Transparencias SRD

UNIVERSIDAD DE GRANADA
INGENIERO DE TELECOMUNICACION
SISTEMAS DE
RADIOCOMUNICACION
Angel
de la Torre Vega
Dpto. Teora de la Senal, Telematica y Comunicaciones
pag. 1
DE LA ASIGNATURA
ORGANIZACION
S ISTEMAS DE R ADIOCOMUNICACI ON
- Angel
de la Torre - TSTC - UGR
pag. 2
DE LA ASIGNATURA
ORGANIZACION
Asignatura:
Titulacion:
Tipo de asignatura:
Carga lectiva:
Profesor:
Dpto:
Ubicacion:
Evaluacion Teora:
Evaluacion Practicas:
Material:
(SRD)
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACION
Ingeniero de Telecomunicacion
Troncal de 4o curso, 2o cuatrimestre
Teora: 4.5 cred. (45 horas). Practicas: 1.5 cred. (15 horas)
Angel
de la Torre Vega
Teora de la Senal, Telematica y Comunicaciones
E.T.S.I.I.T., planta 2, despacho 22
Examen final de teora y problemas
Trabajo en laboratorio y memoria de practicas (examen)
http://www.ugr.es/atv
Horario:
Teora:
Practicas:
Aula 1.1
Martes de 9 a 10
Miercoles de 10 a 11
Jueves de 10 a 11
Laboratorio 2.5
Jueves de 16 a 18
(semanas alternas)
- Angel
Organizacion de la asignatura
pag. 3
CONTENIDOS
TEORIA:
Tema 1: Introduccion a los sistemas de radiocomunicacion
Tema 2: Componentes pasivos en radiofrecuencia
Tema 3: Circuitos resonantes y adaptacion de impedancias
Tema 4: Amplificadores sintonizados en radiofrecuencia
Tema 5: Osciladores
Tema 6: Redes PLL y sintetizadores de frecuencia
Tema 7: Mezcladores
Tema 8: Circuitos y sistemas para modulacion lineal y angular
Tema 9: Receptores para AM, FM y PM
Tema 10: Amplificadores de potencia
PRACTICAS:
Practica 1: Osciladores
Practica 2: PLLs integrados
Practica 3: Mezcladores integrados
Practica 4: Transmision AM/FM
- Angel
pag. 4
CON OTRAS ASIGNATURAS

RELACION
Plan de estudios: BOE 21 de Enero de 2004
Materia troncal: Radiacion y radiocomunicacion
Asignatura troncal 1: Sistemas de radiocomunicacion
Asignatura troncal 2: Propagacion y antenas
Asignaturas relacionadas:
Asignatura
Analisis de circuitos
Dispositivos electronicos (I y II)
Electronica analogica
Comunicaciones
Diseno y receptores de radio
Diseno de circuitos y sistemas electronicos
Antenas y propagacion
Transmision por soporte fsico
Circuitos integrados para comunicaciones
Radionavegacion y radiolocalizacion
Circuitos de radiofrecuencia y microondas
- Angel
tipo
troncal
troncales
troncal
troncal
optativa
troncal
troncal
troncal
optativa
optativa
optativa
curso
1
1y2
2
3
3
4
4
4
4
5?
5?
cuat.
1
2y1
1c
1
2
1
2
2
2
??
??
pag. 5
RECOMENDADA
BIBLIOGRAFIA
H.L. Krauss, C.W. Bostian, F.H. Raab: Solid State Radio Engineering. John Wiley & Sons, 1980.
H.L. Krauss, C.W. Bostian, F.H. Raab: Estado Solido en Ingeniera de Radiocomunicacion. Limusa, 1984.
D.O. Pederson, K. Mayaram: Analog Integrated Circuits for Communication. Kluwer
Academic Publishers, 1991.
D. Roddy, J. Coolen: Electronic Communications. Prentice Hall, 1984.
P. Young: Electronic Communication Techniques. Macmillan Publishing Group, 1994.
M. Sierra-Perez, J. Garca de la Calle, J. Riera Sals, F. Garca Muniz: Electronica de
Comunicaciones. Servicio de Publicaciones de la ETSIT, Universidad Politecnica de
Madrid, 1994.
U. Rhode, T. Bycher: Communication Receivers. MacGraw-Hill, 1996.
A.B. Carlson, B.P. Crilly, J.C. Rutledge: Communication Systems: an Introduction to
Signal and Noise in Electrical Communications. McGraw-Hill, 2002.
B.P. Lathi: Modern digital and analog communication systems. Holt, Rinehart and
Winston, Inc. 1989.
J.G. Proakis, M. Salehi: Communication System Engineering. Prentice-Hall, 2002.
M. Faundez Zanuy: Sistemas de comunicaciones. Marcombo. 2001.
- Angel
pag. 6
Tema 1:
A LOS
INTRODUCCION
- Angel
pag. 1
A LOS
Tema 1: INTRODUCCION
1.1.- Objetivos de la asignatura
1.2.- Sistemas de comunicacion
1.3.- Modulacion
1.4.- Sistemas de radiocomunicacion
1.5.- Caractersticas y elementos del emisor
1.6.- Caractersticas y elementos del receptor
- Angel
Tema 1: Introduccion
pag. 2
1.1.- OBJETIVOS DE LA ASIGNATURA

Estudio de los sistemas electronicos usados en radiocomunicacion:
Analisis y diseno de los sistemas electronicos

Transmisores
Receptores
Subsistemas y conexion
No veremos analisis ni diseno de antenas
No veremos propagacion de ondas electromagneticas
Descriptores (plan de estudios):
Sistemas de radiocomunicacion: clases y caractersticas
Electronica de comunicaciones
Elementos y subsistemas para emision y recepcion
- Angel
pag. 3

1.2.- SISTEMAS DE COMUNICACION
Origen: genera el mensaje (audio, vdeo,...).

Transductor de entrada: convierte el mensaje de entrada en senal electrica (senal en
banda-base).
Transmisor: adapta la senal para transmision por el canal (conversion A/D, modulacion, pre-enfasis, etc.).
Canal: medio transmision (radioelectrico o fsico), con atenuacion, distorsion y ruido.
Receptor: deshace las operaciones efectuadas por el transmisor.
Transductor de salida: proporciona el mensaje en su forma original (audio, vdeo,...).
- Angel
pag. 4
EFECTOS DEL CANAL:

Distorsion lineal: Provocada por la caracterstica de filtro del canal:
Atenua las distintas componentes de frecuencia.
Desfasa las distintas componentes de frecuencia.
Distorsion no lineal: Si la atenuacion depende de la amplitud de la senal.
Ruido: Senal aleatoria e impredecible anadida a la senal transmitida:
Externo: maquinas electricas, iluminacion, tormentas, etc.
Interno: movimiento de electrones, difusion y recombinacion de portadores, etc.
SENAL
RELACION
- RUIDO (SNR):
SNR: Relacion entre la potencia de la senal y la potencia del ruido.
La SNR disminuye a lo largo del canal:
Cada vez mas potencia de ruido.
Cada vez menos potencia de senal (por atenuacion).
SNR de la senal transmitida y SNR de la senal en banda base.
- Angel
pag. 5

1.3.- MODULACION
Transmision de informacion:
Informacion a transmitir: voz, musica, imagenes, texto, vdeo, datos procedentes de
instrumentos de medida...
Informacion representada mediante senales electricas (transduccion).
Forma de onda de las senales electricas puede ser compleja, as como la relacion con la
informacion que representan.
Las senales tienen un ancho de banda especfico:
Voz calidad telefonica: de 350 Hz a 3500 Hz
Audio HiFi: de 20 Hz a 20 kHz
Vdeo: 6 MHz
Problemas de la radiotransmision en banda base:
Eficacia de radiacion: f = 1kHz = fc = 300km antenas > 30 km!!!
Distorsion lineal del canal
Por un canal solo puede transmitirse una senal
- Angel
pag. 6
MODULACION
SOLUCION:
Transformamos la senal para adaptarla al canal (y hacer mas eficaz la transmision).
La modulacion desplaza la frecuencia de las senales.
Ventajas:
Transmision mas eficiente
Menor efecto de distorsion lineal
Dependiendo de tecnica de modulacion, mayor robustez al ruido
Posibilidad de transmitir varias senales simultaneamente
Ejemplo: radiodifusion FM
Banda de audio: 50 Hz - 15 kHz.
Se modulan definiendo canales de 150 kHz de ancho de banda.
Separacion entre canales: 200 kHz.
Rango FM de radiodifusion: 88 MHz - 108 MHz.
Ventajas:
Antenas eficientes: para 100 MHz = 3 m (antena de 75 cm).
La distorsion lineal afecta menos (f /f = 1,5 103).
El ruido afecta menos (intercambio SNR - ancho de banda).
Transmision simultanea de varios canales (multiplexacion por division de frecuencia). Entre 88 MHz y 108 MHz caben 100 canales.
- Angel
pag. 7

1.4.- SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACION
Estudio de sistemas de radiocomunicacion
Sistemas electronicos para transmitir senales electricas por radio:
Analisis y diseno de transmisores.
Analisis y diseno de receptores.
La transmision por radio requiere modulacion:
Senal de alta frecuencia: portadora
Senal de baja frecuencia a transmitir: modulante
La modulacion consiste en modificar algun parametro de la portadora, de acuerdo
con el valor instantaneo de la modulante:
Modulacion de amplitud (AM): se modifica la amplitud de la portadora
Modulacion de frecuencia (FM): se modifica la frecuencia de la portadora
Modulacion de fase (PM): se modifica la fase de la portadora
La recepcion de senales de radio requiere demodulacion:
Obtener la senal modulante a partir de la senal modulada
Seleccionar canales
Evitar interferencias
- Angel
pag. 8
AM Y FM:
MODULACION
- Angel
pag. 9
DIAGRAMA DE BLOQUES DE TRANSMISOR DE RF:
- Angel
pag. 10
DIAGRAMA DE BLOQUES DE RECEPTORES DE RF:

Receptor de galena
Receptor sintonizado
- Angel
pag. 11
EL RECEPTOR SUPERHETERODINO:
Problema del receptor cuando se transmiten varias senales:
Es necesario hacer filtrados selectivos para recibir un canal sin interferencias de los
canales adyacentes
El filtrado debe modificarse para cambiar de canal
Es difcil disenar filtros muy selectivos y sintonizables
Solucion: el receptor superheterodino
Filtrado sintonizable (no muy selectivo) en RF
Conversion a frecuencia intermedia (sintonizable)
Filtrado muy selectivo (filtro fijo) en frecuencia intermedia
Deteccion en frecuencia intermedia
De este modo, se puede aplicar un filtro muy selectivo a cualquier canal
Como ventaja adicional, la amplificacion se hace en distintas frecuencias (RF, IF, BB)
lo que permite distribuir la ganancia y evitar inestabilidades (oscilaciones)
- Angel
pag. 12
DIAGRAMA DE BLOQUES DEL RECEPTOR SUPERHETERODINO:
- Angel
pag. 13
DE LA FRECUENCIA IMAGEN:
ELIMINACION
Para desplazar la senal modulada de RF (fC ) a IF (fIF ), debemos multiplicar por una
portadora local de frecuencia fLO = fC +fIF (o bien de frecuencia fLO = fC fIF ).
El oscilador local desplaza a IF tanto la frecuencia fLO fIF como fLO + fIF .
La frecuencia fC + 2fIF = fLO + fIF (o bien la frecuencia fC 2fIF = fLO fIF )
se denomina frecuencia imagen, y se traslada, junto con la frecuencia de interes, a la
frecuencia intermedia, produciendo interferencias.
El filtrado en RF es necesario para evitar que se solapen en IF las senales correspondientes al canal sintonizado y su frecuencia imagen.
La selectividad requerida en el filtro depende de la frecuencia intermedia (debe ser mas
selectivo cuanto menor es fIF )
- Angel
pag. 14
INTERFERENCIA CAUSADA POR LA FRECUENCIA IMAGEN:
- Angel
pag. 15
INTERFERENCIA CAUSADA POR LA FRECUENCIA IMAGEN:
- Angel
pag. 16

RECEPTOR SUPERHETERODINO DE DOBLE CONVERSION:
Si por los requerimientos del diseno es necesaria una frecuencia intermedia baja (para
tener mas selectividad) y una gran selectividad en RF, se puede realizar una doble conversion:
- Angel
pag. 17

1.5.- CARACTERISTICAS
Y ELEMENTOS DEL EMISOR
CARACTERISTICAS DEL EMISOR
Frecuencia de emision fC :
Condiciona el diseno del emisor
Depende del tipo de transmision, del canal, etc.
Esta regulada por organismos: CCIR (Comite Consultivo Internacional de Radiocomunicaciones), ITU (Union Internacional de Telecomunicaciones), IFRB (International Frequency Registration Board), etc.
La frecuencia real se desva de la nominal debido a derivas (por temperatura, tension
de alimentacion, envejecimiento del equipo, etc.). La deriva f se mide en Hz o bien
se mide el cociente f /fC en partes por millon.
Tipo de modulacion y ancho de banda:
Estas caractersticas estan ligadas.
El tipo de modulacion depende de la senal a transmitir, calidad requerida, complejidad de los equipos, alcance requerido, ancho de banda disponible, etc.
El ancho de banda depende del tipo de modulacion y las caractersticas de la senal a
transmitir.
- Angel
pag. 18
Potencia de emision: condiciona el alcance. Esta limitada por las interferencias que
pueden producir.
Emisiones espurias: es una emision no deseada dentro o fuera de la banda u til. Se deben
a comportamientos no lineales, sobremodulacion, oscilaciones parasitas, armonicos, intermodulacion, etc.
ELEMENTOS DEL EMISOR
Oscilador: Genera la portadora, de frecuencia y amplitud fijas y estables.
Modulador: Modifica alguna caracterstica de la portadora de acuerdo con el valor de la
senal a transmitir.
Amplificador de potencia: Eleva la potencia de la senal para lograr una transmision
eficiente.
Redes de acoplo: Adaptan impedancias para conseguir maxima transferencia de potencia (de especial importancia entre el amplificador de potencia y la antena).
Multiplicadores de frecuencia: Permiten obtener osciladores de la frecuencia deseada a
partir de osciladores estables de baja frecuencia.
Circuitos de proteccion de la etapa de potencia: Evitan que se queme la etapa de potencia por variaciones en la impedancia de carga de la antena.
- Angel
pag. 19

Y ELEMENTOS DEL RECEPTOR
CARACTERISTICAS DEL RECEPTOR
Sensibilidad:
Es la capacidad de extraer la senal u til de la senal recibida.
La sensibilidad se define como el nivel de entrada (en microvoltios) necesario para
conseguir una determinada relacion senal-ruido a la salida (usualmente 20 dB).
Condiciona, por tanto, el alcance y la potencia del transmisor necesarios para establecer la comunicacion.
Selectividad: Capacidad para separar la senal u til de una senal no deseada proxima en
frecuencia (canales adyacentes).
Fidelidad: Mide la calidad de la senal proporcionada por el emisor (la SNR asociada a
la distorsion entre la senal de entrada del emisor y la senal de salida del receptor).
- Angel
pag. 20
ELEMENTOS DEL RECEPTOR

Amplificador de radiofrecuencia: Amplifica la senal captada por la antena.
Demodulador: Extrae la informacion que lleva la portadora. Pueden ser coherentes o no
coherentes.
Redes de acoplo: Para maxima transferencia de potencia.
Control automatico de ganancia (AGC): Posibilita la recepcion independientemente del
nivel de la senal recibida.
Control automatico de frecuencia: posibilita la recepcion independientemente de derivas
en el emisor.
Silenciador (squelch): suprime la salida del amplificador de BB en ausencia de senal,
para evitar amplificar ruido (amplificado, ademas, por el AGC).
- Angel
pag. 21
Tema 2:
COMPONENTES PASIVOS
EN RADIOFRECUENCIA
- Angel
pag. 1
Tema 2: COMPONENTES PASIVOS EN

RADIOFRECUENCIA
2.1.- Introduccion
2.2.- Impedancia y admitancia complejas
2.3.- Resistencia y autoinduccion de un hilo
2.4.- Modelo de resistencia en RF
2.5.- Modelo de condensador en RF
2.6.- Modelo de bobina en RF
2.7.- Ruido termico en componentes pasivos
- Angel
Tema 2: Comp. pasivos en RF
pag. 2

2.1.- INTRODUCCION
El comportamiento ideal de los componentes pasivos es:
ZR = R
Resistencia:
Capacidad:
Autoinduccion:
ZC =
1
1
=
jC Cs
ZL = jL = Ls
Sin embargo, en radiofrecuencias el comportamiento puede diferir mucho del ideal debido a elementos parasitos.
Estos efectos son despreciables a bajas frecuencias, pero no en RF.
Algunos de los efectos dependen de como esta construido el componente.

