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Practica3 LED Fotodiodo
Practica3 LED Fotodiodo
PRCTICA 3
Microelectrnica y Fotnica
Microelectrnica y Fotnica
Microelectrnica y Fotnica
mA. Como hemos polarizado el LED con una corriente de 25 mA tenemos que referir dicho
valor a esta corriente. Para ello utilizamos la grfica de intensidad radiante relativa frente a
corriente de polarizacin, que est normalizada para la corriente de 100 mA. Se obtiene que la
intensidad radiante para 25 mA es un 25 % de su valor a 100 mA, es decir, que valdr 12.5
mW/sr. De toda esta potencia emitida por unidad de ngulo slido, el fotodiodo solamente
captar la correspondiente al ngulo slido abarcado por l visto desde el LED. Para calcular
este ngulo slido tenemos en cuenta que el rea activa del fotodiodo es de 7 mm2 y la
distancia que lo separa del LED es aproximadamente de unos 5 cm. Utilizando la definicin
de ngulo slido como rea dividida entre distancia al cuadrado se obtiene que el ngulo
slido es de 0.0028 sr, por lo que la potencia captada por el fotodiodo ser: 12.8 mW/sr
0.0028 sr = 35 W. En el clculo hecho para el fotodiodo habamos obtenido 95 W. La
diferencia puede deberse principalmente a que el valor de intensidad radiante que hemos
utilizado es un valor mnimo garantizado. El fabricante del LED no especifica ningn valor
tpico ni mximo, por lo que bien puede ser el doble o ms.
Para finalizar este apartado mantenga la tensin de polarizacin inversa del fotodiodo
fija en 5 V y vare la corriente de polarizacin del LED entre 0 y 25 mA en incrementos de 5
mA (para ello vare la tensin de alimentacin V1 ). La corriente suministrada por el fotodiodo
se incrementa linealmente con la potencia recibida por ste. Realice la correspondiente
grfica, que deber parecerse a la mostrada en el anexo.
Fotocorriente (A)
50
45
40
35
30
25
0
5
10
15
Tensin inversa de polarizacin (V)
4
20
Microelectrnica y Fotnica
Caracterizacin de LED-fotodiodo
60
50
Iph ( A)
40
30
20
10
0
0
10
15
ILED (mA)
20
25
Microelectrnica y Fotnica
Microelectrnica y Fotnica
Estos tres procesos limitan la eficiencia cuntica externa de estos dispositivos (fotones
extrados por electrn que atraviesa la unin). sta vara aproximadamente entre un 0.1 % y
un 10 %.
Los materiales binarios ms importantes para LEDs son los siguientes:
MATERIAL
GaAs
1.43 directo
867 infrarrojo
GaP
2.26 indirecto
548.5 verde
AlAs
2.16 indirecto
574 verde-amarillo
InP
1.35 directo
918 infrarrojo
ZnSe
2.67 directo
464.4 azul
GaN
3.39 directo
365.8 ultravioleta
SiC
2.86 indirecto
480 azul
Eficiencia cuntica
externa (%)
12
Tipo de gap
GaAs:Si
COLOR ( en pico
emisin , nm)
Infrarrojo (940)
GaP:(Zn,O)
Rojo (700)
Indirecto
GaAs0.35P0.65:N
Rojo (639)
0.7
Indirecto
GaAs0.15P0.85:N
Amarillo (585)
0.2
Indirecto
GaP:N
Verde (565)
0.4
Indirecto
Ga0.94 In0.06 N
Azul (450)
2.7
Directo
Ga0.73 In0.27 N
Azul (470)
7.3
Directo
Ga0.55 In0.45 N
Verde (520)
6.3
Directo
SiC
Azul (480)
0.03
Indirecto
MATERIAL
Directo
Microelectrnica y Fotnica
(1)
b) Caracterstica I-V
Al ser dispositivos de unin, las caractersticas I-V de los LEDs quedan descritas por
la ecuacin bien conocida del diodo:
I = I 0 exp (q(V IR s ) / nkT ) ,
(2)
Microelectrnica y Fotnica
c) Caractersticas L-I.
Esta caracterstica es la ms interesante de obtener en un LED, ya que no est
influenciada por la presencia de Rs. Es sin duda la que proporciona mayor informacin acerca
de la fsica de los procesos de emisin de luz.
El funcionamiento de un LED cambia con la corriente que circula por la unin,
dependiendo de factores como la concentracin de centros no radiativos en la zona de
vaciamiento, o procesos de calentamiento asociados a la resistencia serie. Este hecho queda
reflejado en las caractersticas L-I, que se ajustan a una ley potencial del tipo:
L I p.
(3)
encima de 20 mA).
Microelectrnica y Fotnica
.- REALIZACIN PRCTICA.
Vamos a caracterizar un LED de GaAs que emite en el infrarrojo, concretamente el
LD274 de Infineon (Siemens). Una de las aplicaciones ms tpicas de este LED es el mando a
distancia. Para detectar la luz infrarroja emitida utilizaremos un fotodiodo de Si, el BPW34,
que es uno de los ms usuales en multitud de aplicaciones. En la primera parte de la prctica
se estudiaron las caractersticas de este fotodiodo y se emplearon sus hojas de caractersticas.
