DEPARTAMENTO

CIENCIAS DE ENERGA Y MECNICA

CARRERA DE INGENIERA AUTOMOTRIZ
Autotrfica III

Nivel: noveno
Paralelo: A
Fecha: 09/11/2015
Nombre: LUIS FRANCISCO IZA
TEMA: RESUMEN CUADERNO PRIMER PARCIAL
PRIMER DIA
OSCILOSCOPIO
Es un multmetro grfico, este mide voltaje en funcin del tiempo este puede ser
de 2 0 4 entradas.
El osciloscopio nos permite determinar el periodo y el voltaje de seal determinada
indirectamente la frecuencia de una seal a dems muestra seales de AC Y DC.
Adems es un equipo de anlisis de averas.
Osciloscopio digital

Tiene mayor precisin

Tiene
patrones

comparacin
Impedancia de entrada alta

M
Caura imgenes
Captura y grafica imgenes en

tiempo real
Un osciloscopio bueno tiene

de

entre 20 y 50 MHz

Osciloscopio analgico

Tiene menor precisin

Muchos botones demando que

Impedancia de entrada alta

cofunden

baja
No Caura imgenes

No Captura y grafica imgenes

en tiempo real
tiene entre 2 y 5 MHz

Uso del osciloscopio para determinar las formas de onda

Este instrumento permite interpretar grficamente lo que est sucediendo
con el componente, y tambin hace posible, que logremos medidas en
escala de tiempo pequeas, tan pequeas, como son los diferentes tipos
de seales en los sistemas de control electrnico.

Para un ejemplo de esta diferencia con respecto a un multmetro,

podramos analizar la medicin de un sensor TPS, usando un multmetro, y
un osciloscopio.

Explicacin de las funciones del osciloscopio

En el mercado se encuentran diferentes tipos de osciloscopios, pero las

funciones de operacin van a ser iguales en todos los modelos
independientemente de las unciones adicionales que se tengan.

Lo primero es interpretar que el osciloscopio, grafica la seal, que es una

grafica del voltaje medido en funcin del tiempo:

El tiempo, lo podemos encontrar en el eje horizontal Y el voltaje lo podemos

encontrar en el eje vertical.

Ahora cada seal de acuerdo a su caracterstica elctrica va a necesitar

que se ajuste la pantalla del osciloscopio, para poder ser visualizada
correctamente.

Por ejemplo en una onda de bajo voltaje, tendramos una apreciacin

completa en la pantalla, pero si ahora midiramos una onda de un voltaje
mucho mayor, no podramos visualizar la seal, en toda la imagen, lo cual
imposibilita la correcta interpretacin de los sistemas.

En este caso, se hace necesario modificar las caractersticas con las cuales
se muestra esta seal en la pantalla del osciloscopio.

Voltios por divisin

En este caso la escala esta calibrada de tal manera que cada divisin
vertical, lado izquierdo de la grfica, vale 2 voltios, as se podra ver que la
amplitud pico a pico de la seal, es de 12 voltios aproximadamente.

Para ajustar estos canales en el osciloscopio, es necesario operar las teclas

correspondientes a voltaje que siempre son las teclas verticales, como son
mostradas en la grfica inferior.

Tiempos por division

Esta opcin permite visualizar el nmero de ondas que se quieren tener en

la pantalla, o la rapidez con la cual se quiere apreciar la seal, se utiliza la
escala de Tiempo por divisin.

Disparo de la onda tigger

Este disparo representa desde qu punto se quiere comenzar a interpretar

la seal de izquierda a derecha, una mala seleccin del trigger, dispone una
onda inestable en la pantalla del equipo, lo cual dificulta el anlisis de la
onda.

Sensores y actuadores

En sistemas electronicos los sensores son los elementos encargados de

obtener informacion, son llamadas tecnicamente transductores y son
capaces de convertir cualquier magnitus, fisica, quimica, biologico en un a
magnitud electrica.

El fenomeno se puede dar en dos formas

Acctivo: la magnitud fisica a detector, proporcionan energia necesaria para

la generacion de la seal electrica por ejemplo potenciometro

Pasivo: cuando la magnitud a detector se limita a modifica alguno d elos

para metros elecricos caracteristicos de elementos como sensores
resistivos o de reluctancia.

Clasificacion y aplicacin de los sensores

1. Magntico;

2. Efecto Hall;

3. Conductividad elctrica;

4. Termoelctricos;

5. Fotoelctricos;

6. Piezoelctricos;

7. Por ultrasonido;

8. Por radiofrecuencia;

9. Interruptores y conmutadores.

SENSORES POR MAGNETISMO

Este tipo de sensores basan su funcionamiento en el fenmeno

electromagntico, es decir, la relacin que existe entre el magnetismo y la
electricidad. Cuando una bobina es sometida a la variacin de un campo
magntico, se produce en ella una corriente elctrica alterna producida por
efecto de la induccin magntica.

Nejemplo de aplicacin

Transmisor de rgimen de revoluciones.

Es el encargado de informar las revoluciones momentneas del motor. Est

compuesto por una bobina arrollada sobre un ncleo imantado.

La seal se obtiene gracias a la variacin que produce una rueda dentada

(de material ferromagntico) que al girar frente a la bobina hace variar el
flujo magntico que la atraviesa, lo que induce en su interior una corriente
alterna. La frecuencia de esta ltima, es proporcional al nmero de
revoluciones con la que gira la rueda.

Interruptor de seguridad.

Tambin

denominado

contacto

reed,

se

utiliza

como

interruptor

electromecnico en los sistemas airbag y como transmisor de nivel de

lquido de frenos.

Se compone de una ampolla de cristal en cuyo interior se hallan dos

contactos metlicos separados; al someter a la ampolla a un campo
magntico, proporcionado por un cilindro imantado que se desplaza, los
contactos cierran el circuito elctrico. Un muelle mantiene el cilindro en una
posicin que impide el disparo involuntario. El funcionamiento de este
dispositivo se observa en la Figura 3.

SENSORES POR EFECTO HALL

Se basan en el denominado efecto hall que se produce cuando un cierto

tipo de semiconductor al ser recorrido por una corriente y sometido a un
campo magntico, genera en sus extremos una diferencia de potencial.

donde se requiere una respuesta rpida y perfectamente cuadrada. Estos

se caracterizan por su gran precisin. Este tipo de sensor no presenta
variacin de sus mediciones ante cambios de temperatura, en el ambiente.
Tampoco lo hacen frente a campos magnticos externos.

Ejemplo aplicaciones

Transmisor Hall.

Se utiliza como detector de revoluciones y de posicin angular del cigeal.

La diferencia respecto al transmisor de regmenes de revoluciones
magntico radica en que la seal emitida es cuadrada, y por lo tanto, es
ms fcil de interpretar por la Unidad de Control Central.

Otras aplicaciones.

Estos sensores resultan muy apropiados para otras funciones, entre las que
se encuentran:

Transmisor de aceleracin transversal en el sistema electrnico de

estabilidad programada (ESP);

Deteccin del nivel del vehculo para proceder a la nivelacin de altura;
Regulacin de la posicin de los faros de tipo Xenn;

SENSORES POR CONDUCTIVIDAD ELECTRICA

La conductividad define la facilidad con que circula la corriente por una

sustancia cuando se halla sometida a determinadas condiciones fsicas.
Esta depende del nmero de electrones libres, y en los metales es funcin

inversa de la temperatura. A temperaturas prximas al cero absoluto la

conductividad alcanza valores casi infinitos (resistencia nula) para algunos
metales, fenmeno que se conoce con el nombre de superconductividad.

