Circuitos Digitales I

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ELECTRONICA DIGITAL INTEGRADA

GENERALIDADES Y TECNOLOGIAS
INTRODUCCIN
Se trataran temas relacionados con circuitos electrnicos correspondientes a las
funciones lgicas del sistema .
Una vez diseado un sistema digital , se realizar el desarrollo practico , teniendo
en cuenta las caractersticas de los circuitos ( alimentacin , consumo , velocidad ,
etc . ) ,de acuerdo con la aplicacin que vaya a tener el sistema , puesto que las
caractersticas de un equipo dependen mucho de la tecnologa de los dispositivos
empleados en su construccin , la electrnica digital .
Existen diversidad de tecnologas digitales , de las cuales destacan la TTL y CMOS

CIRCUITOS INTEGRADOS. CHIPS

Un circuito integrado es un circuito electrnico funcional cuyos componentes se
fabrican todos a la vez sobre una base monoltica de material semiconductor que se
conoce con el nombre de CHIP . El chip, una vez encapsulado, da lugar al circuito
integrado.

CIRCUITO INTEGRADO.
La Electrnica ha evolucionado de una forma espectacular. Desde cuatro
transistores y cuatro resistencias que contena el primer CI, se ha pasado a poder
integrar hasta un milln de transistores, en la actualidad. Los circuitos eletrnicos
veremos que casi todos son semiconductores (transistores y diodos) y algunas
resistencias. Es debido a que los condensadores no se pueden integrar a no ser que
sean de muy baja capacidad. A partir de los 10 pF, los condensadores ocupan mas
superficie que los transistores; lo mismo que las resistencias de mas de 1000.
Los circuitos se disean para emplear transistores y diodos .
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CUESTIONES SOBRE LA FABRICACION DE CHIPS

Los circuitos integrados se fabrican de obleas (laminas) de cristal de silicio
de 100 a 125 mm de dimetro y de 0.2 mm de espesor.
Este espesor se precisa para que pueda trastearse con facilidad, sin
romperse, con 10 m se podran satisfacer ya los requerimientos
electrnicos.

Se procesan las obleas .

Se cortan en cientos e incluso en miles de trocitos rectangularesiguales
(chips ) .
Unsistema de control muy sofisticado se encarga de efectuar una serie
de verificaciones y medidas para detectar posibles defectos del chip .
Mediante puntas muy finas se palpan determinados puntos del chip
para someter al circuito a un programa de ensayos cuyos resultados
determinaran su clasificacin .
Los chips que superen los ensayos se encapsulan y se obtiene finalmente
el circuito integrado .

ESCALAS DE INTEGRACION
El nivel de complejidad de los circuitos integrados digitales se expresa en la
Escala de integracin, que da idea del numero de puertas integradas y de su
complejidad.
Para los niveles de complejidad:
Cuando un chip contiene un mximo de 12 puertas, o circuitos de
complejidad equivalente, es tipo SSI o pequea escala de integracin.
Si contiene entre 13 y 100 puertas son MSI o escala de integracin media.
De 100 a 1000 puertas LSI o alta escala de integracin.
De 1000 a 10000 puertas VLSI o muy alta escala de integracin.
Los mas modernos son los VVLSI o muy muy alta escala de integracin.

TECNOLOGIAS DE LOS CIRCUITOS INTEGRADOS DIGITALES

TECNOLOGIAS BIPOLARES
El termino bipolar es debido a que los circuitos electrnicos integrados se realizan
con transistores NPN y PNP, cuyo funcionamiento se basa en dos portadores de
Carga y por eso se llaman bipolares.Las tecnologas mas representativas son :
- RTL, DTL, HTL, TTL, ECL, IIL.
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La TTL es la ms popular de todas, se caracteriza por su alimentacin tpica

de 5 V y alta velocidad de respuesta.
La ECL es la mas rpida de todas, es una lgica no saturada, en lo cual se
basa su alta velocidad .
La IIL es la que mayor densidad de integracin permite. Gasta menos que la
TTL, pero mas lenta.
La HTL para aplicaciones industriales donde el ruido elctrico es muy alto.
Tienen alta inmunidad al ruido, es lenta y consume mucho. Enla actualidad
no se utiliza .
La RTL y DTL son las mas antiguas y no se fabrica,aunque la DTL es
predecesora de la tecnologa TTL.

