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Transistor
Transistor
Transistores
Integrante:
Maykol Rodrguez
Que es un Transistor
El transistor es un dispositivo de tres terminales. Este
consiste en un material tipo p y uno tipo n; el transistor
consiste en dos materiales de tipo n separados por un material
de tipo p, lo que se conoce como transistor npn o en dos
materiales tipo p separados un material tipo n llamado
transistor pnp. Las tres capas o secciones diferentes se
identifican como emisor, base y colector. El emisor, capa de
tamao medio diseada para emitir o inyectar electrones esta bastante contaminado. La
base, con una contaminacin media, es una capa delgada diseada para pasar electrones.
El colector, capa grande diseada para colectar electrones, esta poco contaminado. El
transistor se puede concebir como dos uniones pn colocadas espalda contra espalda,
estos se denominan transistores bipolares de unin (BJT, bipolar junction transistor).
Es un componente electrnico semiconductor que permite el paso de
una corriente elctrica entre sus terminales colector y emisor, siempre que en
el terminal llamado base este presente una corriente elctrica. Cumple
funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. Actualmente
se encuentran prcticamente en todos los aparatos electrnicos de uso diario:
radios, televisores, reproductores de audio y video, relojes de cuarzo,
computadoras, lmparas fluorescentes, tomgrafos, telfonos celulares, entre
otros.
Tipos de Transistores
Transistor de contacto puntual
Llamado tambin transistor de punta de contacto, fue el primer transistor capaz
de obtener ganancia, inventado en 1947 por John Bardeen y Walter Brattain. Consta de
una base de germanio, semiconductor para entonces mejor conocido que la combinacin
cobre-xido de cobre, sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas metlicas que
constituyen el emisor y el colector. La corriente de base es capaz de modular la
resistencia que se ve en el colector, de ah el nombre de transfer resistor. Se basa en
efectos de superficie, poco conocidos en su da. Es difcil de fabricar (las puntas se
ajustaban a mano), frgil (un golpe poda desplazar las puntas) y ruidoso. Sin embargo
convivi con el transistor de unin (W. Shockley, 1948) debido a su mayor ancho de
banda. En la actualidad ha desaparecido.
Transistor de unin bipolar
El transistor de unin bipolar (o BJT, por sus siglas del ingls bipolar junction
transistor) se fabrica sobre un mono cristal de material semiconductor como el
germanio, el silicio o el arseniuro de galio, cuyas cualidades son intermedias entre las de
un conductor elctrico y las de un aislante. Sobre el sustrato de cristal se contaminan en
forma muy controlada tres zonas sucesivas, N-P-N o P-N-P, dando lugar a dos uniones
PN.
Las zonas N (en las que abundan portadores de carga Negativa) se obtienen
contaminando el sustrato con tomos de elementos donantes de electrones, como el
arsnico o el fsforo; mientras que las zonas P (donde se generan portadores de carga
Positiva o huecos) se logran contaminando con tomos aceptadores de electrones,
como el indio, el aluminio o el galio. La tres zonas contaminadas, dan como resultado
transistores PNP o NPN, donde la letra intermedia siempre corresponde a la regin de la
base, y las otras dos al emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo
contrario a la base, tienen diferente contaminacin entre ellas (por lo general, el emisor
est mucho ms contaminado que el colector). El mecanismo que representa el
comportamiento semiconductor depender de dichas contaminaciones, de la geometra
asociada y del tipo de tecnologa de contaminacin (difusin gaseosa, epitaxial, etc.) y
del comportamiento cuntico de la unin.
Transistor de efecto de campo
El transistor de efecto de campo de unin (JFET),
fue el primer transistor de efecto de campo en la prctica.
Lo forma una barra de material semiconductor de silicio
de tipo N o P. En los terminales de la barra se establece un
contacto hmico, tenemos as un transistor de efecto de
campo tipo N de la forma ms bsica. Si se difunden dos
regiones P en una barra de material N y se conectan
externamente entre s, se producir una puerta. A uno de
estos contactos le llamaremos surtidor y al otro drenador.
Aplicando tensin positiva entre el drenador y el surtidor
y conectando la puerta al surtidor, estableceremos una
corriente, a la que llamaremos corriente de drenador con
polarizacin cero. Con un potencial negativo de puerta al
que llamamos tensin de estrangulamiento, cesa la conduccin en el canal. El transistor
de efecto de campo, o FET por sus siglas en ingls, que controla la corriente en funcin
de una tensin; tienen alta impedancia de entrada.
Transistor de efecto de campo de unin, JFET, construido mediante una unin
PN.
Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que la
compuerta se asla del canal mediante un dielctrico.
Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa Metalxido-Semiconductor, en este caso la compuerta es metlica y est separada del
canal semiconductor por una capa de xido.
Fototransistor
Los fototransistores son sensibles a la radiacin electromagntica en frecuencias
cercanas a la de la luz visible; debido a esto su flujo de corriente puede ser regulado por
medio de la luz incidente. Un fototransistor es, en esencia, lo mismo que un transistor
normal, slo que puede trabajar de 2 maneras diferentes:
As, por ejemplo, para determinar el parmetro de un transistor que tuviese una
ganancia de corriente de 150, operaramos as:
Tensiones de ruptura
Al igual que ocurra con los diodos, cuando se polariza inversamente cualquiera
de las uniones de un transistor aparecen pequeas corrientes inversas, que no
provocarn la ruptura de dichas uniones si la tensin que se aplica no supera los valores
mximos fijados en las hojas de especificaciones tcnicas.
Colector comn
Su salida se toma de emisor a tierra en vez de
tomarla de colector a tierra, como en el caso del EC. Este
tipo de configuracin para el amplificador se utiliza para
obtener ganancia de corriente y ganancia de potencia. La
seal de salida esta en fase con la seal de entrada. El
amplificador tiene una ganancia de tensin ligeramente
menor que uno. Por otro lado, la ganancia de corriente es significativamente mayor que
uno.
Base comun
La seal se aplica al emisor del transistor y se
extrae por el colector. La base se conecta a las masas
tanto de la seal de entrada como a la de salida. En esta
configuracin se tiene ganancia slo de tensin. La
impedancia de entrada es baja y la ganancia de
corriente algo menor que uno, debido a que parte de la
corriente de emisor sale por la base. Si aadimos una
resistencia de emisor, que puede ser la propia
impedancia de salida de la fuente de seal, un anlisis
similar al realizado en el caso de emisor comn, nos da
la ganancia aproximada siguiente: