(/(&751,&$%6,&$

'UEWGNC7PKXGTUKVCTKC2QNKVEPKECFG+PIGPKGTC6EPKEC+PFWUVTKCN

241$.'/#5

FGVTCPUKUVQTGUDKRQNCTGU

c Transistores Bipolares
d Polarizacin y Estabilizacin

(/(&751,&$%6,&$
','4%+%+15FGVTCPUKUVQTGUDKRQNCTGU

3UREOHPD
Determinar la regin de funcionamiento y los valores de IB, IC y VCE en el circuito de la
figura, siendo RB igual a:
D 300k:
E 150k:

El transistor empleado tiene E F=100 y una VCEsat. Prescindir de las corrientes de

saturacin inversas.
V CC= 1 0 V

RB

R C= 2k:

6ROXFLyQ D$FWLYR'LUHFWR,% P$,& P$\9&( 9 E 6DWXUDFLyQ,% P$,& P$

3UREOHPD

D Determinar los valores de IC y VCE en el circuito de la figura. El transistor tiene

EF=100.
E Cul es el mnimo valor de RC para que el transistor est justamente saturado?

R C= 1 k:

R B = 27 0k:

R E= 1 k:

V EE= - 1 0V

6ROXFLyQ D ,& P$\9&( 9E 5& .:

3UREOHPD

Determinar los valores de IC y VCE en el circuito de la figura. El transistor tiene E F=125 y

ER=2.

R C= 1 0k:

R B = 20 k:

6ROXFLyQ ,& P$\9&( 9

R E= 5 k:

V EE= 5V

3UREOHPD

El transistor empleado en el circuito representado tiene E F=150 y una corriente inversa

de saturacin despreciable.
D Determinar los valores de IC y VEC.
E Repetir D con EF=50.
VO
R C= 1k:

R B = 40 0 k:

R E= 2k:

V EE= 10 V

6ROXFLyQ D ,& P$\9(& 9E,& P$\9(& 9

3UREOHPD

En el circuito representado se emplea un transistor con E F=99 y corriente inversa de

saturacin despreciable. Los valores son VCC=10V, RC=2.7k: y RF=180k:, estando RB
en circuito abierto.
D Hallar los valores de IC y VCE.
E Repetir D con EF=199.

V CC

RC
RF

RB

6ROXFLyQ D ,& P$\9&( 9E,& P$\9&( 9

3UREOHPD

El circuito representado emplea un transistor con E F=100 y los parmetros VCC=15V,

VEE=-15V, VBB=0V, RC=0.5k:, RE=1k:, y RB=44k:.
D Determinar VO1 y VO2.
E Qu nuevo valor de RC hace que VO1=0?
F Qu nuevo valor de RE hace que VO2=0?
V CC

RC


RB

V O1

V BB


V O2

RE

V EE

6ROXFLyQ D 92 992 9E5& .: F5( .:

3UREOHPD
Determinar el valor de VBB en el circuito de la figura anterior con el que justamente se
satura el transistor.
6ROXFLyQ 9%% 9

3UREOHPD
Determinar el punto de trabajo de los transistores Q1 y Q2 en el circuito de la figura, con
los valores VCC=10V, R1=R2=22k:, R3=R4=R5=1.2k:, E 1=E 2=100 y |VBE|=0.6V
V CC

R1

R3

Q2

Q1

R5

R4

R2

6ROXFLyQ ,% P$,& P$9&( 9,% P$,& P$9&( 9

3UREOHPD
En el circuito con transistor de la figura, con los valores VCC=10V, RB=680k:,
RC=1.8k:, EF=200 y |VBE|=0.65V determinar:
D El punto de trabajo del transistor Q.
E Representar el punto de trabajo sobre las curvas caractersticas de salida
IC=f(VCE, IB).
V CC
RC

RB

6ROXFLyQ D ,% P$,& P$9&( 9

3UREOHPD
En el circuito de la figura, con los valores VCC=-10V, RC=1.8k: y VBE=-0.65V, hallar el
valor necesario de RB para que el transistor Q est situado en zona activa directa con
IC t 2mA para 50 d EF d 100.
V CC
RC

RB

6ROXFLyQ .: d 5% d .:

3UREOHPD

En el circuito que se muestra en la figura, con los valores VCC=12V, E F=62 y VBE=0.7V,
determinar:
D Valor de RB y RC para que el transistor est situado en el punto de trabajo
VCEQ=6V, ICQ=2.2mA.
E Representar el punto de trabajo a partir de las curvas caractersticas y de la
recta de carga esttica.
V CC

RC

RB

6ROXFLyQ D 5% .:5& .:

3UREOHPD
Determinar los valores de R1, R2 y RE para que el transistor Q de la figura con los
valores VCC=12V, RC=3.3k:, E F=62, VBE=0.6V e ICB0=1PA, est situado en el punto de
trabajo VCEQ=5V, ICQ=1.6mA. El factor de estabilidad frente a variaciones de ICB0 es
SICB0=10.
V CC

R1

RC

R2

RE

6ROXFLyQ D 5 .:5 .:5( .:

3UREOHPD
Determinar el valor de las resistencias R1, R2 y R3 en el circuito de la figura, con los
valores VCC=20V, IR1=13.75mA, VZ=12V, RZ=22:, VEC=4V, IE=2,5mA, E F=99, VEB=0.7V y
VCEsat=0V. Qu sucede si se aumenta el valor hmico de R3?
V CC

R1

R2

R3

6ROXFLyQ D 5 :5 .:5 .:

3UREOHPD
En el circuito que se muestra en la figura, con los valores VCC=12V, VCE=5V, IC=2mA,
RE=820:, RT= R1 // R2=5.33k:, E F=290 y VBE=0.6V, determinar:
D Valor de R1, R2 y RC si ICB0=0.
E Representar el punto de trabajo a partir de las curvas caractersticas y de la
recta de carga esttica.
V CC

R1

RC

R2

RE

6ROXFLyQ D 5 .:5 .:5& .:

3UREOHPD
El transistor tipo 2N335, empleado en el circuito de la figura, puede tener cualquier
valor de E comprendido entre 36 y 90 a la temperatura de 25C, y la corriente inversa
de saturacin ICB0 tiene efectos despreciables sobre el valor de IC a temperatura
ambiente. Si VCC=20V y RC=4k:, determinar el valor de las resistencias R1, R2 y RE
para que el transistor est situado en el punto de trabajo VCEQ=10V, ICQ=2mA, con
VBE=0.65V, y el valor de la corriente IC est comprendido entre 1.75mA y 2,25mA
cuando E vare desde 36 a 90.
V CC

R1

RC

R2

RE

6ROXFLyQ 5 N:5 .:5( .:

3UREOHPD
En el circuito autopolarizado de la figura, RE=4.7k:, RT= R1 // R2 =7.75k:. La tensin de
alimentacin del colector y RC se ajustan para establecer una corriente de colector de
1.5mA a 25C.
D Determinar las variaciones de IC en el margen de temperaturas de 65C a
+175C cuando se emplea el transistor de silicio de la Tabla 1.
E Repetir D para el margen de temperaturas de 65C a +75C cuando se
emplea el transistor de germanio correspondiente a la Tabla 2.
7$%/$

3DUiPHWURV7UDQVLVWRUGH6LOLFLR


7&
,&% Q$ [

E

9%( 9






7$%/$






3DUiPHWURV7UDQVLVWRUGH*HUPDQLR


7&
,&% P$ [

E

9%( 9











V CC

R1

RC

R2

RE

6ROXFLyQ D 'I& P$'I&  E'I& P$'I& 

3UREOHPD
En el circuito de la figura ambos transistores son iguales y de caractersticas
siguientes: F entre 100 y 450; VBE=0.7V y VCEsat=0.2V. Se pide polarizar
adecuadamente los transistores para que la IC de ambos sea de 1mA y la VCEQ=VCC/4.
9

5

5&

5

5

5(

3UREOHPD
Del siguiente circuito se sabe que los dos transistores son iguales y con F=250 y
VBE=0.6V. Se pide calcular R1 y R2 para que VCE1=7.5V y VO=0V
Datos: VCC=VEE=15V; I1=0.5mA, I2=4mA
9&&

5

4

4
5

92

,

,

9((

3UREOHPD
Calcular las resistencias de polarizacin del circuito siguiente para que: IC1=IC2=0.5mA;
VCE1=12V y VCE2=9V. Siendo los dos transistores exactamente iguales y con F=250 y
VBE=0.6V
V CC
R1

R3

4

Q1

R2

R5

R4