TECNOLOGIAS MOS
Los circuitos electrnicos integrados se basan en transistores MOS . Las mas
representativas son:
La PMOS es la mas antigua, es de alta densidad de integracin, aunque es
muy lenta.
La NMOS es mas rpida que la PMOS, la tecnologa empleada en
microprocesadores de 8 bits, se emplea en los CI de alta escala de
integracin.
La CMOS domina el campo de los CI de escala de integracin media. Son de
Bajo consumo y funcionan con una tensin de entre 3 y 15 V.
La HMOS es una tecnologa MOS avanzada, de alta velocidad y gran
densidad de integracin.

CARACTERISTICAS GENERALES DE LOS CI DIGITALES

CARACTERISTICAS DE ENTRADA-SALIDA
Es necesario conocer circuitos de diferentes tecnologas o se quieren
controlar circuitos de salida

RESPECTO A LAS ENTRADAS

V(ih): V. de entrada para el nivel alto. El fabricante proporciona la mnima
tensin que garantiza el 1.
V(il): V. de entrada para el nivel bajo. El fabricante proporciona la tensin
mxima que garantiza el 0
I(ih): Intensidad de entrada cuando se aplica el nivel alto.
I(il): Intensidad de entrada cuando se aplica el nivel bajo.

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RESPECTO A LAS SALIDAS

V(oh): V de salida en el nivel 1. El fabricante da el valor mnimo de tensin
que puede aparecer.
V(ol): V de salida para el nivel 0.El fabricante da el valor de tensin mxima
que puede aparecer.
I(oh): Intensidad de salida en el nivel 1.
I(ol): Intensidad de salida en el nivel 0.

CARGABILIDAD DE SALIDA (FAN-OUT)

Es el n mximo de entradas que una salida puede excitar. El fan-out depende de
la corriente que puede dar la salida y de la corriente que absorben las entradas, la
suma de todas las corrientes de las entradas tiene que ser igual a la mxima
corriente que puede dar la salida.

CURVA DE TRANSFERENCIA
La curva de transferencia muestra la forma de variar la tensin de salida en
funcin de la tensin de entrada. El margen de tensiones de entrada entre Vil (max)
y V ih (min) produce tensiones de salida no definidas, fuera de los mrgenes del 1
y el 0 y no debe emplearse. La figura 3 .1 muestra la curva de transferencia
general para el caso de un inversor .

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RUIDO
En los sistemas digitales significa: perturbaciones transitorias indeseadas que se
producen en los niveles lgicos de los circuitos, debido a causas internas o externas
. Entre las cuales tenemos :
Ruido elctrico ambiental .
Ruido por la alimentacin.
Ruido por acoplo entre pistas cercanas.
Las seales de ruido distorsionan las formas de onda de las seales digitales
como se representa en la figura.

Seal terica

Seal prctica

Seal digital, obsrvese un pico de ruido que puede perturbar el funcionamiento

Los sistemas digitales presentan una gran ventaja frente a los sistemas analgicos:
el ruido no se acumula cuando pasa de un circuito a otro. De ah el inters por
introducir la tcnica digital en todas las aplicaciones que sea posible.
Margen de ruido: En continua se define como la diferencia entre los niveles lgicos
limite del circuito de salida y los valores del circuito de entrada, tambin se conoce
como inmunidad al ruido , indica hasta que punto los circuitos son inmunes a las
variaciones en los niveles lgicos debido a las perturbaciones originadas por el
ruido . Estas seales se pueden ver mediante un osciloscopio.
Las causas de ruido en un circuito, son debidas a:
Cadas de tensin por efecto resistivo e indutivo en las lneas.
Acoplo capacitivo entre lneas
Acoplo indutivo entre lneas
Efecto de antena (en ciertos puntos se captan seales externas de tipo
electromagntico).
Para la eliminacin del ruido existen diversas tcnicas prcticas como los tpicos

DISIPACION DE POTENCIA
Se trata de la potencia consumida por funcin lgica. En esttico, se define la
potencia media disipada por puerta.
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Pdl + Pdh
Pd =
2
La potencia disipada aumenta con la frecuencia de trabajo, ya que aparecen
picos transitorios elevados de corriente en la conmutacin. Interesa que los
circuitos consuman el mnimo de potencia.

TIEMPO DE PROPAGACION (VELOCIDAD)

Este parmetro da cuenta de la velocidad de funcionamiento de los circuitos y del
sistema digital. Depende del tiempo de respuesta de los circuitos, se conoce por
tiempo de propagacin.

Tiempo de propagacin medio:

Es la media entre los tiempos de propagacin cuando la salida cambia a 0 y
cuando cambia a 1, se expresa por T(pd). Los retardos de propagacin son del
orden de nanosegundos. En la fig. 1 .4.