Dependiendo del rango de frecuencias debemos elegir los componentes adecuados y
tomar ciertas precauciones.
En este tema analizamos el comportamiento de los componentes pasivos en RF (resistencias, condensadores y bobinas y sus modelos equivalentes).
- Angel
pag. 3
2.2.- IMPEDANCIA Y ADMITANCIA COMPLEJAS

Componentes lineales: la ecuacion integro-diferencial que relaciona i(t) y v(t) es lineal:
Resistencia:
Capacidad:
v(t)
i(t) =
v(t) = R i(t) (ley de Ohm)
R
Z
1
Q
i(t) dt
C = v(t) =
V
C
di(t)
dt
Las ecuaciones diferenciales lineales se analizan comodamente en el dominio de Laplace
(o en el dominio de Fourier):
v(t) = L
Autoinduccion:
V = RI
Resistencia:
Capacidad:
Autoinduccion:
V =
1
1
I=
I
Cs
jC
V = LsI = jLI
- Angel
pag. 4
Cuando trabajamos a una frecuencia fija, se puede usar una representacion fasorial para
describir el comportamiento de los circuitos y resulta u til trabajar con impedancias o
admitancias complejas:
V
Z
I
I
Y
V
ZR = R
1
YR =
R
1
1
ZC =
=
jC Cs
YC = jC = Cs
1
1
=
jL Ls
Cuando tenemos una red de elementos R, L y C, aplicando tecnicas de analisis de circuitos podemos calcular la impedancia o la admitancia, que en general seran complejas.
En el lmite f la capacidad se comporta como un cortocircuito y la autoinduccion
como un circuito abierto. C altas: se usan para acoplar en RF; L altas: se usan para aislar
en RF (RFC, choques de radiofrecuencia)
ZL = jL = Ls
YL =
- Angel
pag. 5
RESISTENCIA, REACTANCIA, CONDUCTANCIA, SUSCEPTANCIA

Partes real e imaginaria de la impedancia:
Z = R + jX
R = Re(Z) X = Im(Z)
La parte real de la impedancia se denomina resistencia (R)

La parte imaginaria de la impedancia se denomina reactancia (X )
Partes real e imaginaria de la admitancia:
Y = G + jB
G = Re(Y ) B = Im(Y )
La parte real de la admitancia se denomina conductancia (G)

La parte imaginaria de la admitancia se denomina susceptancia (B )
- Angel
pag. 6
Cuidado con las operaciones con numeros complejos:

1
1
1
6=
=
G = Re(Y ) = Re
Z
Re(Z) R
(esto sera valido solo cuando se anula la parte reactiva)
Y =
1
1
R jX
R jX
=
=
= 2
Z R + jX (R + jX)(R jX) R + X 2
R
G= 2
R + X2
Z=
X
B= 2
R + X2
1
1
G jB
G jB
=
=
= 2
Y
G + jB (G + jB)(G jB) G + B 2
G
R= 2
G + B2
B
X= 2
G + B2
- Angel
pag. 7
DE UN HILO
2.3.- RESISTENCIA Y AUTOINDUCCION
RESISTENCIA DE UN HILO CONDUCTOR:
R=
l
A
: resistividad (m2/m)
l: longitud (m)
A: seccion (m2)
- Angel
pag. 8
EFECTO SKIN:
El campo EM inducido es mayor en el nucleo del conductor que en la zona exterior
El campo EM se opone al flujo de corriente
Como consecuencia, la densidad de corriente no es uniforme en el conductor:
Es mayor en la piel
Es menor en el nucleo
A altas frecuencias, la corriente se concentra en la zona mas externa del conductor, y
esto incrementa la resistencia del hilo
R=
l
(r22 r12)
El incremento de la resistencia depende, ademas, de la frecuencia
- Angel
pag. 9
El decaimiento de la densidad de corriente desde el exterior hacia el centro es aproximadamente exponencial: J J0 exp(x/x0)
x0 es la profundidad del efecto skin (o skin depth)
Para el cobre, a 60 Hz, x0 = 8,5 mm
Para el cobre, a 1 MHz, x0=70 m
x0 depende del material y de la frecuencia
Modelo de resistencia de hilo:
A bajas frecuencias:
R=
A altas frecuencias:
l
r2
l f
2r
La resistencia se incrementa (por efecto skin) con f de acuerdo con la constante

que depende del material
El efecto skin se puede reducir usando hilo de Litzendraht (formado por varios hilos
aislados y entrelazados)
R=
- Angel
pag. 10
DE UN HILO CONDUCTOR:
AUTOINDUCCION
El campo EM que crean los conductores da lugar a una autoinduccion
Autoinduccion de un hilo conductor dada por:

4l
L(nH) = 4,6 l(cm) log10
0,75
d
l es la longitud del hilo

d es el diametro del hilo
Por ejemplo: Un hilo de 5 cm de longitud y 0.7 mm de diametro presenta una autoinduccion L=56 nH
A bajas frecuencias, el efecto es despreciable (Z = R + jL)
A altas frecuencias, puede ser muy importante
En general, en circuitos de RF es aconsejable reducir todo lo posible distancias entre
componentes
- Angel
pag. 11
2.4.- MODELO DE RESISTENCIA EN RF

El modelo de resistencia en RF incluye:
R: el valor de la resistencia
L: una autoinduccion debida a los contactos
C : una capacidad debida al tiempo de relajacion (depende del material del que este hecha
la resistencia)
Impedancia del modelo:
RLCs2 + Ls + R
Z=
RCs + 1
La impedancia presenta un comportamiento resistivo a frecuencias muy bajas; puede
presentar un comportamiento capacitivo en un rango de frecuencias (en funcion de los
valores de la resistencia y elementos parasitos); a frecuencias muy altas, presenta un
comportamiento inductivo.
- Angel
pag. 12
- Angel
pag. 13
Presenta una frecuencia de resonancia (anulando la parte imaginaria):

r
1
1
1
L
Z(fr ) =
fr =
2 LC R2C 2
RC
Si L > R2C no hay resonancia ni comportamiento capacitivo.
Valores tpicos de los elementos parasitos:
L: 10 nH, 15 nH
C : 1 pF
Tipos de resistencias:
Hilo enrollado: L muy alta; no recomendables por encima de 1 MHz
Carbon: C alta; no recomendables por encima de 10 MHz
Pelcula metalica: adecuada para RF
- Angel
pag. 14
2.5.- MODELO DE CONDENSADOR EN RF

El modelo de condensador en RF incluye:
C : la capacidad del condensador

L: una autoinduccion debida a los contactos
R: una resistencia en paralelo con el condensador que modela las fugas en el dielectrico,
de valor muy grande normalmente
Rs: se puede incluir ademas una resistencia en serie, de valor pequeno, que modela la
resistencia de los contactos
RLCs2 + Ls + R
Z=
+ Rs
RCs + 1
La impedancia presenta un comportamiento resistivo a frecuencias extremadamente bajas; presenta un comportamiento capacitivo en un rango de frecuencias (en funcion de
los valores de la capacidad y elementos parasitos); a frecuencias muy altas, presenta un
comportamiento inductivo.
- Angel
pag. 15
- Angel
pag. 16
Presenta una frecuencia de resonancia (anulando la parte imaginaria):

r
1
1
1
L
2 2
Z(fr ) =
+ Rs Rs
fr =
2 LC R C
RC
Las caractersticas del dielectrico condicionan las propiedades del condensador:
Fugas en el dielectrico (resistencia paralelo)
Rango de frecuencias
Estabilidad termica
Rango de temperaturas
Rango de tensiones (directas e inversas) toleradas
Tipos de condensador:
Vidrio, ceramica
Papel, papel metalizado
Electroltico
Plastico, nylon, poliestireno, teflon, etc.
- Angel
pag. 17
2.6.- MODELO DE BOBINA EN RF

El modelo de bobina en RF incluye:
L: la autoinduccion de la bobina
R: una resistencia en serie que representa la resistencia o hmica de la bobina
C : una capacidad en paralelo que modela la capacidad entre las espiras de la bobina (las
espiras son conductores separados una cierta distancia y a distintos voltajes, por lo que
presentan un comportamiento capacitivo)
Ls + R
Z=
LCs2 + RCs + 1
La impedancia presenta un comportamiento resistivo (R) a frecuencias extremadamente
bajas; presenta un comportamiento inductivo en un rango de frecuencias (en funcion de
los valores de la bobina y elementos parasitos); a frecuencias muy altas, presenta un
comportamiento capacitivo.
- Angel
pag. 18
Frecuencia de resonancia:
1
fr =
2
1
R2
LC L2
- Angel
L
Z(fr ) =
RC
pag. 19
EN BOBINAS DE NUCLEO
AUTOINDUCCION
DE AIRE:
B 2 n2
L=
0,45B + A
B
R = 4n 2
D
Br
C & (n 1)
11,45 cosh1(S/D)
L: autoinduccion en nH
B : diametro de las espiras en mm
A: longitud total de la bobina en mm
n: numero de espiras
S : distancia entre espiras consecutivas
en mm
D: diametro del hilo en mm
r : constante dielectrica
El factor de calidad Q se define como el cociente entre las partes reactiva y resistiva:
Q = X/R
En una bobina:
XL L
Q=
=
R
R
El factor de calidad aumenta linealmente con , pero se ve reducido por el efecto skin,
y tambien se ve limitado por la capacidad parasita
Para mejorar Q, se puede usar hilo mas grueso, separar las espiras, o bien aumentar la
permeabilidad magnetica utilizando un nucleo (permite reducir el numero de espiras)
- Angel
pag. 20
EN BOBINAS DE NUCLEO
AUTOINDUCCION
MAGNETICO:
L i = i L 0
donde i es la permeabilidad magnetica relativa del nucleo
Ventajas de usar nucleo magnetico:
Bobina de menor tamano
Incremento de Q (la misma autoinduccion se consigue con menor numero de espiras,
reduciendose R y C parasitas)
Posibilidad de ajustar L introduciendo o sacando el nucleo
Inconvenientes de usar nucleo magnetico:
Perdidas por histeresis (resistencia en paralelo)
i depende de la frecuencia (disminuye con e sta)
i depende de T
i depende de la amplitud (puede llegar a saturarse) dando lugar a no-linealidades
- Angel
pag. 21

2.7.- RUIDO TERMICO
EN COMPONENTES PASIVOS
El ruido termico es debido al movimiento browniano de los electrones en un conductor
La mecanica estadstica clasica (ley de equiparticion de Maxwell-Boltzmann) establece
que la potencia del ruido termico viene dada por:
P = kT B
donde:
P es la potencia en W
k es la constante de Boltzmann: k =1.381023 J/K
T es la temperatura absoluta en K
B es el ancho de banda para el que se mide el ruido
(esto es valido para frecuencias hasta 1013 Hz)
El ruido termico es blanco (espectro plano)
Voltaje cuadratico medio debido al ruido termico en una resistencia:
Vn2 = 4kT RB
La resistencia
p se comporta como un generador de ruido con una tension rms de salida
vrms = Vn2 y una resistencia serie R
- Angel
pag. 22
Ejemplo: T =20oC (293 K); R=100 k; B =1 MHz
vrms = 40,3V
Para redes RLC:
Vn2 = 4kT
Z
Re(Z(f ))df
B
El ruido termico:
Aumenta con el ancho de banda
Aumenta con la resistencia
Aumenta con la temperatura
Como afecta esto? (que precauciones debemos tomar?)
Resistencias de valores bajos (incrementa el consumo)
Anchos de banda lo mas pequenos posibles
Temperatura lo mas baja posible (en caso extremo, refrigerar)
Extremar precauciones en los subsistemas que funcionan con niveles bajos de senal
(amplificador RF del receptor, por ejemplo)
- Angel
pag. 23
Tema 3:
CIRCUITOS RESONANTES Y
DE IMPEDANCIAS
ADAPTACION
- Angel
pag. 1
Tema 3: CIRCUITOS RESONANTES Y

DE IMPEDANCIAS
ADAPTACION
3.1.- Introduccion
3.2.- Circuito RLC serie
3.3.- Circuito RLC paralelo
3.4.- Circuito (RL)kC
3.5.- Circuito (RC)kL
3.6.- Transformacion paralelo-serie
3.7.- Circuitos resonantes con derivacion
3.8.- Transformadores
3.9.- Maxima transferencia de potencia
3.10.- Cristales de cuarzo
3.11.- Filtros de onda acustica de superficie
- Angel
Tema 3: Circ. resonantes
pag. 2

3.1.- INTRODUCCION
La impedancia o admitancia de una red con R, L y C es una funcion complicada de la
frecuencia:
Z(j) = R(j) + jX(j)
Y (j) = G(j) + jB(j)
La impedancia, en general, presenta parte real (resistiva) e imaginaria (reactiva)

Para algunos circuitos, a alguna frecuencia se anula la parte imaginaria:
La condicion Im(Z(j0)) = 0 es la condicion de resonancia
La frecuencia f0 que hace que se cumpla es la frecuencia de resonancia
Los circuitos para los que existe una o varias frecuencias de resonancia son llamados
circuitos resonantes
Los circuitos resonantes se usan mucho en comunicaciones:
Para separar senales (filtrar)
Para transformar impedancias (para que haya acoplamiento de impedancias y maxima transferencia de potencia)
- Angel
pag. 3
La resonancia ocurre a una frecuencia muy concreta f0

Se denomina ancho de banda (B , en Hz) al rango de frecuencias para las que se
cumple aproximadamente la condicion de resonancia (es la anchura del pico o valle de
impedancia)
La selectividad de un circuito resonante se puede expresar en terminos del ancho de
banda B o del factor de calidad Q
Las propiedades de los circuitos resonantes (B , Q, f0, Z(j0), transformacion de
impedancias, etc.) son de gran importancia en radiocomunicacion:
amplificadores de RF
osciladores
- Angel
pag. 4
3.2.- CIRCUITO RLC SERIE
Impedancia:

Z(j) = R + j L
1
C
Resonancia:
r
Im(Z(j0)) = 0
0 =
1
LC
f0 =
1
2
1
LC
Impedancia en la frecuencia de resonancia:
Z(j0) = R
- Angel
pag. 5
- Angel
pag. 6
ANCHO DE BANDA B :
Ancho de banda B : se define como el intervalo de frecuencias [f1, f2] tal que en f1 y
en f2 la parte reactiva es igual a la resistiva: X(j) = R
Esta definicion tambien
se denomina ancho
de banda a mitad de potencia, porque
|Z(j1)| = |Z(j2)| = 2 Z(j0) = 2 R y la potencia disipada en R es la mitad
de la disipada en la frecuencia de resonancia
Puede demostrarse que (2 1) = R
L y por tanto
B=
1 R
2 L

1L
1
1C
2L
1
2C

1
demostracion:
Z(j) = R + j L
C
RC R2C 2 + 4LC
2
= R
LC1 + RC1 1 = 0
1 =
2LC
+RC R2C 2 + 4LC