Entre las aplicaciones que se le da se encuentran las siguientes:

1. Sonda Lambda ().

En los primeros sistemas de Inyeccin, tanto mecnicos como electrnicos,

se haban tomado como exactas las regulaciones de cada sistema, pero
algunos factores pueden variar la calidad de la combustin, la cual no
permite al motor entregar su mejor potencia y obligan adicionalmente a que
esta mala combustin genere una emisin de gases contaminantes al
ambiente.

2. Potencimetro de la mariposa.

El potencimetro es un tipo de sensor que vara su conductividad (variacin

de la resistencia) por accionamiento mecnico.

Otras aplicaciones.

Hay tambin otras aplicaciones que se basan en la variacin de la

conductividad elctrica:

Transmisor de nivel del lquido refrigerante;

Transmisor de nivel del limpiaparabrisas;

Medidor de nivel de combustible.

SENSORES TERMOELECTRICOS

El aumento de temperatura dilata los cuerpos y, en el caso de los metales,

modifica su resistencia elctrica. Esta caracterstica es el fundamento de las
termorresistencias:

sensores

cuya

variacin

de

resistencia

guarda

proporcin con la temperatura a la que estn sometidas. Algunos

compuestos se fabrican especialmente para conseguir un coeficiente de
temperatura negativo o positivo, dando origen a las resistencias tipo PTC o
NTC. En la siguiente figura se observa un esquema del principio de
funcionamiento de estos sensores.

Medidor de masa de aire.

El medidor de masa de aire se utiliza en los sistemas de gestin electrnica

del motor. Se intercala en el conducto de aspiracin para medir el caudal
msico de aire que entra al motor y poder as determinar los parmetros de

funcionamiento que correspondan. El sensor lo compone un hilo de platino

(resistencia tipo PTC) o pelcula caliente que modifica su resistencia al paso
del aire.

SENSORES FOTOELCTRICOS

Son varios tipos de elementos sensibles a diferentes formas de radiacin

luminosa: visible, infrarroja, ultravioleta, etc.

Hay sensores que transforman la energa luminosa que reciben en energa

elctrica, como las clulas solares, cuyo funcionamiento se basa en el
hecho de que cuando incide luz sobre un material semiconductor, algunos
electrones reciben la energa suficiente para escapar de la rbita que
ocupaban en el tomo, transformndose en electrones libres capaces de
crear una corriente elctrica.

SENSORES PIEZOELECTRICOS

El efecto piezoelctrico consiste en la aparicin de una polarizacin

elctrica en un material al deformarse bajo la accin de una fuerza.

ACTUADORES

Los actuadores constituyen la interfaz entre el procesamiento de la seal

(procesamiento de la informacin) y el proceso (mecnico). Transforman las
seales que aportan la informacin de ajuste, de baja potencia, en seales
potentes correspondientes a la energa necesaria para intervenir en el
proceso. Los convertidores de seales combinados con elementos
amplificadores se apoyan en los principios de transformacin fsica entre
distintas formas de energa (elctrica mecnica hidrulica trmica).

CLASIFICACIN DE LOS ACTUADORES

1. Electromagntico;

2. Calefactores;

3. Electromotores;

4. Acsticos;

5. Pantallas de cristal lquido.

ACTUADORES ELECTROMAGNTICOS

Los actuadores electromagnticos se basan en el magnetismo, que puede

ser de origen natural, mediante un imn, o creado por la electricidad (efecto
electroimn). Tambin se incluyen aqu otros fenmenos relacionados con
la electricidad y el magnetismo: como la induccin electromagntica que

consigue generar alta tensin, principio de los transformadores de

encendido.

Rels.

Vlvulas de inyeccin.

ACTUADORES CALEFACTORES

Los actuadores calefactores son los que producen calor gracias al efecto
Joule. Este efecto relaciona la corriente que circula por una resistencia y la
energa liberada en forma de calor. Se utilizan como resistencias
calefactoras hilo metlico con una aleacin determinada (cromo-nquel) que
le confiere un elevado coeficiente de resistividad (alto valor hmico) y
adems posee una gran resistencia al calor. Tambin se fabrican a base de
compuestos semiconductores dispuestos sobre una superficie.

