Tema 7.

Metales
Empaquetamientos de esferas
Empaquetamientos compactos
Estructura de metales
Aleaciones

El enlace metlico
Teora de bandas
Conductividad elctrica
Semiconductividad

http://www.chem.ox.ac.uk/icl/heyes/structure_of_solids/Strucsol.html
http://www.univ-lemans.fr:80/enseignements/chimie/01/theme0.html
http://chemed.chem.purdue.edu/genchem/topicreview/bp/ch13/structure.html
http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbase/solids/metal.html
http://ece-www.colorado.edu/~bart/book/contents.htm
Juan M. Gutirrez-Zorrilla. Qumica Inorgnica. 2005

Empaquetamientos en 2D
En 1926 Goldschmidt propuso que los tomos podan
ser considerados como esferas rgidas (de igual
tamao para el caso de metales) cuando se
empaquetan para formar slidos.

El modo ms eficiente de empaquetar esferas en

dos dimensiones es una capa con un
empaquetamiento hexagonal compacto.

CUADRADO
N.C. = 4

HEXAGONAL
COMPACTO
N.C. = 6

Juan
M. G-Zorrilla
Juan M. Gutirrez-Zorrilla. Qumica
Inorgnica.
2005

Empaquetamientos compactos en 3D

La estructura de muchos metales se puede

describir empleando el concepto de
empaquetamiento compacto.
El modo ms eficiente de empaquetar esferas
en tres dimensiones es apilando capas
hexagonales compactas para dar lugar a una
estructura tridimensional compacta.

Capa A

Cada esfera de
la
capa
B
descansar
sobre 3 de la
capa A, que
delimitan una
posicin P o R

Capa B

Juan
M. G-Zorrilla
Juan M. Gutirrez-Zorrilla. Qumica
Inorgnica.
2005

Empaquetamientos compactos en 3D (2)

La adicin de una tercera capa sobre las dos anteriores puede hacerse de
dos maneras diferentes y es lo que determina que la estructura resultante
sea hexagonal compacta (HCP) o cbica compacta (CCP).

HCP: AB AB AB AB

CCP: ABC ABC ABC

A

B
C
A

Juan
M. G-Zorrilla
Juan M. Gutirrez-Zorrilla. Qumica
Inorgnica.
2005

Empaquetamiento hexagonal compacto (HCP)

Se obtiene un empaquetamiento hexagonal

compacto cuando la proyeccin de la tercera capa
que se aade coincide con la primera capa, dando
lugar a una secuencia ABABAB
Celda unidad
Hexagonal: a = b, c = 1.63a, = = 90 = 120
Z = 2, (0, 0, 0) (2/3, 1/3, 1/2)
N. C. = 12

B
A
Juan
M. G-Zorrilla
Juan M. Gutirrez-Zorrilla. Qumica
Inorgnica.
2005

Empaquetamiento cbico compacto (CCP)

Se obtiene un empaquetamiento cbico compacto

cuando la proyeccin de la tercera capa que se
aade no coincide con ninguna de las anteriores,
dando lugar a la secuencia ABCABCABC
Celda unidad:
Cbica (FCC): a = b = c, = = = 90
Z = 4, (0, 0, 0) (0, 1/2, 1/2) (1/2, 0, 1/2) (1/2, 1/2, 0)
N. C. = 12

C
B
A
Juan
M. G-Zorrilla
Juan M. Gutirrez-Zorrilla. Qumica
Inorgnica.
2005

Empaquetamientos no compactos:
Estructura cbica simple (SC)

Se obtiene una estructura cbica simple apilando

capas con empaquetamiento cuadrado de esferas
segn la secuencia AAA.
Celda unidad:
Cbica (P): a = b = c, = = = 90
Z = 1, (0, 0, 0)
N. C. = 6

Juan
M. G-Zorrilla
Juan M. Gutirrez-Zorrilla. Qumica
Inorgnica.
2005

Empaquetamientos no compactos:
Estructura cbica centrada en el cuerpo (BCC)

Se obtiene una estructura cbica centrada en el cuerpo

apilando capas con empaquetamiento cuadrado de
esferas segn la secuencia ABAB.
Celda unidad:

1/

Cbica (I): a = b = c, = = = 90
Z = 2, (0, 0, 0) (1/2, 1/2, 1/2)
N. C. = 8
Capa A

B
A
CapaJuan
B M. Gutirrez-Zorrilla. Qumica
Juan
M. G-Zorrilla
Inorgnica.
2005

Estructuras de los metales

CCP

SCP

HCP

TETR

BCC
R

Juan
M. G-Zorrilla
Juan M. Gutirrez-Zorrilla. Qumica
Inorgnica.
2005

Posiciones intersticiales
Octadrica

Tetradrica

N huecos octadricos

2 N huecos tetradricos: N(T+) y N (T-)

Dimensiones: 0.414 r

Dimensiones: 0.225 r
Juan
M. G-Zorrilla
Juan M. Gutirrez-Zorrilla. Qumica
Inorgnica.
2005

Posiciones intersticiales (localizacin)

Juan
M. G-Zorrilla
Juan M. Gutirrez-Zorrilla. Qumica
Inorgnica.
2005

Empaquetamiento
SCP

BCC

SCP
Eficacia de
empaquetamiento(%)

BCC

HCP

HCP

CCP

CCP

52

68

74

74

Nmero de coordinacin

12

12

Contenido de la celda (Z)

Huecos

N cbicos

N octadricos
+
2N tetradricos
Juan
M. G-Zorrilla
Juan M. Gutirrez-Zorrilla. Qumica
Inorgnica.
2005

Aleaciones
Aleacin:
Es un material compuesto por ms de un elemento que presenta propiedades
tpicas de metales.
Es la fase slida que se obtiene al enfriar una mezcla lquida de dos o ms
componentes.

Clasificacin:
Disoluciones slidas: son mezclas homogneas en las que los componentes
estn uniformemente dispersos (los tomos del soluto se distribuyen al azar entre
los tomos del disolvente).
Disoluciones slidas de sustitucin: los tomos del soluto ocupan posiciones del
disolvente.
Disoluciones slidas intersticiales: los tomos de soluto ocupan posiciones intersticiales
de la red.

Compuestos intermetlicos: son aleaciones homogneas que tienen

propiedades y composicin definida [Ej.: latn-(CuZn), duralumino (CuAl2), Ni3Al,
Cr3Pt]
Aleaciones heterogneas: son aleaciones en las que los componentes no estn
uniformemente dispersos. Las propiedades de estas aleaciones dependen no slo
de la composicin sino de la manera en que se ha formado el slido.

Juan
M. G-Zorrilla
Juan M. Gutirrez-Zorrilla. Qumica
Inorgnica.
2005

Disoluciones slidas
Aleaciones slidas de sustitucin
Se forma si se cumplen las condiciones:
1. Los tomos de los elementos no se diferencian en ms de un 15%.
2. Las estructuras cristalinas de los dos metales puros son las mismas.
3. El carcter electropositivo de los componentes es semejante.

Ejemplos: Au-Cu; Au-Cu; Ni-Cu; K-Rb; Mo-W; Ni-Pd

Aleaciones slidas intersticiales

Para que se forme una disolucin slida intersticial, el
componente presente en las posiciones intersticiales debe
tener un radio mucho menor que los tomos de disolvente.
El alojamiento de tomos de H, B, C o N requiere que el radio
del anfitrin no sea inferior a 90, 195, 188 180 pm,
respectivamente.
http://www.artmetal.com/project/TOC/material/METL_COMP.HTM

Listas de aleaciones
ms comunes
Juan
M. G-Zorrilla
Juan M. Gutirrez-Zorrilla. Qumica
Inorgnica.
2005