2
= +R
LC2 RC2 1 = 0
2 =
2LC
2 1 =
RC R
=
LC
L
B=
- Angel
1 R
2 L
pag. 7
FACTOR DE CALIDAD Q:
Factor de calidad Q: se define como:
2 maxima energa instantanea almacenada

energa disipada en un periodo
Para el circuito RLC serie se verifica:
Q
0L
1
|XL| |XC |
=
=
=
Q=
R
0CR
R
R
Puede verse que el factor de calidad es igual al cociente entre la frecuencia y el ancho
de banda:
0L
0
f0
Q=
=
=
R
2 1 B
En la frecuencia de resonancia, Vc y VL toman valores de pico Q veces mayores que
VR
- Angel
pag. 8
Calculo del factor de calidad:

Para la frecuencia de resonancia 0:
v(t) = V0 sin(0t)
i(t) =
V0
sin(0t)
R
En la bobina:
vL(t) = L
d i(t) V0L0
=
cos(0t)
dt
R
V02L0
V02L0
pL(t) = i(t)vL(t) =
cos(0t) sin(0t) =
sin(20t)
R2
2R2

/(20)
Z /(20)
V02L0
1
V02L
EmaxL =
pL(t)dt =
cos(20t)
=
2
2R
2
2R2
0
0
0
Z 2/0
V02 2
V02
V02 2
sin (0t) =
(1 cos(20t))
ER =
pR (t)dt =
pR (t) =
R
2R
2R 0
0
2EmaxL
V02L 2R0 0L
= 2 2
=
Q=
ER
2R 2V02
R
En el condensador el calculo es similar (en la frecuencia de resonancia, 0L = 1/(0C)):
Q=
2EmaxC
1
0L
=
=
ER
0CR
R
- Angel
pag. 9
3.3.- CIRCUITO RLC PARALELO
Impedancia y admitancia:
1
1
Y (j) = + j C
R
L
Z(j) = 1
1 + jC
+
R
jL
Resonancia:
r
Im(Y (j0)) = 0
0 =
1
LC
1
f0 =
2
1
LC
Y (j0) =
1
R
Z(j0) = R
- Angel
pag. 10
Ancho de banda:
2 1 =
1
RC
B=
1 1
2 RC
Factor de calidad:
0
R
= 0CR =
Q=
2 1
0L
En resonancia, la corriente de pico que circula por el condensador y por la bobina es Q
veces la que circula por la resistencia
Circuito poco realista (por la resistencia serie de la bobina)
- Angel
pag. 11
- Angel
pag. 12
- Angel
pag. 13
3.4.- CIRCUITO (RL)kC
Admitancia:
Y (j) =
1
R
L
+ jC = 2
+
j
C
R + jL
R + 2 L2
R 2 + 2 L2
Resonancia:
Im(Y (j0)) = 0
L
C= 2
R + 02L2
- Angel
0 =
1
R2
2
LC L
pag. 14
1 R
1
Frecuencia de resonancia: f0 = 2
LC
L2
Z(j0) = R +
02L2
R

=R+
1
LC
R2
L2
L2
L
=
RC
L
Observamos que la red transforma la impedancia: Rt = RC
El factor de calidad de la bobina en 0 es:
L
Qt = 0
R
La impedancia equivalente (en 0) puede expresarse como:
02L2
Rt = R +
= R + RQ2t = R(Q2t + 1)
R
Es decir, a la frecuencia de resonancia el circuito transforma la resistencia R en una
resistencia Rt que es (Q2t + 1) veces mayor
- Angel
pag. 15
EJEMPLO:
Queremos transformar una impedancia de carga R de 50 en una impedancia de 1 k a la
frecuencia de 2 MHz.
0 = 2f0 = 4 106 rad/s

Q2t + 1 = RRt = 20 Qt = 4,36
t
L = RQ
= 17,3H
0
C=
Qt
0Rt
= 347 pF
o tambien: 02
1
LC
f0
BQ
= 458 kHz
t
R2
L2
C=
1
2
02L+ RL
= 347 pF
- Angel
pag. 16
- Angel
pag. 17
POTENCIA SUMINISTRADA A LA CARGA:

Corriente por la rama RL:
IR =
V0
R + j0L
s
q
q
=
|IR | = |IR |2 = IR IR
V0
V02
=
(R + jL)(R jL)
V0
q
V0
=q
= q
=
Q2t + 1
Rt
R2 + 02L2 R 1 + Q2t
Potencia suministrada a R:

V02 2
V02
2
PR = |IR | R = 2 Qt + 1 R =
Rt
Rt
La potencia suministrada a R es la misma que se suministrara a Rt
- Angel
pag. 18
3.5.- CIRCUITO (RC)kL
Admitancia:
1
1
R
+
= 2
+j
2
2
jL R + 1/(jC) R + 1/( C )
Resonancia:
Y (j) =
Im(Y (j0)) = 0
1
1/C
= 2
L R + 1/(02C 2)
- Angel
1/(C)
1
R2 + 1/( 2C 2) L
r
0 =
1
LC C 2R2
pag. 19
1
1
Frecuencia de resonancia: f0 = 2
LCC 2R2
Y (j0) =
R
R
RC
L
=
Z(j
)
=
=
0
L
RC
R2 + 1/(02C 2) R2 + L/C R2
L
Observamos que la red transforma la impedancia: Rt = RC
El factor de calidad del condensador en 0 es:
1
0RC
La impedancia equivalente (en 0) puede expresarse como:
!
1
1
Rt = R + 2 2 = R 1 + 2 2 2 = R(Q2t + 1)
0 C R
R 0 C
Qt =
Es decir, a la frecuencia de resonancia el circuito transforma la resistencia R en una

resistencia Rt que es (Q2t + 1) veces mayor (siempre y cuando la resistencia parasita de
la bobina se pueda despreciar, es decir, QL > Qt)
- Angel
pag. 20
- Angel
pag. 21
EFECTO DE LA RESISTENCIA DE LA FUENTE:

A la frecuencia de resonancia, un circuito RL||C o CR||L presenta una impedancia
equivalente Rt = R(Q2t + 1)
Si la fuente presenta una resistencia finita Rs, la impedancia vista entre los extremos A
y B es Rt0 = Rs||Rt, y esto afecta al factor de calidad Q y al ancho de banda B :
Q0t
Rt0
= Qt
Rt
disminuye
B0
- Angel
Rt
=B 0
Rt
aumenta
pag. 22
PARALELO-SERIE
3.6.- TRANSFORMACION
Xs
Rs
Z = Rs + jXs
Qs =
1
1
Y =
+
Rp jXp
Rp
Qp =
Xp
Supongamos que queremos encontrar el circuito serie equivalente al circuito paralelo dado por Rp y Xp
Rse y Xse equivalentes seran las partes real e imaginaria de la impedancia del circuito:
1
Z= =
Y
1
Rp
Xp2Rp + jRp2Xp
1
=
Rp2 + Xp2
+ jX1 p
Xp2Rp
1
=
R
Rse = 2
p
Rp + Xp2
Q2p + 1
Rp2Xp
Q2p
Xse = 2
= Xp 2
Rp + Xp2
Qp + 1
Xse XpQ2p
Qse =
=
= Qp
Rse
Rp
- Angel
pag. 23
Z = Rs + jXs
Y =
1
1
+
Rp jXp
Xs
Qs =
Rs
Qp =
Rp
Xp
Supongamos que queremos encontrar el circuito paralelo equivalente al circuito serie dado por Rs y Xs
1/Rpe y 1/Xpe equivalentes seran las partes real e imaginaria de la admitancia del circuito:
Y =
1
1
Rs jXs
=
= 2
Z Rs + jXs
Rs + Xs2
Rs2 + Xs2
= Rs (Q2s + 1)
Rpe =
Rs
Rs2 + Xs2
Q2s + 1
= Xs
Xpe =
Xs
Q2s
Rpe RsQ2s
=
= Qs
Qpe =
Xpe
Xs
- Angel
pag. 24
RESUMEN CONVERSION PARALELO-SERIE:
Circuito paralelo equivalente a red serie:
Circuito serie equivalente a red paralelo:
Xs
Qs =
= Qpe
Rs
Qp =
Rp
= Qse
Xp
Si Q 10:
Si Q 10:
Rpe = Rs (Q2s + 1)
Rse = Rp / (Q2p + 1)
Q2s + 1
Xpe = Xs
Q2s
Q2p
Xse = Xp 2
Qp + 1
Si Q > 10:
Si Q > 10:
Rpe = Rs Q2s
Rse = Rp / Q2p
Xpe = Xs
Xse = Xp
- Angel
pag. 25
RESUMEN CONVERSION PARALELO-SERIE PARA REDES RC :
1
1
Xs =
Qs =
Cs
CsRs
1
Qp = CsRs
Cp
Xp =
Qse = Qp
Qpe = Qs
Si Q 10:
Si Q 10:
Rpe = Rs (Q2s + 1)
Rse = Rp / (Q2p + 1)
Q2s
Cpe = Cs 2
Qs + 1
Q2p + 1
Cse = Cp
Q2p
Si Q > 10:
Si Q > 10:
Rpe = Rs Q2s
Rse = Rp / Q2p
Cpe = Cs
Cse = Cp
Ojo: la conversion depende de la frecuencia (Q depende de )
- Angel
pag. 26
RESUMEN CONVERSION PARALELO-SERIE PARA REDES RL:
Ls
Xs = Ls
Qs =
Rs
Rp
Lp
Xp = Lp
Qp =
Qse = Qp
Qpe = Qs
Si Q 10:
Si Q 10:
Rpe = Rs (Q2s + 1)
Rse = Rp / (Q2p + 1)
Q2s + 1
Lpe = Ls
Q2s
Q2p
Lse = Lp 2
Qp + 1
Si Q > 10:
Si Q > 10:
Rpe = Rs Q2s
Rse = Rp / Q2p
Lpe = Ls
Lse = Lp
Ojo: la conversion depende de la frecuencia (Q depende de )
- Angel
pag. 27
EJEMPLO: L||C CON RESISTENCIAS SERIE rL Y rC
QL =
L
rL
RL =
rL (Q2L
RC =
rc (Q2C
Rt =
QC =
1
CrC
+ 1)
Q2L + 1
Lt = L
Q2L
+ 1)
Q2C
Ct = C 2
QC + 1
RL RC
RL + RC
r
1
0
LtCt
Qt =
Rt
= CtRt
Lt
- Angel
f0
Qt
pag. 28
EJEMPLO: Analizar la red RLC de la figura
r
0
1
= 25,0M rad/s
LC
QL =
L
= 40
rL
RL = rL Q2L = 16k
RC =
rC (Q2C
r
+ 1) = 3,25k
Qt =
1
=8
CrC
Lt = L = 16H
Q2c
= 98pF
Ct = C 2
Qc + 1
1
= 25,25M rad/s
LtCt
Rt = 2,70k
QC =
Rt
= 6,68
0Lt
- Angel
f0 = 4,02MHz
B = 601kHz
pag. 29
- Angel
pag. 30

3.7.- CIRCUITOS RESONANTES CON DERIVACION
Circuitos RL||C y RC||L interesantes (transforman impedancias)
Sin embargo, una vez establecidos R, RL y 0, los valores Q y B quedan fijados
Sera conveniente anadir un grado de libertad que permita tambien establecer el ancho
de banda B (o el factor de calidad Q)
Solucion: circuitos resonantes con derivacion (o pinchados)
circuito con condensador pinchado (tapped capacitor)
circuito con bobina pinchada (tapped inductor)
Son circuitos mas flexibles, pero tambien mas complejos (analisis exacto complicado)
Por otra parte, elegir valores exactos de L y C va a ser imposible (valores disponibles,
tolerancias, etc.)
Puesto que queremos controlar B , se supone que queremos disenar circuitos de banda
estrecha (Q alto); si Q > 10 podemos usar expresiones aproximadas
- Angel
pag. 31
CIRCUITO TAPPED CAPACITOR:
Analisis del circuito:

Conversion paralelo-serie de C2 y R2 a Cse y Rse (factor de calidad Qp = 0C2R2)
Agrupacion de Cse y C1 en serie (C 0)
Conversion serie-paralelo de C 0 y Rse a Ct y Rt (factor de calidad Qt = 0CtRt)
Diseno de la red tapped capacitor: dados R2, Rt, f0 y B , hay que calcular L, C1 y C2:
f0
Qt =
B
Rse =
Qt
Ct =
0Rt
Rt
R2
=
Q2t + 1 Q2p + 1
Qp
C2 =
0R2
1
L= 2
0 Ct
r
Rt
N
R2
Q2p + 1
Cse =
C2
Q2p
- Angel
Q2t + 1
C =
Ct
Q2t
r
Q2t + 1
Qp =
1
N2
0
CseC 0
C1 =
Cse C 0
pag. 32
EJEMPLO DE CIRCUITO TAPPED CAPACITOR:
Queremos disenar un circuito que transforme una impedancia de 100 en 8100 a la frecuencia de 1.5
MHz, con un ancho de banda de 100 kHz
R2 = 100
Rt = 8100
f0 = 1,5 106Hz
B = 105Hz
L? C1? C2?
Diseno:
Qt =
f0
= 15
B
Qt
1
= 196,5pF
L = 2 = 57,3H
0Rt
0 Ct
r
r
Rt
Q2t
=9
Qp =
1 = 1,333
N=
R2
N2
Qp
= 1,414nF
C2 =
0R2
Ct = C 0 =
Q2p + 1
Cse =
C2 = 2,210nF
Q2p
- Angel
C1 =
CseCt
= 215,7pF
Cse Ct
pag. 33
Impedancia del circuito tapped capacitor del ejemplo
- Angel
pag. 34
Impedancia del circuito tapped capacitor (detalle)
- Angel
pag. 35
Diseno para Qt > 10 y Qp > 10:
Si Qt y Qp son grandes, se pueden hacer aproximaciones:
Qt =
f0
B
Ct =
Qt
0Rt
Q2t + 1
C =
Ct Ct
Q2t
0
Qt/N
Qp
= N Ct
C2 =
0R2
0Rt/N 2
1
N
02Ct
r
Q2t + 1
Qp =
1
N2
L=
Q2p + 1
Cse =
C2 C2
Q2p
Rt
R2
Qt
N
C1
C2Ct
N
Ct
C2 Ct
N 1
Resumiendo: para Qt > 10 y Qp > 10:
f0
Qt =
B
Qp
Qt
Ct =
0Rt
Qt
N
1
L= 2
0 Ct
C2 N Ct
C1
- Angel
r
N
Rt
R2
N
Ct
N 1
pag. 36
CIRCUITO TAPPED INDUCTOR:
Analisis del circuito:

Conversion paralelo-serie de L2 y R2 a Lse y Rse (factor de calidad Qp = R2/(0L2))
Agrupacion de Lse y L1 en serie (L0)
Conversion serie-paralelo de L0 y Rse a Lt y Rt (factor de calidad Qt = Rt/(0L0))
Diseno de la red tapped inductor: dados R2, Rt, f0 y B , hay que calcular C , L1 y L2:
f0
Qt =
B
Rse =
Rt
Lt =
0Qt
Rt
R2
=
Q2t + 1 Q2p + 1
R2
L2 =
0Qp
Si Qp > 10:
Qp Qt/N
1
C= 2
0 Lt
r
Rt
N
R2
Q2p
Lse = 2
L2
Qp + 1
L2 Lt/N
Q2t
L = 2
Lt
Qt + 1
r
Q2t + 1
Qp =
1
N2
0
L1 = L0 Lse
L1 Lt(N 1)/N
- Angel
pag. 37
EJEMPLO DE CIRCUITO TAPPED INDUCTOR:
Queremos disenar un circuito que transforme una impedancia de 1 k en 10 k a la frecuencia de 10.7

