Dispositivos Electrnicos

PRACTICA 1
FAMILIARIZACIN CON LOS TRANSISTORES Y GANACIA DE CORRIENTE () EN UNA CONFIGURACIN EMISOR COMN

OBJETIVOS Familiarizar al lector con diversos tipos de transistores. Medir los efectos producidos por la polarizacin en directa (normal) y en inversa en la corriente emisor-base del circuito emisor-base. Medir los efectos producidos por la polarizacin en directa y en inversa en la corriente del colector en el circuito emisor-base. Medir ICBO Medir los efectos de la variacin de IB en el valor de IC Determinar el valor de beta

PRE-REPORTE

Traer impresas las hojas del fabricante de los transistores utilizados en la prctica.
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ANTECEDENTES TEORICOS
Transistor: dispositivo formado por tres elementos EI inters cientfico de los semiconductores trajo consigo la invencin del transistor. Una ventaja del transistor es su tamao y peso reducidos, lo cual permite la miniaturizacin del equipo electrnico. El transistor opera con poco voltaje y su consumo de electricidad es mnimo. No necesita un periodo de calentamiento y funciona en cuanto se le suministra energa. Una de las desventajas de los transistores es su sensibilidad al calor, pero una ventaja es que genera muy poco. Existen diversos tipos de transistores. Se pueden clasificar de acuerdo como el tipo de material bsico con que se construyen. En esta categora figuran los transistores de germanio y silicio. La mayor parte de los transistores se hacen de silicio. Tambin se clasifican de acuerdo con el proceso utilizado para su fabricacin. Existen diversos tipos de transistores de unin: transistor de unin por crecimiento, de unin por aleacin, de campo de arrastre, tipo meseta, epitaxial tipo meseta, planar y de contactos de punta. Se pueden clasificar tambin segn su capacidad para disipar potencia; aqu se encuentra una amplia gama, desde los de baja potencia (de menos de 50 mW) hasta los de alta potencia (2 W y ms). Los transistores tienen diversas formas y tamaos (figura 4-1). Existen variantes en cuanto a la configuracin de su receptculo y a la manera de montar el transistor en el circuito. Algunos se montan sobre un conector. Estos se adaptan a la forma de la base fsica del transistor. Algunos transistores tienen conexiones flexibles que permiten soldarlos directamente en el circuito.

Figura 4.1 Algunas formas del transistor.

Los transistores son una extensin del diodo de semiconductor. El transistor PNP mostrado en la figura 4-2 es un ejemplo. Un transistor de unin construido con una capa muy delgada de silicio tipo N entre dos capas "gruesas" de silicio tipo P. De las placas metlicas individuales que estn en contacto con los respectivos cristales semiconductores se toman tres conexiones. La oblea P de la izquierda se denomina "emisor", la oblea N de en medio, "base" y la oblea P de la derecha, "colector". La base tiene alrededor de 1 mil (0.001 pulg) de espesor.

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Figura 4.2 Transistor de unin pnp

Para efectos de polarizacin, este transistor se puede considerar como dos diodos. El emisor-base es un diodo y el colector-base es el otro diodo. Cuando se utiliza como amplificador, el transistor se polariza como se indica en la figura 4-3. El emisor-base se polariza en sentido directo o en direccin de resistencia mnima con un VEE; el colectorbase se polariza en sentido inversa, o en direccin de resistencia mxima con un Vcc

Figura 4.3 Polarizacin de un Transistor pnp

Los huecos son los portadores de corriente mayoritarios del diodo emisor-base y salen del emisor tipo P. Solo una pequea cantidad de los huecos emitidos por el emisor se combinan con los electrones libres de la base. Los dems (un 95%) atraviesan la delgada capa de material, y son atrados por la terminal negativa de la batera en el colector. El circuito emisor-colector se completa en forma externa a travs de las dos bateras, VEE y Vcc, conectadas en serie. El resistor, Rc, limita el valor mximo de la corriente de colector. De acuerdo con esta descripcin del flujo de corriente en un transistor, el emisor es la fuente de los portadores de corriente, que la corriente emisorbase es muy pequea y que la corriente en emisor-colector es alta. Tambin se observa que los cambios que se producen en la polarizacin emisor-base ocasionan cambios en la corriente del emisor. Es decir, un aumento de la polarizacin en directa produce un aumento en la corriente de emisor y, por lo tanto, en la corriente del colector. La corriente de base aumenta o disminuye muy poco con un aumento o disminucin en la corriente del emisor. Por lo tanto, es evidente que es fcil controlar la corriente del colector si se cambia la polarizacin de la parte emisor-base. Ahora los trminos "emisor" y "colector" se pueden asociar con las funciones que desempean. Tambin es posible fabricar un transistor de unin con una configuracin NPN (figura 4-4). Igual que en el caso anterior, la polarizacin del emisor-base debe realizarse en la direccin directa, en tanto que la del colector-base se hace en la direccin inversa. Dado que en este caso se utiliza un cristal tipo N como emisor y colector y uno de tipo P Universidad la Salle Noroeste, A.C. Pgina 3

