Universidad de Costa Rica

Facultad de Ingeniera
Escuela de Ingeniera Elctrica

IE 0502 Proyecto Elctrico

DISEO E IMPLEMENTACIN DE
PRCTICAS DE LABORATORIO SOBRE LA
MODULACIN ANALGICA DE AMPLITUD
(AM)

Por:
Ronald Palma Solano

Ciudad Universitaria Rodrigo Facio

Diciembre del 2007

DISEO E IMPLEMENTACIN DE
PRCTICAS DE LABORATORIO SOBRE LA
MODULACIN ANALGICA DE AMPLITUD
(AM)
Por:
Ronald Palma Solano

Sometido a la Escuela de Ingeniera Elctrica

de la Facultad de Ingeniera
de la Universidad de Costa Rica
como requisito parcial para optar por el grado de:
BACHILLER EN INGENIERA ELCTRICA
Aprobado por el Tribunal:

_________________________________
Ing. Andrew Sheehy Protti
Profesor Gua

_________________________________
Ing. Luca Acua Avendao
Profesor lector

_________________________________
Ing. Diego Castro Hernndez
Profesor lector

ii

DEDICATORIA
Les dedico el presente trabajo a mis padres y hermano, sin su ayuda y apoyo
incondicional esto no hubiera sido posible. Muchas gracias por todo.

iii

RECONOCIMIENTOS
Al profesor gua Andrew Sheehy Protti por su gran apoyo y sugerencias en el
transcurso del desarrollo del proyecto, por haber estado siempre dispuesto a ofrecer su
ayuda en lo que estuviera a su disposicin. As mismo al profesor Francisco Rojas Fonseca
por haberme aclarado las dudas relacionadas al uso y manejo del equipo del laboratorio de
telecomunicaciones.

iv

NDICE GENERAL
NDICE DE FIGURAS ...............................................................................vii
NDICE DE TABLAS ................................................................................... x
NOMENCLATURA ..................................................................................... xi
RESUMEN...................................................................................................xii
CAPTULO 1: Introduccin......................................................................... 1
1.1

Objetivos .................................................................................................................3
1.1.1 Objetivo general ................................................................................................ 3
1.1.2 Objetivos especficos ........................................................................................ 3
1.2
Metodologa ............................................................................................................4

CAPTULO 2: Desarrollo terico ................................................................ 6

2.1
2.2
2.3

Modulacin y Demodulacin..................................................................................6
Finalidad de la modulacin ...................................................................................10
Modulacin AM ....................................................................................................13
2.3.1 Envolvente de la seal modulada.................................................................... 14
2.3.2 Espectro de frecuencia .................................................................................... 15
2.3.3 Coeficiente y porcentaje de modulacin ......................................................... 16
2.3.4 Anlisis de la seal modulada......................................................................... 21
2.3.5 Anlisis de AM en el dominio del tiempo ...................................................... 25
2.3.6 Anlisis de potencia de AM ............................................................................ 26
2.4
Tipos de modulacin AM .....................................................................................29
2.4.1 Modulacin AM con portadora y doble banda lateral. ................................... 29
2.4.2 Modulacin AM de doble banda lateral con portadora suprimida. ................ 29
2.4.3 Modulacin AM de banda lateral nica con portadora suprimida.................. 31
2.5
Implementacin de moduladores AM...................................................................31
2.5.1 Modulacin en Cuadratura.............................................................................. 32
2.5.2 Modulador por conmutacin. .......................................................................... 33
2.5.3 Modulador Balanceado. .................................................................................. 35
2.5.4 Modulador de Anillo. ...................................................................................... 35
2.6
Implementacin de demoduladores AM ...............................................................36
2.6.1 Detector de envolvente. .................................................................................. 37
2.6.2 Demodulacin de seales DSB-SC................................................................. 41
2.6.3 Demodulacin de seales SSB-SC. ................................................................ 42

CAPTULO 3: Diseos y simulaciones de los circuitos a implementar.... 43

3.1

Modulador DSB-FC por emisor ...........................................................................43

3.1.1 Diseo. ............................................................................................................ 43
v

