara al tratarlos en corriente continua o corriente
alterna merece un prrafo aparte la discusin sobre el comportamiento de estos
elementos cuando se los somete a la circulacin de una corriente alternada.
Antes de comenzar conviene remarcar la diferencia de este tipo de corriente con la
corriente continua y tambin la explicacin de los parmetros mas importantes de una
seal alterna.
La corriente continua es aquella que mantiene su valor de tensin constante y sin
cambio de polaridad, ejemplo de ella puede ser una batera de las que se utilizan en los
automviles o las pilas con las que alimentamos nuestros juguetes o calculadoras
electrnicas. A este tipo de corriente se la conoce como C.C. o, segn los autores de
habla inglesa, D.C.
La corriente alterna tambin mantiene una diferencia de potencial constante, pero su
polaridad vara con el tiempo. Se la suele denominar C.A. o A.C. en ingls.

Parmetros importantes de la corriente alterna:

Frecuencia: Nmero de veces que una corriente alterna cambia de polaridad en 1
segundo. La unidad de medida es el Hertzio (Hz) y se la designa con la letra F. De esta
forma si en nuestro hogar tenemos una tensin de 220 V 50 Hz, significa que dicha
tensin habr de cambiar su polaridad 50 veces por segundo.
Una definicin ms rigurosa para la frecuencia: Nmero de ciclos completos de C.A.
que ocurren en una unidad de tiempo.
Fase: Es la fraccin de ciclo transcurrido desde el inicio del mismo, su smbolo es la
letra griega
Perodo: Es el tiempo que tarda en producirse un ciclo de C.A. completo se
denomina T. En nuestro ejemplo de una tensin de 220 V 50 Hz su perodo es de 20
mseg.
La relacin entre la frecuencia y el perodo es F=1/T
Valor instantneo: Valor que toma la tensin en cada instante de tiempo.
Valor mximo: Valor de la tensin en cada "cresta" o "valle" de la seal.
Valor medio: Media aritmtica de todos los valores instantneos de la seal en un
perodo dado.
Su clculo matemtico se hace con la frmula:

Valor eficaz: Valor que produce el mismo efecto que la seal C.C. equivalente. Se
calcula mediante:

Valor pico a pico: Valor de tensin que va desde el mximo al mnimo o de una
"cresta" a un "valle".

En las siguientes figuras vemos una seal alterna donde se han especificado
algunos de estos parmetros, la figura a) muestra una onda alterna donde se ven tanto
el valor eficaz, el valor mximo, el valor pico a pico y el perodo. En la figura b) vemos
dos ondas alternas, de igual frecuencia, pero desfasadas 90.

En la figura a) si la frecuencia es de 50 Hz entonces el perodo es T=20 mseg y

abarcar desde el origen hasta el punto D. En ella tambin se puede ver la fase, la que
es medida en unidades angulares, ya sea en grados o radianes. Tambin podemos ver
los distintos puntos donde la seal corta al eje del tiempo graduado en radianes.
En la figura b), como ya lo dijimos, se ven dos seales alternas desfasadas 90 ( /2
radianes), esto es, cuando la primera seal arranca del punto A, la segunda lo hace
desde el punto B, siendo el desfasaje entre los puntos A y B de 90. Por lo tanto se dice
que tenemos dos seales de igual frecuencia y amplitud pero desfasadas entre s por
90.
Con lo visto hasta ahora estamos en condiciones de presentar a una seal senoidal
en su representacin tpica:
U = Umax sen (2ft + )
Donde: Umax: tensin mxima
f: frecuencia de la onda
t: tiempo
: fase

Otros tipos de corriente alterna:

En electrnica se utilizan infinidad de tipos de seales por lo cual se hace
prcticamente imposible enumerarlas a todas, pero haremos referencia a las ms
comunes, luego de senoidal y la continua pura.
Una de ellas es la pulsatoria (tambin llamada onda cuadrada). Esta onda se ve en
la figura siguiente:

Otra onda frecuentemente utilizada en electrnica es la onda triangular:

y tambin est la onda diente de sierra:

Cabe aclarar que las definiciones de los parmetros que se hicieron para una onda
senoidal se mantienen vlidos para estos tipos de ondas.

Comportamiento de los componentes pasivos en C.A:

Los componentes pasivos tienen distinto comportamiento cuando se les aplican dos
corrientes de distinta naturaleza, una alterna y la otra continua.
La respuesta en C.C. ya la analizamos, nos resta analizar la respuesta de estos
elementos en C.A.
Resistencias y C.A: Estos son los nicos elementos pasivos para los cuales la
respuesta es la misma tanto para C. A. como para C.C.
Se dice que en una resistencia la tensin y la corriente estn en fase.