ACTUADORES ELECTROMOTORES

Los electromotores o motores elctricos basan su funcionamiento en el

principio de que la energa elctrica se puede transformar en energa
mecnica. Cuando circula corriente a travs de un conductor se crea a su
alrededor un campo magntico; si este conductor se coloca bajo la accin
de un fuerte campo magntico fijo (el estator) y de mayor intensidad (por
ejemplo, un imn permanente), este ltimo trata de empujar y desplazar al
conductor fuera del mismo.

ACTUADORES ELECTROMOTORES, MOTOR PASO A PASO

El motor paso a paso est constituido por un rotor de imanes permanentes

y varias bobinas que configuran el estator. El rotor se encuentra en el
interior de una armadura o jaula y se encuentra magnetizada con el mismo
nmero de polos que los que puede crear una de las bobinas.

ACTUADORES PANTALLAS DE CRISTAL LQUIDO

El principio de funcionamiento de la pantalla de cristal lquido o display tipo

LCD (Liquid Cristal Display) se basa en la opacidad o transparencia que se

observa en un cristal lquido cuando es sometido a la accin de un campo

elctrico.

Formas de onda

Cada forma de onda del osciloscopio tiene uno o ms de los siguientes

parmetros:

Amplitud - tensin (V) La tensin de la seal en un determinado momento

Frecuencia - ciclos por segundo (Hz)

El tiempo entre puntos de la seal

Anchura del impulso - coeficiente de utilizacin (%)

El periodo de actividad de la seal - expresado como porcentaje (%) del

total

Forma - pico afilado, curva, dientes de sierra etc.

La "imagen" general de la seal

Patrn - formas repetidas

El modelo de repeticin de la forma general de la seal

Parmetros forma de onda

Seales de tensin de corriente continua (CC) - slo amplitud

Seales de tensin analgicas de componentes tales como:

Sensor de temperatura del refrigerante del motor

Sensor de temperatura de aire de admisin

Sensor de posicin de la mariposa

Sensor calentado de oxgeno

Sensor de flujo del volumen de aire

Sensor de flujo de la masa de aire

Seales de tensin de corriente alterna (CA) - amplitud, frecuencia y

forma

Las seales de tensin de corriente alterna son generadas por

componentes como:

Sensor de detonacin

Sensor de rgimen del motor - tipo inductivo

Seales moduladas por frecuencia - amplitud, frecuencia, forma y

anchura del impulso

Las seales moduladas por frecuencia son generadas por componentes

como:

_ Sensor de posicin del cigeal - tipo inductivo

Sensor de posicin del rbol de levas - tipo inductivo

Sensor de velocidad del vehculo - tipo inductivo

Sensores de velocidad y posicin de efecto Hall

Sensores pticos de velocidad y posicin

Sensores de flujo de masa de aire y presin absoluta del colector - tipo

digital

Seales moduladas por anchura de impulso - amplitud, frecuencia,

forma, anchura del impulso

Las seales moduladas por anchura del impulso provienen de componentes

tales como:

_ Inyectores

Dispositivos de control del aire de ralent

Circuitos primarios de la bobina de encendido

Vlvula de control de emisiones por evaporacin

Vlvulas de recirculacin de gases de escape

Voltajes en el sistema

Voltaje de seal

Sensor analgico 0.5 4,5 v

Sensor digital 0 5 y 0 12 v

Voltaje de masa

30 80 mV

Los sensores que cumplen una funcin especial dentro del sistema
de inyeccin son:

CKP Posicin y Velocidad del Cigeal.

CMP Sensor de la posicin de la barra de Levas.

TPS Posicin de la Mariposa de aceleracin

MAP Presin Absoluta del Mltiple de admisin.

MAF Flujo de Masa de Aire.

CTS Sensor de la Temperatura del Refrigerante.

