Dispositivos Electrnicos

PRACTICA VI
FAMILIARIZACIN CON LOS TRANSISTORES Y
GANACIA DE CORRIENTE () EN UNA CONFIGURACIN
EMISOR COMN

OBJETIVOS
Familiarizar al lector con diversos tipos de transistores.
Medir los efectos producidos por la polarizacin en directa (normal)
y en inversa en la corriente emisor-base del circuito emisor-base.
Medir los efectos producidos por la polarizacin en directa y en
inversa en la corriente del colector en el circuito emisor-base.
Medir ICBO
Medir los efectos de la variacin de IB en el valor de IC
Determinar el valor de beta

PRE-REPORTE

Traer impresas las hojas del fabricante de los transistores utilizados

en la prctica.

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ANTECEDENTES TEORICOS
Transistor: dispositivo formado por tres elementos
EI inters cientfico de los semiconductores trajo consigo la invencin del transistor.
Una ventaja del transistor es su tamao y peso reducidos, lo cual permite la
miniaturizacin del equipo electrnico. El transistor opera con poco voltaje y su
consumo de electricidad es mnimo. No necesita un periodo de calentamiento y
funciona en cuanto se le suministra energa. Un transistor tiene menos conexiones de
circuito. Una de las desventajas de los transistores es su sensibilidad al calor, pero una
ventaja es que genera muy poco.
Existen diversos tipos de transistores. Se pueden clasificar de acuerdo como el tipo de
material bsico con que se construyen. En esta categora figuran los transistores de
germanio y silicio. La mayor parte de los transistores se hacen de silicio. Tambin se
clasifican de acuerdo con el proceso utilizado para su fabricacin. Existen diversos tipos
de transistores de unin: transistor de unin por crecimiento, de unin por aleacin, de
campo de arrastre, tipo meseta, epitaxial tipo meseta, planar y de contactos de punta. Se
pueden clasificar tambin segn su capacidad para disipar potencia; aqu se encuentra
una amplia gama, desde los de baja potencia (de menos de 50 mW) hasta los de alta
potencia (2 W y ms).
Los transistores tienen diversas formas y tamaos (figura 4-1). Existen variantes en
cuanto a la configuracin de su receptculo y a la manera de montar el transistor en el
circuito. Algunos se montan sobre un conector. Estos se adaptan a la forma de la base
fsica del transistor. Algunos transistores tienen conexiones flexibles que permiten
soldarlos directamente en el circuito.

Figura 4.1 Algunas formas del transistor.

Los transistores son una extensin del diodo de semiconductor. El transistor PNP
mostrado en la figura 4-2 es un ejemplo. Un transistor de unin construido con una capa
muy delgada de silicio tipo N entre dos capas "gruesas" de silicio tipo P. De las placas
metlicas individuales que estn en contacto con los respectivos cristales
semiconductores se toman tres conexiones. La oblea P de la izquierda se denomina
"emisor", la oblea N de en medio, "base" y la oblea P de la derecha, "colector". La base
tiene alrededor de 1 mil (0.001 pulg) de espesor.

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Figura 4.2 Transistor de unin pnp

Para efectos de polarizacin, este transistor se puede considerar como dos diodos. El
emisor-base es un diodo y el colector-base es el otro diodo. Cuando se utiliza como
amplificador, el transistor se polariza como se indica en la figura 4-3. El emisor-base se
polariza en sen-tido directo o en direccin de resistencia mnima con un VEE; el
conector-base se polariza en sentido inversa, o en direccin de resistencia mxima con
un Vcc

Figura 4.3 Polarizacin de un Transistor pnp

Los huecos son los portadores de corriente mayoritarios del diodo emisor-base y salen
del emisor tipo P. Solo una pequea cantidad de los huecos emitidos por el emisor se
combinan con los electrones libres de la base. Los dems (un 95%) atraviesan la
delgada capa de material, y son atrados por la terminal negativa de la batera en el colector. El circuito emisor-colector se completa en forma externa a travs de las dos
bateras, VEE y Vcc, conectadas en serie. El resistor, Rc, limita el valor mximo de la
corriente de colector. De acuerdo con esta descripcin del flujo de corriente en un
transistor, es evidente (figura 10-3) que el emisor es la fuente de los portadores de
corriente, que la corriente emisor-base es muy pequea y que la corriente en emisorcolector es alta.
Tambin se observa que los cambios que se producen en la polarizacin emisor-base
ocasionan cambios en la corriente del emisor. Es decir, un aumento de la polarizacin
en directa produce un aumento en la corriente de emisor y, por lo tanto, en la corriente
del colector. La corriente de base aumenta o disminuye muy poco con un aumento o
disminucin en la corriente del emisor. Por lo tanto, es evidente que es fcil controlar la
corriente del colector si se cambia la polarizacin de la parte emisor-base. Ahora los
trminos "emisor" y "colector" se pueden asociar con las funciones que desempean.
Tambin es posible fabricar un transistor de unin con una configuracin NPN (figura
4-4). Igual que en el caso anterior, la polarizacin del emisor-base debe realizarse en la
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direccin directa, en tanto que la del colector-base se hace en la direccin inversa. Dado
que en este caso se utiliza un cristal tipo N como emisor y colector y uno de tipo P
como base, hay que invertir las polaridades de la batera en relacin con la polaridad de
un transistor PNP. En el caso transistor NPN, los electrones son los portadores de
corriente mayoritarios. Para el transistor PNP estos portadores son huecos.