Inductancia y C.A.: A este tipo de componente no hemos hecho referencia cuando

tratamos a los elementos en C.C. dado su similar comportamiento a las resistencias en
ese tipo de corriente. En cambio en C.A. su respuesta vara considerablemente

Las seales tensin y corriente mantienen la misma forma de onda pero ya no estn
en fase sino que desfasadas 90. La corriente atrasa 90 con respecto a la tensin.
El parmetro que mide el valor de la inductancia es la reactancia inductiva:

XL = 2 f L donde XL se expresa en ohms

y como XL = V/I por la Ley de Ohm entonces tenemos que:
i(t) = V(t)/XL = V(t)/2fL
Donde podemos ver que ahora la corriente no depende exclusivamente del valor de
la tensin y de la reactancia inductiva, sino tambin de la frecuencia, siendo
inversamente proporcional a esta.
Capacidad y C.A: En la figura vemos la conexin de una capacidad a un circuito de
C.A.

Es ahora el caso en el que la corriente se adelanta 90 con respecto a la tensin,

manteniendo la misma forma de onda que sta.
El clculo de la reactancia capacitiva (medida en ohms) se hace con la siguiente
frmula:
XC = 1/2fC
y aplicando nuevamente la Ley de Ohm:
i(t) = V(t) / XC = 2fC V(t)

Tambin aqu la corriente depende de la frecuencia, pero ahora es directamente

proporcional a sta.

Impedancia:
Un factor que aparece en alterna es la impedancia. Esta se mide en ohms y se
define:
Z = R + j(XL - XC)
Al ser un valor complejo (suma vectorial), se mide su mdulo y fase:

La inversa de la impedancia se denomina admitancia (Y) y se define:

Y = 1/Z

Combinaciones R-L, R-C y RLC:

Adems de los casos ya vistos donde solamente estaban presentes en un circuito un
solo tipo de elemento pasivo, existen casos en los cuales se combinan resistencias con
condensadores e inductancias, veremos cmo se comportan las corrientes y tensiones
en cada una de estas combinaciones.
R-L:

En la grfica podemos ver el diagrama vectorial de las tensiones del circuito. Vemos
cmo VR est en fase con la corriente, VL est adelantada 90 con respecto a esta y
entonces resolviendo la suma vectorial vemos que V T est adelantada grados a la
corriente.
R-C:

De la misma manera que en el circuito R-L vemos en el diagrama vectorial de las

tensiones del circuito, como otra vez V R est en fase con la corriente, mientras que V C
est 90 atrasada a la corriente. De la suma vectorial vemos que V T est grados
atrasada con respecto a I.
R-L-C:

Por ltimo veremos el caso en el que estn presentes en un circuito de C.A. los 3
tipos de componentes pasivos (R, L, C).
La impedancia (Z) se calcula como ya hemos visto.
En el diagrama vectorial de las tensiones en el circuito vemos V C atrasada 90 a la
corriente, VR en fase con ella y VL adelantada 90. Ntese que en la figura no se dibuj
la tensin resultante total dado que sta ser funcin de las tres tensiones presentes,
resultando la tensin total (V T) adelantada a la corriente si X L > XC, atrasada si XC > XL y
estar en fase con la corriente si XC = XL.

Captulo 4
Componentes semiconductores
Un semiconductor es un componente que no es directamente un conductor de
corriente, pero tampoco es un aislante. En un conductor la corriente es debida al
movimiento de las cargas negativas (electrones). En los semiconductores se producen
corrientes producidas tanto por el movimiento de electrones como de las cargas
positivas (huecos). Los semiconductores son aquellos elementos pertenecientes al
grupo IV de la Tabla Peridica (Silicio, Germanio, etc.). Generalmente a estos se le
introducen tomos de otros elementos, denominados impurezas, de forma que la
corriente se deba primordialmente a los electrones o a los huecos, dependiendo de la
impureza introducida. Otra caracterstica que los diferencia se refiere a su resistividad,
estando sta comprendida entre la de los metales y la de los aislantes.

Los semiconductores son muy importantes en electrnica ya que gracias a ellos

contamos hoy con diversos componentes de gran utilidad en electrnica, tales como
diodos, transistores, tiristores, triac, etc.