Compuestos intermetlicos
duraluminio
CuAl2

latn
-CuZn

cementita CFe3
Ni3Al Ni3Mn,
Pt3Fe, Au3Cd

Juan
M. G-Zorrilla
Juan M. Gutirrez-Zorrilla. Qumica
Inorgnica.
2005

Propiedades de los metales

Los metales muestran un amplio margen en sus propiedades fsicas. La
mayora de ellos son de color grisceo, pero algunos presentan colores
distintos; el bismuto (Bi) es rosceo, el cobre (Cu) rojizo y el oro (Au) amarillo.
En otros metales aparece ms de un color, y este fenmeno se denomina
pleocroismo.
Otras propiedades seran:
densidad: relacin entre la masa del volumen de un cuerpo y la masa del mismo
volumen de agua.
estado fsico: todos son slidos a temperatura ambiente, excepto el Hg.
brillo: reflejan la luz.
maleabilidad: capacidad de lo metales de hacerse lminas.
ductilidad: propiedad de los metales de moldearse en alambre e hilos.
elasticidad: propiedad que permite a los metales recuperar su forma original
cuando la fuerza que causa el cambio de forma deja de ejercerse.
tenacidad: resistencia que presentan los metales a romperse por traccin.
conductividad: son buenos conductores de electricidad y calor.

Juan
M. G-Zorrilla
Juan M. Gutirrez-Zorrilla. Qumica
Inorgnica.
2005

Enlace metlico
La estructura electrnica de
muchos
slidos
puede
describirse en trminos de
bandas de energa que surgen
de la aplicacin de la teora de
orbitales moleculares a los
slidos, que son agregaciones
de un nmero virtualmente
infinito de tomos.

Juan
M. G-Zorrilla
Juan M. Gutirrez-Zorrilla. Qumica
Inorgnica.
2005

Estructura de bandas. Formacin

Mayora antienlazantes

La formacin de bandas se puede entender considerando una lnea de N tomos y suponer que
cada tomo posee un orbital s que se solapa con los orbitales s de los tomos adyacentes. Esto da
lugar a N orbitales moleculares, la mitad de ellos mayoritariamente enlazantes y la otra mitad
mayoritariamente antienlazantes. El orbital molecular de menor energa no tiene nodos entre tomos
vecinos, el orbital molecular de mayor energa presenta nodos en cada par de tomos y el resto de
los orbitales muestran sucesivamente 1, 2, 3 nodos internucleares y tienen energas
comprendidas entre los dos casos extremos.
Juan
M. G-Zorrilla
Juan M. Gutirrez-Zorrilla. Qumica
Inorgnica.
2005

Energa

3p

3p

3s

3s

2p
2s

1s

ro

Distancia interatomica

Efecto de la distancia interatmica sobre los

niveles de energa atmica y las bandas del sodio

La
extensin
del
desdoblamiento
depende
de la distancia interatmica
y comienza con las capas
electrnicas ms externas
ya que son las primeras en
ser perturbadas cuando los
tomos se unen.
A la distancia interatmica
de equilibrio puede que no
tenga lugar la formacin de
bandas para las subcapas
electrnicas ms prximas
al ncleo. Adems, cabe la
posibilidad de que existan
discontinuidades entre las
bandas
adyacentes,
generalmente las energas
situadas en estos gaps no
son disponibles para la
ocupacin electrnica.

Juan
M. G-Zorrilla
Juan M. Gutirrez-Zorrilla. Qumica
Inorgnica.
2005

Tipos de estructuras de bandas

Las propiedades elctricas de los slidos es una consecuencia directa de
su estructura de bandas.
Banda de valencia es la banda donde residen los electrones de valencia de
mayor energa.
Banda de conduccin es la banda desocupada (a 0 K) de menor energa.
http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbase/solids/band.html#c1

Juan
M. G-Zorrilla
Juan M. Gutirrez-Zorrilla. Qumica
Inorgnica.
2005

10

Nivel de Fermi
A T = 0 K los electrones ocupan orbitales moleculares individuales de las bandas de
acuerdo con el principio "aufbau". El orbital de mayor energa ocupado a 0 K se llama
nivel de Fermi.
Cuando la banda no est completamente llena, los electrones prximos al nivel de Fermi
pueden ser fcilmente promovidos a niveles superiores desocupados. El resultado es que
se vuelven mviles y el material es un conductor electrnico.