3.2
3.3
3.4
3.5

3.1.2 Simulacin. ..................................................................................................... 52

Detector de envolvente .........................................................................................56
Modulador DSB-SC ..............................................................................................61
Modulador SSB-FC ..............................................................................................65
Modulador DSB-FC por colector .........................................................................70
3.5.1 Diseo. ............................................................................................................ 73
3.5.2 Simulacin. ..................................................................................................... 75

CAPTULO 4: Funciones bsicas del equipo de laboratorio .................... 85

4.1
4.2
4.3

Generador de Seales Agilent E4433B ................................................................85

Osciloscopio Agilent 54642A ...............................................................................86
Agilent Intuilink ....................................................................................................88

CAPTULO 5: Implementacin de los circuitos simulados ...................... 89

5.1
5.2
5.3
5.4

Implementacin del modulador DSB-FC por emisor ...........................................89

Implementacin del detector de envolvente .........................................................96
Implementacin del modulador SSB-FC ............................................................102
Implementacin del modulador DSB-FC por colector .......................................109

CAPTULO 6: Prcticas de Laboratorio ................................................. 116

PRCTICA #1
PRCTICA #2
PRCTICA #3
PRCTICA #4

MODULACIN AM DSB-FC ................................................................117

DEMODULACIN AM DSB-FC...........................................................122
MODULACIN AM SSB-FC.................................................................125
MODULADOR AM DSB-FC POR COLECTOR ..................................128

CAPTULO 7: Conclusiones y Recomendaciones ................................... 132

7.1
7.2

Conclusiones .......................................................................................................132
Recomendaciones ...............................................................................................134

BIBLIOGRAFA ....................................................................................... 135

ANEXOS .................................................................................................... 137

vi

NDICE DE FIGURAS
Figura 2.1 Diagrama de bloques de un sistema de transmisin. ............................... 10
Figura 2.2 Representacin de una seal: (a) en el tiempo, (b) en la frecuencia. ...... 11
Figura 2.3 Ancho de banda del canal y de la seal s(t). ........................................... 11
Figura 2.4 Multiplexacin en frecuencia. ................................................................. 12
Figura 2.5 Diagrama de bloques de la generacin se una seal modulada AM. ...... 14
Figura 2.6 Generacin de una seal modulada AM y su envolvente. [9] ................. 14
Figura 2.7 Espectro en frecuencia de una seal AM. ............................................... 16
Figura 2.8 Forma de la onda modulada para distintos coeficientes de
moduladulacin. (a) Seal modulante; (b) Portadora; (c) Seal modulada con
m=0.5; (d) Seal modulada con m=1. [9] ................................................................. 17
Figura 2.9 Efecto de la sobremodulacin sobre una seal AM. [10]........................ 18
Figura 2.10 Medicin de Vm y Vc sobre una onda modulada AM. [9] ................... 19
Figura 2.11 Espectro de frecuencia para m=1. ......................................................... 24
Figura 2.12 Espectro de frecuencia para 0 m 1. ................................................. 24
Figura 2.13 Generacin de una seal modulada a partir de la portadora y las
frecuencias laterales. (a) Frecuencia lateral superior; (b) Portadora; (c) Frecuencia
lateral inferior; (d) Seal modulada. [9] ................................................................... 25
Figura 2.14 Espectro de potencia para una seal AM con m = 1. ............................ 28
Figura 2.15 Espectro de potencia para una seal AM con 0 m 1. ...................... 28
Figura 2.16 Espectro de frecuencia para modulacin DSB-SC. ............................... 30
Figura 2.17 Diagrama de bloques de un modulador AM en cuadratura. .................. 32
Figura 2.18 Modulador por conmutacin. ................................................................ 33
Figura 2.19 Seal de conmutacin peridica. ........................................................... 34
Figura 2.20 Diagrama de bloques de un modulador balanceado. ............................. 35
Figura 2.21 Modulador de anillo. ............................................................................. 35
Figura 2.22 Detector de envolvente. ......................................................................... 37
Figura 2.23 (a) Seal modulada AM a la entrada del detector; (b) Forma de onda de
corriente en el diodo; (c) Forma de onda a la salida del detector. ............................ 38
Figura 2.24 Seal de entrada y salida del detector de envolvente. ........................... 39
Figura 2.25 (a) Seal de entrada al detector de envolvente; (b) Seal de salida con
distorsin del rectificador; (c) Seal de salida con recortador diagonal. .................. 40
Figura 2.26 Diagrama de bloques de un demodulador DSB-SC. ............................. 42
Figura 3.1 Circuito modulador AM DSB-FC con transistor. ................................... 43
Figura 3.2 Recta de carga de corriente alterna. ......................................................... 45
Figura 3.3 Circuito en pequea seal para el circuito modulador sin Vm................ 47
Figura 3.4 Forma de onda en el colector del modulador. ......................................... 50
Figura 3.5 Espectro de frecuencia de la seal del colector. ...................................... 50
Figura 3.6 Banda de frecuencia que se desea dejar. ................................................. 51
vii

