Transistor de efecto de campo

Caractersticas
1. Su operacin depende del flujo de portadores mayoritarios
solamente.
2. Es ms sencillo de fabricar y ocupa menos espacio en forma
integrada.
3. Exhibe una gran resistencia de entrada, tpicamente de
muchos megaOhms.
4. Es menos ruidosa que el transistor bipolar.
5. No exhibe voltaje offset a corriente de drenaje cero, y por
tanto lo hace un excelente recortador de seales.

Construccin
El FET consiste de una regin de tipo n la cual tiene es su parte media dos
regiones de tipo p. Una terminal de la regin n se llama Fuente (Sourse) y la
opuesta Drenaje (Drain). Las regiones tipo p estn conectadas. La terminar de
las regiones p se llama Compuerta (Gate).
Drenaje (D)
Contactos hmicos
Canal-n

Compuerta (G)
Regin de
agotamiento

Fuente (S)

VGS = 0 y VDS > 0

D

ID

Regin de
agotamiento

+
VDS

G
p

VDD

IS

Potencial dentro de FET

Nivel de saturacin
Voltaje de estrechamiento VP (pinch-off)
Para VDS>VP en FET tiene caractersticas de
fuente de corriente con ID = IDSS.

VGS < 0
El nivel de VGS que da como
resultado ID = 0 mA se
encuentra definido por VGS =
VP siendo VP un valor
negativo para los
dispositivos de canal-n y un
voltaje positivo para los
FET de canal-p.

Caractersticas de FET de canal-n

Dispositivos de canal-p
Los voltajes de las fuentes
se invierten para el FET de
canal-p.
Las corrientes se definen
sentido contrario.

Caractersticas del FET canal-p

La corriente en la regin de ruptura est limitada solo por el
circuito externo.

Smbolos
FET canal-n

FET canal-p

Resumen

Caractersticas de transferencia
La relacin entre ID y VGS est definida por la ecuacin de
Shockley.

VGS
I D I DSS 1
VP

Las caractersticas de transferencia definidas por esta ecuacin no

se ven afectadas por la red en la cual se utiliza el dispositivo.

La grfica muestra que existe una relacin parablica entre ID

y VGS.

Aplicaciones de la ecuacin de
Shockley

V
I D I DSS 1 GS
VP

Para las curvas anteriores podemos obtener:

I D I DSS |VGS 0V

Con VGS = VP
ID = 0
Con VGS = 1 V

1
I D I DSS 1

8mA 1
4

4.5mA

La relacin inversa de la ecuacin de Shockley se obtiene con

facilidad

VGS

ID
VP 1
I Dss

Para ID = 4.5 mA, IDSS = 8 mA y VP = 4 V, se obtiene

VGS

4.5
1V
4 1
8

Mtodo manual rpido

Tomando VGS = VP/2 se obtiene un valor para ID = IDSS/4
Con ID = IDSS / 2 se obtiene un valor para VGS = VP ( 0.293)
Ms los puntos VGS = 0, ID = IDSS, y VGS = VP , ID = 0.

Hojas de especificacin