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Amplicadores Multietapa
R. Carrillo, J.I. Huircan
Abstract Los amplicadores multieetapa son circuitos
electrnicos formados por varios transistores (BJT o FET),
que pueden ser acoplados en forma directa o mediante capacitores. Las conguraciones clsicas son el par Darlington
(alta impedancia de entrada e incremento de la gnancia de
corriente), el par diferencial (Relacin de rechazo en modo
comn elevada), el amplicador cascode (alta impedancia
de salida). Todas estas etapas amplicadoras pueden ser
integradas y encapsuladas en un chip semiconductor llamado Circuito Integrado (CI). En el CI las polarizacin de
las etapas se hace usando fuentes de corriente, debido a la
mayor facilidad de construccin (a travs de transistores).
La combinacin de distintas tecnologas permitir mejorar
la prestacin de los sistemas diseados.
Index Terms Amplicadores, Multietapas, BiCmos
Vcc
Vcc
RC
R1
Q1
v
i
RC
Q2
vo
R2
RE
1
RE
RB
V
BB
Q1
Vcc
Q2
RE
1
RE
(b)
(a)
I. Introduction
Un amplicador se describe un circuito capaz de procesar
las seales de acuerdo a la naturaleza de su aplicacin. El
amplicador sabr extraer la informacin de toda seal, de
tal manera que permita mantener o mejorar la prestacin
del sistema que genera la seal (sensor o transductor usado
para la aplicacin).
Se llama amplicador multietapa a los circuitos o sistemas que tienen mltiples transistores y adems pueden
ser conectadas entre s para mejorar sus respuestas tanto
en ganancia, Zin , Zout o ancho de banda. La aplicaciones
pueden ser tanto de cc como de ca.
Etapa
Acopl.
Etapa
Acopl.
As
IB2 =
VCC
VBE2 IC1 RC
IC
= 2
( + 1) RE2
v
o
3
RL
Fig. 1. Acoplamiento.
A. Acoplamiento directo
Las etapas se conectan en forma directa, es permite una
amplicacin tanto de la componente de seal como de la
componente continua del circuito. Se dice que los circuitos
de cc se acoplan directamente. La Fig. 2 muestra una
aplicacin de acoplamiento directo.
En corriente continua se tiene
UFRO. DIE. Material preparado para la asignatura de Circuitos
Electrnicos I. Ver 3.5.
(3)
v
i
RE1
(4)
Entonces
IC1 =
VBB
RB
+ VBE1 +
+1
(5)
RE1
(6)
(7)
(8)
vo = (1 + hf e )
hf e ib1 RC vo
RE2
(hie + RC )
hf e RC RE2 (1 + hf e )
vo
=
vi
(hie + RC ) 1 +
(1+hf e )
(hie +RC ) RE2
(hie + (1 + hf e ) RE1 )
B. Acoplamiento capacitivo
El acoplamiento capacitivo o por condensador se usa
para interconectar distintas etapas, en las cuales slo se desea amplicar seal. La presencia del capacitor anula las
componentes de cc, permitiendo slo la amplicacin de
seales en ca. Los amplicadores de ca usan acoplamiento
capacitivo. Permite mayor libertad en el diseo, pues la
polarizacin de una etapa no afectar a la otra.
