Dispositivos semiconductores para la

Electrnica de Potencia
Tema 2

Tema 2.Dispositivos

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TIPOS DE DISPOSITIVOS

1. NO CONTROLADOS
DIODOS

2. SEMICONTROLADOS
TIRISTORES

3. CONTROLADOS
TRANSISTORES BIPOLARES
MOSFET
IGBT
GTO
ETC...

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SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

Modo de operacin
Los semiconductores utilizados en la Electrnica de
Potencia operan como interruptores:

N interesa
Nos
i t
conocer
Caractersticas de conduccin
Caractersticas de conmutacin
Mtodo de control
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SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

Valores que definen un componente

Tensin Inversa
Tensin q
que debe p
poder bloquear
q
sin daarse
Tensin mxima en continua
VRRM : Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage
Tensin de pico repetitivo
VRSM : Maximum Non Repetitive Peak Reverse Voltage
Tensin de pico no repetitivo

Tensin Directa
Cada de tensin en conduccin
VF : Forward Voltage
T bi aparece como VD, VCE satt...
Tambin
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SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

Valores que definen un componente

Corriente Directa
Corriente media mxima
IF (Avg) : Average Forward Current
Corriente eficaz mxima
IF (RMS) : Maximum RMS Current
Corriente de
d pico repetitivo
IFRM : Maximum Repetitive Peak Forward Current
C
Corriente
i t de
d pico
i no repetitivo
titi
IFSM : Maximum Non Repetitive Peak Forward Current

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SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

Valores que definen un componente

Otros lmites
Potencia mxima
Temperatura mxima en la unin
Avalancha Secundaria

Safe
Operating
Area

Avalancha
A
l
h
Secundaria

log i
log Imax

Potencia
mxima

SOA
log v
log Vmax

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SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

Prdidas
Siempre que existe convivencia tensin corriente en el componente,
se disipa energa en forma de calor
V

u i dt
0

P=
= f

P. Conduccin
P

P. Conmutacin
encendido

apagado
p g

PTOTALES= PENCENDIDO+PAPAGADO+PCONDUCCIN+PEXCITACIN
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SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

Frecuencia de conmutacin
Rapidez con la cual es capaz de conmutar un dispositivo
Viene limitada por:

Capacidades
p
parsitas
p
Difusin de portadores
Prdidas en conmutacin
=

u i dt

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P=
= f
T

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DIODOS

Tema 2.Dispositivos

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DIODOS

Caracterstica esttica del diodo

I t
Intensidad
id d I

nodo

Ctodo

Tensin
inversa

VB
IO

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Tensin V
Tensin
directa

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DIODOS

Modelos estticos del diodo en estado de

conduccin
d
i
Modelo
ideal

Cortocircuito
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Primera
aproximacin

Pd = Vd I d ,med

Segunda
g
aproximacin

Pd = Vd I d ,med + rd I d2,ef
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8.3. Diodos

DIODOS

Caracterstica dinmica del diodo: tiempo

de recuperacin inversa trr
trr

IF

Qrr

ts

0
0.25IRR

IR
R

Carga elctrica almacenada o

desplazada.
Factor de suavizado. Es la relacin
entre los tiempos de cada y
almacenamiento

tf

Ejemplo de conmutacin con

recuperacin suave

S <1

Influencia del trr en la conmutacin

Si el tiempo que tarda el diodo en conmutar no es
despreciable :
Se limita la frecuencia de funcionamiento no se
puede conmutar hasta despus de la recuperacin
Existe una disipacin de potencia durante el tiempo
de recuperacin inversa convivencia V e I
Tema 2.Dispositivos

tf
S=
ts
Clasificacin diodos
LENTOS
RPIDOS
ULTRARPIDOS
SCHOTTKY
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DIODOS

DIODO
No Controlado
VRRM < 15000V
IF < 3800A
fmx < tipo
Tiempo de recuperacin
inversa

iD

Prdidas en conduccin

iD

rD

VD

2
P=VD.iD + rD.iD(RMS)

trr
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TIRISTOR

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TIRISTOR

Caracterstica esttica del tiristor

SCRSiliconControlled Rectifier

iak

nodo, A

ZONA DE CONDUCCIN
Comportamiento similar al diodo:

ZONA DE BLOQUEO
DE TENSIN INVERSA

Puerta, G

Ctodo, K

Tensin
mxima

a
iG DISPARO

iG2

iak

rd
iG1

iG DISPARO > iG 2 > iG1

VRRM
VDRM

vak

IMPLICACIONES CARACTERSTICA ESTTICA

3 ZONA DE BLOQUEO

1. REQUISITOS DE DISPARO
vak > 0 (Previamente polarizado en directa)

EFECTO
AVALANCHA

DE TENSIN DIRECTA
Tensin mxima vDRM

iG > iG DISPARO
Iak > IH CORRIENTE DE ENCLAVAMIENTO
2. REQUISITOS DE APAGADO

El modelo de prdidas en conduccin es igual al del diodo

iak < 0 CORRIENTE DE MANTENIMIENTO

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TIRISTOR

Corriente de enclavamiento (Latching current IL)

HAY QUE MANTENER EL PULSO DE iG HASTA QUE iak > IL
Retrasa la subida
de iak

iG

iakk

IL
iak
t
Se enclava
Se apaga
Sigue disparado
No se ha alcanzado IL
aunque iG = 0

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iG

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TIRISTOR

Formas de apagado
1 NATURAL.
1.
NATURAL
2. FORZADA.
Apagado por fuente inversa de tensin.
Apagado por fuente inversa de intensidad.
intensidad

