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Memristores: Teora, Desarrollo y Aplicaciones

del Eslabn Perdido en la Electrnica.
(Santiago. 12 de Diciembre 2010)

Por: Cristofer E. Lara Canto y Felipe A. Fernndez Garca. 1

Universidad Tecnolgica Metropolitana. Investigacin realizada en Curso de Anlisis de Redes I.
Ctedra dictada por el Profesor Ing. Hctor Pino Corts, Ayudante: Jorge Tobar Pinto

Resumen En el presente documento, preparado para el curso

de Anlisis de Redes I de la Universidad Tecnolgica
Metropolitana, se realiza una investigacin referente al reciente
desarrollo del Memristor, un dispositivo calificado como el cuarto
componente fundamental de la electrnica. Este nuevo dispositivo
tiene la caracterstica de comportarse como un resistor de valor
variable en funcin de la corriente que circula a travs de este.
Dicho dispositivo es hasta la fecha materia de estudio en los
laboratorios de Hewlett Packard (HP), lugar donde fue concebido
por primera vez en estado slido en el ao 2008, sin embargo su
origen terico se remonta al ao 1971 cuando el Profesor Leon
Chua, acadmico de la Universidad de California, predijo por
primera vez la posibilidad de un dispositivo que pudiese
interrelacionar la Carga Elctrica con el Flujo de Campo
Magntico. Este documento es en s de carcter introductorio, ya
que hace un esbozo tanto de la parte terica como de la parte del
desarrollo fsico del dispositivo y su operacin, dando al lector
directrices para un posterior estudio que le permita profundizar
correctamente en lo que es el desarrollo de tecnologas basadas en
Memristores.
Palabras claveMemristor, Leon Chua, Carga elctrica,
Flujo Magntico, Hewlett Packard (HP), R. Stanley Williams,
Corriente elctrica, Ecuaciones de Maxwell, Redes Neuronales,
Nanotecnologa, Microchip, Transistor, Resistencias con
Memoria, Dispositivos de memoria no voltil.

I. NOMENCLATURA
Dentro del desarrollo de este trabajo de investigacin se
agrega un smbolo nuevo correspondiente a lo que representa
al Memristor. Figura 1.

cuatro variables fundamentales del circuito: el voltaje, la

corriente, la carga y el flujo, permitiendo diversas aplicaciones
y haciendo cada vez ms avanzadas las tecnologas. Se puede
relacionar: corriente y voltaje a travs del resistor, voltaje y
carga a travs del capacitor y flujo y corriente a travs del
inductor, pero entre estas relaciones faltaba una para proveer
una simetra conceptual con dichos elementos y variables.
Fue ah donde el profesor Leon Chua justifica la existencia
de un cuarto elemento pasivo para la electrnica, formulando
y nombrando la teora de lo que conocemos como Memristor.
La relacin terica entre la carga y el flujo fue presentada en
su publicacin a travs de una interpretacin matemtica de
estas variables en trminos de una expansin cuasi esttica de
las ecuaciones de Maxwell, para explicar esta relacin el
profesor presenta una interesante analoga con los cuatro
elementos con los que se explicaba la materia en el antiguo
mundo griego: Tierra, Agua, Fuego, Aire, en dicha analoga se
utilizan cuatro conceptos que enlazan a los cuatro elementos:
Calor, Frio, Humedad, Sequedad (Ver Figura 2). Ms adelante
veremos que dicha relacin terica y matemtica es correcta,
pero tambin el Memristor tiene una concordancia funcional
de un resistor aunque de un orden superior.
Figura 2: En la analoga
utilizada por el profesor Leon
Chua se pueden observar las
siguientes
relaciones:
La
Humedad es la relacin del
Agua y el Aire, el Fro es la
relacin entre la Tierra y el
Agua, la Sequedad es la
relacin entre el Fuego y la
Tierra y el Calor que es la
relacin entre el Aire y el
Fuego.

Figura 1

II. INTRODUCCIN.

H
1

ASTA el ao 1971 las investigaciones los tres elementos

fundamentales pasivos de la electrnica (resistor,
capacitor e inductor) relacionaban coherentemente las

Cristofer Lara y Felipe Fernndez, ambos estudiantes de Ingeniera en

Electrnica en la Universidad Tecnolgica Metropolitana.
Email: C. Lara monje-miroku@hotmail.com
F. Fernndez fipe.blues@live.cl

Finalmente haran falta 37 aos para poder ver materializado

este nuevo elemento en un estado slido, el cual fue llevado a
cabo en los laboratorios de HP donde el cientfico R. Stanley
Williams lider una investigacin y luego anunci el
descubrimiento de esta nueva maravilla de la tecnologa.

III. LOS TRES COMPONENTES FUNDAMENTALES.

Previo al descubrimiento terico del Memristor, los nicos
componentes pasivos que se podan describir mediante
relaciones de las ecuaciones de Maxwell eran el Resistor, el
Capacitor y la Inductor, estos componentes pueden ser
definidos matemticamente basndose en las ecuaciones que
representan la definicin electromagntica fundamental de
cada una de las variables esenciales de la electrnica:
1.1.
Donde
es el Voltaje,
diferencial de longitud.

es al campo elctrico y

1.2.
Donde es la Corriente,
el diferencial de rea.

la densidad de corriente y

1.3.
Donde
es Flujo de campo Magntico y
magntico.

funcin de la corriente que circula a travs, adems de esta

cualidad, tambin debera ser capaz de mantener dicho valor
an cuando la corriente ha dejado de circular repentinamente
(Pulso elctrico).

es el

es

Figura 3

es el Campo

1.4.
Donde
es la Carga Elctrica, es la distribucin de
carga (que puede ser lineal , superficial o volumtrica
)
Estas definiciones luego dan paso a estructurar las
expresiones matemticas que definen a los tres componentes
fundamentales de la electrnica, el Resistor, el Capacitor y el
Inductor.
1.5.
1.6.

No es trivial definir la forma matemtica genrica que

describe el comportamiento del Memristor, pero es posible
hacer una apreciacin a grandes rasgos tomando como
hiptesis inicial el hecho de que el Memristor es una
resistencia y que implcitamente se debe medir en Ohms (),
podemos realizar el siguiente anlisis:
Utilizamos la definicin diferencial del Voltaje,

Y a su vez la definicin diferencial de corriente.

Si tomamos en cuenta lo anteriormente mencionado

podemos interpretar la siguiente relacin para definir el
Memristor.

1.7.
Aplicando las definiciones anteriores.
Estas ecuaciones estn relacionadas mediante los conceptos
fundamentales de la electrnica (V, I, Q, B), pero es
importante observar que con las ecuaciones dadas no es
posible relacionar la Carga (Q) con el Flujo de campo
Magntico (B) (Ver figura 3), ante esta situacin se
desarrolla el cuarto dispositivo ya mencionado, es entonces
cuando hace su aparicin el Memristor.

IV. DESARROLLO TERICO DEL MEMRISTOR.

El Memristor es definido tericamente en el ao 1971en un
Paper publicado por Leon Chua, profesor de Ingeniera de la
Universidad de California. Es su investigacin el profesor
Chua indica que tericamente el Memristor es un resistor
capaz de variar el valor de su resistividad automticamente en

Hasta este punto podemos observar que

Memristancia puede relacionar satisfactoriamente
Campo magntico y la carga , lo cual completara
cuadro que desarroll Leon Chua para explicar
existencia de este cuarto elemento.(Ver figura 3)

la
el
el
la

Finalmente se puede ver que la funcin de corriente

tambin influye en el comportamiento del Memristor.

Williams recurri es bsqueda de una respuesta al

microscopio electrnico de tunelaje, con el pudo apreciar que
alejndose de un conductor una distancia aproximada a 0,1 nm
la corriente disminua en un orden de magnitud (por ej, de 10
nA a 1 nA), entonces lo nico que tenan que hacer era poder
cambiar la altura del cubo de material que forma el interruptor
en 3 nm para poder tener un cambio de 100 veces en la
magnitud de la resistencia del material.
El problema ahora estaba en encontrar un material que les
permitiera realizar ese efecto, los modelos o diseos de
ingeniera que se les ocurran no cumplan con los
requerimientos. Hasta que encontraron un Paper que sentaba
las bases tericas. (publicacin cientfica) redactado en 1972
por Leon Chua.
A. Funcionamiento Del Memristor.

Figura 4.

Sin embargo cuando se habla del la respuesta instantnea del

Memristor en un tiempo T definido, este debera adquirir el
mismo comportamiento que un resistor normal, sujeto tambin
a las condiciones que impone la ley de Ohm, fuera de esa
situacin el Memristor es resulta ser un componente
completamente dinmico.

V. FUNCIONAMIENTO Y DESARROLLO.
En 1996, Stanley Williams de Hewlett Packard, comenz a
realizar estudios sobre arquitecturas para computadoras que no
fueran susceptibles a defectos a escala nanomtrica. Esta
investigacin eventualmente llevo al equipo al desarrollo de
los Memristores.
El concepto general es una matriz de cables (conductores),
entre cada par de conductores de toda la matriz, existen llaves
(interruptores) que en primera instancia se encuentran abiertos.
Si conectamos una fuente de alimentacin entre un par de
conductores, al principio esta disposicin no almacena o posee
informacin alguna.
Pero si empezamos a cerrar algunos de estos interruptores
podemos programar la matriz para que contenga una cantidad
impresionante de informacin. Se puede abrir o cerrar
cualquier interruptor particular, si queremos manejar otro
interruptor solo debemos cambiar la conexin de la fuente
Ellos necesitaban crear un interruptor pudiera ser cambiado
de estado una gran cantidad de veces, que tuviera una forma
cubica, su longitud de lado fuera de solo 2 a 3 nanmetros y
que tuviera la posibilidad de cambiar la magnitud de su
resistencia en alto grado, Roff / Ron > 1000.

Despus de aos de experimentacin con platino e

interruptores formados con molculas, en un golpe de suerte,
observaron que no necesitaban interruptores moleculares
despus de todo, solo necesitaban un sustrato de platino puro,
al cual le depositaban dixido de titanio (TiO2) en su parte
superior, luego otro depsito de dixido de titanio seguido de
otro sustrato de platino. La diferencia entre los dos xidos
reside en que a uno le falta tomos de oxigeno (TiO2-x), estos
tomos faltantes actan como portadores de carga. (Este
anuncio fue hecho por Williams en el 2008)
Esta configuracin es tan buena conductora como los
metales. Al removerse tomos de Oxigeno del dixido de
titanio, los agujeros (holes) que dejan (ausencias de cargas
negativas) se comportan como cargas positivas, similar a los
electrones en una unin PN clsica.
El voltaje positivo empuja las cargas positivas hacia la
derecha dentro del otro TiO2 (ver figura 5), de esta forma el
espesor del TiO2-x se incrementa al mismo tiempo que el
espesor del TiO2 disminuye, despus de un tiempo la
separacin entre los dixidos deja de ser la marcada por la
linea azul para convertirse en la marcada por la linea roja.

Figura 5

Al colocar un voltaje negativo podemos invertir el proceso

y aumentar el espesor de TiO2.
El modelo de circuito equivalente consiste en 2 resistores en
serie, consideremos que existe un puente entre estos resistores
que varia el camino total a recorrer en funcin de la diferencia
de potencial aplicada en los extremos de la unin serie.

Una diferencia de potencial positiva (considerando + el

terminal de derecha) mueve el puente hacia la derecha, y uno
negativo hacia la izquierda. La resistencia del Memristor viene
determinada por el espesor resultante de TiO2(Ver figura 6).

tmidamente en el mundo de la investigacin, esto a su vez es

un pronstico de cuan factible es desarrollar nuevos
dispositivos y aplicaciones.
VII. CONCLUSIONES.

Figura 6

VI. APLICACIONES.
En el 2008 la firma estadounidense Hewlett Packard (HP),
en un simposio a cerca de los Memristores, presento y dio a
conocer el primer microchip con tecnologa basadas en estos
elementos. Este es un prototipo hibrido el cual ocupa
Memristores y transistores, en donde estos ltimos son la
minora, ya que gran parte de ellos, que se ocupaban antes,
fueron reemplazados por los Memristores, de esta forma se
obtienen mltiples beneficios al colocar un mayor poder de
procesamiento en el mismo espacio y a su vez consumir
menos energa, llevando esto a generar mucho menos calor y
tambin se ahorra en los materiales.
Estos avances harn que todo lo que conocamos hasta
ahora referente a los fundamentos de las construccin de
equipos computarizados experimenten un gran cambio, el cual
permitir fabricar componentes y maquinas ms eficientes y
veloces. Esta firma dice que ha probado que pueden ser
utilizados para procesar datos y las propiedades nicas de los
Memristores permiten que los futuros chips almacenen y
procesen datos en el mismo instrumento, logrando as que con
estos avances, en un futuro no muy lejano, los Memristores
puedan ser ocupados para fabricar computadores muy
similares al cerebro humano ya que lograran emular la
sinapsis de las clulas nerviosas de este. Por otra parte los
laboratorios de HP actualmente trabajan en desarrollar
dispositivos de memoria no voltil con los cuales se podra
conseguir memorias que se cree pueden llegar a ser 1000
veces ms rpidas que los discos magnticos, utilizando una
pequea parte de la energa que estos discos usan actualmente.
Al parecer est ultima aplicacin podra ser la puerta de
entrada a todo un nuevo concepto, en el cual se pueda
reformar las ciencias de la informacin, dando paso a su vez a
una infinidad de inimaginables alternativas, sin embargo por
lo reciente del nacimiento de este dispositivo en un estado
slido limita prolonga su mximo desarrollo a por los menos
una decena de aos, durante los cuales es posible ingresar

La teora conceptual del Memristor y el duro trabajo de las

investigaciones posteriores ayudaron a que se lograra
finalmente la materializacin del mismo. Un circuito
compuesto por Memristores y transistores es ms eficiente que
uno que solo emplea transistores. Tericamente se puede
reemplazar 10 transistores con tan solo 1 Memristor, las
implicancias de esto son abismales, en modo simplista
podramos decir que aumentaramos en 10 veces la capacidad
de todos los circuitos electrnicos, revolucionando todo lo que
conocemos hasta hoy en da.
A travs de este elemento y de los dispositivos que se
pueden llegar a construir con l, muchos de los problemas para
nuevas tecnologas pensadas con anterioridad se resuelven y
abren muchas ms puertas a la imaginacin, para seguir
creando, manifestando sistemas que nos sigan ayudando y
simplificando nuestros quehaceres en lo cotidiano.
El mundo de la electrnica est cambiando a un ritmo
vertiginoso y la existencia de este documento es prueba de
aquello, estamos en medio de este proceso, esperamos que
podamos seguir indagando estas investigaciones y seamos
nosotros los que empecemos a utilizarlas llegando a crear
maravillas.

REFERENCIAS.
[1] http://proton.ucting.udg.mx/somi/memorias/electron/
Ele-15.pdf
[2] http://www.nature.com/nature/journal/v453/n7191/fig
_tab/nature06932_F2.html
[3] http://blogs.howstuffworks.com/2009/07/24/howdoes-a-memristor-work/
[4] http://www.noticieeero.org/?p=260
[5] http://spectrum.ieee.org/semiconductors/design/themysterious-memristor