v
i1
vo
1
v
i2
v
o2
v
i2
v
o3
hfe i b
1
h ie
ib
1
+
v
i
vo
RE
RC
vo
Etapa
Etapa
Etapa
v
i
RL
vo1 =
hf e ib1 RC
ib1
vi =
hie + RE (1 + hf e )
Extendiendo el sistema de la Fig. 3 a n-etapas, considerando la relacin de ganancia de cada una de llas se
tiene que la ganancia del sistema ser
Av =
vo
=
vi
von
vin
:::
vo1
vi1
vi1
vi
Av1 =
(9)
o
La cual ser la misma de la etapa 2, Av2 = vvo1
= 2:4;
de acuerdo a (9) se tiene que la ganancia total del sistema
ser
V
CC
RC
RC
R1
C
C
C i
v
i
R1
Cc
R2
RE
h fe i
h ie
vo
b1
h fe i b2
h ie
vo
R2
vi
b1
RE
RE
RE
b2
RC
RC R1 R2
Note que en cc ambas etapas quedan separadas, formarn un circuito de polarizacin universal, de esta forma
el punto de operacin para cada etapa ser
R2
1 [K ]
= 10 [V ]
= 2:5 [V ]
R 1 + R2
3 [K ] + 1 [K ]
= R1 jjR2 = 3 [K ] jj1 [K ] = 750 [ ]
VT H = VCC
RT H
iC =
VT H
RT H
VBE
2:5 [V ] 0:7 [V ]
=
+1
7:5 + 1:01 820
RE
vo =
ib2 =
ib1 =
RC hf e ib2
1
hie +RE (1+hf e )
hf e ib1
1
1
hie +RE (1+hf e ) + R1 jjR2 jjRC
vi
hie + RE (1 + hf e )
= 2:15 [mA]
vCE = VCC
iC
RC +
+1
RE
=
Av =
= 10
vo
= R C hf e hf e @
vi
1
1
hie +RE (1+hf e )
h +RE (1+hf e )
+ ieR1 jjR
2 jjRC
1
A
AMPLIFICADORES MULTIETAPA
V
CC
Av = 1:58
Por qu dieren los dos clculos realizados?
Esto ocurre por el efecto de carga que representa la
segunda etapa al ser conectada a la primera. Desde el
punto de vista de seal, la primera etapa tiene una impedancia de salida Rsal = RC , dado que su ganancia ser
2:4, el amplicador visto desde la salida es una fuente
de voltaje controlado por voltaje. Por otro lado, la segunda etapa desde el punto de vista de la entrada, tiene
una Rin = R1 jjR2 jj (hie + (1 + hf e ) RE ) :
RC
+
vi
Av 1 vi
vo1
R1 R2
h ie
i
h fe i b2
b2
vo
RC
Rin
RL
R1
Q1
v
i
R2
RE
RE (1 + hfe )
RB
R1 jjR2 jj (hie + (1 + hf e ) RE )
vi
R1 jjR2 jj (hie + (1 + hf e ) RE ) + RC
750 [ ] jj (101 820 [ ])
vi
2:4
750 [ ] jj (101 820 [ ]) + 2 [K ]
743 [ ]
2:415
= ( 2:415) 0:271vi
743 [ ] + 2 [K ]
Ci
IC
1
IB
1
v
i
(a)
vo
(b)
A. Anlisis en cc
Sea el circuito de la Fig. 10, en cc.
Vcc
Vcc
Co
RE
IE
2
B2
IC
2
vo1 = Av1
CE
IC
1
RB
IB
1
IC
2
Q1
I
Q2
IE
2
B2
RE
(10)
Pero
IB1 + IC1 = IB2 = (
Adems, dado que IE2 = (
VBE1 = VBE2 = VBE
IB1 =
+ 1) IB1
(11)
+ 1) IB2 y considerando
VCC 2VBE
RB + ( 1 + 1) ( 2 + 1) RE2
(12)
2 + 1) (
2
+ 1) (
1 + 1) IB1
1
+ 1) IB1
(13)
As
IC2 =
+ 1) IB1
(14)
h fe i b
Q1
R
ib
Q2
v
B
R
Luego
vi = ib1 fhie1 + (hf e1 + 1) hie2 + (hf e1 + 1) (1 + hf e2 ) RE g
(23)
Finalmente como Zin = ivbi
1
v
i
(21)
(22)
vo
ib
h ie
h fe i b
ib (1 + hf e2 )
io
= 2
ii
ib1
ib1 (1 + hf e1 ) (1 + hf e2 )
=
ib1
= (1 + hf e1 ) (1 + hf e2 )
Ai =
vo
R
(a)
h ie
E
(b)
(24)
(25)
(15)
(16)
R3
RC
v
o
(17)
(18)
CB
R1
v
Luego
RB
R2
RE
vo =
RC
vi vo
hie1 + (hf e1 + 1) hie2
(hf e1 + 1) (1 + hf e2 ) RE
CE
(b)
(a)
vo
(hf e1 + 1) (1 + hf e2 ) RE
=
vi
hie1 + (hf e1 + 1) hie2 + (hf e1 + 1) (1 + hf e2 ) RE
(19)
Si hf e1 ; hf e2 >> 1, se comporta como seguidor de emisor.
vo
=
vi
RE
hie1 +(hf e1 +1)hie2
(hf e1 +1)(1+hf e2 )
Clculo de Zin .
+ RE
=1
(20)
(26)
(27)
(28)
AMPLIFICADORES MULTIETAPA
ib
hfe i
hie
hfe i
v
i
RB
v
o
RC
b1
i b1
hie
RC
RC
vo
=
vi
RC h2f e
(hf e + 1) hie
v
+ o _
vo
1
(29)
Q1
v
i1
v
i2
Amplificador
Diferencial
+
v
o
_
Q2
v
i2
RE
V. Amplificador diferencial
v
i1
vo
2
v
o1
-VEE
v
o2
VBE1
VBE1 + IE RE
+ (IE1 + IE2 ) RE
VEE = 0
VEE = 0
(34)
(30)
(31)
vi1 ) + Ac
vi2 + vi1
2
(32)
(35)
VEE VBE1
2RE ( + 1)
(36)
En la prctica IE debe ser independiente de los transistores y de valor constante, tambin se desear que RE
sea lo ms grande posible, de esta forma el RRMC tendr
un valor alto y el amplicador tendr una respuesta ms
prxima a la ideal.
A.2 Anlisis en corriente alterna
Determinacin de la ganancia diferencial
Sea la salida vo2 , de acuerdo a la Fig. 16b, as
vo2 =
hf e ib2 Rc
Pero en la entrada
CM RR =
Ad
Ac
(33)
Esta relacin mide la calidad del amplicador diferencial, debido a que permite saber en que factor se atenua la
seal en modo comn, respecto de la seal diferencial.
(37)
(38)
vo
1
v
i 1
RC
RC
RC
vo
2
Q
v
i2
h fe i b
h fe i b
(44)
RC
v
RE
i1
ib
hie
hie
ib
(a)
Fig. 16.
seal.
vo
v
2
i2
vi = ib hie + iE RE
(hf e + 1) 2ib = iE RE
(b)
(45)
Finalmente
hf e R c
hie + 2RE (hf e + 1)
vo2
=
vi
Ac =
(46)
Determinacin de la RRMC
RRM C =
ib2 +
iE
(39)
(1 + hf e )
Donde vi = vi2
ib1
(40)
vi1 , entonces
vi = (ib2 ib1 ) hie
= 2ib2 hie
(41)
vo2
=
vi
hf e R c
2hie
(42)
RC
ib
vi
h fe i
b
vo
ib
RE
Vcc
hie
h fe i b
hie
R
RC
Vcc
RC
RC
v
i1
v
i2
RB
IE
vo
2
v
i1
IE
(b)
(a)
RC
vo
2
RC
(43)
(47)
Ad
hie + 2RE (hf e + 1)
=
Ac
2hie
RE
-V EE
-V EE
v
i2
AMPLIFICADORES MULTIETAPA
(48)
(49)
vi = ib (RB + hie1 ) + ib (1 + hf e1 ) RE + vo
ic1 = ib2 hf e2
VEE VBE3
RB3 + ( + 1) RE
Por lo tanto
IE3 = ( + 1)
(50)
vo = vi
(51)
RE
v
i
RB
+
V
BB
v
i
Q3
vo
Q1
Q2
+
VBB
RE
2[mA]
RE
vo
R1
-V
EE
Q
R2
(a)
-V
EE
(b)
Luego
IC1 = IC2
VBB = IB RB + VBE + IE RE + Vo
(52)
Luego
RB IC
IE2
= 9:9 [ A]
+1
= 0:99 [mA]
IB1 = IB2 =
Vo = VBB
5 [mA]
RC
Vcc
(57)
VBE3
RB
(56)
VEE VBE3
RB3 + ( + 1) RE
VEE
(54)
(55)
IC RE
VBE
(53)
Si
IE3 = 5 [mA]
IE3
IB3 =
= 49:5 [ A]
+1
As la corriente por el resistor de 5 [K ] ser
I = IC2 IB3
= 0:99 [mA]
iC
2
1
m= r
o
M argen de trabajo
v CE
0:7 [V ] = 15 [V ] VE3
VE3 = 10:99 [V ]
Vcc
Vcc
B. Espejos de Corriente
Vcc
vi
10K
vi
vo
vo
RL
Q
I BIAS
RL
-VEE
-VEE
Vcc
I ref
R
IC
Q1
I ref = I C 2
Q2
IBIAS = IC2 =
El circuito bsico se muestra en la Fig. 21. Considerando
los transistores iguales, por ende las tensiones VBE iguales,
se tiene que IB1 = IB2 : ; luego
IC1 = IC2 = IB1
(58)
Como
= IC1
1+
IC1
VCC
VBE + VEE
10 [K ]
(61)
Vcc
IC2
I2
Q
vo
Q2
RL
I1
-VEE
Finalmente
IC1 = IC2 =
Iref
1+
(59)
En cc se tiene que
Vcc
(62)
VBE2 = 0
vo = (1 + hf e2 ) ib2 RL
ib2 = ib1 (1 + hf e1 )
vi = ib1 (hie1 + hie2 ) + vo
(63)
(64)
(65)
AMPLIFICADORES MULTIETAPA
As
vo
vo = (1 + hf e2 ) (1 + hf e1 ) RL
(hie1 + hie2 )
0
1
= @
=
1
(1+hf e2 )(1+hf e1 )RL
+1
VT
ln
R2 =
IE
(66)
IC
R
Q
IC
2
= IE2 R2 ;
Iref =
Vcc
IC1
IC2
VBE1
(71)
= IC1
R1
(72)
Vcc
I ref = I C
2
Q
IC
1
luego
vi
= vi
(70)
A vi
IC
IS
VBE = VT ln
vi
I ref
R
IC
IC
2
+2 +2
Iref
(67)
Iref =
Vcc
VBE2
R
VBE3
(68)
Vcc
Vcc
I ref
IC
R1
(b)
Q
1
I1
2
I ref
I3
R
I
I4
R2
-V
EE
VEB1 VBE2
R
Para esta situacin se tiene que I1 = I2 = Iref , I3 =
2Iref , I4 = 3Iref .
Iref =
VBE1 = VBE2 + IE R2
Como
(69)
VCC
VEE
10
Finalmente
vo
Q
v
i1
hf e
2hie
1
hoe
Vcc
Q3
Ad =
v
i2
IE
VDD
-V EE
RD
RD
vo
Q2
Q
1
vi
2
-VSS
1
hoe
hfe i b3
ib3
i b4
hie
hie
hfe i b4
1
hoe
vo
2
v
i1
vo
hfe i b1
v
i2
hfe i b2
hie
v
i1
(a)
hie
i b2
i b1
v
i2
v
i
1
vo2 = (hf e ib4 hf e ib2 )
(73)
hoe
Por LCK se tiene, ib4 + hf e ib3 + ib3 + ib3 hie hoe = hf e ib1 :
Como ib4 hie = ib3 hie , entonces, ib4 = ib3 : Dado que
(1 + hf e ) ib1 + (1 + hf e ) ib2 = 0; entonces, ib1 = ib2 :
Planteando la LVK en la malla de entrada se tiene
vi1 = ib1 hie ib2 hie + vi2
vi1 vi2
vi
vi1
ib2 =
= 2
2hie
2hie
(74)
(75)
fe
; as, reemPero se tiene que ib4 = ib2 2+hf e +h
ie hoe
plazando la corriente en (73)
hf e
ib2
hf e
2 + hf e + hie hoe
hoe
2 + 2hf e + hie hoe hf e ib2
1
' hf e
2 + hf e + hie hoe
hoe
hoe
RD
RD
vo
RD
RD
(b)
vo2 =
v
i
v
i
v+
gs1
_
g v
m
g v
m
gs2
gs1
vo
+
v
_gs2
v
i
(b)
(a)
RD gm vgs2
vgs2 + vi2
RD gm
2
hf e
vi1 vi2
2hie
AMPLIFICADORES MULTIETAPA
11
V
DD
I ref
Io
Io
Q1
Q2
Q3
Q
2
vi
BIA S
-VSS
(a)
RL
vo
Q
2
Q
1
(a)
-VSS
Q2
I
BIAS
Q
3
Q
4
Q
1
Io
I ref
VDD
IREF
V
CC
VDD
(b)
(b)
vi
-VSS
vi
vo
gmv
GS
v
GS
ib
(c)
(76)
h ib
fe
vo
RL
iD = K (vGS VT )
1 0W
2
= k
(vGS VT )
2 L
h
ie
RL
(d)
VDD
VGS
(77)
ID1 =
W
L
W
L
(78)
(79)
(vGS
VT )
(vGS
VT )
(80)
(81)
(82)
vo = RL (1 + hf e ) gm vgs = RL (1 + hf e ) gm
vo = RL (1 + hf e ) ib
gm vgs = ib
vi = vgs + ib hie + vo
W
L 1
W
L 2
La Fig. ??b, muestra distintas implementaciones de espejos de corriente con transistores nMOS, las cuales permitirn polarizar el amplicador diferencial.
vi vo
1 + gm hie
vo
(RL (1 + hf e ) gm )
=
RL (1+hf e )gm
vi
(1 + gm hie )
1 + 1+gm hie
Para determinar Rin se tiene que ii ! 0, luego Rin = 1.
Para calcular Rout , se anula la excitacin de acuerdo a la
Fig. 35, luego se plantean las ecuaciones.
X. Circuitos BiCMOS
Debido a que el BJT tiene mejor transconductancia que
el MOSFET, para los mismos valores de corriente de polarizacin en cc, tendrn mejor ganancia. Por otro lado,
el MOSFET tienen mejor impedancia de entrada, lo que
lo hace ideal para circuitos con entrada de voltaje. La
combinacin de ambas tecnologas con el n de mejorar
las prestaciones de amplicadores multietapas permite el
nacimiento de los circuitos BiCMOS, los cuales tiene mejoras sustanciales en los circuitos para aplicacin digital y
anloga.
A. BiCMOS Darlington
Este amplicador se muestra en la Fig. 34a, posee una
alta impedancia de entrada y una gran capacidad de corriente. Para la aplicacin tipo seguidor de emisor de la Fig.
34b, se determina la ganancia de voltaje, as
gmv
GS
h
ie
v
GS
_
+
h ib
fe
ip
ib
vp
vi =0
ip = ib (1 + hf e )
vp = ib hie vgs
gm vgs = ib
Asi resolviendo se tiene Rout =
vp
ip
hie + g1m
(1+hf e ) :
12
B. BiCMOS Diferencial
V
CC
I
vo
V
BIAS
Q2
Q1
v
i
VDD
I
Q1
v
i1
Q3
v
i2
vo
2
Q4
-Vss
v
i
v
i1
vg s1
vg s2
RL
vgs
_
hie
hie
ib3
hoe
i b4
vo =
vo2 = (gm vgs2
hf e ib4 )
1
hoe
(83)
gm vgs2
= vgs2 gm
gm vgs1
1
2 + hf e + hie hoe hoe
2 + 2hf e + hie hoe
1
2 + hf e + hie hoe hoe
hf e
(84)
1
=
hoe
gm
vi
hoe
hfe i b
vp
hfe i b4
ib
hie
(b)
vo2 =
gm vg s
i
2
g s2
vo
hfe ib3
hie
gmv
g s1
ib h
fe i b
gm vg s
v
o
(a)
gmv
hoe
+
v gs
_
Analizando en en ca
ip
ii
hf e ib RL =
hf e
gm vi
RL
(1 + hf e )
(86)
XI. Conclusiones
Los circuitos multietapa son sistemas construidos a partir de varios transistores, estos pueden estar acoplados entre s, ya sea en forma directa o a travs de un capacitor.
Cuando las etapas son acopladas por capacitor se habla de
circuitos de ca, si son acopladas en forma directa se habla
de circuitos en cc y ca. Las conguraciones multietapa
clsicas, el par darlington, el amplicador diferencial y el
cascode, presentan caractersticas propias, alta impedancia
de entrada e incremento de la corriente, alto RRMC y alta
impedancia de salida respectivamente, las cuales pueden
ser mejoradas combinando dichos circuitos con otros elementos, ya sea para su polarizacin (fuentes de corriente
activas) o como carga. La tecnologa BiCMOS aprovecha
lo mejor de ambas familias de transistores, de tal forma de
incrementar las prestaciones, en Rin , Av y Rout .
References
(85)
C. BiCMOS Cascode
El circuito de la Fig. 38 es un amplicador cascode BiCMOS, para este caso se tiene una etapa en fuente comn