Figura 4.4 Polarizacin de un Transistor npn

La figura 4-5 es un diagrama simplificado en el que se muestra la direccin del flujo de

la corriente de electrones el circuito externo de un transistor PNP. Note que es una
corriente de electrones la que fluye en el circuito externo y f.ujo de huecos dentro del
cristal tipo P. La corriente designada como ICBO es una corriente de fuga muy pequea,
y por el momento no se analizara. La corriente que fluye por circuito del emisor es la
corriente "total" y es igual a la suma de las corrientes de base y colector.

Figura 4.5 Flujo de corriente de electrones por el circuito externo de un Transistor pnp

La figura 4-6 es un diagrama simplificado que muestra direccin del flujo de la

corriente de electrones en el circuito externo de un transistor NPN. Al compararlo con la
figura 10-5 se observa que la direccin del flujo de la corriente d circuito externo del
transistor NPN es opuesta a la del tipo PNP.

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Figura 4.6 Flujo de corriente de electrones por el circuito externo de un Transistor npn

ICBO y el embalamiento trmico

ICBO es la corriente de colector que fluye cuando la unin formada por colector-base esta
polarizada en direccin opuesta con la unin emisor-base en circuito abierto (no hay
VEE).
Esta corriente de fuga (ICBO) se debe a portadores minoritarios en el colector y la base.
El valor de ICBO est en el intervalo de unos microampers (pA), para el germanio y de
unos nanoampers (nA), en el caso del silicio y aumenta de valor al aumentar la
temperatura.
Un importante factor que afecta la operacin del transistor es la temperatura de
funcionamiento. Una temperatura mayor da una corriente mayor; a su vez, esto produce
ms calor y ms corriente. Si esta reaccin en cadena, conocida como embalamiento, no
se interrumpe, puede dar como resultado la destruccin completa del transistor debido al
calor excesivo. El intervalo normal de temperatura dentro del cual es posible operar un
transistor sin riesgos esta especificado por el fabricante. Los transistores de silicio
toleran mejor el calor que los de germanio, por lo que su intervalo de temperatura de
funcionamiento es mucho ms amplio que para los transistores de germanio.
Smbolos
Las figuras 4-7a) y b) muestran los smbolos que representan los transistores PNP y
NPN, donde el elemento que tiene una flecha es el emisor y su contraparte simtrica es
el colector. El transistor PNP se caracteriza por la flecha del emisor que apunta hacia la
base, en tanto que la flecha del emisor sale de la base para el transistor tipo NPN.
Observe que el flujo de la corriente de electrones dentro del transistor es opuesta a la
direccin de la flecha.

Figura 4.7 Smbolos esquemticos de a) transistor pnp y b) transistor npn

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Los transistores se clasifican de acuerdo con su capacidad para disipar potencia. Un
transistor utilizado como amplificador de audio de bajo nivel tendr una especificacin
de potencia baja, por decir, de 50 mW. Un transistor empleado como amplificador de
salida debe tener una especificacin de watts mayor. Las cubiertas de los transistores de
potencia estn diseadas especialmente para favorecer un enfriamiento rpido. Por
ejemplo, en algunos transistores de potencia se utilizan aletas radiales para disipar el
calor (figura 10-1). Otros tipos de transistores utilizan una envolvente metlica montada
en el chasis metlico del equipo en que se utiliza. En este transistor, el colector se
conecta con la cubierta del transistor y el chasis se encarga de disipar el calor. La
especificacin de potencia de este tipo de transistor es mayor cuando se monta en el
chasis metlico, como se describi, y una especificacin de potencia menor cuando no
se monta en dicho chasis. La siguiente es una lista de las abreviaturas utilizadas para
denotar los parmetros de un transistor:
VBB
ICB
VKJ
VCB

Voltaje alimentado a la base.

Corriente colector a base (para evitar confusiones se puede usar el
segundo sub-ndice).
Voltaje de circuito entre elementos, por ejemplo, entre K y J.
Voltaje entre colector y base.