MHz, con un ancho de banda de 200 kHz
R2 = 1k
Diseno:
Rt = 10k
f0 = 10,7 106Hz
B = 2 105Hz
C ? L1 ? L2 ?
f0
Rt
1
= 53,5 Lt = L0 =
= 2,7802H C = 2 = 79,579pF N =
Qt =
B
0Qt
0 Lt
r
Q2t
R2
Qp =
1
=
16,888
L
=
= 880,76nH
2
N2
0Qp
Q2p
L2 = 877,68nH
Lse = 2
Qp + 1
Rt
= 3,1623
R2
L1 = Lt Lse = 1,9025H
Diseno aproximado (Qp > 10):
Qp
Qt
Lt
= 16,918 > 10 L2
= 879,17nH
N
N
- Angel
L1
N 1
Lt = 1,9010H
N
pag. 38
Impedancia del circuito tapped inductor del ejemplo
- Angel
pag. 39
3.8.- TRANSFORMADORES
BOBINA SIMPLE EN TOROIDE DE FERRITA
Supongamos una bobina enrollada sobre un nucleo de
ferrita toroidal, conectada a una fuente de corriente que
proporciona I1
El flujo magnetico 1 inducido por I1 es:
= KN1I1
donde K es una constante que depende de las dimensiones y caractersticas de la bobina y N1 el numero de
vueltas
El flujo inducido da lugar a una diferencia de potencial V1 (ley de Faraday):
d1
dt
Sustituyendo 1 por su valor, se obtiene la relacion entre I1 y V1 para la bobina:
V1 = N1
dI1
dI1
= L1
dt
dt
donde podemos identificar el coeficiente de autoinduccion:
V1 = KN12
L1 = KN12
- Angel
pag. 40
TRANSFORMADOR CON SECUNDARIO ABIERTO

Supongamos una segunda bobina enrollada sobre el nucleo de ferrita toroidal
El flujo magnetico 2 en el secundario es:
2 = k1
donde k es el coeficiente de acoplamiento entre
el primario y el secundario (0 < k < 1)
La diferencia de potencial V2 debida al flujo 2 es:
d2
d1
N2
= N2 k
= k V1
dt
dt
N1
y definiendo la razon de vueltas como n N1/N2, queda:
V2 = N2
V2
N2 k
=k
=
V1
N1 n
La relacion entre I1 y V2 viene dada por:
N2
dI1
dI1
V1 = kKN2N1
=M
N1
dt
dt
donde hemos definido la inductancia mutua M como:
L1
M kN1N2K = k
n
V2 = k
- Angel
pag. 41
TENSIONES Y CORRIENTES EN PRIMARIO Y SECUNDARIO

En general, tanto I1 como I2 contribuyen a V1 (a traves de L1 y M , respectivamente), y
tambien a V2 (a traves de M y L2, respectivamente:
dI
dI
V1 = L1 1 + M 2
dt
dt
dI1
dI2
V2 = M
+ L2
dt
dt
L1 = KN12
L
L2 = kN22 = 21
n
M = kN1N2K = k
L
L1 L2 = k 1
n
- Angel
pag. 42
TRANSFORMADOR IDEAL CON RESISTENCIA EN EL SECUNDARIO

dI1
dI2
V2 = I2R2 M
+L2 +R2I2 = 0
dt
dt
Si Q es grande (podemos despreciar R2 I2):
KN22
I1
L2
1
= =
=
I2
M
kKN1N2
kn
Transformacion de tensiones y corrientes:
V1 n
=
V2 k
I1
1
=
I2
kn
Transformacion de impedancias:
nV
V1
2
Rin =
= n 2 R2
= k1
I1 I2
kn
nk V1
Rs
V2
=
Rout =
=
knI1 n2
I2
- Angel
pag. 43
MODELO EQUIVALENTE DEL TRANSFORMADOR

dI2
dI1
+M
V1 = L1
dt
dt
dI1
dI2
V2 = M
+ L2
dt
dt
Impedancia del circuito:
(R2 + j(L2 M ))jM

(R2 + jL2)jM + 2M 2
Zt(j) =
+ j(L1 M ) =
+ jL1 jM =
R2 + j(L2 M ) + jM
R2 + jL2
2M 2
2M 2
= jM +
+ jL1 jM =
+ jL1
R2 + jL2
R2 + jL2
- Angel
pag. 44
Impedancia del modelo equivalente:
2M 2
Zt(j) =
+ jL1
R2 + jL2
Si sustituimos M por M , L2 por 2L2 y
R2 por 2R2, la impedancia no vara (para
cualquier valor de )
Para el particular que cumple:
2L2 M = 0
nos queda:
M
kL1/n
=
=
= kn
2
L2 L1/n
M2
M =
= k 2 L1
L2
- Angel
pag. 45
Conversion paralelo a serie:
Rp
n 2 R2
Qp =
=
k 2L1
L1
k 2 n 2 R2
1
Rse = Rp 2
= 2
Qp + 1
Qp + 1
Q2p
Lse = L1k 2
Qp + 1
2
Q2p + 1 k 2
Lt = (1 k )L1 + Lse = L1
Q2p + 1
Conversion serie a paralelo:
2
Lt
(Qt > 10)
Rt Q2t Rse
Rse
Otras formulas (utiles para diseno):
Qt =
Lt L1(Q2p + 1 k 2)/(Q2p + 1) L1(Q2p + 1 k) Q2p + 1 k

Qt =
=
= 2 2
=
Rse
k 2n2R2/(Q2p + 1)
k n L1Qp/n2
Qpk 2
s
!
p
q

2
2
4
2
Q
+
1
Q2t + 1 1
k
k
k
1
2
p
2
2
2
Qp = Qt
+
+
k 2
Qt + 1 1
Qp
k =
Qt
QpQt + 1
2
4
Q2t
Qt
- Angel
pag. 46
TRANSFORMADOR MONOSINTONIZADO
Si introducimos un condensador en el primario para sintonizar obtenemos un transformador monosintonizado

Proporciona adaptacion de impedancias (R2 a Rt)
Permite ajustar la frecuencia de resonancia 0
A traves de Qt permite ajustar el ancho de banda B
Gracias al transformador, proporciona aislamiento entre los circuitos primario y secundario
Permite el cambio de polaridad (sentido de bobinado del primario y el secundario)
Consideraremos Qt > 10
- Angel
pag. 47
DE TRANSFORMADOR MONOSINTONIZADO
DISENO
Dadas las especificaciones f0, B , R2, Rt se pide determinar C , L1, n y k
Sobra un grado de libertad (habra que fijar algun parametro de forma arbitraria)
Diseno: primero calculamos Qt, C y Lt:
f
Qt = 0
B
C=
Qt
Rt0
1
Lt = 2
0 C
Elegimos arbitrariamente k (entre kmin y 1) o bien elegimos Qp (entre Qpmin y Qt)

s
!
2+1
2
Q
k
k4 k2 1
p
2=
Qp = Qt
+
+
k
2
4
QpQt + 1
Q2t
Obtenemos L1 y n:
L1 =
Q2p + 1
Lt 2
Qp + 1 k 2
n 2 R2
Qp =
n=
0L1
Qp0L1
R2
El transformador especificado por L1, n y k o bien por L1, L2 y M :
L1
L2 = 2
n
L1
M =k
n
- Angel
pag. 48

EJEMPLO DE DISENO
Dadas las especificaciones f0 = 3,18 MHz, B = 159 kHz, R2 = 50, Rt = 2k se
pide determinar C , L1, n y k
Calculamos Qt, C y Lt:
f0
Qt =
= 20
B
Qt
C=
= 500pF
Rt0
1
Lt = 2 = 5H
0 C
Elegimos arbitrariamente Qp = 3 (entre Qpmin 1 y Qt = 20) y calculamos k :

s
Q2p + 1
k=
= 0,405
QpQt + 1
Obtenemos L1 y n:
L1 =
Q2p + 1
Lt 2
Qp + 1 k 2
s
= 5,08H
n=
Qp0L1
= 2,47
R2
Calculamos L2 y M :
L1
L2 = 2 = 0,833H
n
L1
M = k = 0,833H
n
- Angel
pag. 49
Impedancia del transformador monosintonizado del ejemplo
- Angel
pag. 50
TRANSFORMADOR DOBLEMENTE SINTONIZADO

Problemas de los circuitos monosintonizados:
Banda de paso no plana
Curva de selectividad no adecuada:
-20 dB/dec a cada lado del pico
Soluciones:
Cascada de filtros
Filtros ceramicos o a cristal
Filtros de onda acustica de superficie
Transformador doblemente sintonizado
Condensador en el primario
Condensador en el secundario
Mejor ajuste de respuesta en frecuencia
Usado para filtro en IF
- Angel
pag. 51
TRANSFORMADOR DOBLEMENTE SINTONIZADO

Suposiciones:
Primario y secundario identicos:
Rs = RL
Lp = Ls
Cp = Cs
n=1
M = kL
Q > 10; f0 B
XL = L
XC = 1/C
V = [R + j(XL XC )] I1 jkXLI2
0 = jkXLI1 + [R + j(XL XC )] I2
I1 = V
R + j(XL XC )
[R + j(XL XC )]2 + k 2XL2
I2 = V
- Angel
XL
[R + j(XL XC )]2 + k 2XL2
pag. 52
V
k 2XL2
Zt(j) = = R + j(XL XC )
I1
R + j(XL XC )
Zt(j) = R + j(XL XC ) + k 2XL2
R j(XL XC )
R2 + (XL XC )2
Condicion de resonancia:
r
XL = XC
0 =
1
LC
Impedancia a la frecuencia de resonancia:
k 2XL2
02k 2L2
=R+
Zt(j0) = R +
R
R
Maxima transferencia de potencia RL0 = R:
02k 2L2
=R
R
kc =
R
1
=
0L Q
Acoplamiento crtico si kc = 1/Q
- Angel
pag. 53
Si k kc la impedancia (modulo) presenta un u nico pico

Si k = kc (acoplamiento crtico) el pico presenta anchura maxima
Si k > kc aparecen dos picos (sobreacoplamiento)
Hay una cada de 40 dB/dec a ambos lados (doblemente sintonizado)
Frecuencia de los picos (fa y fb) cuando hay sobreacoplamiento:
q
f
fb fa = k 2Q2 1 0
Q
Rizado cuando hay sobreacoplamiento:

max(|Z|)
1
= 0,5 kQ
Z(j0)
kQ
- Angel
pag. 54
DE TRANSFERENCIA
TRANSF. DOBLEM. SINTONIZADO: FUNCION
R = 50; L = 16H; C = 125 pF; kc = 0,14; Q = 7,16; f0 = 3,56 MHz
- Angel
pag. 55

3.9.- MAXIMA
TRANSFERENCIA DE POTENCIA
Supongamos una fuente de senal, con Rs , que debe transferir potencia a una carga RL
Pretendemos que haya maxima transferencia de potencia
Potencia transferida a la carga:
RL
VsRL
Vs
= Vs2
Rs + RL Rs + RL
(Rs + RL)2
Maxima transferencia de potencia:
PL = VLI =
PL
=0
RL
PL
(Rs + RL) 2RL
2 Rs RL
= Vs2
=
V
s
RL
(Rs + RL)3
(Rs + RL)3
PL
=0
RL
Rs = RL
La maxima transferencia de potencia a la carga se consigue cuando la resistencia de carga es igual a la

resistencia de la fuente
Potencia maxima transferida a la carga (RL = Rs ):
PLmax =
Vs2
Rs
Vs2
=
(Rs + Rs)2 4Rs
- Angel
pag. 56
POTENCIA SUMINISTRADA POR LA FUENTE

Maxima potencia que puede suministrar la fuente (fuente en cortocircuito):
Vs2
P0 =
Rs
Potencia transferida a la carga:
RL
Vs2 RsRL
Rs RL
PL =
=
= P0
(Rs + RL)2 Rs (Rs + RL)2
(Rs + RL)2
Maxima transferencia de potencia (RL = Rs):
Vs2
Rs Rs
P0
=
4
(Rs + Rs)2
En condiciones de maxima transferencia de potencia, podemos transferir a la carga 1/4
de la potencia maxima de la fuente
PLmax = P0
- Angel
pag. 57
POTENCIA TRANSFERIDA A LA CARGA
- Angel
pag. 58

MAXIMA
TRANSF. DE POTENCIA: IMPEDANCIA COMPLEJA
Si la impedancia de la fuente y de la carga son complejas (Zs = Rs + jXs ; ZL = RL + jXL ) la potencia
suministrada a la carga sera:
Vs
Vs
Vs2RL
PL = |IL| Re(ZL) =
RL =
Zs + ZL Zs + ZL
((Rs + RL) + j(Xs + XL))((Rs + RL) j(Xs + XL))
2
Vs2RL
PL =
(Rs + RL)2 + (Xs + XL)2
Condicion de maxima transferencia de potencia:
PL
=0
RL
PL
=0
XL
Derivadas parciales:
PL
Rs2 RL2 + (Xs + XL)2
2
= Vs
RL
((Rs + RL)2 + (Xs + XL)2)2
PL
Xs + XL
= Vs2RL
XL
((Rs + RL)2 + (Xs + XL)2)2
Condicion de maxima transferencia de potencia:

PL/RL = 0
RL = Rs
PL/ZL = 0
XL = Xs
- Angel
ZL = Zs
pag. 59
Problema de transferencia de potencia con impedancia compleja:

ZL = ZL(j); Zs = Zs(j): dependencia con la frecuencia
Transferencia de potencia maxima u nicamente a 0
Adaptacion sin reflexion requiere que las impedancias Zs y ZL sean iguales (reflectionless match )
Adaptacion con maxima transferencia de potencia requiere que las impedancias Zs
y ZL sean complejas conjugadas (conjugate match)
La verificacion simultanea de ambas condiciones es u nicamente posible si Zs y ZL
son reales (RL = Rs)
En la practica, para conseguir maxima transferencia de potencia y evitar reflexiones en
una banda amplia se aplica la condicion reflectionless match y se procura que la parte
reactiva de la fuente sea lo menor posible
- Angel
pag. 60
3.10.- CRISTALES DE CUARZO

El cuarzo (y otros cristales) tiene propiedades piezoelectricas:
Una deformacion mecanica produce desplazamientos de cargas y la aparicion de un
potencial electrico
La aplicacion de un potencial electrico produce deformaciones
Si se aplica un voltaje senoidal, e ste da lugar a una deformacion mecanica senoidal
(oscilacion mecanica; onda acustica)
Existen frecuencias de resonancia:
Frecuencias a las que la impedancia presenta maximos o mnimos
Frecuencia fundamental (f0) y sobretonos (3f0, 5f0, . . .)
Alrededor de cada frecuencia de resonancia el cristal se comporta como una red RLC
con:
Q alto (del orden de 105)
Gran estabilidad termica (del orden de 0.1 ppm/K)
Rango de frecuencias: de 20 kHz a 50 MHz (hasta 300 MHz en sobretono)
Usados para osciladores, filtros en IF y filtros en SSB
- Angel
pag. 61
DEL CRISTAL
CONSTRUCCION
Se corta una lamina de cuarzo con un determinado a ngulo con respecto al eje de simetra
del cristal y se metalizan las caras
- Angel
pag. 62
CIRCUITO EQUIVALENTE DEL CRISTAL DE CUARZO

Alrededor de cada frecuencia de resonancia, el
cristal se comporta como una red RLC con un
Q alto
El circuito equivalente incluye:
Cs y Ls asociadas a la resonancia del cristal
(dependen de las caractersticas elasticas del
cristal)
Rs que representa las perdidas (termicas)
del cristal (y modelan el factor de calidad
finito)
Cp que representa la capacidad debida a las
metalizaciones
1
LsCss2 + RsCss + 1
Z(j) =
(Cp + Cs)s Ls CpCs s2 + Rs CpCs s + 1

Cp+Cs
Cp+Cs
- Angel
pag. 63
LsCss2 + RsCss + 1
1
Z(j) =
(Cp + Cs)s Ls CpCs s2 + Rs CpCs s + 1