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como base, hay que invertir las polaridades de la batera en relacin con la polaridad de un transistor PNP. En el caso transistor NPN, los electrones son los portadores de corriente mayoritarios. Para el transistor PNP estos portadores son huecos.

Figura 4.4 Polarizacin de un Transistor npn

La figura 4-5 es un diagrama simplificado en el que se muestra la direccin del flujo de la corriente de electrones el circuito externo de un transistor PNP. Note que es una corriente de electrones la que fluye en el circuito externo y f.ujo de huecos dentro del cristal tipo P. La corriente designada como ICBO es una corriente de fuga muy pequea, y por el momento no se analizara. La corriente que fluye por circuito del emisor es la corriente "total" y es igual a la suma de las corrientes de base y colector.

Figura 4.5 Flujo de corriente de electrones por el circuito externo de un Transistor pnp

La figura 4-6 es un diagrama simplificado que muestra direccin del flujo de la corriente de electrones en el circuito externo de un transistor NPN. Al compararlo con la figura 4-5 se observa que la direccin del flujo de la corriente del circuito externo del transistor NPN es opuesta a la del tipo PNP.

Figura 4.6 Flujo de corriente de electrones por el circuito externo de un Transistor npn

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ICBO y el embalamiento trmico ICBO es la corriente de colector que fluye cuando la unin formada por colector-base esta polarizada en direccin opuesta con la unin emisor-base en circuito abierto (no hay VEE). Esta corriente de fuga (ICBO) se debe a portadores minoritarios en el colector y la base. El valor de ICBO est en el intervalo de unos picoampers (pA), para el germanio y de unos nanoampers (nA), en el caso del silicio y aumenta de valor al aumentar la temperatura. Un importante factor que afecta la operacin del transistor es la temperatura de funcionamiento. Una temperatura mayor da una corriente mayor; a su vez, esto produce ms calor y ms corriente. Si esta reaccin en cadena, conocida como embalamiento, no se interrumpe, puede dar como resultado la destruccin completa del transistor debido al calor excesivo. El intervalo normal de temperatura dentro del cual es posible operar un transistor sin riesgos esta especificado por el fabricante. Los transistores de silicio toleran mejor el calor que los de germanio, por lo que su intervalo de temperatura de funcionamiento es mucho ms amplio que para los transistores de germanio. Smbolos Las figuras 4-7a) y b) muestran los smbolos que representan los transistores PNP y NPN, donde el elemento que tiene una flecha es el emisor y su contraparte simtrica es el colector. El transistor PNP se caracteriza por la flecha del emisor que apunta hacia la base, en tanto que la flecha del emisor sale de la base para el transistor tipo NPN. Observe que el flujo de la corriente de electrones dentro del transistor es opuesto a la direccin de la flecha.

Figura 4.7 Smbolos esquemticos de a) transistor pnp y b) transistor npn

Los transistores se clasifican de acuerdo con su capacidad para disipar potencia. Un transistor utilizado como amplificador de audio de bajo nivel tendr una especificacin de potencia baja, por decir, de 50 mW. Un transistor empleado como amplificador de salida debe tener una especificacin de watts mayor. Las cubiertas de los transistores de potencia estn diseadas especialmente para favorecer un enfriamiento rpido. Por ejemplo, en algunos transistores de potencia se utilizan aletas radiales para disipar el calor (figura 4-1). Otros tipos de transistores utilizan una envolvente metlica montada en el chasis metlico del equipo en que se utiliza. En este transistor, el colector se conecta con la cubierta del transistor y el chasis se encarga de disipar el calor. La especificacin de potencia de este tipo de transistor es mayor cuando se monta en el chasis metlico, como se describi, y una especificacin de potencia menor cuando no

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se monta en dicho chasis. La siguiente es una lista de las abreviaturas utilizadas para denotar los parmetros de un transistor: VBB ICB VKJ VCB Voltaje alimentado a la base. Corriente colector a base (para evitar confusiones se puede usar el segundo sub-ndice). Voltaje de circuito entre elementos, por ejemplo, entre K y J. Voltaje entre colector y base.

