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El transistor bipolar
Antes de analizar el transistor, recordemos cmo eran las corrientes en una juntura PN:
J
JT
Jh

Je
x
XCP

XP

Xn

XCN

La proporcin entre Je y Jh es:

Xp Xcp
coth

Je( X P ) DeLh
Le

ND
=

Jh( X n ) DhLe
Xcn Xn N A
coth

Lh

Es decir que si en cierta juntura, por ejemplo, el lado P estuviera mucho ms dopado que el lado N la corriente de
huecos sera mucho mayor que la de electrones. Entonces, la corriente total se debera principalmente a la
corriente de huecos.
El transistor bipolar:

Contacto
de colector

n+

Contacto
de base

Contacto
de emisor

n+

Contacto
de base

Contacto
de colector

n+
n

El transistor bipolar posee tres contactos: emisor, base, y colector. Estos contactos son metlicos, usualmente
aluminio. La notacin n+ en el material del emisor significa un material tipo N muy dopado. El emisor siempre es
un material muy dopado, mientras que la base y el colector nunca lo son. En la figura anterior, sin embargo, se
observa una capa n+ justo debajo de los contactos de colector. Esto se hace as solamente con el propsito de
lograr que la interfaz metal-tipoN del contacto de colector sea una juntura hmica y no una juntura rectificadora.
Esto se debe a que las junturas metal-tipoN, donde el material tipo N es poco dopado, actan como si fuera un
diodo (efecto Schottky). Si en cambio el tipo N es muy dopado esto no se produce y la juntura se llama hmica.
Nosotros simplificaremos la figura de arriba. La regin de nuestro inters a efectos de anlisis es aquella justo
debajo del emisor, donde el material de base forma una capa muy delgada que separa al emisor del colector:

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Rotando dicha regin 90 grados, nos queda la siguiente figura:

n+

VBE

VCB

Donde se han conectado fuentes externas de tensin VBE y VCB. En general, la polaridad de dichas fuentes da
lugar a 4 combinaciones posibles, como veremos ms adelante. En este caso, se polariz al transistor en la forma
activa directa, que es la configuracin usada para amplificar seales analgicas: la unin emisor-base queda
polarizada en forma directa, mientras que la unin colector-base queda polarizada en forma inversa.
Las franjas claras entre zonas denotan las zonas de transicin de las junturas.
Anlisis del funcionamiento: se define un eje de coordenadas x:

n+

XE XB1 XB2 XC

XCE

XCC

El transistor bipolar funciona gracias al reducido ancho de la zona de base, de modo que Xb=(XB2-XB1)<<Le.
La concentracin de portadores minoritarios en los extremos de la base, segn ya hemos visto en temas
anteriores, es aproximadamente:

ni 2 VBE / VT
n( X B1 ) =
e
NA
n( X B 2 ) =

ni 2 VCB / VT ni 2
e
<
NA
NA

Esta gran diferencia de concentraciones a lo largo de una zona muy estrecha da lugar a una gran corriente de
difusin de electrones. Suponiendo n(XB2)0, la corriente de difusin de electrones en la base es:

x x
cosh B 2

e De ni
Le VBE / VT

Je( x) =

e
1
Le N A
x B 2 x B1
sinh

Le

La situacin se ilustra en la siguiente figura:

Je

x
XB1
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XB2

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Obsrvese que dado que Xb=(XB2-XB1)<<Le entonces la concentracin de minoritarios es una funcin casi lineal
de x (como era en el diodo corto). No hay mucha distancia para que los electrones se recombinen. La corriente de
electrones entonces es casi una constante, y la mayora de ellos llega a la juntura de colector. Estos electrones
pasan a la regin de colector y finalmente formarn parte de la corriente de contacto del colector.
La diferencia entre Je(XB1) y Je(XB2) es la carga que se recombina en la base en funcin del tiempo. Esa carga
debe ser extrada por la base, o de lo contrario esta regin aumentara continuamente su carga y el campo
elctrico en la juntura base emisor finalmente impedira la circulacin de corriente. Entonces, si el rea transversal
del diodo es A, la corriente de base debida a la recombinacin ser:

I B ,rec = A [Je( x B1 ) Je( x B 2 )] = A

e De ni 2
Le N A

1
x B 2 x B1
eVBE / VT 1
1
cosh
x
x

Le

sinh B 2
B1

Le

Teniendo en cuenta que cuando el argumento tiende a cero:

sinh( x) x
x2
cosh( x) 1 +
2
Llegamos a:

I B ,rec

e De ni 2
A
Xb eVBE / VT 1
2
Le N A

La proporcin de electrones recombinados entonces es:

I B ,rec

Xb

Je( X B1 ) A Le

Es decir que, lgicamente, cuanto menor es el ancho de base menor es la recombinacin y menor es la corriente
de base debido a la misma.
Las otras componentes de la corriente de base son la de huecos entre base y emisor (despreciable por estar el
emisor muy dopado), y la corriente inversa de la juntura base-colector.
Qu proporcin de la corriente entre base y emisor llega entonces al colector?. Para responder esto, debemos
tener en cuenta que la corriente entre base y emisor est formada por electrones y por huecos. Pero como vimos
arriba, en este caso la corriente se debe prcticamente a electrones dado que el emisor est mucho ms dopado
que la base. Es por esto que la gran mayora de la corriente entre emisor y base, siendo corriente de electrones
que en la base se mueven por difusin, llegan al colector. A esta proporcin la llamaremos F (F de forward) y
usualmente es un valor mayor a 0.9 y menor a 1.
Si en cambio quisiramos hacer trabajar al colector como si fuera el emisor, la corriente base-colector estara
dividida en partes casi iguales, y solamente la corriente de electrones que va desde colector a base llegara
mayoritariamente al emisor, mientras que la corriente de huecos que va entre base y colector no interactuara con
el emisor. Es por esto que la proporcin R (R de reverse) de corriente colector-base que llega al emisor oscila
normalmente en un rango 0.4< R<0.8.
Cuando el transistor se usa como amplificador, se aprovecha el hecho de que la proporcin entre las corrientes de
base y de emisor (y tambin entre las corrientes de base y colector, ya que IE+IC+IB=0) es fija: controlando una
corriente pequea (la de base) se controla una corriente mucho mayor (la de colector). Para que la corriende de
colector sea mucho mayor que la corriente de base, hace falta que F sea lo ms cercana a 1 posible, y entonces
el xito del transistor depende de hacer que Xb<<Le. Si la zona de base fuera ancha, F tendera a cero y el
transistor funcionara como si fuera un par de diodos indpendientes entre s.
El transistor bipolar descrito hasta ahora se llama NPN, debido a la disposicin secuencial de los materiales que lo
conforman. La otra posibilidad es armar un transistor PNP, en el cual el emisor es p+ (muy dopado), y en el que la
corriente de difusin de huecos en la base es la que mayoritariamente llega al colector. En este caso hay que
invertir el sentido de las bateras externas para que la unin emisor-base est polarizada directamente y que la
unin colector-base est polarizada inversamente, es decir que el transistor en su conjunto est polarizado en el
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llamado modo activo directo. El comportamiento de este transistor se analiza en modo similar que para el NPN,
teniendo en cuenta que la corriente entre base y emisor se debe principalmente a huecos.
Diagrama circuital:

PNP

NPN

El terminal con la flecha es siempre el emisor, y la flecha indica el sentido directo de la corriente en el diodo baseemisor. El terminal recto a la izquierda es la base. El terminal oblicuo sin la flecha es el colector. En los diagramas
circuitales, este smbolo puede aparecer rotado y/o volteado horizontalmente o verticalmente de acuerdo a la
conveniencia para prolijidad de dicho diagrama. En algunos casos tambin se dibuja el mismo smbolo, pero
rodeado por un crculo.
As como a las resistencias se les suele asignar el prefijo R, por ejemplo R1, R2, etc., a los transistores se les
suele dar el prefijo Q.
Modelo de Ebers-Moll del transistor bipolar:
Para este modelo supondremos por convencin a IE, IC, IB positivos si son entrantes. El modelo consiste en dos
diodos y dos fuentes de corriente. El siguiente diagrama es para un transistor PNP:

IED

ICD

IE

IC
R ICD

F IED

IB

Las corrientes quedan:

(
(e

)
1)

(
(e

)
1)

I E = I ED R I CD = I ES eVEB / VT 1 R I CS eVCB / VT 1
I C = I CD F I ED = I CS

VCB / VT

I ES

VEB / VT

Para el transistor NPN, teniendo en cuenta que una corriente de electrones es convencionalmente negativa:

IED

ICD

IE

IC
R ICD

F IED

IB

(
(e

)
1) +

(
(e

)
1)

I E = I ED + R I CD = I ES eVBE / VT 1 + R I CS eVBC / VT 1
I C = I CD + F I ED = I CS

VBC / VT

I ES

O tambin, manteniendo las convenciones de voltajes del PNP:

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VBE / VT

(
(e

)
1) +

(
(e

)
1)

I E = I ED + R I CD = I ES e VEB / VT 1 + R I CS e VCB / VT 1
I C = I CD + F I ED = I CS

VCB / VT

I ES

VEB / VT

Los coeficientes F y R de estas ecuaciones son los mismos que fueron definidos en la seccin anterior. Viendo
las ecuaciones de Ebers-Moll podemos tambin interpretarlos as:

F =
R =

IC
IE

VCB = 0

IE
IC

VEB = 0

Ya que cuando VCB=0, IC= - F IE. Es por esto que F recibe el nombre de ganancia de corriente directa en
cortocircuito en base comn. En cortocircuito por haberse supuesto VCB=0. En base comn significa que la base
pertenece tanto a la entrada como a la salida del circuito, siendo la entrada IE y la salida IC.
IE

IC
Transistor

Entrada

Salida

IB

Y ganancia significa lo que se obtiene a la salida respecto a lo que se obtiene a la entrada (como F <1 en realidad
se obtiene una prdida de corriente, aunque se la llame ganancia).
Del mismo modo que R recibe el nombre de ganancia de corriente en cortocircuito inverso en base comn.
Para amplificar corriente se prefiere la configuracin en emisor comn. De esta manera, controlando la pequea
corriente IB se controla IC.
IB

IC
Transistor

Entrada

IE

Salida

As se logra una ganancia mucho mayor: vimos que cuando VCB=0, IC= - F IE. Combinando con IB+IC+IE=0,
entonces:

IC
IB
IE
IB

F
= F
1F

R
= R
1R

VCB = 0

VEB = 0

Entonces F recibe el nombre de ganancia de corriente directa en cortocircuito en emisor comn. Usualmente
posee un valor que va desde 20 a 400, dependiendo del dispositivo. Si se usara el emisor como salida en lugar del
y se cortocircuitara el emisor con la base la ganancia de corriente sera R (inversa en cortocircuito en emisor
comn) la cual suele valer entre 1 y 5.

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Modos de trabajo del transistor bipolar:
Los modos de trabajo corresponden a las cuatro combinaciones posibles respecto a la polarizacin de las
junturas:
Juntura Base-Emisor
En directa
En directa
En inversa
En inversa

Juntura Base-Colector
En inversa
En directa
En directa
En inversa

Modo de trabajo
Activo directo
Saturacin
Activo inverso
Corte

Uso general
Para amplificar
Conmutacin digital
De poco uso
Conmutacin digital

Ecuaciones de Ebers-Moll aplicadas a la configuracin de base comn:

Habamos visto las ecuaciones generales de Ebers-Moll. Para el caso de un transistor PNP:

(
(e

)
1)

(
(e

)
1)

I E = I ED R I CD = I ES eVEB / VT 1 R I CS eVCB / VT 1
I C = I CD F I ED = I CS

VCB / VT

I ES

VEB / VT

Combinando ambas ecuaciones:

(
) (e

)
1)

I E = R I C + I ES (1 F R ) eVEB / VT 1
I C = F I E + I CS (1 F R

VCB / VT

Se definen:

I EO = I ES (1 F R )
I CO = I CS (1 F R )
Donde el subndice O significa open. Por ejemplo si IC fuera cero (open collector), entonces la corriente de
emisor sera:

I E = I EO (eVEB / VT 1)
Una vez hechas estas definiciones, queda:

I C = F I E + I CO eVCB / VT 1

Esta ltima ecuacin da lugar a una curva de salida IC=f(VCB). Recordemos que IC y VCB son la corriente y la
tensin de salida en la configuracin de base comn. Entonces en esta curva se puede dibujar una recta de carga.
Dado que IC depende de IE, este ltimo se usa como parmetro del juego de curvas.
Por ejemplo, si F=0.99, ICO=1nA , T=300K resulta:

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Ntese que la tensin colector-base para un PNP es negativa en las configuraciones ms usadas. Por lo tanto, el
parntesis de la ecuacin anterior tiende a (-1) y la curva presenta una saturacin para |VCB|>>VT.
En base comn la corriente de entrada y la tensin de entrada son IE y VEB. De la ecuacin original de Ebers-Moll
para el transistor PNP:

I E = I ES eVEB / VT 1 R I CS eVCB / VT 1

Dado que en las configuraciones ms usadas VEB>0 (en directa) y VCB<0 (en inversa) la corriente IE es
prcticamente la corriente directa del diodo emisor-base. Por lo tanto la curva de entrada posee la forma de la
curva de dicho diodo. Es IE como funcin de VEB, con varias curvas para distintos valores de VCB.
Ecuaciones de Ebers-Moll aplicadas a la configuracin de emisor comn:
En emisor comn las entradas son VBE e IB. Las salidas son VCE e IC. Por lo tanto debemos adecuar las
ecuaciones de Ebers-Moll a este caso. De la ecuacin para base comn que vimos recin:

I C = F I E + I CO eVCB / VT 1
Surge que si reemplazamos IE=-(IC+IB) nos queda:

IC =

I
F
I B + CO (eVCB / VT 1)
1F
1F

Y como F= F / ( 1 - F ):

I C = F I B + ( F + 1) I CO eVCB / VT 1
Para un transistor NPN, a partir de las ecuaciones de Ebers-moll da:

I C = F I B ( F + 1) I CO eVBC / VT 1

Teniendo en cuenta que VBC=VBE-VCE se puede intuir la forma que tendrn la curvas de salida. El siguiente grfico
corresponde a la hoja de datos del transistor BC337, que es del tipo NPN. La corriente IB es el parmetro de este
juego de curvas:

En el modo de trabajo activo directo de un NPN, VBC<0

I C F I B + ( F + 1) I CO
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En general para los transistores que estn en modo activo directo ocurre que IB>>IBO, entonces:

IC F I B
El factor F se conoce tambin como hFE (F de forward, E de common emitter) y el fabricante de un transistor da
el rango de hFE que puede llegar a poseer un transistor elegido al azar entre los fabricados por su empresa. Por
ejemplo para el caso del BC337:

Por ejemplo, del juego de curvas de salida se deduce que el hFE tpico es de aproximadamente 250, aunque no es
una constante, sino que vara sensiblemente con la corriente IC:

En el mismo grfico de salida se observa una cierta pendiente positiva de IC al aumentar VCE. Esto sucede debido
al llamado efecto Early: al aumentar VCE aumenta VCB, y la zona de transicin de la juntura base-colector aumenta
en ancho. Esto contribuye a reducir el ancho de la regin de base Xb lo cual, como hemos visto, produce un
aumento en F y por consiguiente de F.
BIBLIOGRAFIA:
Microelectrnica. Autores: J. Millman, A. Grabel. Ed. Hispano Europea
Electrnica del Estado Slido. Autores: A. Tremosa. Ed. Marymar
Circuitos Electrnicos Discretos e Integrados. Autores: D. Schilling, C. Belove. Ed. Boixareu

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