Figura 3.7 Filtro paso alto a implementar. ................................................................ 52

Figura 3.8 Circuito modulador AM DSB-FC con transistor simulado en PSpice. ... 52
Figura 3.9 Seal modulada AM a la salida del circuito simulado en PSpice. .......... 53
Figura 3.10 Espectro de frecuencia de la onda AM de bajo nivel. ........................... 54
Figura 3.11 Amplificador no inversor. ..................................................................... 55
Figura 3.12 Circuito modulador AM DSB-FC con amplificador no inversor
simulado en PSpice. .................................................................................................. 55
Figura 3.13 Seal modulada AM amplificada a la salida del circuito simulado en
PSpice. ...................................................................................................................... 56
Figura 3.14 Modulador de bajo nivel con detector de envolvente con R8 = 1570.3.
.................................................................................................................................. 58
Figura 3.15 Seal de salida del detector de envolvente con R8 = 1570.3. ............ 58
Figura 3.16 Seal de salida del detector de envolvente con R8 = 23.55k. ............ 59
Figura 3.17 Seal de salida del detector de envolvente con R8 = 15k. ................. 59
Figura 3.18 Seal de salida del detector de envolvente con el diodo invertido. ....... 60
Figura 3.19 Filtro rechaza banda pasivo. .................................................................. 62
Figura 3.20 Sumador inversor. ................................................................................. 62
Figura 3.21 Sumador inversor diseado. .................................................................. 63
Figura 3.22 Modulador DSB-SC. ............................................................................. 63
Figura 3.23 Seal AM DSB-SC filtrada. .................................................................. 64
Figura 3.24 Espectro de frecuencia de la seal AM DSB-SC. ................................. 64
Figura 3.25 Filtro activo paso alto para la obtencin de la seal SSB-FC. .............. 66
Figura 3.26 Barrido de frecuencia del filtro activo paso alto. .................................. 66
Figura 3.27 Circuito modulador AM SSB-FC. ......................................................... 67
Figura 3.28 Seal AM SSB-FC. ............................................................................... 67
Figura 3.29 Espectro de frecuencia de la seal AM SSB-FC. .................................. 68
Figura 3.30 Seal AM SSB-FC con mayor ndice de modulacin. .......................... 69
Figura 3.31 Espectro de frecuencia de la seal AM SSB-FC con mayor ndice de
modulacin................................................................................................................ 69
Figura 3.32 Circuito modulador AM de potencia media con transistor. .................. 70
Figura 3.33 Formas de onda del colector y de la salida sin onda modulante. .......... 71
Figura 3.34 Formas de onda del colector y de la salida con onda modulante. ......... 72
Figura 3.35 Forma de onda del colector empleando RFC. ....................................... 74
Figura 3.36 Vista amplificada de la forma de onda del colector empleando RFC. .. 74
Figura 3.37 Circuito modulador AM de media potencia simulado en Pspice. ......... 75
Figura 3.38 Seales del circuito simulado en Pspice. (a) Onda portadora;
(b)
Onda modulante; (c) Seal de salida del colector..................................................... 76
Figura 3.39 Forma de onda de la corriente en el colector......................................... 77
Figura 3.40 Espectro de frecuencia de la seal de salida del colector. ..................... 77
Figura 3.41 Circuito modulador AM de alta potencia final. ..................................... 79
Figura 3.42 Seal modulada AM DSB-FC del modulador por colector. ................. 80
Figura 3.43 Espectro de frecuencia de la seal modulada AM DSB-FC. ................ 80
viii