Configuraciones de los circuitos de transistores Un transistor formado por tres elementos se conecta en un circuito de tres maneras distintas; 1) emisor aterrizado o emisor comn, 2) base aterrizada o base comn y 3) colector comn o colector aterrizado. Los circuitos respectivos se muestran en la figura 4-8a), b) y c). Cada uno de estos circuitos tiene determinadas propiedades con las cuales se familiarizar. El emisor aterrizado es la configuracin que se utiliza con mayor frecuencia pues permite obtener ganancia en voltaje, corriente y potencia. En estos circuitos se conecta en la entrada una seal de voltaje y en la salida se obtiene la seal procesada. El trmino emisor comn se origina en el hecho de que el emisor es comn tanto para la seal de entrada como para la salida. En la configuracin del colector comn, ste se encuentra a un potencial de cd, Vcc, necesario para obtener la polarizacin en inversa del circuito de colector. Suponiendo que Vcc es una batera ideal sin resistencia interna, la impedancia del circuito de colector es de 0. El colector funciona como referencia comn para la seal de entrada y de salida. Dado que el colector es comn para la entrada y la salida, este circuito se conoce como de colector comn o aterrizado. La configuracin base comn se origina del hecho que la base es comn tanto para la seal de entrada como para la salida.

Figura 4.8 Configuraciones de circuitos de transistores a) de emisor comn; b) de base comn; c) colector comn

Configuraciones de los circuitos de transistores Alfa En el caso del circuito de base comn, la corriente del colector se controla con variaciones de la corriente del emisor. Esto se tiene en cuenta al evaluar una importante caracterstica de control (alfa o ganancia de corriente) de un transmisor en una configuracin de base comn. Alfa se define como el cociente de variacin de la corriente del colector, Ic (lase delta Ic) y la variacin en la corriente del emisor, IE, con el voltaje del colector base constante. As, Universidad la Salle Noroeste, A.C. Pgina 6

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Alfa se conoce como cociente de transferencia de la corriente en sentido directo, y se representa como hfb. Beta En la configuracin de emisor aterrizado (figura 4-9), la seal de entrada se conecta a la base. La ganancia de corriente ahora representada por (la letra griega beta) y se define como sigue:

La ecuacin anterior establece que es el cociente de la variacin en la corriente del colector, Ic, producida por la variacin en la corriente de base, IB, con el voltaje del colector VCE, en un valor constante. Es decir, es el factor de amplificacin de la corriente de un amplificador de emisor aterrizado. Otro smbolo para es hfe. Cuando VCE es constante, el cociente Ic /IB es igual a . Por lo tanto si VCE y VCB son constantes, la ecuacin se convierte en

Es evidente que conforme se acerca a 1, es cada vez ms grande. As, un transmisor cuya es 0.98 tiene una con valor de 49, mientras que una de 0.99 se asocia con una de 99. Como una variacin tan ligera en en la regin del valor 1 produce un cambio tan grande en , la medicin de debe ser muy precisa para evitar errores al aplicar la frmula de .

Figura 4.9 Corriente en un amplificador con emisor aterrizado

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MATERIAL Y EQUIPO EMPLEADO

Cantidad 1 1 1 1 1 1 1 1 2 Descripcin NI ELVIS II Transistor 2N3904 o equivalente Transistor 2N3905 o equicalente Resistencia de 100 Ohms, W. Resistencia de 820 Ohms, W Resistencia de 4.7 KOhms Potencimetro 2.5 KOhms 2 W Potencimetro 5 KOhms Interruptores de un polo un tiro

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DESA RROLLO EXPERIMENTAL

1.- POLARIZACIN PNP.
1.1 Arme el circuito de la figura 4-10 con los interruptores S1, y S2 abiertos. La configuracin de este circuito se llama amplificador de base comn. La corriente de entrada (IE) se aplica en la conexin del emisor, y la corriente de salida (IC) se mide en el circuito del colector. Configure R2 para el valor de resistencia mxima; con ello se obtiene la polarizacin mnima en el emisor al aplicar la alimentacin elctrica. R1 es un resistor limitador de corriente (o de polarizacin) en el circuito del emisor. R3 es un resistor limitador en el circuito del colector. Conserve la polaridad correcta de la batera y del medidor. Configure los medidores Ml y M2 para valores altos. Una vez conectada la alimentacin, disminuya el intervalo del medidor hasta que sea adecuado para leer el valor de la corriente.