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Caracterstica de conmutacin. Tiempo de propagacin

Aparentemente, el que un circuito tenga un retardo de 10 o 100 nanosegundos no
tiene importancia. Pero el caso de un ordenador puede suponer el que tarde
minutos u horas en dar ciertos datos, o que no sea til para el contaje y proceso de
la velocidad de giro de un eje.
Cuando en los ordenadores se habla de MHz es la frecuencia de un circuito que
marca el ritmo de funcionamiento del sistema, depende de la velocidad a que
puede funcionar la CPU, y esta relacionado con el tiempo de propagacin de sus
circuitos.

TECNOLOGIA TTL
La tecnologa TTL es de tipo bipolar (NPN y PNP), es bastante antigua pero es
de las mas empleadas .
Caractersticas generales :

Fcil utilizacin
Amplia documentacin
Alimentacin de 5 V
Consumo medio
Velocidad alta

CIRCUITO DE UNA PUERTA NO-Y TTL ESTANDAR

A modo de ejemplo , en la figura se muestra el circuito correspondiente a
esta puerta .

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FUNCIONAMIENTO
En esta situacin, el transmisor multiemisor de entrada est en corte. Pero a travs
de su unin base-colector circula corriente hasta la base de T2, producindose as
su saturacin.
Al conducir T2, por su emisor circular corriente hacia la base T4 y ste se saturar,
con lo cual la tensin de salida ser prxima a cero voltios. El transistor T3 queda
bloqueado.
Para que conduzca T3 la tensin de base debe superar el umbral de su unin base emisor en serie con el diodo D1 y la tensin colector emisor de T4. As T3 puede
conducir cuando T4 est saturado.

CARACTERISTICAS TTL ESTANDAR

Como resumen tenemos:
Entrada:

Salida :

Vil max = 0,8 V

Vol max =0,4 V

Vih min = 2 V

Voh min=2,4 V

Iil max = 1,6 mA

Iol max =16 mA

I ih max =40uA

Ioh max =400uA

Estos son valores tpicos , pero segn los tipos de circuitos y subfamilias pueden
variar .

Margen de ruido:
Teniendo en cuenta los valores de voltaje de entrada y salida, en el peor de los
casos siempre hay una diferencia de 0.4 V entre las V de salida y las de entrada
necesarias. Esta diferencia es el margen de ruido (en continua ). El margen de ruido
garantizado por los fabricantes es de 0.4 V. El margen en verdad es superior, ya que
los valores de V reales no estn en los limites.

Cargabilidad de salida:
Para saberla basta conocer la corriente mxima de salida de la puerta y cuanto
carga una entrada a la salida. As se deduce que la cargabilidad de salida de TTL
estndar es 10:

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Ioh max
400 A
= = 10
Iih max
40 A

Iol max
16 mA
= = 10
Iil max
1,6 mA
Esto indica que a una salida TTL se le pueden conectar hasta 10 entradas de otros
circuitos. En las puertas que pueden dar 800 A, la cargabilidad de salida, sera de
20.

Unidad de carga:
Los valores de corriente de la entrada, 1.6 mA y 40 A, forman una unidad de
carga (UL). Una entrada TTL estndar tiene una UL, una salida se dice que tiene una
capacidad para excitar 10 unidades de carga, que es como el fabricante expresa el
fan-out, estos valores de corrientes de salida y entrada no son iguales en todas las
variantes de TTL.

Potencia disipada:
El valor tpicode la TTL , que da el fabricante, es de unos 10 mW, no ha que
olvidarse de que el consumo aumenta con la frecuencia de trabajo., es debido a
picos de corriente, que se producen en los cambios de estado de la salida,
constituyen ruido en la fuente de alimentacin que puede afectar a otros circuitos.
Por eso es conveniente un buen filtrado de la fuente de alimentacin, y poner
condensadores desde la patilla de alimentacin del circuito integrado a masa segn
se muestra en la figura.

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Tiempo de propagacin:
Valor medio entre T (phl) y T(plh), ya que el tiempo de una transicin de 1 a 0
no es igual que el de o a 1. Este valor varia en funcin de la capacidad en la
salida del circuito y la temperatura. Con una capacidad en la salida de unos 15 pF, el
valor es de unos 10 ns.

SERIES TTL
TTL DE ALTA VELOCIDAD. Serie 74 H
Modificando el circuito base TTL estndar (fig .1 .8 ) se consigue la serie 74 H
caracterizada por su mayor velocidad. Basada en disminuir las constantes de
tiempo de carga de las capacidades parsitas, se tarda menos tiempo en que
carguen y el circuito actuara mas rpido. El tiempo de propagacin es de
aproximadamente unos 6 ns. Como contrapartida, las corrientes son mayores y
esto trae consigo una mayor disipacin de potencia de unos 22 mW.