Cp +Cs
Cp +Cs
Alrededor de la frecuencia fundamental (o de los sobretonos) el cristal presenta dos frecuencias de resonancia:
Cuando se minimiza el numerador (frecuencia de resonancia serie, fs): la impedancia toma un valor
mnimo
Cuando se minimiza el denominador (frecuencia de resonancia paralelo, fp): la impedancia toma un
valor maximo
s
s
!
1
1
Cs
Cs
fp q
fs
= fs 1 +
f = fp fs = fs
1+
1
Cs Cp
C
C
2 LsCs
p
p
2 L
s Cs +Cp
Puesto que Cp Cs ambas frecuencias estan muy proximas

Las impedancias a las frecuencias de resonancia son:
Z(js) Rs
Z(jp)
LsCs
Cp(Cp + Cs)Rs
Comportamiento en frecuencia:
Para f < fs y f > fp comportamiento capacitivo
Entre fs y fp comportamiento inductivo
En fs y en fp comportamiento resistivo
Alrededor de las frecuencias de resonancia, transicion muy rapida de la fase (de /2 a /2 alrededor
de fs y de /2 a /2 alrededor de fp )
En la frecuencia fundamental se usan los modos de resonancia serie o paralelo
En sobretono, se suele utilizar resonancia serie
- Angel
pag. 64
RESPUESTA EN FRECUENCIA DEL CRISTAL

Rs = 15; Ls = 54,8 mH; Cs = 0,054 pF; Cp = 29 pF;
fs = 2,9257 MHz; fp = 2,9284 MHz; f = 2,72 kHz; Q = 67173
- Angel
pag. 65
SINTONIA DEL CRISTAL

Anadiendo al cristal capacidades o autoinducciones en serie o en paralelo se pueden
modificar ligeramente las frecuencias de resonancia fs y fp
Condensador en serie, de capacidad C1:
s

2
Cp
Cs
0
0
0
fp fp
Rs = Rs 1 +
fs = fs 1 +
Cp + C1
C1
Condensador en paralelo, de capacidad C1:
s
fs0 fs
fp0 fs
1+
Cs
Cp + C1
La impedancia en la resonancia paralelo disminuye

Las bobinas en serie o en paralelo con el cristal alteran las caractersticas de la respuesta en frecuencia (presentaran comportamiento inductivo a altas frecuencias o a bajas
frecuencias, respectivamente) apareciendo nuevas resonancias
Las bobinas en paralelo incrementan fp (y no modifican fs)
Las bobinas en serie reducen fs (y no modifican fp)
- Angel
pag. 66
SINTONIA DEL CRISTAL CON CAPACIDADES

Rs = 15; Ls = 54,8 mH; Cs = 0,054 pF; Cp = 29 pF; C1 = 20 pF
- Angel
pag. 67
SINTONIA DEL CRISTAL CON AUTOINDUCCIONES PARALELO

Rs = 15; Ls = 54,8 mH; Cs = 0,054 pF; Cp = 29 pF; Lparal
- Angel
pag. 68
SINTONIA DEL CRISTAL CON AUTOINDUCCIONES PARALELO

Rs = 15; Ls = 54,8 mH; Cs = 0,054 pF; Cp = 29 pF; Lparal
- Angel
pag. 69
SINTONIA DEL CRISTAL CON AUTOINDUCCIONES SERIE

Rs = 15; Ls = 54,8 mH; Cs = 0,054 pF; Cp = 29 pF; Lserie
- Angel
pag. 70
SINTONIA DEL CRISTAL CON AUTOINDUCCIONES SERIE

Rs = 15; Ls = 54,8 mH; Cs = 0,054 pF; Cp = 29 pF; Lserie
- Angel
pag. 71

3.11.- FILTROS DE ONDA ACUSTICA
DE SUPERFICIE
Los cristales de cuarzo basan el funcionamiento en el intercambio de energa entre la senal electrica
suministrada y una vibracion mecanica (onda acustica) que se propaga en el cristal
Las resonancias electricas son debidas a resonancias de la onda acustica
El cristal debe hacerse mas fino para incrementar la frecuencia de resonancia:
c 3000m/s
c
f
paraf0 = 50MHz = 60m
Por ello, es difcil hacer cristales de cuarzo con f0 de varias decenas de MHz
Solucion para altas frecuencias: resonadores de onda acustica de superficie (SAW, Surface Acoustic
Wave)
Dispositivo: estructura resonante en la superficie de un cristal, constituida por un sustrato sobre el que se
depositan unos electrodos (con tecnicas de circuitos integrados)
Sustrato de niobato de litio (Li Nb O3) o tantalato de litio (Li Ta O3)
La geometra y dimensiones de los electrodos determinan las resonancias y la respuesta en frecuencia
Se alcanzan frecuencias de resonancia de cientos de MHz
El diseno es complejo pero permite flexibilidad en el diseno de la respuesta en frecuencia
Dispositivos compactos (del orden de )
- Angel
pag. 72

ESTRUCTURA DE UN RESONADOR DE ONDA ACUSTICA
SUPERFICIAL
- Angel
pag. 73
Tema 4:
AMPLIFICADORES SINTONIZADOS
EN RADIO FRECUENCIA
- Angel
pag. 1
Tema 4: AMPLIFICADORES SINTONIZADOS EN RF

4.1.4.2.4.3.4.4.4.5.-
4.6.4.7.-
4.8.-
4.9.-
Introduccion
Transistores BJT y MOSFET (repaso)
Amplificadores en pequena senal
Modelo en parametros Y
Estabilidad del amplificador
Criterio de Linvill C
Criterio de Stern K
Obtencion de estabilidad
Realimentacion
Ganancia de potencia en amplificacion
Diseno con dispositivo incondicionalmente estable
Con realimentacion
Sin realimentacion
Diseno con dispositivo potencialmente inestable
Estabilizacion sin realimentacion con GS fijo
Estabilizacion sin realimentacion con GS y GL libres
Diseno de etapa amplificadora sintonizada
Adaptacion de impedancias y polarizacion
Procedimiento de diseno
- Angel
Tema 4: Amplificadores en RF
pag. 2

4.1.- INTRODUCCION
En radiocomunicaciones se necesitan amplificadores sintonizados: (en transmisor y receptor)
Amplificadores sintonizados (Q grande), grandes ganancias
La estabilidad puede ser un problema: oscilaciones no deseables
Objetivo del tema: diseno y analisis de amplificadores sintonizados en RF
- Angel
pag. 3
4.2.- TRANSISTORES BJT Y MOSFET (repaso)

EL TRANSISTOR BJT:
BJT: Bipolar Junction Transistor
(transistor bipolar de union)
Regiones de operacion:
Activa
Saturacion
Corte
Activa inversa:
VBE
VBE
VBE
VBE
> 0, VBC
> 0, VBC
< 0, VBC
< 0, VBC
< 0 (en npn)

> 0 (en npn)
< 0 (en npn)
> 0 (en npn)
Comportamiento fsico del transistor:

Activa, saturacion, corte, activa inversa
Uso del transistor BJT
En electronica analogica: activa
En electronica digital: corte y saturacion
- Angel
pag. 4
Comportamiento fsico: ecuaciones de Ebers Moll:

IE = IES eVBE /VT 1 + R ICS eVBC /VT 1
IC = F IES
donde
eVBE /VT
VT = kT /q

V
/V
1 ICS e BC T 1
(VT 25 mV a T ambiente)
En activa, VBE > 0 y VBC < 0
IE IES eVBE /VT

IC F IES eVBE /VT

1
I
F
IB = IE IC =
1 IC = C
F =
F
F
1 F
En activa podemos describir el comportamiento con estas ecuaciones:
IC = F IB
IC = IS eVBE /VT
donde IS y F son parametros dependientes del dispositivo
En activa, la corriente de colector se controla mediante la tension base-emisor (o mediante la corriente de base)
- Angel
pag. 5
Operacion en activa: IC depende de VBE
- Angel
pag. 6
Efecto Early (modulacion de anchura de la base)

VCE
V
/V
BE
T
IC = IS e
1+
VA
- Angel
pag. 7
SENAL
MODELO DE PEQUENA
DEL BJT:
El modelo de pequena senal se obtiene linealizando en torno al punto de polarizacion
Modelo en parametros (a partir de fsica del dispositivo)
rbb0 : resistencia distribuida de base (pequena)

r: resistencia union CB polarizada en inverso (muy grande)
C: capacidad de union CB polarizada en inverso (capacidad de transicion)
r : relacion entre vbe e ib
C : capacidad de union BE polarizada en directo (capacidad de difusion mas capacidad de transicion)
gm: transconductancia, relacion entre vbe e ic
ro: relacion entre vce e ic (modela efecto Early)
1
IC
=
ro VCE
gm =
IC
VBE
- Angel
1
IB
=
r VBE
pag. 8
Los parametros gm , r y ro dependen del punto de polarizacion:
IC0
gm =
VT
r =
gm
ro =
VA
IC0
La capacidad C corresponde a la capacidad de transicion de una union pn polarizada en inversa:
C =
C0
1+
VCB
0
n
donde n depende del perfil de dopado (C del orden de 1 pF)

La capacidad C incluye la capacidad de difusion y la de transicion:
C = Cd + Cje = F gm + 2Cje0
donde F es el tiempo de transito de los portadores en la base (C del orden de decenas de pF)
Las capacidades condicionan el comportamiento en alta frecuencia (se pueden despreciar a baja frecuencia pero influyen a alta frecuencia)
A partir de una cierta frecuencia, la ganancia en corriente disminuye:
|(f )| =
fT
f
siendo fT la frecuencia de transicion (para la que || = 1)
fT =
1
gm
1
2 C + C
2F
- Angel
pag. 9
EL TRANSISTOR MOSFET:
MOSFET: Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
(transistor de efecto campo metal-oxido-semiconductor)
Dispositivo de 4 terminales:
Sustrato o cuerpo (Bulk o Body, B)
Puerta (Gate, G)
Fuente (Source, S)
Drenador (Drain, D)
Comportamiento fsico del transistor:
Si la tension VGS supera el umbral VT , se crea un canal con
portadores libres(por efecto campo)
Si la tension VGD supera el umbral VT , el canal llega hasta el
drenador
Cuando hay canal entre fuente y drenador, hay conduccion
o hmica (en triodo u o hmico)
Si no hay canal, no conduce (en corte)
Si VGS > VT , pero VGD < VT el canal no llega al drenador
y todos los portadores del canal llegan al drenador: (en saturacion). La corriente de drenador controlada por VGS
En electronica analogica, se usa en saturacion
Comportamiento analogo al BJT con varias diferencias:
Dispositivo de puerta aislada
gm menor
Dependencia ID (VGS ) distinta a IC (VBE )
- Angel
pag. 10
Regiones de funcionamiento:
Saturacion
Ohmica
Corte
VGS > VT , VGD < VT (MOSFET de canal n)

VGS > VT , VGD > VT (MOSFET de canal n)
VGS < VT , VGD < VT (MOSFET de canal n)
En zona de comportamiento o hmico:

2
nCoxW
VDS
nCoxW
ID =
(VGS VT )VDS
(VGS VT )VDS
L
2
L
En zona de saturacion:
2

nCoxW
V
GS
(VGS VT )2 = ID0 1
ID =
2L
VT
siendo ID0
nCoxW 2
VT
2L
donde:
n (o p) es la movilidad de los portadores (electrones/huecos en MOSFET de canal n/p)
Cox = ox/dox es la capacidad del o xido
W es la anchura del canal
L es la longitud del canal
Efecto Body: la tension umbral VT depende de la tension sustrato-fuente (normalmente el sustrato estara cortocircuitado con la fuente o a la tension mas baja del circuito)
- Angel
pag. 11
Operacion en saturacion: ID depende de VGS
- Angel
pag. 12
Efecto de modulacion de longitud del canal (equivalente a efecto Early)

VGS 2
ID = ID0 1
(1 + VDS )
VT
- Angel
pag. 13
Tipos de MOSFET
En cuanto al tipo de canal:
De canal n (sustrato p, fuente y drenador n)
De canal p (sustrato n, fuente y drenador p)
En cuanto a la tension umbral:
Si para VGS = 0 hay canal, se llama MOSFET de deplexion, de empobrecimiento, o de tipo on (ocurre
si VT < 0 en MOSFET de canal n, o si VT > 0 en MOSFET de canal p)
Si para VGS = 0 no hay canal, se llama MOSFET de realce, de acumulacion, o de tipo off (ocurre si
VT > 0 en MOSFET de canal n, o si VT < 0 en MOSFET de canal p)
MOSFET de canal n de realce
MOSFET de canal p de realce
MOSFET de canal n de deplexion
MOSFET de canal p de deplexion
- Angel
pag. 14
SENAL
MODELO DE PEQUENA
DEL MOSFET:
El modelo de pequena senal se obtiene linealizando en torno al punto de polarizacion
Para simplificar supondremos sustrato y fuente cortocircuitados (capacidades a sustrato
y gmbvsb se eliminan)
Cgs: capacidad del canal (debida a la estructura MOS; grande)

Cgd: capacidad del canal (debida a la estructura MOS; grande)
Cds: capacidad drenador-sustrato (que esta cortocircuitado con fuente)
gm: transconductancia, relacion entre vgs e id
rd: relacion entre vds e id (modela efecto modulacion de longitud del canal)
gm =
ID
VGS
1
ID
=
rd VDS
- Angel
pag. 15

ID = ID0 1
gm =
VGS
VT
ID
VGS
2
(1 + VDS )
1
ID
=
rd VDS
Los parametros gm y rd dependen del punto de polarizacion:
2ID0
gm =
VGS VT
rd =
1
ID0
La capacidad Cgs corresponde a la capacidad de la estructura MOS en el canal (y es del orden de algunos
pF):
2
Cgs = W LCox
3
Las capacidades Cgd y Cds son varias veces menores que Cgs
Las capacidades condicionan el comportamiento en alta frecuencia (se pueden despreciar a baja frecuencia pero influyen a alta frecuencia)
La frecuencia de transicion es:
1 gm
fT =
2 Cgs
- Angel
pag. 16
CONFIGURACIONES AMPLIFICADORAS CON BJT:
impedancia de entrada
impedancia de salida
ganancia de corriente
ganancia de voltaje
ganancia de potencia
frecuencia de corte
emisor comun
media
alta
hf e
alta
muy alta
fhf e
colector comun
alta
baja
hf e + 1
.1
media
fhf c fhf e
- Angel
base comun
baja
muy alta
.1
alta
alta
fhf b hf efhf e
pag. 17
CONFIGURACIONES AMPLIFICADORAS CON MOSFET:
impedancia de entrada
impedancia de salida
ganancia de voltaje
frecuencia de corte
fuente comun
muy alta
media
alta
gm/(2Cgs)
- Angel
drenador comun
muy alta
baja
.1
gm/(2Cds)
pag. 18
SENAL
4.3.- AMPLIFICADORES EN PEQUENA

Amplificador en pequena senal implica:
(1) Amplitudes suficientemente pequenas para que los dispositivos activos se puedan modelar mediante
modelos lineales
(2) El voltaje de salida es proporcional al voltaje de entrada
Cual es el lmite dentro del cual puedo considerar que un BJT o un MOSFET operan en pequena senal?
Estudio de linealidad en un amplificador EC sintonizado
- Angel
pag. 19
Suposiciones:
Capacidades internas del transistor suficientemente pequenas a f0
Capacidades de desacoplo suficientemente grandes a f0
Despreciamos efecto Early
Resistencias de polarizacion Rb1 y Rb2 suficientemente grandes
A la frecuencia de resonancia f0, impedancia de carga Rt
Ganancia en f0:
Vo
= gmRt
Av =
Vi
Si aumentamos la amplitud de Vi deja de tener comportamiento lineal y abandonamos
la zona de operacion en pequena senal:
Desplazamiento del punto de polarizacion
Ganancia dependiente de la amplitud de la senal de entrada
Aparicion de armonicos
- Angel
pag. 20
Supongamos entrada:
vBE = VBE + Vi cos(t)