Configuraciones de los circuitos de transistores

Un transistor formado por tres elementos se conecta en un circuito de tres maneras
distintas; 1) emisor aterrizado o emisor comn, 2) base aterrizada o base comn y 3)
colector comn o colector aterrizado. Los circuitos respectivos se muestran en la figura
4-8a), b) y c). Cada uno de estos circuitos tiene determinadas propiedades con las cuales
se familiarizar. El emisor aterrizado es la configuracin que se utiliza con mayor
frecuencia pues permite obtener ganancia en voltaje, corriente y potencia. En estos
circuitos se conecta en la entrada una seal de voltaje y en la salida se obtiene la seal
procesada. El trmino emisor comn se origina en el hecho de que el emisor comn. En
la configuracin del colector comn, ste se encuentra a un potencial de cd, Vcc,
necesario para obtener la polarizacin en inversa del circuito de colector. Suponiendo
que Vcc es una batera ideal sin resistencia interna, la impedancia del circuito de
colector es de 0. El colector funciona como referencia comn para la seal de entrada y
de salida. Dado que el colector es comn para la entrada y la salida, este circuito se
conoce como de colector comn o aterrizado.

Figura 4.8 Configuraciones de circuitos de transistores a) de emisor comn; b) de base comn; c)

colector comn

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Configuraciones de los circuitos de transistores
Alfa
En el caso del circuito de base comn, la corriente del colector se controla con
variaciones de la corriente del emisor. Esto se tiene en cuenta al evaluar una importante
caracterstica de control (alfa o ganancia de corriente) de un transmisor en una
configuracin de base comn. Alfa se define como el cociente de variacin de la
variacin en la corriente del colector, Ic (lase delta Ic) y la variacin en la corriente
del emisor, IE, con el voltaje del colector constante. As,

Alfa se conoce como cociente de transferencia de la corriente en sentido directo, y se

representa como hfb.
Beta
En la configuracin de emisor aterrizado (figura 4-9), la seal de entrada se conecta a la
base. La ganancia de corriente ahora representada por (la letra griega beta) y se define
como sigue:

La ecuacin anterior establece que es el cociente de la variacin en la corriente del

colector, Ic, producida por la variacin en la corriente de base, IB, con el voltaje del
colector VCE, en un valor constante. Es decir, es el factor de amplificacin de la
corriente de un amplificador de emisor aterrizado. Otro smbolo para es hfe.
Cuando VCE es constante, el cociente Ic /IB es igual a . Por lo tanto si VCE y VCB son
constantes, la ecuacin se convierte en

Es evidente que contiene se acerca a 1, es cada vez ms grande. As, un transmisor

cuya es 0.98 tiene una con valor de 49, mientras que una de 0.99 se asocia con
una de 99. Como una variacin tan ligera en en la regin del valor 1 produce un
cambio tan grande en , la medicin de debe ser muy precisa para evitar errores al
aplicar la frmula de .

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Figura 4.9 Corriente en un amplificador con emisor aterrizado

MATERIAL Y EQUIPO EMPLEADO

Cantidad
1
1
1
1
1
1
1
1
2

Descripcin
NI ELVIS II.
Transistor 2N3904
Transistor 2N3905
Resistencia de 100 Ohms, W.
Resistencia de 820 Ohms, W
Resistencia de 4.7 KOhms
Potencimetro 2.5 KOhms 2 W
Potencimetro 5 KOhms
Interruptores de un polo un tiro

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DESA RROLLO EXPERIMENTAL

1.- POLARIZACIN PNP.
1.1 Arme el circuito de la figura 4-10 con los interruptores S1, y S2 abiertos. La
configuracin de este circuito se llama amplificador de base comn. La corriente de
entrada (IE) se aplica en la conexin del emisor, y la corriente de salida (IC) se mide
en el circuito del colector. Configure R2 para el valor de resistencia mxima; con
ello se obtiene la polarizacin mnima en el emisor al aplicar la alimentacin
elctrica. R1 es un resistor limitador de corriente (o de polarizacin) en el circuito
del emisor. R3 es un resistor limitador en el circuito del colector. Conserve la
polaridad correcta de la batera y del medidor. Configure los medidores Ml y M2
para valores altos. Una vez conectada la alimentacin, disminuya el intervalo del
medidor hasta que sea adecuado para leer el valor de la corriente.