Figura 3.44 Bandas laterales y portadora de la seal AM DSB-FC. ........................ 81

Figura 3.45 Seal modulada AM DSB-FC del modulador por colector con m = 0.46.
.................................................................................................................................. 82
Figura 3.46 Espectro de frecuencia para un ndice de modulacin de 0.46. ............ 83
Figura 3.47 Seal sobremodulada AM DSB-FC del modulador por colector. ......... 84
Figura 3.48 Espectro de frecuencia de la seal AM sobremodulada. ....................... 84
Figura 5.1 Amplitud pico a pico de la seal modulante. .......................................... 89
Figura 5.2 Amplitud pico a pico de la seal portadora. ............................................ 90
Figura 5.3 Amplitud pico a pico de la seal modulada. ........................................... 90
Figura 5.4 Diferencia de voltaje mximo y voltaje mnimo de la seal modulada. . 91
Figura 5.5 Frecuencia de las bandas laterales y portadora. ...................................... 92
Figura 5.6 Amplitud de las bandas laterales y portadora. ......................................... 92
Figura 5.7 Amplitud pico a pico de la seal modulada amplificada......................... 93
Figura 5.8 Diferencia de voltaje mximo y voltaje mnimo de la seal modulada
amplificada................................................................................................................ 94
Figura 5.9 Amplitud de las bandas laterales y portadora de la seal AM amplificada.
.................................................................................................................................. 94
Figura 5.10 Amplitud pico a pico de la seal modulada con m = 0.70. ................... 95
Figura 5.11 Diferencia de voltaje mximo y voltaje mnimo de la seal modulada
con m = 0.70. ............................................................................................................ 95
Figura 5.12 Espectro de frecuencia para m = 0.70. .................................................. 96
Figura 5.13 Seal demodulada con R2 = 2.7k. ...................................................... 97
Figura 5.14 Seal demodulada con R2 = 15k. ....................................................... 98
Figura 5.15 Seal demodulada con R2 = 27k. ....................................................... 99
Figura 5.16 Seal demodulada con R2 = 39k. ....................................................... 99
Figura 5.17 Vista amplificada de la seal demodulada con R2 = 39k. ............... 100
Figura 5.18 Vista comparativa entre la seal modulante original y la seal
demodulada con R2 = 39k. .................................................................................. 100
Figura 5.19 Seal demodulada con R2 = 80k. ..................................................... 101
Figura 5.20 Seal demodulada invertida con R2 = 39k....................................... 102
Figura 5.21 Filtro paso alto de orden 8. .................................................................. 103
Figura 5.22 Amplitud pico a pico de la seal AM con frecuencia modulante de
50KHz. .................................................................................................................... 103
Figura 5.23 Voltaje mximo y mnimo de la seal AM con frecuencia modulante de
50KHz. .................................................................................................................... 104
Figura 5.24 Seal AM filtrada con m = 0.226. ....................................................... 104
Figura 5.25 Espectro AM SSB con portadora y banda lateral superior. ................. 105
Figura 5.26 Magnitud de la portadora y banda lateral superior de la seal AM SSB.
................................................................................................................................ 105
Figura 5.27 Amplitud pico a pico de la seal AM con m = 0.44............................ 106
Figura 5.28 Voltaje mximo y mnimo de la seal AM con m = 0.44. .................. 107
Figura 5.29 Seal AM filtrada con m = 0.44. ......................................................... 107
ix

Figura 5.30 Magnitud de la portadora y banda lateral superior de la seal AM SSB

con m = 0.44. .......................................................................................................... 108
Figura 5.31 Amplitud pico a pico de la seal portadora. ........................................ 109
Figura 5.32 Amplitud pico a pico de la seal modulante. ...................................... 110
Figura 5.33 Voltaje de colector sin seal modulante. ............................................. 110
Figura 5.34 Seal de salida del colector. ................................................................ 111
Figura 5.35 Seal de salida del colector en un intervalo mayor de tiempo. ........... 111
Figura 5.36 Espectro de frecuencia de la seal de salida del colector. ................... 112
Figura 5.37 Amplitud pico a pico de la seal AM a la salida del filtro pasa banda.
................................................................................................................................ 113
Figura 5.38 Voltaje mximo y mnimo de la seal AM a la salida del filtro pasa
banda. ...................................................................................................................... 113
Figura 5.39 Espectro de frecuencia de la seal AM a la salida del filtro. .............. 114
Figura 5.40 Frecuencia de la portadora y bandas laterales. .................................... 115
Figura 5.41 Amplitud de la portadora y bandas laterales. ...................................... 115
Figura 6.1 Circuito AM DSB-FC. .......................................................................... 119
Figura 6.2 Amplificador no inversor. ..................................................................... 119
Figura 6.3 Detector de envolvente. ......................................................................... 123
Figura 6.4 Circuito AM DSB-FC por colector. ...................................................... 129
Figura A.1 Amplificador clase A. ........................................................................... 137
Figura A.2 Polarizacin de un amplificador clase C. ............................................. 138
Figura A.3 Amplificador clase C con polarizacin y circuito sintonizado. ............ 139
Figura C.1 Multmetro, Generador de Seales y Fuente DC. ................................. 140
Figura C.2 Generador de Seales Agilent E4433B. ............................................... 140
Figura C.3 Circuito Modulador AM DSB-FC y SSB-FC. ...................................... 141
Figura C.4 Osciloscopio Agilent 5464A................................................................. 141
Figura C.5 Equipo de trabajo del laboratorio de telecomunicaciones. ................... 142

NDICE DE TABLAS
Tabla 2.1 Banda de frecuencias para distintos medios de difusin AM. .................. 13
Tabla B.1 Valores de resistencias y capacitores para el diseo de filtros activos. . 139

NOMENCLATURA
A
AC
AM
B
Bc
dB
dBV
DC
DSB-FC
DSB-SC
Elsf
Eusf
fc
FFT
FM
fm
fo
GPIB
LF
LSB
LSF
m
Pc
Plsb
PM
PSD
Pusb
RF
RFC
RMS
SSB-FC
SSB-SC
UHF
USB
USF
VHF

Amplitud
Corriente Alterna
Amplitud Modulada
Ancho de Banda
Ancho de Banda del Canal
Decibelios
Voltaje relativo a 1V, independientemente de la impedancia.
Corriente Directa
Doble Banda Lateral con Portadora Completa
Doble Banda Lateral con Portadora Suprimida
Magnitud de la Frecuencia Lateral Inferior
Magnitud de la Frecuencia Lateral Superior
Frecuencia Portadora
Transformada Rpida de Fourier
Frecuencia Modulada
Frecuencia Modulante
Frecuencia Central
Bus de Interfaz de Propsito General
Baja Frecuencia
Banda Lateral Inferior
Frecuencia Lateral Inferior
Coeficiente de Modulacin
Potencia de la Portadora
Potencia de la Banda Lateral Inferior
Modulacin de Fase
Densidad Espectral de Potencia
Potencia de la Banda Lateral Superior
Radio Frecuencia
Radiofrecuencia
Valor Eficaz
Banda Lateral nica con Portadora Completa
Banda Lateral nica con Portadora Suprimida
Ultra High Frequency
Banda Lateral Superior
Frecuencia Lateral Superior
Very High Frequency