IAT Sensor de la Temperatura del Aire de admisin.

O2 Sensor de oxgeno de los gases de escape.

KNS Sensor de Golpeteo o detonaciones.

BAP Presin Baromtrica.

Seales de os sensores

Sensor de dos cables

Sensor de temperatura

SENSOR DE TRES CABLES

SENSOR DE POSICION

Sensor inductivo

Sensor efecto hall

REGULADOR DE TENSION

CIRCUITOS DE VOLTAJES EN SISTEMAS ELECTRONICOS CON

EXPLICACION

Martes 10 de noviembre del 2015

Introduccin normas para dibujar planos

Los cuadros representan un conjunto elctrico

rpm

Sensor inductivo

El periodo es la seal de velocidad

La computadora no le importa el voltaje le importa el periodo

E=K*N

Donde:

E:VOLTAJE

K: CONTANTE DEL SENSOR

N: RPM

LA FRECUENCIA

F=1/P (Hz)

F= 1/ms = 1000ms/1s = 60s/1m

F= 60000/p = (RPM)

OTRA ECUACION

Vmax=E

VRMS= VP/2 (VALOR REAL)

VRMS= voltaje real, valor medio cuadrtico

Ejercicios

F= 60000/1000=60rpm

La constante K

K=E/N=Emax/60

K=0,159

ejercicio 2

se pide conocer cuando se este realizando los 120 Vpp a que

revoluciones se encuentra girando el motor y que periodo tiene

Vmax=60

Vrms=60/2 = 42,42

E=K*N

N=E/K= 60/0,159=

N=377,35 RPM

P=60000/377,35

P=159 ms

Nota: PARA LOS SENSORES HALL NO TIENEN CONSTANTE YA QUE EL

VALOR DE TRABAJO SON 5 V

EJERCICIO 3

El sensor de posicin del rbol de levas genera un voltaje pico de 18.7.

calcule el voltaje vrms del motor que tiene una velocidad de giro el
periodo y la frecuencia tanto del rbol de levas y del cigeal si la
constante K= 0,032

Datos:

Vp=18,7

K= 0,032

Calcular:

Vrms

Vrms=Vp/2 =13,22

Procedimiento

Emax: vp =13,22

N= E/K = 18,7/0,032 =584.37RPM

P=60000/F = 102.67 ms

F=N

Para elcigueal

N=584,37 *2 =1168.74

P= 60000/1168.74 = 51.33 ms

Seal de los actuadores

Fuente De Alimentacin

La funcin de la fuente de alimentacin en un controlador, es suministrar la

energa ala CPU y dems tarjetas segn la configuracin del PLC.

+ 5 V para alimentar a todas las tarjetas

+ 5.2 V para alimentar al programador

+ 24 V para los canales de lazo de corriente 20 mA.

Unidad De Procesamiento Central (C.P.U.)

Es la parte ms compleja e imprescindible del controlador programable, que

en otros trminos podra considerarse el cerebro del controlador.

La unidad central est diseada a base de microprocesadores y memorias;

contiene una unidad de control, la memoria interna del programador RAM,
temporizadores,

contadores,

memorias

internas

tipo

rel, imgenes del proceso entradas/salidas, etc. Su misin es leer los

estados de las seales de las entradas, ejecutar el programa de control y
gobernar las salidas, el procesamiento es permanente y a granvelocidad.

Mdulos o Interfaces DE Entrada y Salida (E/S)

Son los que proporciona el vnculo entre la CPU del controlador y los
dispositivos de campo del sistema. A travs de ellos se origina el
intercambio de informacin ya sea para la adquisicin de datos o la del
mando para el control de mquinas del proceso.

Tipos de Mdulos de Entrada y Salida

Debido a que existen gran variedad de dispositivos exteriores (captadores,

actuadores), encontramos diferentes tipos de mdulos de entrada y salidas,
cada uno de los cuales sirve para manejar cierto tipo de seal (discreta o
anloga) a determinado valor de tensin o de corriente en DC o AC.