Figura 4.10 Medicin de corriente y voltaje en los circuitos de emisor y colector de un transistor PNP

1.2 Cierre S1 y S2. Observe y mida la corriente presente en los circuitos del emisor y colector. Haga sus mediciones de manera precisa para advertir cualquier diferencia entre IE e IC. Anote los datos en la tabla 4-1. Mida el valor de los voltajes emisorbase (VEB), colector-base (vcb) y colector emisor (VCE) y antelos en la tabla 4-1. Muestre la polaridad de cada voltaje. 1.3 Configure R2 para el valor de resistencia mnima, es decir, para obtener la polarizacin de emisor mxima. Cambie los intervalos del medidor segn se requiera. Observe y mida IE, IC, VEB, VCB y VCE. Anote los datos obtenidos en la tabla 4-1. Indique la polaridad de cada voltaje. 1.4 Abra S1. Abra el circuito emisor-base abriendo S2. 1.5 Cierre S1. Observe y mida el valor de ICB. Anote los datos en la tabla 4.1 Este es el valor de ICBO para las condiciones del circuito. Mida el valor de VCB y antelo en la tabla 4.1. Indique la polaridad del voltaje.

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IE,

Paso mA 1.2 1.3 1.5 2.2 2.3 2.5

Ic mA

VEB

VCB

VCE

IB

VR1

Tabla 4.1 Caracterstica de un amplificador con transistor

POLARIZACIN NPN

2.1 Abra S1. Quite el transistor PNP del circuito y sustityalo por el transistor NPN, invierta la polaridad de Vcc y de VEE, como en la figura 4-11.

Figura 4.11 Medicin de corriente y voltaje en los circuito de emisor y colector de un transistor NPN

2.2 Cierre Sl. Configure R2 para el valor de resistencia mxima. Cierre S2. Observe y mida el valor de IE y de IC. Anote los datos en la tabla 4-1. Mida los valores de VEB, VCB y VCE y antelos en la tabla 4-1. Indique la polaridad. 2.3 Configure R2 para el valor de resistencia mnima. Cambie los intervalos del medidor segn se requiera. Observe y mida IE, IC, VEB, VCB y VCE. Anote los resultados en la tabla 4-1. Indique la polaridad del voltaje. 2.4 Abra S1. Abra el circuito emisor-base abriendo el interruptor S2. 2.5 Cierre S1. Observe y mida ICBO y VCB. Registre los datos en la tabla 4-1.

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3 MEDICION DE BETA

3.1 Arme el circuito de la figura 4-12, M1 y M3, son multmetros. El valor de R4 se fija para que produzca una resistencia mxima, antes de conectar la alimentacin.

Figura 4.12 Medicin de corriente y voltaje en los circuito de emisor y colector de un transistor NPN

3.2 Cierre S1 y S2. Ajuste el valor de R2 a la corriente de base 10 A (IB). Ajuste el valor de R4 para VCE para VCE = 6V. Mida el valor de IC y antelo en la tabla 4-2. 3.3 Ajuste R2 para que IB = 30 A. Ajuste R4 para mantener VCE en 6 V, Mida y anote el valor de IC. 3.4 Ajuste R2 para que IB = 40 A Ajuste R4 para mantener VCE en 6 V, Mida y anote el valor de IC. 3.5 Vuelva a ajustar R2 y R4 para una IB de 50 A y un VCE de 6 V. Mida y anote el valor de Ic. 3.6 Abra S1 y S2. Calcule con los valores medidos de la tabla 4-2; anote el valor. Paso 3.2 3.3 3.4 10 30 40
Tabla 4.2 Medicin de la corriente

IB (A)

Ic (mA)

Beta

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ACTIVIDADES COMPLEMENTARIAS
1. Qu efecto produce en la corriente del colector un aumento en la polarizacin del emisor? (configuracin base comn) 2. Calcule la corriente de base (IB = IE -Ic) para cada conjunto de lecturas en la tabla 4-1. Anote estos va lores en la tabla. 3. Compare y explique las diferencias entre los valores de IC e ICB0. 4. Compare y explique las diferencias en los valores de VCE obtenidos en los pasos 1.2 y 1.3. 5. Calcule el voltaje presente en R3 (VR3 = Ic X R3) para cada conjunto de lecturas en la tabla 4-1. Comente acerca de la relacin entre VR3 y VEB.
6. La ganancia de un amplificador se calcula dividiendo la corriente de

salida (IC en este experimento) entre la corriente de entrada (IE). Cul es la ganancia en corriente del amplificador de base comn utilizado en este experimento en condiciones normales de operacin?

7. Con base en el valor de determinado en el experimento, encuentre . Muestre la frmula y su desarrollo.

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