xi

RESUMEN
El presente trabajo tiene como fin la implementacin de prcticas de laboratorio
sobre modulacin y demodulacin analgica AM para su futuro estudio y desarrollo en el
laboratorio de telecomunicaciones de la Escuela de Ingeniera Elctrica. Dichas prcticas
harn uso del Generador de Seales Agilent E4433B para la generacin de las seales de
entrada al modulador, y del Osciloscopio Agilent 5464A para la visualizacin y anlisis de
las seales.
En el captulo 2 se presenta la teora bsica sobre modulacin analgica AM que
cubre los aspectos principales que se estudian en los circuitos diseados e implementados
en el captulo 3, los cuales son un modulador AM DSB-FC por emisor, un demodulador de
envolvente, un modulador AM SSB-FC y un modulador AM DSB-FC por colector. Para
tener el conocimiento necesario a la hora de manejar el equipo a utilizar en el laboratorio,
se describen las funciones de ste para la correcta generacin, captura y toma de datos de
seales analgicas AM, esto en el captulo 4. Posteriormente se presentan en el captulo 5
los circuitos implementados en el laboratorio de telecomunicaciones con su anlisis,
capturas y resultados obtenidos. En el captulo 6 se presentan las prcticas diseadas en
base al captulo anterior.
Las prcticas cuentan con un objetivo general y objetivos especficos, el equipo a
utilizar, duracin de las mismas, un trabajo previo al laboratorio, la parte tanto de diseo
como de simulacin de los circuitos y su implementacin en el laboratorio. En stas se
estudian dos tipos diferentes de circuitos para la generacin de seales analgicas AM
DSB-FC, con uno de ellos se ve la generacin de seales SSB-FC y as como la
demodulacin DSB-FC.
Los objetivos del trabajo fueron satisfactoriamente alcanzados a pesar de que se
presentaron problemas con la obtencin de ciertos componentes en la bodega de la escuela
debido a la escasez de estos, y la implementacin de los circuitos demanda gran nmero de
los mismos, especialmente las etapas de filtrado. Por lo tanto se recomienda abastecer de
estos componentes la bodega para evitar futuros inconvenientes.
xii

xiii

CAPTULO 1: Introduccin
El ser humano desde su origen ha tenido la necesidad de comunicarse y transmitir
sus ideas y sentimientos a los dems. Inicialmente lo hizo por medio de la voz, smbolos,
grficos, seas o dibujos. Cuando requiri comunicarse a larga distancia, emple seales
de humo, tambores, seales luminosas u otros medios, pero actualmente el medio ms
comn y eficiente son las seales elctricas, ya que stas se pueden transmitir a distancias
mucho mayores y a gran velocidad.
Un sistema de comunicacin analgico emplea seales elctricas para la transmisin
de datos a larga distancia, y est conformado por tres partes fundamentales: 1) Un equipo
transmisor, por medio del cual se enva la informacin deseada; 2) Un canal de
comunicacin, que es el medio a travs del cual viaja la informacin enviada; y 3) Un
dispositivo receptor, que se encarga de recibir las seales enviadas desde el transmisor.
Para que haya una transmisin de datos adecuada, el transmisor y receptor se deben ajustar
a las caractersticas del canal, el cual puede ser por ejemplo el aire o una lnea de
transmisin.
En el caso de la radio, el canal utilizado es el aire, y para lograr que la seal se
propague se emplean ondas electromagnticas que deben ser modificadas en alguno de sus
parmetros en funcin de la informacin para as poder transportar dicha informacin.
Un mtodo empleado para modificar estas ondas, es el de Amplitud Modulada
(AM), que como su nombre lo indica consiste en variar la amplitud de la onda de radio. La
Amplitud Modulada consiste en dos seales, una de baja frecuencia que controla la
amplitud de una segunda seal de alta frecuencia [5,6].

2
En el presente proyecto se explicarn y analizarn dos procesos fundamentales en la
produccin y recuperacin de seales analgicas: la modulacin y demodulacin AM. El
primero consiste en imprimir la informacin en la onda de alta frecuencia para que pueda
ser enviada por el canal. El segundo es un proceso decodificador por medio del cual se
recupera la informacin original.
Actualmente en la Facultad de Ingeniera Elctrica de la Universidad de Costa Rica
no hay un laboratorio ni curso terico en el que se analice y estudie la produccin y
recuperacin de seales analgicas AM, por lo que con el presente proyecto se desarrollar
una gua de laboratorio sobre modulacin y demodulacin analgica AM. Esta gua podr
ser utilizada en alguno de los laboratorios vigentes, como por ejemplo en el curso IE-0408
Laboratorio Elctrico II, o podr servir para la creacin de un nuevo laboratorio
especializado en el estudio de sistemas de comunicacin analgicos.
Para poder desarrollar la gua, se implementar tanto un circuito modulador como
uno demodulador analgicos AM haciendo uso de los componentes de la bodega. Estos se
analizarn con ayuda de los equipos presentes en el laboratorio de telecomunicaciones de la
escuela, entre los que se encuentran un generador de seales marca Agilent modelo
E4433B, un osciloscopio marca Agilent modelo 5464A y una computadora con interfase
GPIB. Posteriormente, con base en esos circuitos se desarrollarn las prcticas con las que
los estudiantes podrn estudiar los principios bsicos de la modulacin y demodulacin
analgica AM.

1.1 Objetivos
1.1.1

Objetivo general
Elaborar una gua de laboratorio con teora y experimentos sobre la modulacin

analgica de amplitud (AM).

1.1.2

Objetivos especficos

Investigar y describir la teora acerca de la modulacin de amplitud.

Investigar y describir las posibles formas de implementar un modulador y un

demodulador AM.

Implementar un circuito modulador AM con el que sea posible estudiar los

conceptos de la modulacin AM.

Implementar un circuito demodulador AM con el que sea posible estudiar los

conceptos de la demodulacin AM.

Disear prcticas de laboratorio utilizando los circuitos modulador y

demodulador AM implementados.

Describir el uso de los equipos de medicin disponibles en el laboratorio de

telecomunicaciones para el estudio y anlisis de los circuitos implementados.

Realizar las prcticas de laboratorio diseadas y analizar sus resultados.

1.2

Metodologa
1. Investigacin terica
Primeramente se recopilar toda la informacin necesaria sobre modulacin y

demodulacin analgica AM, la cual debe abarcar tanto conceptos tericos como la
formulacin matemtica, figuras y tablas que ayuden al estudio posterior de los circuitos
que se implementen, as como teora sobre componentes importantes empleados en los
circuitos para su correcto funcionamiento.
Junto con esto, se deben investigar y estudiar posibles configuraciones de
moduladores y demoduladores que se puedan utilizar para la implementacin de los
mismos.

2. Simulacin e implementacin de los circuitos

Posteriormente se realizarn simulaciones por medio del programa Pspice de los
circuitos moduladores y demoduladores para verificar la funcionalidad del diseo. Con
esto se llevar a cabo la implementacin de los mismos con los componentes de la bodega
de ingeniera elctrica y en caso de requerirlo se proceder a la compra de alguno que no se
hallase en sta. El anlisis de los circuitos se realizar con la ayuda del equipo del
laboratorio de telecomunicaciones, el cual se compone de un generador de seales marca
Agilent modelo E4433B, un osciloscopio marca Agilent modelo 5464A y una computadora
con interfase GPIB para poder conectarse con el equipo. Tambin se describirn las
caractersticas principales de dicho equipo para que el estudiante tenga el conocimiento
necesario al realizar las prcticas diseadas.

5
3. Pruebas a los circuitos
Una vez que se hayan diseado e implementado los circuitos, se llevarn a cabo
diversas pruebas de laboratorio, donde se obtengan datos y capturas para verificar el
correcto funcionamiento de los mismos.

4. Diseo y resolucin de las prcticas de laboratorio

Finalmente, una vez que se ha verificado la correcta funcionalidad de los circuitos,
se proceder a la creacin de las prcticas de laboratorio sobre modulacin y demodulacin
analgica AM, que comprendan los aspectos ms importantes, y se resolvern empleando el
equipo disponible ya mencionado con sus respectivos resultados.

CAPTULO 2: Desarrollo terico

2.1

Modulacin y Demodulacin
En los sistemas de comunicacin, se requiere de un transmisor y un receptor para