Mdulos de entradas discretas

Mdulos de salidas discretas
Mdulos de entrada analgica
Mdulos de salida analgica

Mdulos de Memorias

Son dispositivos destinados a guardar informacin de manera provisional o

permanente

Se cuenta con dos tipos de memorias:

Voltiles (RAM)

No voltiles (EPROM y EEPROM)


Periferia

: Consta de elementos pasivos Resistencias, capacitores.

Circuitos de Filtrado:

Filtros pasa bajos para contrarrestar ruido y mejorar la seal.

Fuente:

Elementos pasivos y semiconductores Resistencias, capacitores, diodos y

reguladores de tensin.

Procesamiento de Datos:

Memoria: Almacena los datos Procesador: Lee todos los datos.

Driver:

Maneja todos los actuadores: Transistores, drivers para motores de paso.

Multiplexor:

Compartir datos con otras ECUS.

DEBER DE CIRCUITOS

TRANSISTOR BJT TIPO N Y P

El transistor de unin bipolar (del ingls bipolar junction transistor, o sus

siglas BJT) es un dispositivo electrnico de estado slidoconsistente en
dos uniones PN muy cercanas entre s, que permite controlar el paso de
la corriente a travs de sus terminales. La denominacin de bipolar se debe
a que la conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de
dos polaridades (huecospositivos y electrones negativos), y son de gran
utilidad en gran nmero de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes,
entre ellos su impedancia de entrada bastante baja.

Los transistores bipolares son los transistores ms conocidos y se usan

generalmente en electrnica analgica aunque tambin en algunas
aplicaciones de electrnica digital, como la tecnologa TTL o BICMOS.

Un transistor de unin bipolar est formado por dos Uniones PN en un solo

cristal semiconductor, separados por una regin muy estrecha. De esta
manera quedan formadas tres regiones:

Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportndose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal
funciona como emisor de portadores de carga.

Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.

Colector, de extensin mucho mayor.

La tcnica de fabricacin ms comn es la deposicin epitaxial. En su

funcionamiento normal, la unin base-emisor est polarizada en directa,
mientras que la base-colector en inversa. Los portadores de carga emitidos
por el emisor atraviesan la base, porque es muy angosta, hay poca
recombinacin de portadores, y la mayora pasa al colector. El transistor
posee tres estados de operacin: estado de corte, estado de saturacin y
estado de actividad.

Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la regin
del nodo compartida. En una operacin tpica, la unin base-emisor est
polarizada en directa y la unin base-colector est polarizada en inversa.
En un transistor NPN, por ejemplo, cuando una tensin positiva es aplicada
en la unin base-emisor, el equilibrio entre los portadores generados
trmicamente y el campo elctrico repelente de la regin agotada se
desbalancea, permitiendo a los electrones excitados trmicamente
inyectarse en la regin de la base. Estos electrones "vagan" a travs de la
base, desde la regin de alta concentracin cercana al emisor hasta la
regin de baja concentracin cercana al colector. Estos electrones en la
base son llamados portadores minoritarios debido a que la base
est dopada con material P, los cuales generan "huecos" como portadores
mayoritarios en la base.

La regin de la base en un transistor debe ser constructivamente delgada,

para que los portadores puedan difundirse a travs de esta en mucho
menos tiempo que la vida til del portador minoritario del semiconductor,

para minimizar el porcentaje de portadores que se recombinan antes de

alcanzar la unin base-colector. El espesor de la base debe ser menor al
ancho de difusin de los electrones.

TRANSISTOR JFET TIPO N Y P

El JFET (Junction Field-Effect Transistor, en espaol transistor de efecto de

campo de juntura o unin) es un dispositivo electrnico, esto es, un circuito
que, segn unos valores elctricos de entrada, reacciona dando unos
valores de salida. En el caso de los JFET, al ser transistores de efecto
de campo elctrico, estos valores de entrada son las tensiones elctricas,
en concreto la tensin entre los terminales S (fuente) y G (puerta), V GS.
Segn este valor, la salida del transistor presentar una curva caracterstica
que se simplifica definiendo en ella tres zonas con ecuaciones definidas:
corte, hmica y saturacin.