Durante la realizacin de esta parte es conveniente que tenga a mano las hojas de
caractersticas de ambos dispositivos.
Mediremos la caracterstica I-V (corriente-tensin) del LED simultneamente con la
caracterstica L-I (potencia o flujo luminoso emitido frente a corriente). La potencia ptica
emitida ser detectada mediante el fotodiodo BPW34, y con objeto de evitar la influencia de
la luz ambiental es conveniente introducir ambos en el recipiente opaco proporcionado con
este fin. La corriente fotogenerada puede ser demasiado pequea para ser medida
convenientemente con un ampermetro, por lo que realizaremos el siguiente circuito que
convierte corriente en tensin con una salida de baja impedancia:
Utilizamos un operacional con entrada JFET tal como el 411 o el 355 para que la
corriente fotogenerada, que puede ser muy dbil, no se vea afectada por la medida (un
operacional con entrada JFET consume mucha menos corriente en sus terminales de entrada
que uno bipolar). El voltaje a la salida del operacional dividido por la resistencia de
realimentacin (1 M en el caso de la figura) nos dar la corriente fotogenerada. La
resistencia de realimentacin puede modificarse para tener una ganancia adecuada al valor de
10
Microelectrnica y Fotnica
la corriente sin saturar la salida del operacional. Valores tpicos para esta resistencia pueden
ser 100 k, 1 M o 10 M. La alimentacin del operacional se tomar de los +12 V y 12
V suministrados por los conectores situados en el frontal del banco de laboratorio (no olvidar
conectar la tierra de referencia).
Tome suficientes datos para poder trazar las caractersticas I-V, L-V, y L-I con
claridad. Para ello habr que ir variando la tensin V1 para distintos valores de R2 con el fin
de cubrir varios rdenes de magnitud de la corriente (recuerde que la corriente aumenta
exponencialmente con la tensin en el diodo, por lo que se representa en una escala
logartmica que abarque varios rdenes de magnitud, p.ej. desde 1 A a 50 mA). Tenga
cuidado de no sobrepasar la mxima corriente permitida para el LED, que es 100 mA.
Podemos convertir la corriente fotogenerada en el BPW34 en potencia ptica
utilizando las hojas de caractersticas y teniendo en cuenta la sensibilidad del fotodiodo para
la longitud de onda del pico de emisin del LED. En la primera parte se dio una descripcin
del procedimiento a seguir. Repselo y compruebe que el resultado era:
Pph =
I ph (A)
(4)
0.527 (A/W)
La potencia recibida en el BPW34 ser una fraccin de la potencia total emitida por el
LED, dependiendo de la distancia y la orientacin entre ambos. Si procuramos que estos dos
parmetros permanezcan inalterables durante la medida, para que los resultados sean
consistentes, entonces podemos suponer que el factor de proporcionalidad entre la potencia
ptica emitida por el LED y la recogida en el fotodiodo permanece constante. Las hojas de
caractersticas del LED nos dicen que la potencia radiante total para una corriente de 100 mA
es de 15 mW y nos dan una grfica de intensidad radiante normalizada frente a la corriente de
polarizacin.
Utilizando
estos
datos
podemos
estimar
el
mencionado
factor
de
11
Microelectrnica y Fotnica
emite 7.5 mW el fotodiodo detecta 0.185 mW, y asumiendo que esta relacin se mantiene
constante para cualquier otro valor de corriente de polarizacin del LED nos lleva a la
frmula:
PLED = 40.5Pph = 40.5
I ph (A)
(5)
0.527 (A/W)
Tenga en cuenta que esto es solo un ejemplo correspondiente a unas medidas muy
concretas (las de las grficas del anexo). Usted deber obtener su propio factor de
proporcionalidad, que depender de la distancia y orientacin relativa entre el LED y el
fotodiodo. Una vez obtenido este factor de proporcionalidad podemos transformar todas las
medidas que hayamos tomado de potencia detectada en el fotodiodo a potencia emitida por el
LED y realizar unas grficas similares a las mencionadas.
Pueden considerarse los siguientes puntos de discusin. A partir de las
representaciones en escala logartmica de las caractersticas I-V y L-V, discutir los
mecanismos de conduccin y de emisin. En la representacin de la caracterstica L-I en
escala doble logartmica, localizar e interpretar las zonas de distinta pendiente. En la grfica
L/I frente a I dar un significado a la magnitud L/I, y a la vista de la grfica determinar la
polarizacin ptima de trabajo del LED.
ILED (A)
10
10
10
-4
-3
10
10
-3
-2
10
10
-2
-4
10
-5
0.8
0.9
1.0
V LED (V)
12
1.1
1.2
10
1.3
-5
-6
-7
LED (W)
10
10
Corriente I LED ( A )
-1
Microelectrnica y Fotnica
LED (W)
10
-2
10
-3
10
-4
10
-5
10
-6
10
-7
10- 5
10- 4
10- 3
10- 2
10- 1
I L E D (A)
0.16
0.14
0.12
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
0.00
0.00
0.01
0.02
0.03
I L E D (A)
13
0.04
0.05