El diodo:
El nacimiento del diodo surgi a partir de la necesidad de transformacin de
corrientes alternas en continua.
La corriente en un diodo presenta un sentido de circulacin de cargas positivas que
van desde el nodo al ctodo, no permitiendo la circulacin de la corriente en el sentido
opuesto, lo cual nos permite la conversin de corriente alterna a continua,
procedimiento conocido como rectificacin. Esto ocurre porque por el diodo solamente
podr circular corriente cuando el nodo sea ms positivo que el ctodo.
Estn compuestos por dos regiones de material semiconductor que se llama unin
P-N que es la base de todo componente electrnico de tipo activo. Entre las dos partes
de la unin P-N, y en la zona de contacto entre ambas, se produce una regin
denominada de transicin, donde se genera una pequea diferencia de potencial, dado
que se conforma una recombinacin de electrones, quedando la zona N a mayor
tensin que la zona P. Cuando se le aplica una tensin al diodo con el terminal positivo
conectado a la zona P y el negativo a la N se producir una circulacin de corriente
entre ambas debido a que una pequea parte de esta tensin nivelar la diferencia de
potencial entre zonas, llamada tensin umbral, quedando stas niveladas en tensin, y
el resto de la tensin aplicada producir una circulacin de electrones de la zona N a la
P.
Si esa tensin externa se aplica con los bornes intercambiados, es decir el terminal
positivo de la fuente conectado a la zona N y el negativo a la regin P, no habr
circulacin de corriente por el diodo, debido a que por efecto de la tensin aplicada se
aumentar la diferencia de potencial existente entre las zonas P y N, impidiendo as la
circulacin de corriente a travs del mismo.

Con la figura podemos tener una idea algo mas exacta de lo que sucede en el diodo
cuando le aplicamos una tensin, en cualquiera de los dos sentidos (polarizacin
directa e inversa).
El cuadrante superior derecho corresponde a la polarizacin directa, en el mismo
podemos apreciar que existe una tensin (V U) a partir de la cual el diodo comienza a
conducir, dicha tensin es la tensin umbral y vara segn sea el material
semiconductor empleado en la fabricacin del diodo, siendo de 0,7 V para el silicio y
0,3 V para el germanio.
El cuadrante inferior izquierdo corresponde a una polarizacin inversa. En ella se ve
que la corriente que lo atraviesa (conocida como corriente inversa) es prcticamente
nula. Note que los valores menores que cero en el eje de la corriente estn graduados
en uA.
Ntese tambin que para polarizacin inversa mayor a V R la corriente inversa crece
indefinidamente. Una tensin inversa de este valor o mayor a l daa al diodo en forma
irreversible y se la conoce como tensin de ruptura o zner.
Entre las diversas clases de diodos que se encuentran en el mercado, podemos citar
las siguientes: diodos rectificadores (en montaje individual o puente rectificador), diodos
de seal, diodos de conmutacin, diodos de alta frecuencia, diodos estabilizadores de
tensin, diodos especiales.

El zner:
Es el tipo de diodo ms utilizado para implementar sistemas electrnicos de
regulacin de C.C.

Un diodo de este tipo trabaja en la zona de ruptura vista anteriormente, llamndose

a dicha tensin, tensin Zner V Z. Obviamente que el proceso de fabricacin de stos
vara del empleado para los diodos comunes dada la necesidad de funcionamiento en
la zona de ruptura. Cuando a un zner se le aplica una tensin menor a V Z ste se
comporta como un diodo normal.
Una de las aplicaciones prcticas ms sencillas del zner es la de regulador de una
tensin continua, cuyo diagrama se muestra en la figura:

Donde: Ve = Tensin de entrada

Vs = Tensin de salida
Iz = Corriente en el zner
Is = Corriente de salida

9 a 12 V
7V
5 mA
20 a 50 mA

Con el uso de este circuito podemos asegurar una tensin mxima a la salida del
circuito, independientemente de las fluctuaciones originadas en la entrada del mismo.
Este circuito es muy sencillo de implementar, solamente tendremos que ver cul es
el valor de la resistencia Rlim que ser la resistencia limitadora que absorber la
diferencia de tensin que queremos "recortar" en la entrada.
Para el clculo de la misma hacemos:

Donde:V

= Tensin de entrada mnima

VS = Tensin de salida
Iz(min) = Corriente mnima que circula por el diodo (Dato obtenido de la hora de
datos del fabricante).
Is(mx) = Corriente mxima que atraviesa la carga
e(min)