La intensidad de colector viene dada por las ecuaciones de Ebers Moll:
IC = IES exp(vBE /VT ) = IES exp(VBE /VT ) exp(Vi cos(t)/VT ) = IC0 exp(x cos(t))
donde se ha definido x Vi /VT
La funcion exp(x cos(t)) es periodica y por tanto admite un desarrollo en serie de Fourier:
exp(x cos(t)) = I0(x) + 2
In(x) cos(nt)
n=1
siendo In (x) las funciones de Bessel modificadas de primera especie

La intensidad de colector queda:
IC = IC0
I0(x) + 2
!
In(x) cos(nt)
n=1
En pequena senal (x 0):
lm I0(x) = 1
x0
IC IC0
xn
lm In(x) =
x0
n! 2n
lm I1(x) = x/2
x0
x2
1 + x cos(t) + cos(2t) + . . .
4
IC0 +
VC = VC0 gmRtVi cos(t)
- Angel
Vi 0
IC cos(t) = IC0 + gmVi cos(t)
VT
Av = gmRt
pag. 21
Analisis en gran senal:
IC = IC0 (I0(x) + 2
In(x) cos(nt))
El termino I0(x) produce un desplazamiento del punto de polarizacion:

Para x = 0,5, IC se incrementa un 6.3 %; para x = 1, IC se incrementa un 26.6 %
El termino 2I1(x) hace que la ganancia dependa de la amplitud de la senal de entrada:
Para x = 0,5, Av se incrementa un 3.2 %; para x = 1, Av se incrementa un 13.0 %
La ganancia dependiente de la amplitud da lugar a una distorsion. La distorsion tolerable determina el
lmite tolerable de amplitud de entrada (para Vi = 25 mV, amplitudes incrementadas 1dB)
Los terminos 2In (x) con n 2 dan lugar a armonicos de frecuencias n (filtrados)
- Angel
pag. 22
Analisis en gran senal para un MOSFET

ID = K(vGS VT )2
vGS = VGS + Vi cos(t)
ID = K ((VGS VT ) + Vi cos(t))2
ID = K(VGS VT )2 + KVi2 cos2(t) + 2K(VGS VT )Vi cos(t)
0
2I
1
1
0 + KV 2 + KV 2 cos(2t) +
D
Vi cos(t)
ID = ID
i
i
2
2
(VGS VT )
ID =
0
ID
1
1
2
+ KVi + KVi2 cos(2t) + gmVi cos(t)
2
2
Un valor grande de Vi (comparado con (VGS VT )) tiene dos efectos:

Desplaza el punto de polarizacion del MOSFET
Da lugar a la aparicion de un armonico de frecuencia 2
Sin embargo, no afecta a la ganancia para la componente
En la practica, las no linealidades se hacen importantes para Vi superiores a 400 mV
(en BJT para 25 mV)
- Angel
pag. 23

4.4.- MODELO EN PARAMETROS
Y
Modelos de pequena senal:
Basados en la fsica del dispositivo:
Aplicables en un rango amplio de frecuencias
Valores fijos en este rango de frecuencias
Adecuados para analisis mediante ordenador
Modelo en parametros Y (parametros de admitancia)
Modelo de cuadripolo (dispositivo con entrada y salida)
para analisis de estabilidad y ganancia
Util
para analisis de realimentacion
Util
Los parametros toman valores complejos especficos para cada frecuencia
- Angel
pag. 24

PARAMETROS
DE ADMITANCIA DE UN CUADRIPOLO
Cualquier dispositivo lineal de dos puertos se puede describir mediante las ecuaciones:
I1 = V1 yi + V2 yr = V1 YS
I2 = V1 yf + V2 yo = V2 YL
donde YS e YL son las admitancias de la fuente y de la carga, respectivamente, y donde yi,
yr , yf e yo son los parametros de admitancia en cortocircuito del dispositivo:

I1
I1
I2
I2
yi
yr
yf
yo
V1 V2=0
V2 V1=0
V1 V2=0
V2 V1=0
(admitancias de entrada, de transferencia inversa, de transferencia directa y de salida)
- Angel
pag. 25
I1 = V1 yi + V2 yr = V1 YS
I2 = V1 yf + V2 yo = V2 YL
Ganancia de tension y corriente, y admitancias de entrada y salida (AV , AI , Y1 e Y2):
yf
V2
AV
=
V1 yo + YL
V1
yr
=
V2 yi + YS
y f YL
I2
AI
=
I1 yiyo yf yr + yiYL
yr yf
I1
Y1
= yi
V1
y o + YL
yr yf
I2
Y2
= yo
V2
y i + YS
- Angel
pag. 26
Ejemplo de calculo de parametros Y
Parametros de admitancias de la red:

I1
yi =
= YA
V1 V2=0

I2
yf =
= YA
V1 V2=0

I1
yr =
= YA
V2 V1=0

I2
yo =
= YA + YB
V2 V1=0
Ganancia de tension y corriente, y admitancias de entrada y salida
AV =
yf
YA
=
y o + YL YA + Y B + Y L
Y1 = y i
yr yf
YA(YB + YL)
=
y o + Y L YA + YB + YL
AI =
y f YL
YAYL
=
y i y o y f y r + y i YL Y A YB + YA YL
Y2 = y o
- Angel
yr yf
YA Y S + YB Y A + YB YS
=
y i + YS
YA + YS
pag. 27

PARAMETROS
Y DE UN MOSFET

I1
yi =
= jCgs + jCgd
V1 V2=0

I1
yr =
= jCgd
V2 V1=0

I2
yf =
= gm jCgd
V1 V2=0

I2
yo =
= go + jCds + jCgd
V2 V1=0
- Angel
pag. 28

PARAMETROS
Y DE UN BJT SIN rx

I1
yi =
= g + g + jC + jC
V1 V2=0

I1
yr =
= g jC
V2 V1=0

I2
yf =
= gm g jC
V1 V2=0

I2
yo =
= go + g + jC
V2 V1=0
- Angel
pag. 29

PARAMETROS
Y DE UN BJT CON rx

gx(g + g + jC + jC)
I1
yi =
=
V1 V2=0 gx + g + g + jC + jC

gx(g + jC)
I1
yr =
=
V2 V1=0 gx + g + g + jC + jC

gx(gm g jC)
I2
yf =
=
V1 V2=0 gx + g + g + jC + jC

(g + jC)(gm + gx + g + jC )
I2
yo =
= go +
V2 V1=0
gx + g + g + jC + jC
- Angel
pag. 30
4.5.- ESTABILIDAD DEL AMPLIFICADOR

Circuito estable: libre de oscilaciones indeseables
Cualquier circuito es inestable si a la entrada recibe suficiente senal de la salida con la
fase adecuada
Acoplamiento entre salida y entrada:
A traves de elementos internos: C en BJT o Cgd en MOSFET
A traves de elementos externos (red de realimentacion)
Objetivo del amplificador:
Maxima ganancia de potencia
Estabilidad
Criterios de estabilidad:
Para dispositivos: Factor C de Linvill
Para circuitos: Factor K de Stern
|yf yr |
C=
2gigo Re(yf yr )
K=
C < 1 incondicionalmente estable
2(gi + GS )(go + GL)

|yf yr | + Re(yf yr )
K > 1 circuito estable
- Angel
pag. 31
FACTOR DE ESTABILIDAD C DE LINVILL

El factor de estabilidad C de Linvill se define como:
|yf yr |
C=
2gigo Re(yf yr )
Determina la estabilidad del dispositivo en el peor de los casos (con ambos puertos en
circuito abierto, es decir, YS 0 YL 0)
Si C < 1 el dispositivo es incondicionalmente estable (estable independientemente de
las admitancias de fuente y carga)
Si C > 1 el dispositivo es potencialmente inestable (puede ser inestable para determinados valores de las admitancias de carga y fuente)
Algunos BJTs y MOSFETs son potencialmente inestables en algunas frecuencias debido a C y Cgd
- Angel
pag. 32
Factor C de Linvill: ejemplo

Estudiar la estabilidad de un transistor 2N4957 a f = 200 MHz, con IC = 2 mA y
VCE = 10 V en emisor comun
Consultando graficas podemos ver:
yi = (2,7 + j6,8)mf
yf = (53 j22)mf
yo = (0,1 + j1,5)mf
yr = (0 j0,5)mf
|yf | = 57,4mf
|yr | = 0,5mf
|yf yr |
57,4 0,5
C=
=
= 2,49 > 1
2gigo Re(yf yr ) 0,54 + 11
- Angel
potencialmente inestable
pag. 33
Obtencion de parametros de admitancia
- Angel
pag. 34
FACTOR DE ESTABILIDAD K DE STERN

Al anadir impedancias de fuente y carga finitas, la estabilidad tiende a mejorar
El factor de estabilidad K de Stern se define como:

K=
Si K > 1 el circuito es estable
Si K < 1 el circuito es potencialmente inestable
Cuanto mayor sean GS y GL, mejor es la estabilidad (aunque disminuye la ganancia)
Si K es proximo a 1, riesgo de inestabilidad por realimentaciones con elementos parasitos
Valores recomendados: 4 < K < 10
- Angel
pag. 35
Factor K de Stern: ejemplo

VCE = 10 V en emisor comun, con RS = 50 y RL = 1k
yi = (2,7 + j6,8)mf
yf = (53 j22)mf
yo = (0,1 + j1,5)mf
yr = (0 j0,5)mf
GS = 20mf
gi + GS = 22,7mf
yf yr = (11 j26,5)(mf)2
K=
GL = 1mf
go + GL = 1,1mf
|yf yr | = 28,7(mf)2
2(gi + GS )(go + GL) 2 22,7 1,1

=
= 2,82 > 1
28,7 11
- Angel
Re(yf yr ) = 11(mf)2
circuito estable
pag. 36
ESTABILIDAD EN CIRCUITOS REALIMENTADOS

Si consideramos una red de realimentacion externa, podemos aplicar los criterios de
Linvill y Stern a la red completa
Para el analisis debemos considerar los parametros de admitancia de la red completa:
yic = yit + yif

yrc = yrt + yrf
yf c = yf t + yf f
yoc = yot + yof
- Angel
pag. 37
Estabilidad en circuitos realimentados: ejemplo

VCE = 10 V en emisor comun, con RS = 50 y RL = 1k al que se ha colocado una
capacidad Cx = 3,25 pF entre colector y base
yif = yof = Yx = jCx = j4mf

yf f = yrf = Yx = jCx = j4mf
- Angel
pag. 38
Parametros del transistor:
yit = (2,7 + j6,8)mf
yf t = (53 j22)mf
yot = (0,1 + j1,5)mf

Parametros del circuito realimentado:
yrt = (0 j0,5)mf
yic = (2,7 + j10,8)mf
yf c = (53 j26)mf
yoc = (0,1 + j5,5)mf
yrc = (0 j4,5)mf
Factores de Linvill y Stern:
GS = 20mf
gi + GS = 22,7mf
yf yr = (117 j238,5)(mf)2
GL = 1mf
go + GL = 1,1mf
|yf yr | = 265,6(mf)2
Re(yf yr ) = 117(mf)2
C=
|yf yr |
256,6
=
= 2,26 > 1
2gigo Re(yf yr ) 2 2,7 0,1 + 117
K=
2(gi + GS )(go + GL) 2 22,7 1,1

=
= 0,336 < 1
265,6 117
- Angel
pag. 39
DE UN AMPLIFICADOR
ESTABILIZACION
La inestabilidad del circuito es debida a la trayectoria de realimentacion:
yrc = yrt + yrf
Interna: a traves de yrt
Externa: a traves de yrf
Metodos de estabilizacion del circuito:
Unilateralizacion: Elegir yrf que hace anula yrc
Neutralizacion: Si yrt es compleja (tiene parte real e imaginaria) es difcil encontrar
la red que hace que yrc se anule; si se hace yrf = jbrt siendo grt brt, queda
yrc = grt suficientemente pequena como para garantizar estabilidad: amplificador
neutralizado
Disminuir las resistencias de carga y de fuente mejora la estabilidad (a costa de reducir ganancia); se recomienda 4 < K < 10
|yf yr |
C=
2gigo Re(yf yr )

K=
- Angel
pag. 40
Ejemplo de neutralizacion:
Ln y Cn se eligen para anular brc
Queda: yrc = grt
- Angel
pag. 41

4.6.- GANANCIA DE POTENCIA EN AMPLIFICACION
Definiciones de ganancia de potencia:
Ganancia de potencia de operacion:
GP =
Po
Pi
GT =
Po
Pas
GA =
Pao
Pas
Ganancia de transductor:
Ganancia disponible:
Maxima Ganancia Disponible MAG:
- Angel
pag. 42
GP
GANANCIA DE POTENCIA DE OPERACION
GP es la ganancia de potencia desde la entrada del amplificador hasta la carga:
potencia entregada a la carga
|V2|2GL
Po
=
=
GP =
Pi potencia en el puerto de entrada |V1|2G1
Toma el valor:
GP =
|yf |2GL
|YL + yo|2G1
- Angel
pag. 43
GANANCIA DE POTENCIA DEL TRANSDUCTOR GT

GT es el cociente entre la potencia entregada a la carga y la potencia disponible en la
fuente:
potencia entregada a la carga
Po
=
GT =
Pas potencia disponible en la fuente
Se asume que el acoplamiento entre la fuente y el amplificador es o ptimo:
YS = Y1
Toma el valor:
GT =
4GS GL|yf |2
|(yi + YS )(yo + YL) yf yr |2
- Angel
pag. 44
GANANCIA DE POTENCIA DISPONIBLE GA

GA es la maxima ganancia que puede proporcionar el amplificador:
Pao potencia disponible en el puerto de salida
=
Pas
potencia disponible en la fuente
Se asume que el acoplamiento entre la fuente y el amplificador es o ptimo:
GA =
YS = Y1
Se asume que el acoplamiento entre el amplificador y la carga es o ptimo:
YL = Y2
Toma el valor:
GA =
|yf |2GS
Re (yiyo yf yr + yoYS )(yi + YS
- Angel
pag. 45

MAXIMA
GANANCIA DISPONIBLE MAG
MAG es la ganancia teorica del amplificador suponiendo yr = 0
En tal caso, se verifica:
Y1 = y i
Y2 = y o
Se asume acoplamiento o ptimo en fuente y carga

MAG representa el lmite superior teorico de ganancia que puede obtenerse con el dispositivo activo
Su valor se obtiene de GA o de GT haciendo yr = 0, con YS = yi, YL = yo:
|yf |2
MAG =
4gigo
- Angel
pag. 46
DEL AMPLIFICADOR
GANANCIA DE POTENCIA Y DISENO
MAG proporciona un lmite maximo teorico (si yr = 0)
En general, yr 6= 0 y la ganancia maxima de potencia GA se obtiene cuando hay
acoplamiento de admitancias de fuente y carga YS = Y1; YL = Y2
Esta condicion es difcil de conseguir, ya que Y1 depende de YL, e Y2 depende de YS
Cuando se consigue esta condicion, GT =GA; si no se consigue, GT < GA
Objetivo del diseno: maximizar GP (ganancia de operacion) o GT (ganancia del transductor) manteniendo la estabilidad
Si el dispositivo es incondicionalmente estable, se pueden buscar los valores YS YL
que maximizan la ganancia GT (que hacen GT = GA)
Si el dispositivo es potencialmente inestable:
Realimentacion para unilateralizar o neutralizar, y buscar entonces las admitancias
YS YL que maximizan GT (que hacen GT = GA)
O bien buscar las admitancias YS YL que maximizan GT para un factor de Stern
K adecuado
- Angel
pag. 47
DEL AMPLIFICADOR
DISENO
Dispositivo incondicionalmente estable (C < 1):
Con realimentacion (unilateralizado): MAG
Sin realimentacion: GA
Dispositivo potencialmente inestable (C > 1):
Con realimentacion:
Unilateralizado: MAG
Neutralizado con C < 1: GA
Neutralizado con C > 1: GT t.q. K > 4
Sin realimentacion con C > 1: GT t.q. K > 4
- Angel
pag. 48
CON DISPOSITIVO INCOND. ESTABLE