Fsicamente, un JFET de los denominados "canal P" est formado por una
pastilla de semiconductor tipo P en cuyos extremos se sitan dos patillas de
salida (drenador y fuente) flanqueada por dos regiones con dopaje de tipo
N en las que se conectan dos terminales conectados entre s (puerta). Al
aplicar una tensin positiva V GS entre puerta y fuente, las zonas N crean a

su alrededor sendas zonas en las que el paso de electrones (corriente I D)

queda cortado, llamadas zonas de exclusin. Cuando esta V GS sobrepasa
un valor determinado, las zonas de exclusin se extienden hasta tal punto
que el paso de electrones ID entre fuente y drenador queda completamente
cortado. A ese valor de VGS se le denomina Vp. Para un JFET "canal N" las
zonas p y n se invierten, y las V GS y Vp son negativas, cortndose la
corriente para tensiones menores que Vp.

As, segn el valor de V GS se definen dos primeras zonas; una activa para
tensiones negativas mayores que Vp (puesto que Vp es tambin negativa) y
una zona de corte para tensiones menores que V p. Los distintos valores de
la ID en funcin de la VGS vienen dados por una grfica o ecuacin
denominada ecuacin de entrada.

En la zona activa, al permitirse el paso de corriente, el transistor dar una

salida en el circuito que viene definida por la propia I D y la tensin entre el
drenador y la fuente VDS. A la grfica o ecuacin que relaciona ests dos
variables se le denomina ecuacin de salida, y en ella es donde se
distinguen las dos zonas de funcionamiento de activa: hmica y saturacin.

TRANSISTOR MOSFET TIPO N Y P

El transistor
de
efecto
de
campo
metal-xidosemiconductor o MOSFET (en ingls Metal-oxide-semiconductor Fieldeffect
transistor)
es
un transistor utilizado
para
amplificar
o
conmutar seales electrnicas. Es el transistor ms utilizado en la industria
microelectrnica, ya sea en circuitos analgicos o digitales, aunque
el transistor de unin bipolar fue mucho ms popular en otro tiempo.
Prcticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales estn
basados en transistores MOSFET.

El MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales llamados surtidor (S),

drenador (D), compuerta (G) y sustrato (B). Sin embargo, el sustrato
generalmente est conectado internamente al terminal del surtidor, y por
este motivo se pueden encontrar dispositivos MOSFET de tres terminales.

El trmino 'metal' en el nombre MOSFET es actualmente incorrecto ya que

el material de la compuerta, que antes era metlico, ahora se construye con
una capa de silicio policristalino. El aluminio fue el material por excelencia
de
la
compuerta
hasta
mediados
de
1970,
cuando
el silicio policristalino comenz a dominar el mercado gracias a su
capacidad de formar compuertas auto-alineadas. Las compuertas metlicas
estn volviendo a ganar popularidad, dada la dificultad de incrementar la
velocidad de operacin de los transistores sin utilizar componentes
metlicos en la compuerta. De manera similar, el 'xido' utilizado como
aislante en la compuerta tambin se ha reemplazado por otros materiales
con el propsito de obtener canales fuertes con la aplicacin de tensiones
ms pequeas.

Un transistor de efecto de campo de compuerta aislada o IGFET (Insulatedgate field-effect transistor) es un trmino relacionado que es equivalente a
un MOSFET. El trmino IGFET es ms inclusivo, ya que muchos
transistores MOSFET utilizan una compuerta que no es metlica, y un
aislante de compuerta que no es un xido. Otro dispositivo relacionado es
el MISFET, que es un transistor de efecto de campo metal-aislantesemiconductor (Metal-insulator-semiconductor field-effect transistor).