Si, por ejemplo, nuestra fuente de entrada vara entre 9 y 12 V y queremos a la

salida una tensin de 7 V, entonces Rlim ser:
Rlim (9 - 7)/(0,005 + 0,050) = 2/0,055 = 36,36
El valor Iz(min) lo obtuvimos de la hoja de datos del zner.
Vemos que Rlim tiene que ser menor o igual a 36,36 ohms, pero existe en el
mercado dicho valor de resistencia? Como ya vimos en el captulo 1, cuando hablamos
de las resistencias, que no todos los valores de resistencias estn disponibles, slo
podremos encontrar ciertos valores para las resistencias. Pero en este caso no
habremos de preocuparnos dado que para R lim tenemos una cota de menor o igual a
36,36 , entonces bastar con elegir un valor prximo a ste pero sin pasarlo. De la
tabla de valores vemos que el que ms se aproxima es 33 , por lo tanto elegimos
ste.
Ya tenemos el valor ohmico de la resistencia, ahora nos falta ver qu potencia va a
disipar la resistencia, para ello multiplicamos la corriente que la atraviesa por la tensin
que cae en ella (Ve - Vs)
La corriente es: I = 2/33 = 60,60 mA
entonces P = 2 V x 60,60 mA = 0,12 W
Elegimos una Rlim cuya disipacin de potencia sea 1/2 W.

El L.E.D.:
Otro tipo de diodo, quiz el de mayor difusin, es el diodo emisor de luz, conocido
comnmente como LED (Light Emmitting Diode)
El funcionamiento de este tipo de diodo se basa en la polarizacin en sentido directo
de una unin P-N. Al hacer esto se origina una recombinacin de electrones y huecos,
lo que origina gran cantidad de energa, que en el caso de algunos semiconductores se
traduce en una radiacin luminosa.
Sus colores tpicos son: rojo, verde y mbar los que hacen al LED idneo para ser
utilizado en muchos tipos de indicadores. Adems su durabilidad y bajo consumo los
convierten en componentes casi imprescindibles a la hora de querer utilizar algn tipo
de indicador luminoso.

Transistores:
El transistor es un elemento semiconductor que tiene la propiedad de poder
gobernar a voluntad la intensidad de corriente que circula entre dos de sus tres
terminales (emisor y colector), mediante la circulacin de una pequea corriente
aplicada en el tercer terminal (colector).
Este efecto se conoce con el nombre de amplificacin de corriente, y nos permite
aplicarle en el emisor una corriente muy pequea con cualquier forma de variacin en
el tiempo, y obtener la misma corriente, con la misma variacin en el tiempo, pero de
mayor amplitud.
Se utilizan fundamentalmente en circuitos que realizan funciones de amplificacin,
control, proceso de datos, etc.
El funcionamiento interno se puede describir a partir de lo ya explicado para los
diodos, con la diferencia de que este ltimo posee dos uniones semiconductoras, esto
es: el transistor posee dos zonas semiconductoras, que pueden ser N o P, y entre
ambas una muy delgada del tipo P o N respectivamente.
Este conjunto formar dos uniones: una N-P, entre el emisor y la base, y la otra P-N
entre la base y el colector (si las dos zonas exteriores son del tipo N y la interior tipo P,

es decir un transistor NPN. Si las regiones exteriores son del tipo P y la interior del tipo
N el transistor ser del tipo PNP).

Si le aplicamos una tensin externa a la unin N-P, de forma que quede polarizada
en directa, se producir una circulacin de corriente entre ambas regiones. Aplicando
una segunda tensin externa a la otra unin, de modo que sta quede en inversa (el
terminal positivo de la fuente conectado al colector y el negativo a la base), la corriente
generada en la otra unin, ser atrada por la diferencia de potencial positiva aplicada
al colector, generando que prcticamente toda la corriente proveniente del emisor
llegue al colector, salvo una pequea cantidad de corriente que saldr por la base. Y es
justamente esta pequesima corriente de base la que nos permite gobernar la
corriente circulante desde el emisor al colector.
El sentido de circulacin de la corriente adoptado hasta ahora es el de circulacin de
los electrones, y como la convencin utilizada toma el sentido opuesto entonces en un
transistor del tipo NPN la corriente ser entrante por el colector y la base, y saliente por
el emisor.

En la figura c) tenemos una regla mnemotcnica para recordar la relacin entre las
corrientes que atraviesan al transistor.
Debido a que la corriente de emisor ser siempre un mltiplo de la de base
obtendremos los resultados deseados de amplificacin. Supongamos que dicha
corriente de colector (Ic) es 100 veces la corriente de emisor (I e), entonces si

Ib = 5 mA; Ie = 500 mA. Si ahora I b = 2 mA; Ie = 200 mA. Donde se puede apreciar que
una pequea variacin en la corriente de base (3 mA), produce una gran variacin en la
de emisor (300 mA). Dicho factor de amplificacin es denominado generalmente con la
letra griega (Beta).
Ya hemos hecho notar que existen transistores del tipo NPN y PNP segn sean los
dopados de las tres regiones, pero entre ambos tipos no existe ninguna diferencia en
cuanto a lo funcional, salvo que todos los sentidos de circulacin de las corrientes son
opuestos en uno y otro, por lo tanto, para polarizar un transistor PNP, de igual manera
que uno NPN, se debern utilizar tensiones opuestas en uno y otro.
Los transistores tienen una caracterstica muy interesante que es la capacidad que
tienen stos de entregar una intensidad de corriente constante a una resistencia,
independientemente del valor de sta, es decir que las variaciones de corriente
obtenidas por la accin de la base, producirn en la resistencia una variacin de la
tensin, la cual ser, segn la ley de Ohm: V = I x R. Entonces V depender del valor
de la corriente de base y de la resistencia en el colector, siendo V mayor cuando mayor
es R, estando fijado el lmite por el valor de la tensin externa aplicada al circuito.
Este efecto resulta en una "amplificacin de tensin", que es una de las
caractersticas mas importante de los transistores y el motivo por el cual son de uso
casi imprescindible en los montajes electrnicos. Esta amplificacin de tensin se
calcula como la relacin entre el voltaje en la resistencia de carga y la tensin aplicada
entre las junturas base-emisor.
Los transistores, segn sea la tecnologa de fabricacin, se clasifican en grandes
grupos con diferentes caractersticas: BIPOLARES, FET, MOSFET, UNI UNIN. Hasta el
momento nos hemos referido al primer grupo de ellos.
El estudio y anlisis de los transistores se realiza mediante el empleo de las "curvas
caractersticas" del mismo, con las cuales se puede caracterizar completamente el
comportamiento o funcionamiento elctrico del transistor, siendo sta expresada en
relaciones grficas de las corrientes I b, Ic e Ie, en funcin de las tensiones externas y
para las distintas configuraciones: Emisor Comn (EC), Base Comn (BC) y Colector
Comn (CC).

Las curvas describen el comportamiento de los transistores, pero como estos no se

comportan todos de igual manera, stas varan segn el tipo de transistor, y, si bien
difieren de un tipo a otro, son muy semejantes en la forma. Adems no se refieren a
uno en concreto, sino que son un promedio de un gran nmero de unidades. Estas
grficas son proporcionadas por el fabricante, y como el montaje ms comn es la de
emisor comn, y adems los fabricantes nos suministran las curvas basadas en este
tipo de configuracin, nos centraremos en el anlisis de las curvas referidas a este tipo
de montaje.
Tambin es importante conocer los valores mx, mn y tpico de las caractersticas
ms importantes, para poder emplear, en los clculos, el valor que resultare ms
desfavorable a fin de asegurarnos que el funcionamiento de cualquier unidad de la
muestra estar dentro de lo estipulado.
Las curvas caractersticas mas importantes son las caracterstica de entrada y la de
salida. En las de entrada, se expresan las grficas de la relacin entre la corriente de
base (Ib) y la tensin base-emisor (V be) para la tensin colector-emisor (V ce) constante.
A partir de ellas podemos calcular la corriente que circula por la base cuando se aplica
una tensin externa entre sta y el emisor.

Como el transistor en montaje en emisor comn tiene comportamiento similar al de

un diodo polarizado en directa, las curvas son de igual forma, es decir, que existe una
determinada tensin umbral por debajo de la cual la corriente es prcticamente nula.
Tambin de las caractersticas de entrada podemos deducir la resistencia de entrada
del transistor, que es la variacin de la tensin base-emisor (V be) con respecto a la
corriente de base (Ib).
En las curvas de salida se grafica la corriente de colector I c en funcin de la tensin
colector-emisor Vce cuando mantenemos constante Ib. Generalmente se dibuja una
familia de curvas para distintas I b. En esta grfica se observa que por encima de un
valor de tensin colector emisor Vce1 la corriente se mantiene prcticamente constante,
independientemente del valor de V ce. Por debajo de este valor sucede todo lo contrario,
Ib vara rpidamente con pequeas variaciones de V ce. Este valor de Vce1 es
aproximadamente 0,5 V. A esta zona de funcionamiento donde I c es casi constante, se
denomina regin activa y es en la que se desea que funcione el transistor cuando se lo
usa en amplificadores. En este caso Ic solamente depende de Ib.

En la grfica podemos observar una recta denominada Rs, que delimita una de las 3
posibles regiones de trabajo de los transistores.
El transistor trabajar en alguna de las 3 regiones dependiendo de las
polarizaciones que reciban cada una de las uniones P-N que lo componen. Las tres
regiones son:
Regin de saturacin: El transistor se comporta como un interruptor entre emisor y
colector.
Regin de corte: El transistor se comporta como un interruptor abierto entre emisor y
colector.
Regin lineal (o activa): Se comporta como un dispositivo amplificador de corriente
de entrada (corriente de base).
Algunos de los parmetros importantes de los transistores y que generalmente son
suministrados por el fabricante son:
Vce(sat)= Tensin mxima entre colector y emisor trabajando en saturacin.
Vceo= Tensin mxima entre colector y emisor.
Vcbo= Tensin mxima entre colector y base.
Vebo= Tensin mxima entre emisor y base.
Icmx= Corriente mxima de colector.
Icm mx= Corriente mxima de colector (valor pico)
Ibmx= Corriente mxima de base (valor pico)
Ptot= Potencia disipable total.