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TIRISTOR

TIRISTOR
Semicontrolado por
corriente de puerta

Prdidas en conduccin

Vmx < 8000V

iD

rD

VD

IAVG < 15000A

fmx = 50 - 60Hz
Circuitos de apagado

2
P=VD.iD + rD.iD(RMS)

Controlo el instante de encendido, pero el

apagado debe producirlo el circuito externo
Apaga cuando IAK=0

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TRIAC

Tema 2.Dispositivos

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TRIAC

Caracterstica esttica del TRIAC

TRIAC
MT1

+II

MT1

Cuadrante I
(MT2+ve ) Corriente de
disparo, IG
V

Cuadrante II
G

T1

-V
V

T2

Estado:
apagado

MT2
Circuito equivalente de un
TRIAC

Tema 2.Dispositivos

MT2

Corriente de
disparo,
p
IG

Cuadrante III
(MT2-vve )

Estado:
encendido
did

-I

Cuadrante IV

Estado:
encendido

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MOSFET
((Metal Oxide Semiconductor Field Efect
Transistor)

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MOSFET

Caracterstica esttica del MOSFET

MetalOxideSemiconductorField Efect Transistor

Drenador (drain,
(drain D)

D
Puerta (gate, G) G

Surtidor o fuente (source, S)

Zona hmica

VGS1
VGS2

Se controla aplicando una

tensin entre la p
puerta y la
fuente (aplicando VGS)

VGS3

Intensid
dad de sumide
ero ID

VGS1 > VGSn

Fuente de corriente

VGSn
Regin de corte

Tensin drenador-fuente VDS

ID

El MOSFET se modela en conduccin como una resistencia (RDSon)

Por tanto, el modelo de prdidas en conduccin del MOSFET es:

Pcond = RDSon I
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2
D ,ef

ID

RDSon
G
S
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MOSFET

Disparo del MOSFET

ID
RD
D

VDD

VDS

G
Circuito de
excitacin

VMM 1000-01P

El correcto manejo de la puerta es fundamental para utilizar un MOSFET

Tensin umbral (VGSth): tensin mnima entre puerta y surtidor para ponerlo en conduccin
Tensin mxima: el MOSFET se rompe si se aplica una tensin superior entre puerta y
surtidor
Interesa gobernarlo con la tensin ms alta posible (VGS~10
10 V): cuanto ms alta es la
tensin de puerta, menor es la RDS(on)

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MOSFET

Caractersticas dinmicas del MOSFET

La carga y descarga de las capacidades parsitas tiene un efecto muy importante en la
conmutacin del dispositivo, limitando la frecuencia de conmutacin
ID

D
VGS

VDS

tr = tiempo de subida

90%

Cgd

tF = tiempo de bajada

Cds
Cgs

td(on) = retraso de encendido

10%

td(on) tF

ID

td(off)

p g
td(off) = retraso de apagado

tR

Existe un diodo parsito entre drenador y fuente que puede conducir cuando el
MOSFET est
t en estado
t d d
de bloqueo.
bl
S conduccin
Su
d
i no es aconsejable
j bl porque es
un diodo lento y aumenta considerablemente las prdidas

Cgd
Cds

VMM 1000-01P

Cgs
S

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MOSFET

MOSFET
Controlado por tensin de
puerta
p
Vmx < 1500V
Imx < 400A
fmx < 10 MHz
No p
presenta avalancha
secundaria
Coeficiente negativo de
t mp
temperatura
tu

Prdidas en conduccin

iD

rDS(on)
2

PCON=rDS(on).iD(RMS)

La mayora de los MOSFET

de potencia son de
acumulacin y canal N
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IGBT
(Insulated Gate Bipolar Transistor)

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IGBT

Circuito equivalente del IGBT

Isolated Gate BipolarTransistor
Colector (collector, C)
Puerta (gate, G)

Emisor (emitter, C)

RMOD

RMOD
PNP

NPN

PNP

C, COLECTOR

G,
PUERTA

RBE

RBE
E, EMISOR

E
Circuito equivalente

Tema 2.Dispositivos

E
Circuito simplificado

Circuito equivalente de un IGBT

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IGBT

Caracterstica Esttica del IGBT

iC

Es capaz de bloquear tensin VCE

negativa, al contrario que el
MOSFET, q
que no p
puede debido a
su diodo parsito

Se controla con tensin

de puerta como un
MOSFET
OS

VGE1

VGE2

VGE1 > VGEn

VGE3

VRM

VGEn
VCE
BVDSS

G
E
En muchas ocasiones se
incorpora internamente un
diodo al dispositivo, pero no
pertenece a la estructura del
IGBT

Tema 2.Dispositivos

Modelo de prdidas en
conduccin
d
i similar
i il all d
de
un transistor bipolar
C

+ VCEsat -

Ron

Pcond = VCE , sat I C ,med + Ron I C2 ,ef

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IGBT

IGBT
Ventajas como MOSFET
Totalmente Controlado por
tensin de puerta
Rapidez de conmutacin
No presenta avalancha
secundaria
Ventajas como Bipolar
Modelo p
prdidas en
conduccin

Vmx < 6500V

Imx
< 3600A
fmx < 75 kHz

Corriente de colector
similar
i il all bi
bipolar
l
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IGBT

IGBT
Desventajas
Cola de corriente
Efecto
Ef t tiristor
ti i t parsito
it

Vmx < 6500V

Imx < 3600A
fmx < 75 kHz

Prdidas en conduccin

iT

rd

VCEsat

P=VCEsat.iT +
Tema 2.Dispositivos

2
rd.iT(RMS)
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