P=
http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbase/solids/fermi.html#c1

Densidad de
estados

1
1+ e

(E )/ kBT
Juan
M. G-Zorrilla
Juan M. Gutirrez-Zorrilla. Qumica
Inorgnica.
2005

La densidad de estados, , es el nmero de

niveles de energa en una regin infinitesimal de
la banda dividido por la anchura de esa regin.
La densidad de estados no es uniforme a lo
largo de una banda porque los niveles de
energa no estn compactados con el mismo
grado a lo largo de la banda.
La densidad de estados es cero en el gap
porque en esta zona no hay niveles de energa.

Juan
M. G-Zorrilla
Juan M. Gutirrez-Zorrilla. Qumica
Inorgnica.
2005

11

Conductividad elctrica

Los materiales slidos exhiben un

asombroso intervalo de conductividad
elctrica que se extiende sobre 27
rdenes de magnitud.
La conductividad de la mayora de los
semiconductores y aislantes aumenta
rpidamente
con
la
temperatura,
mientras que los metales muestran una
ligera pero gradual disminucin.

Juan
M. G-Zorrilla
Juan M. Gutirrez-Zorrilla. Qumica
Inorgnica.
2005

Conductividad de metales
Para que un electrn se vuelva
libre debe excitarse y ser
promovido a uno de los estados
de energa disponibles y vacos
por encima de la energa de
Fermi. As, se necesita muy poca
energa para promover electrones
a los estados vacos de ms baja
energa.
Generalmente,
la
energa suministrada por un
campo elctrico es suficiente
para excitar grandes cantidades
de electrones conductores en
estos niveles de conduccin

Juan
M. G-Zorrilla
Juan M. Gutirrez-Zorrilla. Qumica
Inorgnica.
2005

12

Conductividad electrnica

velocidad de deriva

conductividad electrnica

vd = e E

= n e e
e movilidad del electrn
n nmero de electrones libres
e carga del electrn

Metales: n es grande y no
cambia con T, disminuye.
disminuye.
Semiconductores y aislantes:
n aumenta exponencialmente
con T
aumenta.
Juan
M. G-Zorrilla
Juan M. Gutirrez-Zorrilla. Qumica
Inorgnica.
2005

Semiconductividad
El comportamiento elctrico de los
materiales semiconductores es muy
sensible a la presencia de
impurezas.
La semiconduccin puede tener un
origen intrnseco o extrnseco.
Semiconductores intrnsecos son
aquellos
cuyo
comportamiento
elctrico se basa en la estructura
electrnica inherente al material
puro.
Semiconductores extrnsecos son
aquellos
cuyas
caractersticas
elctricas vienen impuestas por los
tomos de impurezas.

En el caso de los materiales aislantes y

semiconductores
los
estados
vacos,
adyacentes a la banda de valencia llena, no
estn disponibles. Para convertirse en
electrones libres, deben ser promovidos a
travs del gap de energa a los estados vacos
de la parte inferior de la banda de conduccin.
Esto slo es posible suministrando al electrn la
diferencia de energa entre los dos estados que
resulta ser aproximadamente igual al gap de
energa Eg.
En muchos materiales, el valor de Eg es del
orden de varios electrnvoltios.
A menudo la energa de excitacin tiene un
origen no elctrico tal como el calor o la luz.
El
nmero
de
electrones
excitados
trmicamente en la banda de conduccin
depende de la energa del gap as como de la
temperatura.

http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbase/solids/semcn.html
http://britneyspears.ac/physics/fabrication/fabrication.htm
http://britneyspears.ac/basics.htm
http://ece-www.colorado.edu/~bart/book/contents.htm

Juan
M. G-Zorrilla
Juan M. Gutirrez-Zorrilla. Qumica
Inorgnica.
2005

13

Semiconductividad
intrnseca
Los semiconductores intrnsecos
se caracterizan por presentar una
banda de valencia completamente
llena, separada de una de
conduccin completamente vaca
por un gap relativamente estrecho
(< 2 eV).

Concepto
de
agujero.
En
los
semiconductores, por cada electrn
excitado en la banda de conduccin se
forma una vacante en un estado
electrnico de la banda de valencia.
Bajo la influencia de un campo
elctrico, la posicin de la vacante
dentro de la red cristalina puede
considerarse en movimiento debido a
sucesivas ocupaciones por otros
electrones.