De la misma manera que en las caractersticas de entrada podemos deducir la

resistencia de entrada, en las caractersticas de salida podemos deducir la resistencia
de salida de la forma: Variacin de la tensin V ce con respecto a Ic. Otro factor que
podemos deducir es la ganancia de corriente del transistor ().
De las curvas se deduce, al ser casi horizontal, que la resistencia de salida ser muy
elevada.
Es conveniente fijar el punto de trabajo del transistor, dependiendo de la tarea que
queremos que ste realice en un circuito y utilizando las curvas antes vistas.
Para ello se ha de polarizar al transistor con algunos de los circuitos de polarizacin
que veremos a continuacin, pero antes de ello haremos referencia a la recta de carga
de un transistor. Para obtenerla deberemos volver a la familia de curvas de salida ya
vista. La recta de carga es til dado que nos muestra, en forma grfica, todos los
puntos de trabajo posibles del transistor para una polarizacin dada.

En la figura podemos ver la recta de carga superpuesta a la familia de curvas de

salida, en la que vemos varios puntos de inters, los que pasamos a explicar a
continuacin:
Para el clculo de la recta de carga consideraremos al transistor en dos de sus
estados: corte y saturacin.
En el estado de corte I c es prcticamente cero, entonces podemos concluir que V c =
Vce, la que en nuestro ejemplo es de 12 V. Entonces con I c 0 V y Vce 12 V obtenemos
el primer punto de la recta de carga, al que llamamos P 1 en la grfica.

En el estado de saturacin tenemos que V ce 0 V con lo que entonces podemos

calcular el valor de Ic que ser Ic = Vc / Rc que en nuestro ejemplo da 12 V / 2000 = 6
mA. Al punto Vce = 0, Ic = 6 mA lo llamamos P2 en la grfica.
Si unimos P1 y P2 obtendremos la recta de carga buscada.
Para obtener el punto de trabajo (Q) del transistor necesitamos saber I b, de esta
forma el punto Q es el punto de interseccin de la recta de carga con la curva
correspondiente al valor de la corriente que opera el transistor en ese instante (I b).
La recta de carga puede ser diferente con cada transistor y cada punto de
polarizacin.
Proyectando al punto Q sobre los ejes coordenados de la grfica obtendremos los
valores de Ic y Vce, denominados en el grfico como Ic1 y Vce1.
Comenzaremos ahora s con los circuitos para polarizar a los transistores.
La tarea de estos polarizadores no es otra que la de hacer que a las distintas patas
del transistor le lleguen diferentes tensiones, pero a partir de una nica fuente de
alimentacin, intentando, adems, hacer que el parmetro sea lo ms estable
posible, es decir, que no vare con los diversos factores externos que pueden llegar a
alterar al mismo.
En la figura podemos ver varias de las configuraciones para polarizar al transistor:

El primer diagrama (A) muestra una configuracin denominada polarizacin por

divisin de tensin. Las resistencias R 1 y R2 forman un divisor de tensin, lo cual le da
el nombre a la configuracin. Este tipo de polarizacin es uno de los ms idneos y el
mejor para trabajar en la zona activa del transistor.
En la parte B de la figura vemos otra forma de polarizador, denominada "polarizacin
de base". Ahora la corriente de base se obtiene a travs de R 1. Este tipo de
polarizacin se utiliza en circuitos que trabajan en conmutacin, no siendo aconsejable
su uso en transistores a los que se desea trabajen en la zona activa.

La polarizacin que se muestra en C es denominada "polarizacin por

realimentacin de emisor" y por medio de sta logramos una mayor estabilidad del
punto Q.
A la configuracin mostrada en D se la llama "polarizacin por realimentacin de
colector".

Aplicaciones ms usuales de los transistores:

Ya comentamos que al transistor se lo puede montar en emisor comn (EC), base
comn (BC) o colector comn (CC). Cada una de estas configuraciones posee ventajas
y desventajas una respecto de las otras, siendo la de emisor comn la mas recurrida a
la vez que es la de mejor respuesta en la mayor parte de las aplicaciones.
Cada configuracin obtiene diferentes coeficientes de ganancia en tensin (GV), as
como diferentes impedancias tanto de entrada como de salida.
A continuacin vemos un resumen de las principales caractersticas de cada uno de
los tres posibles montajes:
Montaje
E. C.
B. C.
C. C.