4.7.- DISENO
AMPLIFICADOR UNILATERALIZADO (con realimentacion)
La red de realimentacion que proporciona unilateralizacion estara formada por yx con
yx = yrt
De este modo, como yrf = yx, queda yrf = yrt y por tanto yrc = 0
Los parametros de la red completa seran:
yic = yit + yrt

yf c = yf t yrt
yrc = 0
yoc = yot + yrt
Las admitancias de entrada y salida seran:
yrcyf c
Y1 = yic
= yic = yit + yrt
yoc + YL
yrcyf c
Y2 = yoc
= yoc = yot + yrt
yic + YS
- Angel
pag. 49
Y1 e Y2 son independientes de YL e YS : la sintonizacion de la red no afecta al acoplamiento de impedancias; u til en diseno multietapa
Ganancia de potencia del transductor unilateralizado:
GT u =
4GS GL|yf t yrt|2

|(yit + yrt + YS )(yot + yrt + YL)|2
Si hay acoplamiento de impedancias de fuente y carga (YS = Y1, YL = Y2) estamos

en condiciones de maxima ganancia de potencia:
YS = (yit + yrt)
YL = (yot + yrt)
|yf c|2
|yf t yrt|2
=
GT umax =
= MAGu
4gicgoc 4(git + grt)(got + grt)
- Angel
pag. 50

AMPLIFICADOR SIN REALIMENTACION
Se deben elegir las admitancias de carga y fuente que maximicen la ganancia de potencia:
YS = Y1
YL = Y2
donde:
yr yf
yr yf
Y2 = y o
Y1 = y i
y o + YL
y i + YS
Puesto que yr no se anula, YL afecta a Y1, e YS afecta a Y2, por lo que el calculo de YL
e YS no es inmediato
Se trata de determinar:
YS = GS + jBS
YL = GL + jBL
que maximicen GT :
GT =
4GS GL|yf |2
|(yi + YS )(yo + YL) yf yr |2
- Angel
pag. 51
YS , YL se pueden obtener derivando GT con respecto a GS , BS , GL y BL e igualando

las derivadas a 0:
q
(2gigo Re(yf yr ))2 |yf yr |2
Im(yf yr )
GS =
BS = bi +
2go
2go
q
(2gigo Re(yf yr ))2 |yf yr |2 G g
Im(yf yr )
S o
GL =
=
BL = bo +
2gi
gi
2gi
El valor de GT obtenido en estas condiciones es:
GT max =
|yf |2
q
2gigo Re(yf yr ) + (2gigo Re(yf yr ))2 |yf yr |2
- Angel
pag. 52
CON DISPOSITIVO POTENC. INESTABLE

4.8.- DISENO
Si realimentamos y conseguimos unilateralizar, la red realimentada es incondicionalmente estable y se sigue el procedimiento visto para dispositivos unilateralizados
Si realimentamos y neutralizamos, haciendo el dispositivo incondicionalmente estable,
podemos aplicar el procedimiento anterior para hacer YS = Y1, YL = Y2
Si la neutralizacion no hace el dispositivo incondicionalmente estable o si no realimentamos y es potencialmente inestable, debemos elegir las admitancias de carga y fuente
que hagan K suficientemente grande
SIN REALIMENTACION
CON GS FIJO
ESTABILIZACION
El criterio de Stern indica que podemos conseguir estabilidad sin realimentar haciendo
GS y GL suficientemente grandes
Usualmente, en RF GS debe fijarse por consideraciones de ruido
Fijado GS y K (el factor de Stern deseado), GL se obtiene despejando en:

K=
BS y BL se obtienen mediante un procedimiento iterativo
- Angel
pag. 53
Pretendemos:
BS = B1 = Im(Y1)
BL = B2 = Im(Y2)
donde:
yr yf
yr yf
Y2 = y o
Y1 = y i
y o + YL
y i + YS
Procedimiento iterativo:
1. Inicializamos: BL = bo
2. A partir de YL calculamos Y1 y obtenemos BS
3. A partir de YS calculamos Y2 y obtenemos BL
4. Iteramos (2) y (3) hasta convergencia
5. Una vez obtenidos YS e YL se puede calcular la ganancia del transductor GT
- Angel
pag. 54
SIN REALIMENTACION
CON GS Y GL LIBRES
ESTABILIZACION
Si GS y GL se pueden elegir sin restricciones, podemos establecerlos para que maximicen GT para un valor dado de K :
s
K(|yf yr | + Re(yf yr ))gi
gi
GS =
2go
s
GL =
K(|yf yr | + Re(yf yr ))go

go
2gi
Y los valores de BS y BL se obtendran mediante el proceso iterativo anterior
- Angel
pag. 55
DE AMPLIFICADOR SINTONIZADO
4.9.- DISENO
DE IMPEDANCIAS Y POLARIZACION
ADAPTACION
A partir de un dispositivo activo sabemos calcular los valores YS e YL que proporcionan
la ganancia y estabilidad adecuados
Necesitamos adaptar las impedancias de fuente y carga reales a estos valores
Necesitamos sintonizar (establecer frecuencia de resonancia y ancho de banda)
Redes de adaptacion de impedancias (tapped inductor o tapped capacitor)
Considerar las susceptancias (B1 y B2) en la red de adaptacion de impedancias
Necesitamos polarizar el transistor
Redes de polarizacion (condensadores de desacoplo, RFCs)
- Angel
pag. 56
Ejemplo:
- Angel
pag. 57
C1a, C2a, La transforman Rg en RS , sintonizan y compensan B1

C1b, C2b, Lb transforman Ro en RL, sintonizan y compensan B2
RB1 y RB2 polarizan el transistor (fijan la tension de base en DC)
RFC son choques de radio frecuencia para aislar la base en pequena senal
RE polariza el transistor (fija la corriente de colector en DC)
CE pone a tierra el emisor en pequena senal
En DC, el colector esta a VCC debido a la bobina L2
Conviene poner un blindaje a tierra entre los conductores de colector y base para evitar
capacidades parasitas
La capacidad CF pone VCC a tierra en pequena senal
Si es necesario, se puede anadir circuito de unilateralizacion o neutralizacion
- Angel
pag. 58

PROCEDIMIENTO DE DISENO
1.
2.
3.
4.
5.
Se elige el transistor adecuado teniendo en cuenta los requerimientos de ganancia, frecuencia, figura de ruido, etc.
Se determinan los parametros de admitancias del transistor a la frecuencia de trabajo
Se determina la estabilidad del dispositivo (factor de estabilidad C de Linvill), y del circuito (factor de estabilidad K de Stern) considerando los distintos casos (realimentacion
para unilateralizacion o neutralizacion, etc.) y se determinan las admitancias YS e YL
de carga y de fuente adecuadas
Se determinan las impedancias de la fuente de senal Rg y de la carga Ro (usualmente
50 )
Se disenan las redes de adaptacion de impedancias
Transformacion de impedancias, teniendo en cuenta las susceptancias G1 y G2 de
entrada y salida del amplificador
Frecuencia de trabajo y ancho de banda
Usualmente redes tapped capacitor o tapped inductor
- Angel
pag. 59
Tema 5:
OSCILADORES SENOIDALES
- Angel
pag. 1
Tema 5: OSCILADORES SENOIDALES

5.1.5.2.5.3.5.4.-
5.5.5.6.-
5.7.5.8.-
Introduccion
Caractersticas de los osciladores
Condiciones de oscilacion
Tipos de osciladores:
Elemento resonador
Elemento activo
Red de realimentacion
Diseno de osciladores
Osciladores LC
Analisis de un oscilador Colpitts
Diseno de un oscilador Colpitts
Oscilador Colpitts para baja resistencia de carga
Oscilador de Clapp
Oscilador de Hartley
Osciladores controlados por tension (VCO)
Osciladores a cristal de cuarzo
Oscilador de Pierce
Oscilador Colpitts a cristal
- Angel
Tema 5: Osciladores senoidales
pag. 2

5.1.- INTRODUCCION
En el tema anterior se estudio la estabilidad de los amplificadores (que no oscilaran)
En este tema estudiamos los osciladores (sistemas inestables)
En radiocomunicaciones los osciladores se usan para desplazar frecuencias:
En el transmisor: para trasladar frecuencia de BB a RF
En el receptor: para trasladar frecuencia de RF a IF
- Angel
pag. 3
Definicion de oscilador:
Sistema que proporciona una senal periodica sin necesidad de atacarlo con otra senal
Sistema que proporciona una senal de RF a partir de una fuente de alimentacion DC
Senal generada periodica serie de armonicos en el espectro:
Osciladores de onda senoidal (tema 5)
Osciladores de onda cuadrada (tema 6, con PLLs)
Osciladores controlados por tension (Voltage Controlled Oscillators, VCO):
Generacion de FM
Arrastre en receptores de sintona variable
Deteccion de senales moduladas: bucles de fase fija (Phase Locked Loops, PLL)
Elementos de un oscilador:
Red resonante
Elemento activo (elemento de resistencia negativa)
Red de acoplamiento (adaptacion de impedancias, amplificador, etc.)
En este tema:
Osciladores senoidales y aplicaciones en radiocomunicacion
Caractersticas; principios de funcionamiento; tipos de osciladores
Circuitos basicos; VCOs; osciladores a cristal de cuarzo
- Angel
pag. 4

DE LOS OSCILADORES
Potencia (PL): potencia suministrada a la carga a la frecuencia de oscilacion (se mide
con el analizador de espectros para no considerar armonicos ni frecuencias espurias)
Rendimiento ( ): cociente entre la potencia suministrada a la carga y la potencia consumida en DC:
P
= L
PDC
Nivel de armonicos: cociente entre la potencia del mayor armonico no deseado y la
potencia de la frecuencia fundamental (se mide con el analizador de espectros)
PAmax
Nivel de armonicos =
PL
Frecuencia (f0): es la frecuencia fundamental de oscilacion (se puede medir con analizador de espectros, contador de frecuencia, u osciloscopio)
Sintona (f ): margen de frecuencias que puede barrer un oscilador cuando se modifica alguno de sus parametros:
Mecanica (se modifica un condensador o bobina variables)
Electronica (se modifica aplicando tension a un elemento de control, VCO)
- Angel
pag. 5
Pulling: variacion de la frecuencia con la impedancia de carga (depende de Q y del

acoplamiento con la carga)
f0
RL
Pushing: variacion de la frecuencia con la tension de alimentacion (depende de Q y del
elemento activo)
f0
VDC
Espectro de ruido alrededor de f0 (ruido de amplitud, de frecuencia y de fase):
N (fm)
(dBc)
P0
Deriva de la frecuencia con la temperatura:
L(fm) =
f0
T
Si Q es bajo, depende del elemento activo
Si Q es alto, depende de la red de sintona
- Angel
pag. 6

5.3.- CONDICIONES DE OSCILACION
(equivalentes):
CRITERIOS DE OSCILACION
Circuito con red de realimentacion oscilara si la ganancia a la entrada es mayor que 1
con desfase nulo
Un amplificador oscilara (es inestable) si el factor K de Stern es inferior a la unidad
Un circuito oscilara si el determinante de las ecuaciones de analisis de mallas o nudos
se anula (procedimiento matematico para encontrar la condicion de oscilacion y la frecuencia de oscilacion)
Un circuito puede oscilar si la parte activa tiene una resistencia negativa (condicion
necesaria pero no suficiente: una impedancia de carga adecuada puede impedir las oscilaciones)
- Angel
pag. 7
PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO DEL OSCILADOR
Vo
A(j)
H(j) =
=
Vi 1 + A(j)(j)
Condiciones de oscilacion:
Salida sin entrada:
A(j)(j) = 1
A la entrada, ganancia unidad con desfase nulo (ganancia en lazo abierto igual a 1)
H(s) tiene un polo en el eje imaginario
H(s) tiene un polo en el semiplano real positivo: s = + j con > 0
Condicion de arranque y condicion de equilibrio de fases:
| A(j)(j)| & 1
Arg[A(j)(j)] = 0
- Angel
pag. 8
TRANSITORIO DE ARRANQUE
1.
2.
3.
4.
5.
6.
Al conectar alimentacion oscilaciones nulas

Ruido termico: el ruido se amplifica a la frecuencia de oscilacion
Las oscilaciones crecen (exponencialmente)
Como el polo esta en el semiplano real positivo, las oscilaciones creceran indefinidamente
El elemento activo entra en regimen no lineal (se reduce la ganancia) alcanzandose una condicion estacionaria de oscilacion
En regimen estacionario, ganancia en lazo abierto igual a la unidad
La condicion de arranque debe verificarse en un cierto ancho de banda
La condicion de equilibrio de fases determinara la frecuencia de oscilacion (que debe estar dentro del
ancho de banda para el que se cumple la condicion de arranque)
- Angel
pag. 9
Condiciones de oscilacion
Condicion de oscilacion (ganancia en lazo abierto igual a 1):
A(j)(j) = 1
A(j)H(j) = 1
- Angel
pag. 10
Condiciones de oscilacion: ejemplo
Suponiendo A real, determinar condiciones de oscilacion y frecuencia de oscilacion.
Funcion de transferencia de la red de alimentacion:
H(s) =
R
RCs
=
1
1 + RCs + LCs2
R + Ls + Cs
Condiciones de oscilacion: ganancia en lazo abierto igual a 1
A(s)H(s) = A
RCs
=1
1 + RCs + LCs2
Condicion de equilibrio de fases:

Arg(A(s)H(s)) = 0
0 =
1
LC
Condicion de arranque:
A(j0)H(j0) = A & 1
- Angel
pag. 11
5.4.- TIPOS DE OSCILADORES

Elemento resonador
Elemento activo
ELEMENTO RESONADOR
Circuito
Resonante
RC
LC
Cristal Cuarzo
Q
Estabilidad
< 10
Mala
50-200
Regular
104-105 Muy buena
Banda de
Frecuencia
< 1 MHz
100 kHz - 500 MHz
1-300 MHz
Para frecuencias superiores:

Cavidades resonantes, SAW (resonadores de onda acustica superficial)
Lneas de transmision resonantes
Multiplicadores
- Angel
pag. 12
ELEMENTO ACTIVO
Dispositivos de resistencia negativa
Diodos tunel
Diodos Gunn
IMPATT
TRAPATT
Transistores BJT (EC, BC) o FET (FC)
Varios transistores (par acoplado por emisor)
Osciladores de resistencia negativa:
v
R= >0
i

v
rn =
<0
i Q
- Angel
pag. 13
Ejemplo: oscilador con diodo tunel
R = rn||RT =
|rn|RT
|rn| + RT
d2V
1 dV
V
+
+
=0
RC dt LC
dt2
q
1
1
0
d 02 2
2RC
LC
V
V
CsV + +
=0
R Ls
d2V
dV
2V
+
2
+
0
dt
dt2
v(t) = et (A1 cos(dt) + A2 sin(dt))
- Angel
< 0 |rn| < RT

= 0 |rn| = RT
> 0 |rn| > RT
pag. 14
En condiciones estacionarias de oscilacion:

1
1
1
Y(1,2) =
+
+ Cs +
=0
|rn| RT
Ls
Parte real nula (condicion de arranque):
|rn| = RT
Parte imaginaria nula (condicion de equilibrio de fases):
1
=0
j0C +
jL
1
0 =
LC
- Angel
pag. 15
Ejemplo: oscilador de par acoplado por emisor
La caracterstica tension corriente presenta una resistencia negativa (tratamiento similar al

oscilador con diodo tunel)
- Angel
pag. 16

RED DE REALIMENTACION
Red RLC
Colpitts: red tapped capacitor
Hartley: red tapped inductor
Clapp: variante de tapped capacitor
Red con transformador
Sintonizado a la entrada
Sintonizado a la salida
- Angel
pag. 17
Colpitts: red tapped capacitor