Propiedades de los principales semiconductores

e

(eV) 300 K

(m2.V-1.s-1)

(m2.V-1.s-1)

(-1.m-1) TA

5.47

0.18

0.12

Si

1.12

0.15

0.045

4 x 10-4

Ge

0.66

0.39

0.19

2.2

Sn

0.0082 (0)

0.14

0.12

2.996

0.04

0.005
0.042

Semiconductor Eg

Elemental

IV-IV
SiC
III-V
AlSb

1.58

0.02

GaN

3.36

0.038

GaP

2.26

0.011

0.0075

GaAs

1.42

0.85

0.04

InP

1.35

0.46

0.015

InAs

0.36

3.3

0.046

InSb

0.17

8.0

0.125

10-6

2 x 104

II-VI
ZnO

3.35

0.02

0.18

ZnS

3.68

0.0165

0.005
0.005

CdS

2.42

0.034

CdSe

1.70

0.08

CdTe

1.56

0.1

0.01

Juan
M. G-Zorrilla
Juan M. Gutirrez-Zorrilla. Qumica
Inorgnica.
2005

Conductividad intrnseca
Existen dos tipos de transportadores de carga,
electrones libres y agujeros. La expresin para
la conduccin elctrica en un semiconductor
intrnseco es: = n |e| e + p |e| h
n: nmero de electrones por m3.
p: nmero de agujeros por m3.
e: movilidad del electrn.
h: movilidad del agujero.

En semiconductores intrnsecos h<e y n = p.

= n |e| (e + h) = p |e| (e + h)

Estructura tipo
diamante:
C, Si, Ge, -Sn,...

Juan
M. G-Zorrilla
Juan M. Gutirrez-Zorrilla. Qumica
Inorgnica.
2005

14

Conductividad extrnseca
El comportamiento elctrico de los semiconductores extrnsecos viene
determinado por el tipo y la cantidad de impurezas.

Semiconductores tipo n
impureza: tomo dador
= n|e|e

Semiconductores tipo p
impureza: tomo aceptor
= p|e|h
Juan
M. G-Zorrilla
Juan M. Gutirrez-Zorrilla. Qumica
Inorgnica.
2005

E g = h = h

Color de semiconductores

IR
Rojo
Naranja
Amarillo
Verde
Azul
Violeta
UV

(nm)
> 780
780 - 647
647 - 585
585 - 575
575 - 491
491 - 424
424 - 385
< 385

E (eV)
< 1.59
1.59 - 1.92
1.92 - 2.12
2.12 - 2.16
2.16 - 2.53
2.53 - 2.92
2.92 - 3.22
> 3.22

Color correspondiente
a la Eg

Color aparente del

material
(luz no absorbida)

E g (eV)
4

ultravioleta

3 violeta
azul
verde
amarillo
2
rojo

infrarrojo

incoloro

amarillo
naranja
rojo

negro

Juan
M. G-Zorrilla
Juan M. Gutirrez-Zorrilla. Qumica
Inorgnica.
2005

15

 La conductividad elctrica en un
semiconductor
intrnseco
aumenta exponencialmente con
la temperatura.
El nmero de electrones libres y
agujeros aumenta con la
temperatura debido a la mayor
disponibilidad
de
energa
trmica
para
excitar
los
electrones desde la banda de
valencia a la de conduccin.

ln = C

Eg

Conductividad elctrica [(m)-1]

Influencia de la temperatura

Temperatura (C)

Intrnseco

2k BT
Temperatura (K)
Juan
M. G-Zorrilla
Juan M. Gutirrez-Zorrilla. Qumica
Inorgnica.
2005

Influencia de la temperatura
Eg
2k BT

lnn,p (m-3) (C)

lnn = ln p = C'

Temperatura (C)

Electrones y agujeros
intrnsecos

ln p
lnn
E g = 2k B

= 2k B
(1 /T )
(1/T )
1/T (K-1)

Juan
M. G-Zorrilla
Juan M. Gutirrez-Zorrilla. Qumica
Inorgnica.
2005

16