G. V.
Alta
Alta
<1

Desfasaje (V)
180
0
0

Ze
media
baja
alta

Zs
media
alta
baja

El montaje en Base Comn posee una mayor ganancia de tensin frente a los otros
dos. Tambin tiene baja impedancia de entrada, lo que lo hace bastante inadecuado
para operar en circuitos de baja frecuencia (B. F.).
Con un montaje en Colector Comn logramos una muy baja distorsin sobre la seal
de salida y, junto con el montaje en Base Comn, es bastante idneo a la hora de
disear adaptadores de impedancia.

Amplificacin:
Es la aplicacin prctica mas importante para la que se usan los transistores. El
diagrama muestra una etapa amplificadora en emisor comn:

El transistor ha sido polarizado por medio de polarizacin por divisin de tensin.

Como sabemos, un condensador en altas frecuencias se comporta como un
cortocircuito mientras que a bajas frecuencias la misma aumenta hasta comportarse
como un circuito abierto para C.C.
Vindolo desde este punto de vista conviene analizar al amplificador en dos etapas,
una desde el punto de vista de la C.A. y el otro desde el punto de vista de la C.C.
Con esta subdivisin podremos analizar al circuito mediante dos circuitos mas
sencillos, con lo cual, gracias a la teora de la superposicin, lo que ocurrir ser que la
respuesta total resultar de la suma de los datos obtenidos en los dos circuitos en que
descompusimos al original.
Comenzaremos el anlisis en el dominio de la C.C., para ello seguimos los
siguientes pasos:
1) Se cortocircuita el generador de entrada de alterna.
2) Se consideran los condensadores como circuitos abiertos.
3) Se analiza este circuito resultante.
Abriendo C1, C2 y C3 y cortocircuitando al generador de entrada en nuestro circuito
obtenemos el circuito resultante que vemos a continuacin:

Ahora, y con las referencias ya explicadas, se procede a la resolucin del circuito

resultante. Con estos datos obtenemos el punto de polarizacin (Q).
Para el anlisis en C.A. recurrimos a las siguientes reglas:
1) Se cortocircuita la fuente de tensin de C.C.
2) Se considera a los condensadores como circuitos cerrados (cortocircuitos).
3) Se estudia el circuito resultante.
En la figura vemos de que forma hemos procedido para obtener el circuito
resultante:

Los condensadores han desaparecido del circuito hacindose cortocircuitos, la

resistencia R4 desaparece por estar en paralelo con un cortocircuito, las resistencias R 1
y R3 estn ahora en paralelo, con lo cual obtenemos R a. Con las resistencias de salida
ocurre lo mismo, y obtenemos Rb.
Para terminar con nuestro anlisis debemos suponer que ahora aplicamos una seal
al circuito y veremos cmo vara el punto Q
En la figura vemos un ejemplo, donde se muestra el punto Q en ausencia de seal y
cmo vara con la aplicacin de una seal de entrada.

Se ve que la seal Ie no es una correspondencia directa de la aplicada en la base del

transistor dado la curvatura de la grfica de la caracterstica del transistor.
Es importante verificar bien el lugar de ubicacin del punto Q, dado que si queremos
que el transistor opere en la zona activa y polarizamos a ste en un punto Q cercano a
la zona de saturacin, corremos el riesgo de que cuando le aplicamos una seal de
entrada, Q se desplace hacia la zona de saturacin, dejando la zona activa. Para evitar
este problema conviene analizar siempre antes la variacin de Q en nuestro transistor y
verificar que no salga de la regin donde queremos que trabaje.
Otra familia de transistores muy importante es la de los de efecto de campo, de los
cuales es parte el FET. Los mismos realizan la funcin de control de la corriente
mediante una tensin aplicada en uno de sus terminales.
Estn construidos con una zona semiconductora tipo P o N que une los dos
terminales (Fuente y Drenador), a esta regin se la llama canal y sobre sta existe otra
con signo opuesto que se conecta a la puerta, entre ambas se forma una unin PN o
NP, segn sea su topologa. Este conjunto est montado sobre un semiconductor con
igual signo al de la puerta. Cuando se aplica una tensin entre Drenador y Fuente,
habr circulacin de corriente por el canal.
El control de dicha corriente se har con una tensin variable que es aplicada a la
puerta, ya que, al aplicar dicha tensin, las uniones P-N se polarizan en forma inversa,
haciendo que el canal se haga ms delgado y, por consiguiente, aumente la resistencia
de ste, generando as una variacin de la corriente circulante por l.