Figura 4.10 Medicin de corriente y voltaje en los circuitos de emisor y colector de un transistor
PNP

1.2 Cierre S1 y S2. Observe y mida la corriente presente en los circuitos del emisor y
colector. Haga sus mediciones de manera precisa para advertir cualquier diferencia
entre IE e IC. Anote los datos en la tabla 4-1. Mida el valor de los voltajes emisorbase (VEB), colector-base (vcb) y colector emisor (VCE) y antelos en la tabla 4-1.
Muestre la polaridad de cada voltaje.
1.3 Configure R2 para el valor de resistencia mnima, es decir, para obtener la
polarizacin de emisor mxima. Cambie los intervalos del medidor segn se
requiera. Observe y mida IE, IC, VEB, VCB y VCE. Anote los datos
obtenidos en la tabla 4-1. Indique la polaridad de cada voltaje.
1.4 Abra S1. Abra el circuito emisor-base abriendo S2.
1.5 Cierre S1. Observe y mida el valor de ICB. Anote los datos en la tabla 4.1 Este es
el valor de ICBO para las condiciones del circuito. Mida el valor de VCB y antelo
en la tabla 4.1. Indique la polaridad del voltaje.

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IE,

Paso mA
1.2

Ic
mA

VEB

VCB

IB.
VCE mA

VR1

1.3
1.5
2.2
2.3
2.5
Tabla 4.1 Caracterstica de un amplificador con transistor

POLARIZACIN NPN

2.1 Abra S1. Quite el transistor PNP del circuito y sustityalo por el transistor NPN,
invierta la polaridad de Vcc y de VEE, como en la figura 4-11.

Figura 4.11 Medicin de corriente y voltaje en los circuito de emisor y colector de un transistor
NPN

2.2 Cierre Sl. Configure R2 para el valor de resistencia mxima. Cierre S2. Observe y
mida el valor de IE y de IC. Anote los datos en la tabla 4-1. Mida los valores de
VEB, VCB y VCE y antelos en la tabla 4-1. Indique la polaridad.
2.3 Configure R2 para el valor de resistencia mnima. Cambie los intervalos del
medidor segn se requiera. Observe y mida IE, IC, VEB, VCB y VCE. Anote los resultados
en la tabla 4-1. Indique la polaridad del voltaje.
2.4 Abra S1. Abra el circuito emisor-base abriendo el interruptor S2.
2.5 Cierre S1. Observe y mida ICBO y VCB. Registre los datos en la tabla 4-1.

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3

MEDICION DE BETA

3.1 Arme el circuito de la figura 4-12, M1 y M3, son multmetros. El valor de R4 se fija
para que produzca una resistencia mxima, antes de conectar la alimentacin.

Figura 4.12 Medicin de corriente y voltaje en los circuito de emisor y colector de un transistor
NPN

3.2 Cierre S1 y S2. Ajuste el valor de R2 a la corriente de base 10 A (IB). Ajuste el

valor de R4 para VCE para VCE = 6V. Mida el valor de IC y antelo en la tabla 4-2.
3.3 Ajuste R2 para que IB = 30 A. Ajuste R4 para mantener VCE en 6 V, Mida y anote
el valor de IC.
3.4 Ajuste R2 para que IB = 40 A Ajuste R4 para mantener VCE en 6 V, Mida y anote
el valor de IC.
3.5 Vuelva a ajustar R2 y R4 para una IB de 50 A y un VCE de 6 V. Mida y anote el
valor de Ic.
3.6 Abra S1 y S2. Calcule con los valores medidos de la tabla 4-2; anote el valor.
Paso
2
3
4

IB, A
10
30
40

50

Ic, mA

Corriente delta1

Beta

Pasos 2 y 3
Pasos 2 y 4
Pasos 3 y 4
Pasos 2 y 5
Pasos 3 y 5
Pasos 4 y 5
Tabla 4.2 Medicin de la corriente

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ACTIVIDADES COMPLEMENTARIAS
1. Qu efecto produce en la corriente del colector un aumento en la
polarizacin del emisor?
2. Calcule la corriente de base (IB = IE -Ic) para cada conjunto de lecturas
en la tabla 4-1. Anote estos va lores en la tabla.
3. Compare y explique las diferencias entre los valores de IC e ICB0.
4. Compare y explique las diferencias en los valores de VCE obtenidos en
los pasos 2 y 3.
5. Calcule el voltaje presente en R3 (VR3 = Ic X R3) para cada conjunto de
lecturas en la tabla 4-1. Comente acerca de la relacin entre VR3 y VEB.
6. La ganancia de un amplificador se calcula dividiendo la corriente de

salida (IC en este experimento) entre la corriente de entrada (IE). Cul

es la ganancia en corriente del amplificador de base comn utilizado
en este experimento en condiciones normales de operacin?

7. Con base en el valor de determinado en el experimento, encuentre .

Muestre la frmula y su desarrollo.
8. Cul es la diferencia entre el valor de calculando en el paso 5 de la
parte 3 (cambio considerable en la entrada) y el valor de calculado
con los valores de los pasos 4 y 5 de la parte 3(cambio pequeo)?

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