Hartley: red tapped inductor
Clapp: variante de tapped capacitor
- Angel
pag. 18
Elementos del oscilador:
Ganancia en el lazo 1-2-3-4-1:

Carga
Dispositivo activo
Condiciones de oscilacion:
Ganancia en lazo abierto 1
Desfase nulo
Frecuencia y estabilidad:
C1, C2, L, Cf
Tambien transistor y carga
Arranque y oscilacion estacionaria
- Angel
pag. 19
DE OSCILADORES
5.5.- DISENO
Analisis exacto complicado:
Comportamiento estacionario siempre en zona de operacion no lineal:
BJT: entra en corte o saturacion
MOSFET: entra en corte o triodo
Alejado del punto de polarizacion (no lineal aun no saliendo de activa/saturacion)
Herramientas de analisis basadas en linealidad:
Facil comprobar la estabilidad y arranque de oscilaciones
Puede ser difcil predecir la frecuencia de oscilacion estacionaria
Difcil determinar el transitorio y comportamiento estacionario exactos (forma de
onda, nivel de armonicos, frecuencia exacta, potencia, rendimiento, estabilidad)
A veces, el desplazamiento de fase depende del punto de polarizacion
Dependencia de los elementos pasivos con la frecuencia:
Autoinducciones y capacidades parasitas en C y L
Oscilaciones en frecuencias no previstas:
Bajas: ruido motor
Altas: oscilaciones parasitas
Soluciones: condensadores de puenteo, anillos de ferrita
- Angel
pag. 20
5.6.- OSCILADORES LC
ANALISIS
DE UN OSCILADOR COLPITTS BC:
- Angel
pag. 21
rc Rp
Rt = Rp||RL
gt =
1
Rt
- Angel
Ri = R e + re
gi =
1
Ri
pag. 22
Is = Vigi + ViC2s + (Vi Vo)C1s

1
0 = Vigi + (Vo Vi)C1s + Vo C0s + Cf s + gt +
Lt s
En forma matricial:

gi + (C1 + C2)s
C1s
Is
Vi
=
1
gi C1s
gt + (C1 + C0 + Cf )s + Lts
0
Vo
Vo =
1,2(s)
Is
(s)
oscilacion
(s) = gigt + gi(C1 + C0 + Cf )s +

+(C1 + C2)(C1 + C0 + Cf )s2 +
(s) = 0
gi
+ gt(C1 + C2)s+
Lt s
C1 + C2
giC1s C12s2 = 0
Lt
- Angel
pag. 23
Ordenando potencias en s:
gi + (gtgiLt + Ca)s + (giLtCb + gtLtCa giLtC1)s2 + (LtCaCb LtC12)s3 = 0

Ca C1 + C2
Cb C1 + C0 + Cf
Parte real: gi 2Lt(gi Cb + gtCa gi C1) = 0

Parte imag: gtgi Lt + Ca 2Lt(Ca Cb C12) = 0
Despejando w02 en la segunda ecuacion queda:
02 =
02 =
gtgi + CLat
CaCb C12
1
1
+
C1 C2
1 C2
Lt(C0 + Cf + CC1+C
)
R
R
(C
+
C
)(C
+
C
+
)
t
i
1
2
0
f
C
2
1 +C2
Si Lt RtRi (C1 + C2) se puede aproximar:
1
1 C2
Lt(C0 + Cf + CC1+C
)
2

Ri
C2
1
Ri
C2
1+
=
1+
+
+
Rt
C1
C1
1 + CC21 RL||Rp
02
min
1
1 + CC21
- Angel
pag. 24
DE UN OSCILADOR COLPITTS BC:

DISENO
Disenar un oscilador de Colpitts con una etapa base comun, que oscile a f0 y proporcione una potencia PL a
una impedancia de carga RL :
R0 = Rp||Rs||RL =
RL
2
Recta de carga:
R0 =
VCBQ
ICQ
Potencia suministrada a la carga:

1
1 1 2
1 2
ICQR0 = ICQ
RL
PL = P (R0) =
2
2 2
8
Rendimiento maximo:
1 2
2
PDC = VCBQICQ = ICQ
R0 = ICQ
RL = 4PL
2
25 %
Seleccion del transistor: potencia, tension, corriente y fT
- Angel
pag. 25
Circuito tanque:
Lt
Ct =
RL
2
Conversion (Cs ,Rs ) a (C1,C2,Ri ):
R0 =
1
02Lt
Q = 0CtR0
RL = Rp||Rs
Ri = Re + re
r
Qs = 0CsRs
Ct = C0 + Cf + Cs
N=
Rs
Ri
Qp
re =
VT
ICQ
Qs
N
Si Qs > 10 y Qp > 10:
C1 =
N Cs
N 1
Si no, expresiones exactas:

r
Q2s + 1
Q2s + 1
0
Qp =
1
C =
Cs
N2
Q2s
Dependencia con el transistor:
Polarizacion:
R1 R2 RE
C2 = N Cs
Q2p + 1
Cse =
C2
Q2p
Qp
C2 =
0Ri
CseC 0
C1 =
Cse C 0
Re re Cs C0 Cf 0,1Cs
CB
CC
RF C
- Angel
pag. 26
Ejemplo: diseno de un oscilador Colpitts BC

Disenar un oscilador de Colpitts con una etapa base comun, que entregue una potencia de 15 mW a una carga
de 5 k y oscile a 10 MHz:
fT > 20MHz
Caractersticas del transistor:

Polarizacion:
Pmax > 60mW
PL
= 4,90mA
VCBQ = ICQR0 = 12,25V
RL
Factor de calidad mnimo 25; circuito tanque (R0 = RL /2; 0 = 2f0):
ICQ =
Ct.min =
Q
= 159pF
0R0
Lt.max =
1
= 1,59H
02Ct.min
Lt = 1,2H
Ct =
1
= 211pF
02Lt
Resistencia serie de la bobina de 1,2H: rc = 0,5; resistencia paralelo equivalente Rp = 11,4 k

Determinacion de Ri = Re + re:
re =
VT
= 5,3
ICQ
re Re = 50
Ri = 55,3
Determinacion de Rs :
R0 = RL||Rp||Rs
RL = Rp||Rs
- Angel
Rs =
1
RL
1
= 8,92k
R1p
pag. 27
Determinacion de Cs (supongamos C0 = 5 pF y Cf variable de 2 a 20 pF):
Ct = C0 + Cf + Cs = 211pF
Cs = 200pF
Conversion (Cs ,Rs ) a (C1,C2,Ri ):
r
Qs = 0CsRs = 112,1
Qs 10 Qp 10
Polarizacion (VCC =15 V;
N=
Qp
Qs
= 8,8
N
N Cs
217pF
C2 = N Cs = 2,54nF
N 1
VBEQ=0.7 V; 1):
C1 =
VCBQ=12.25 V;
VCC = VCBQ + VBEQ +
Rs
= 12,7
Ri
ICQ(Re + RE )
RE
VCC VCBQ VBEQ

Re = 368
ICQ
Intensidad por R1 y R2 de 0,5 mA; VBQ = 2,75 V; 0 = 50:

2,75V
VCBQ
R2 =
= 5,5k
R1 =
= 20,5k
0,5mA
0,5mA + ICQ/0
Condensadores de desacoplo y RFC:
1
0(R1||R2)
= 3,2pF
CB
3,7pF
0RL
=
sin embargo, como RE Ri , en la practica RFC no es necesario
CC
- Angel
RF C
RE
= 5,8H
0
pag. 28
Condicion de arranque:

C2
Ri 1 + C1
1
min
+
= 0,281
C2
R
||R
1 + C1
L
p
Si aumenta Re, aumenta min
Potencia en DC:

VCC VBQ
PDC = VCC ICQ +
R1
PDC = 15V 5,5mA = 82,5mW

Rendimiento:
PL
15mW
=
= 18,2 %
=
PDC 82,5mW
- Angel
pag. 29
DE UN OSCILADOR COLPITTS BC CON BAJA RL:

DISENO
Analisis similar:
s
N=
Rs
Ri||RL
Rs = Rp
Ri = RL
Rendimiento maximo:
max = 12,5 %
- Angel
pag. 30
Ejemplo: diseno de un oscilador Colpitts BC con baja RL

Disenar un oscilador de Colpitts con una etapa base comun, que entregue una potencia de 5 mW a una carga
de 50 y oscile a 10 MHz:
Caractersticas del transistor: fT > 20MHz
Pmax > 40mW
Polarizacion (supongamos bobina anterior, 1,2H, rc = 0,5, Rp = 11,4 k):
P (R0) = 4PL
s
ICQ =
2P (R0)
=
R0
4P (R0)
=
Rp
1 2
P (R0) = ICQ
R0
2
16PL
= 2,65mA
Rp
VCBQ = ICQR0 = 15, 08V
Circuito tanque:
Lt = 1,2H
Ct =
1
= 211pF
02Lt
Determinacion de C1 y C2 para Cs = 200 pF:

s
r
Rp
2Rp
N Cs
=
= 21,3
C1 =
= 209,8pF
N=
Ri||RL
RL
N 1
C2 = N Cs = 4,26nF
Determinacion de Re = Ri + re:
Re = Ri re = RL
VT
= 40,2
ICQ
Alimentacion y polarizacion
- Angel
pag. 31
- Angel
pag. 32
OSCILADOR DE CLAPP:
- Angel
pag. 33
OSCILADOR DE HARTLEY:
- Angel
pag. 34

5.6.- OSCILADORES CONTROLADOS POR TENSION
Voltage Controlled Oscillators (VCO)
Osciladores sintonizables electronicamente:
Sintona automatica
Generacion de senales FM
PLLs
Principales circuitos VCO:
Multivibrador:
Frecuencia baja
Margen de sintona amplio (10:1); Q bajo
Senales cuadradas
Tpico en PLLs (tema siguiente)
Osciladores a varactor:
Sintona mediante diodo varactor o varicap (union PN en inversa)
Se usa en osciladores LC o de cavidad resonante
Margen de sintona menor; Q mayor
- Angel
pag. 35
DIODO VARACTOR O VARICAP:

Funcionamiento:
Union PN abrupta polarizada en inverso
C depende de V
Resistencia serie baja (Q alto)
Capacidades tpicas: 5-500 pF
Curvas C(V ) poco lineales
Diseno y analisis complejo:

No linealidad de C(V )
Dependencia de Q con la polarizacion
Dependencia de Q y C(V ) con f0
Margen: de capacidad 1:6; de sintona 1:2.5
Se usa en asociacion con capacidades
- Angel
pag. 36
Uso del varactor en un oscilador:
f0 =
1
p
2 Lt(Ct + Cv (Vi))
- Angel
pag. 37
5.7.- OSCILADORES A CRISTAL DE CUARZO

Comportamiento alrededor de la frecuencia de resonancia
1
2 LsCs
s
Cs
fp fs 1 +
Cp
fs
Z(js) Rs
LsCs
Cp(Cp + Cs)Rs
Para f < fs y f > fp comportamiento capacitivo
Entre fs y fp comportamiento inductivo
En fs y en fp comportamiento resistivo
Alrededor de las frecuencias de resonancia, transicion
rapida de la fase:
de /2 a /2 alrededor de fs
de /2 a /2 alrededor de fp
Z(jp)
- Angel
pag. 38
Respuesta en frecuencia del cristal

Rs = 15; Ls = 54,8 mH; Cs = 0,054 pF; Cp = 29 pF;
fs = 2,9257 MHz; fp = 2,9284 MHz; f = 2,72 kHz; Q = 67173
- Angel
pag. 39
OSCILADOR DE PIERCE
- Angel
pag. 40
OSCILADOR COLPITTS A CRISTAL (1)
- Angel
pag. 41
OSCILADOR COLPITTS A CRISTAL (2)
- Angel
pag. 42
Ejemplo: oscilador Colpitts a cristal y con varactor

Diseno de oscilador Colpitts BC a 4 MHz, 5 mW a RL = 5 k, Q 5
- Angel
pag. 43
Analisis y simulacion con PSPICE
- Angel
pag. 44
Medidas en laboratorio
- Angel
pag. 45
Pulling y pushing (cristal entre base y tierra)
- Angel
pag. 46
Uso del varactor
- Angel
pag. 47
Sintona (con Cf y con varactor)
- Angel
pag. 48

Transparencias SRD

Cargado por

Información del documento

Derechos de autor

Formatos disponibles

Compartir este documento

Compartir o incrustar documentos

Opciones para compartir

¿Le pareció útil este documento?

¿Este contenido es inapropiado?

Copyright:

Formatos disponibles

Transparencias SRD

Cargado por

Copyright:

Formatos disponibles

UNIVERSIDAD DE GRANADA

CON OTRAS ASIGNATURAS

1.1.- OBJETIVOS DE LA ASIGNATURA

Analisis y diseno de los sistemas electronicos

Origen: genera el mensaje (audio, vdeo,...).

EFECTOS DEL CANAL:

DIAGRAMA DE BLOQUES DE TRANSMISOR DE RF:

DIAGRAMA DE BLOQUES DE RECEPTORES DE RF:

DIAGRAMA DE BLOQUES DEL RECEPTOR SUPERHETERODINO:

INTERFERENCIA CAUSADA POR LA FRECUENCIA IMAGEN:

INTERFERENCIA CAUSADA POR LA FRECUENCIA IMAGEN:

ELEMENTOS DEL RECEPTOR

Tema 2: COMPONENTES PASIVOS EN

Tema 2: Comp. pasivos en RF

Algunos de los efectos dependen de como esta construido el componente.

Tema 2: Comp. pasivos en RF

2.2.- IMPEDANCIA Y ADMITANCIA COMPLEJAS

Tema 2: Comp. pasivos en RF

Tema 2: Comp. pasivos en RF

RESISTENCIA, REACTANCIA, CONDUCTANCIA, SUSCEPTANCIA

La parte real de la impedancia se denomina resistencia (R)

La parte real de la admitancia se denomina conductancia (G)

Tema 2: Comp. pasivos en RF

Cuidado con las operaciones con numeros complejos:

Tema 2: Comp. pasivos en RF

Tema 2: Comp. pasivos en RF

El incremento de la resistencia depende, ademas, de la frecuencia

Tema 2: Comp. pasivos en RF

La resistencia se incrementa (por efecto skin) con f de acuerdo con la constante

Tema 2: Comp. pasivos en RF

l es la longitud del hilo

Tema 2: Comp. pasivos en RF

2.4.- MODELO DE RESISTENCIA EN RF

Tema 2: Comp. pasivos en RF

Tema 2: Comp. pasivos en RF

Presenta una frecuencia de resonancia (anulando la parte imaginaria):

Tema 2: Comp. pasivos en RF

2.5.- MODELO DE CONDENSADOR EN RF

C : la capacidad del condensador

Tema 2: Comp. pasivos en RF

Tema 2: Comp. pasivos en RF

Presenta una frecuencia de resonancia (anulando la parte imaginaria):

Tema 2: Comp. pasivos en RF

2.6.- MODELO DE BOBINA EN RF

Impedancia del modelo:

Tema 2: Comp. pasivos en RF

Tema 2: Comp. pasivos en RF

Tema 2: Comp. pasivos en RF

Tema 2: Comp. pasivos en RF

Tema 2: Comp. pasivos en RF

Ejemplo: T =20oC (293 K); R=100 k; B =1 MHz

Tema 2: Comp. pasivos en RF

Tema 3: CIRCUITOS RESONANTES Y

Tema 3: Circ. resonantes

Z(j) = R(j) + jX(j)

Y (j) = G(j) + jB(j)

La impedancia, en general, presenta parte real (resistiva) e imaginaria (reactiva)

Tema 3: Circ. resonantes

La resonancia ocurre a una frecuencia muy concreta f0

Tema 3: Circ. resonantes

3.2.- CIRCUITO RLC SERIE

Impedancia en la frecuencia de resonancia:

Tema 3: Circ. resonantes

Tema 3: Circ. resonantes