Como esta corriente de Puerta ser extremadamente dbil debido a que se trata de
una unin polarizada en inversa, ser posible variar la corriente que circula por el
transistor sin que sea necesario absorber corriente de l.
Tambin la familia de transistores MOS o MOSFET (Metal, Oxido, Semiconductor)
es parte de los transistores de efecto de campo.
Este tipo de transistor es fabricado partiendo de un semiconductor tipo P en el que
se difunden dos regiones tipo N que forman la fuente y el Drenador, y, encima de la
superficie de estos, se aplica una capa de dixido de silicio (SiO 2), que tiene la
propiedad de ser muy aislante, sobre la que est situada la Puerta. Entre Fuente y
Drenador tambin existir un canal similar al del tipo FET, cuya resistencia y anchura
ser controlada con la tensin de puerta.
En las curvas caractersticas de los transistores de efecto de campo se representa la
corriente de Drenador (ID) en funcin de la tensin aplicada entre Drenador y Fuente
(VDS). Como en el caso de la transferencia de los transistores bipolares, se traza una
curva para cada uno de los valores de V GS deseados. Tambin en estas curvas se
observan dos zonas; desde el origen la corriente crece con la tensin, pero alcanzado
cierto valor Vp, se hace constante y se forma a partir de all la segunda zona, a estas
dos zonas se las llama regin lineal a la primera y regin de saturacin a la ltima.
Este tipo de transistores pueden ser utilizados en los circuitos en una disposicin
similar a la de los bipolares, es decir: Fuente comn, Puerta comn y Drenador comn,
aunque la primera y la ltima son las ms utilizadas en la prctica.

Captulo 5
Smbolos de los elementos
En este captulo veremos los smbolos utilizados para los distintos elementos que
formarn parte de un circuito electrnico. Dada la aplicacin universal de estos
materiales, a los efectos de poder representar grficamente cualquier diseo
electrnico, de forma de que sea posible por las personas que deban trabajar con l, se
emplea un conjunto de smbolos normalizados que permitan su compresin.

Para comenzar veremos la forma de representacin de los cables y conexiones, lo

cual se puede apreciar en la figura 1.

figura 1
Para la representacin de las resistencias se emplean dos representaciones, como
se ve en la figura 2. Junto al smbolo se debe indicar el valor hmico y la disipacin de
potencia.

figura 2
Los condensadores tambin tienen dos representaciones diferentes, segn se trate
de tipos con polarizacin fija (electrolticos) o sin ella (cermicos, polister, etc.). En el
primer caso se indicar la polaridad en el smbolo. Adems se anotar, junto a ste, el
valor de la capacidad, as como la tensin mxima de trabajo.

figura 3
Para las inductancias la simbologa es la que se muestra en la figura 4, aqu tambin
el valor de su inductancia se coloca al lado del smbolo.

figura 4
Para los transformadores existen varias representaciones para el ncleo segn se
trate de hierro ferrita o aire. El primario se sita generalmente a la izquierda mientras
que los secundarios a la derecha. Figura 5.

figura 5
Los diodos parten de un smbolo bsico y aadiendo un cierto complemento grfico
se representan los diferentes modelos que existen de este componente (figura 6). Al
lado se puede escribir el tipo concreto de que se trata.

figura 6
Los transistores, como puede observarse en la figura 7, son representados con
diferentes smbolos segn las diferentes familias (bipolares, FET, MOSFET). En
cualquier caso, la flecha que siempre existe en uno de sus tres terminales indica el
sentido de circulacin de la corriente a travs del mismo, identificando as los tipos
NPN y PNP y FET o MOSFET de canal N o P. Al lado del smbolo se indicar el tipo de
transistor de que se trate.

figura 7
Los smbolos de los tiristores se aprecian en la figura 8, stos tienen dos smbolos
segn se traten de elementos con una puerta o dos.
El triac presenta una nica simbolizacin al ser un elemento no polarizado.

figura 8
Los interruptores y los conmutadores se pueden representar con los smbolos de la
figura 9:

figura 9
En el rel se destacar la posicin de reposo del mismo (Normal abierto o normal
cerrado).
Para representar la tierra o masa se utilizan diferentes smbolos, pero todos son
equivalentes entre s como se puede ver en la figura 10.

figura 10
Ahora veremos una serie de smbolos para diferentes componentes, los cuales no
son tan comunmente utilizados y poseen adems una nica forma de representarlos
por lo que no necesitamos hacer referencia a ellos, salvo en el caso de los osciladores
de cristal que se representan con dos smbolos, siendo ambos equivalentes.