TTL DE BAJO CONSUMO. Serie 74 LP

Para conseguir bajar la potencia consumida se aumentan los valores de las
resistencias, tienen una disipacin de potencia de 1 mW, tiene como contrapartida
un mayor tiempo de propagacin, cuando se aumentan los valores de las
resistencias aumentan tambin las constantes de tiempo, tiempo de propagacin
unos 33 ns.

TTL SCHOTTKY . serie 74 S

De Alta velocidad. El tiempo de propagacin unos 3 ns, consumo unos 22 mW. La
velocidad de respuesta de un transistor se puede mejorar haciendo que el
transistor no entre al estado de saturacin, se consigue conectando un diodo
Schottky entre colector y base.

TTL SCHOTTKY DE BAJA POTENCIA. Serie 74 SL

De baja disipacin de potencia 2 mW y tiempo de propagacin 6 a 10 ns. Se basa
en los transistores Schottky. El bajo consumo se basa en aumentar los valores de las
resistencias. Voltajes y corrientes de entrada y salida difieren algo respecto a la
serie estndar, el resto de valores es estndar.

TTL SCHOTTKY AVANZADA. Serie 74 AS

La ms rpida de todas. Tiempo de propagacin de 1.5 ns, pero mayor consumo y
disipacin de W 8 mW. Emplea los ltimos desarrollos en tecnologas integradas
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bipolares, consiguindose un dispositivo extremadamente pequeo y con reducidas

capacidades parsitas.

TTL SCHOTTKY AVANZADA DE BAJA POTENCIA. Serie 74 ALS

Baja disipacin de potencia 1 mW y bajo tiempo de propagacin 4 ns, son las de
ms bajo consumo. Combina alta velocidad con baja disipacin, emplea las ms
modernas tcnicas de integracin.

TTL FAST. Serie 74 F

Alta velocidad y baja disipacin.
De la documentacin del fabricante lo que mas interesa en verdad es el patillaje,
consumo, velocidad, cargabilidad de salida y los valores de V e I de entrada y
salida. Es conveniente que el lector se familiarice con este tipo de documentacin
tcnica, ya que es la fuente de datos con que se trabaja en la prctica .

TECNOLOGIA CMOS.
Tecnologa utilizada inicialmente en aplicaciones aeroespaciales y militares en las
que interesaba especialmente un bajo consumo. Principales caractersticas de
CMOS:
Muy bajo consumo (la mas representativa)
Amplio margen de tensin de alimentacin
Alta inmunidad al ruido.

CIRCUITO BASICO CMOS: INVERSOR.

El ms representativo CMOS es el correspondiente al inversor. Esta Formado por la
conexin en serie de dos transistores mos de enriquecimiento; uno N y otro P.
Circuito elemental CMOS ; un inversor .

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CARACTERISTICAS TIPICAS CMOS.

Alimentacin:
El voltaje de alimentacin no es fijo, puede variar en un amplio margen, pueden
alimentarse con una tensin entre 3 y 15 V.

Consumo:
Uno de los 2 transistores del inversor siempre queda en de corte, en situacin de
reposo el consumo de corriente se debe nicamente a las fugas del transistor que
queda bloqueado y otras relacionadas con la integracin . La potencia disipada por
las puertas es de 10 nW.

Consumo dinmico:
Es de muy bajo consumo . Hay que tener en cuenta que, si los circuitos trabajan a
cierta frecuencia, la potencia de consumo ya no es tan baja; aumenta con la
frecuencia. Se dice que crece linealmente con la frecuencia. Cuando el inversor
cambia de estado hay un pico de corriente en la fuente de alimentacin, es porque
durante un instante los 2 transistores se encuentran en conduccin, durante la
conmutacin. La disipacin dinmica depende de varios parmetros como tensin
de alimentacin, tensin umbral de los transistores, capacidad de la carga, etc. La
potencia disipada aumenta con la frecuencia de trabajo.

Curva de transferencia:
La caracterstica de transferencia del inversor CMOS se acerca al punto de
conmutacin alrededor del 50% de los niveles lgicos 0 y 1. Caso ideal.

5V

0V

2,5 V

5V

Curva de transferencia tpica de CMOS.

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Tensiones de entrada-salida:
Los niveles de tensin de salida se corresponden prcticamente con el nivel de
alimentacin de alimentacin. Los niveles tpicos de salida CMOS son:

Voh =Vdd
Vol = OV
Las corrientes de salida de los CMOS estn sobre los 0.5 mA, garantizando ciertos
niveles de tensin de salida. La corriente de salida que se obtiene depende del
voltaje de la alimentacin. Existen versiones que tienen mayor capacidad de
corriente de salida. Incorporan los buffers. Un buffer es un amplificador de
corriente; se comporta como un transistor en montaje seguidor de tensin. Las
corrientes de entrada, son casi inmedibles en la prctica, Segn los fabricantes, las
corrientes de entrada son de 10 pA.

Cargabilidad de salida (Fan-out):

La cargabilidad de salida es muy grande. Una salida puede controlar de forma
perfecta hasta 50 entradas o ms .

Margen de ruido:
El fabricante garantiza un margen de ruido del 30% de la Vtensin de alimentacin.

Velocidad:
Para un circuito CMOS especifico, el retardo de propagacin depende de la
capacidad a la salida y la tensin de alimentacin.

SERIES DE CIRCUITOS INTEGRADOS CMOS.

SERIE 4000.
La ms antigua y popular NN. Sus caractersticas son las CMOS.

SERIE 4000 B( LOCMOS).

Variante con salidas con buffer y que puede dar un poco mas corriente de salida. A
modo de ejemplo se presenta a continuacin.

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Circuitos CMOS de una puerta NO-Y .A/ Sinbuffer (serie 4000 ) B/ con buffer ( serie
4000 B )

SERIE HE 4000B (LOCMOS).

Serie CI CMOS de Philips, con una variante en la tecnologa que denominan
LOCMOS. Se trata de una tcnica que permite la reduccin de la superficie de
integracin y adems se obtiene una notable mejora en sus caractersticas. Se
diferencia de la CI CMOS por una mas alta velocidad y sus circuitos disponen de
etapas de salida con buffer, permite una mayor cargabilidad de salida. El voltaje de
alimentacin es de 3 a 15 V. LA disipacin 10 nW. Las corrientes de salida un
mnimo de 0.44 mA. Tanto para el 1 como para el 0 a 5 V. El retardo de
propagacin son 40 ns y una carga de 15 pF.
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SERIE 74C.
Esta serie tiene funciones y patillaje equivalentes con la 74 de TTL . En general , la
serie 74 C tiene unas caractersticas similares a la serie 4000B .

Curvas de transferencia comparativas entre TTL y LOCMOS .

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SERIE 74HC/HCT/HCU.
Serie que Utiliza una tecnica de fabricacin mas avanza, obtienen retardos de
unos 8 ns , compatible a TTL . las etapas de salida llevan buffer (excepto la 74 HCU),
se consiguen I de sal. de 4 mA, con niveles correctos de tensin de salida de 4 mA ,
por lo que mejora la cargabilidad de salida (fan-out). La alimentacin va de 2 a 6 V.
Otras variantes de esta serie son la 74 HCT y la74 HCU .

Diferencias entre las curvas de transferencia de las series 74HC y 74 HCL .

SERIE ACL (LOGICA CMOS AVANZADA).

El ultimo avance sobre la tecnologa CMOS. Estos circuitos pueden competir en
velocidad hasta con la tecnologa TTL . El tiempo de propagacin de 3 ns, corriente
de salida puede ser de unos 24 mA, que da lugar a una muy alta cargabilidad de
salida y poder excitar hasta ciertos transistores de potencia u otros componentes.
Los circuitos ACL aparecen en dos versiones :

SERIE 74ACT
Funciona con una tensin de alimentacin de 5 V, con umbrales de tensin
compatibles con TTL.

SERIE 74AC
Funciona con una alimentacin entre 2 y 5.5 V y los umbrales de tensin son CMOS
estndar.
Hay que hacer notar que la disposicin de patillas de estos circuitos impresos no es
compatible con los TTL ni con las dems series CMOS.
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PRECAUCIONES CON LOS C.I. CMOS.

Los CI CMOS son ms propensos a deteriorarse por cuestiones de cargas
electrostticas. Hoy da, han quedado algo desfasadas y excesivas.
Los fabricantes sugieren que pueden prevenirse fallos por electricidad esttica y
tensiones transitorias, tomando las siguientes precauciones:
Desconectar la alimentacin cuando se vayan a sacar o introducir los CI en
los zcalos.
Guardar los CI en esponjas conductoras.
Utilizar soldadores aislados de la red o conectar a tierra las puntas, o bien
alimentar los soldadores con bateras
Una cosa muy importante es que no se deben dejar patillas de entradas de los
circuitos no utilizados del CI sin conectar, ya que aumenta el consumo.. Las
entradas no utilizadas tienen que conectarse a masa (GND) o a la alimentacin.

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