poder enviar la informacin a travs de un canal dado, pero pocas veces esta informacin se
encuentra de la forma adecuada para que sea posible su transmisin. Debido a esto es que
las seales de informacin se deben transformar de alguna manera, de aqu surge el trmino
de modulacin, que se puede definir entonces como el proceso por el cual la seal original
de informacin se modifica en alguno de sus parmetros para transmitirla de forma
adecuada. Esto permite a la vez un mejor aprovechamiento del canal de transmisin y evita
que la mayor parte de la informacin se pierda en el proceso.
Una vez que la seal modulada llega al receptor, sta debe ser transformada
nuevamente para recuperar la informacin original, lo que se conoce como demodulacin,
que consiste en el proceso inverso de la modulacin. Como su nombre lo indica, el circuito
que se encarga de demodular una seal, se llama demodulador, y el que la modula, se
conoce como modulador.
El proceso de la modulacin consiste en la unin de dos seales, la seal que ser
transmitida que es de alta frecuencia llamada portadora, y otra de baja frecuencia que es el
mensaje llamada moduladora.
Existen dos tipos de modulacin: la analgica y la digital. La modulacin analgica
es cuando se emplea como portadora una seal continua, como lo puede ser una seal
sinusoidal. Por otro lado la modulacin digital es aquella en que la informacin consiste en
una seal discreta, como por ejemplo un tren de pulsos peridico.

7
Existen unos conceptos importantes en la modulacin que es importante definir:
Banda Base: se refiere a la banda de frecuencias producida por un transductor,
como por ejemplo un micrfono o cualquier otro medio generador de seales, antes
de ser modulada. La banda ocupada se encuentra entre 0 o un valor cercano a ste,
y una frecuencia mxima fmax.

Ancho de banda de la seal: para seales analgicas, el ancho de banda es la

anchura del rango de frecuencias en el que se concentra la mayor parte de la
potencia de la seal, medida en Hz, KHz o MHz. El ancho de banda de la seal en
banda base es el rango de frecuencias sobre las que la seal tiene una potencia
superior a cierto lmite, el cual por lo general se fija en fmax = -3dB, que corresponde
a la mitad de la potencia mxima.

Espectro de una seal: es la forma en que se representa la distribucin de potencia

de una seal en frecuencia. Tambin se puede hablar de la densidad espectral de
potencia (PSD, del ingls Power Spectral Density), que es el cuadrado del mdulo
de la transformada de Fourier de la seal.

Banda de paso del canal: existen diversos medios de transmisin de seales como
por ejemplo la fibra ptica, cable coaxial, lnea bifilar o incluso el aire, cada uno de
ellos tiene una banda de paso distinta, pero se debe tener cuidado de no confundir
esta caracterstica con la distribucin espectral de la seal en banda base.

8
Gracias a la modulacin, muchos problemas con los que se enfrentaba en el pasado
en la comunicacin elctrica, hoy da han sido resueltos. Entre ellos se encuentran los
siguientes:
Radiacin eficiente: La radiacin eficiente de una seal se logra cuando la antena
radiadora posee una longitud de al menos 1/10 la longitud de onda de la seal que se
desea radiar. Por ejemplo, si se quisiera enviar por medio de una antena una seal
de audio de 1000Hz, se requerira entonces una antena con una longitud de 30Km.
Este resultado se obtiene de aplicar la ecuacin para la longitud de onda:

c
f

(2.1-1)

donde
= longitud de onda [Km]
c = velocidad de la onda [Km/s]
f = frecuencia de la onda [Hz, 1/s]

Para el caso de la luz y ondas que viajan en el vaco, la velocidad es c =

299,792.458 km/seg. Por lo tanto,

299,792.458km s 1
= 299.79km
1000s 1

La longitud de onda de la seal es de 299.79km, por lo que la longitud de la antena

debe ser 1/10 la longitud de onda, es decir, 29.9km 30km.
Construir una antena de ese tamao sera prcticamente imposible, por lo tanto con
ayuda de la modulacin, la seal de 1000Hz se puede convertir a una frecuencia
mucho mayor y con esto la longitud de la antena se reduce en gran medida.

9
Transmisin mltiple: Si se quisiera transmitir diversas seales al mismo tiempo,
estas se traslaparan ocasionando que no se puedan recuperar por separado en el
receptor. Por medio de la modulacin, el espectro de cada seal se puede trasladar a
diferentes posiciones en el dominio de la frecuencia y as ser transmitidos por un
mismo canal sin que interfieran y ser recuperados individualmente en el receptor.
Este proceso se conoce como multiplexacin.
Combatir el ruido: Por medio de determinados tipos de modulacin se puede lograr
una disminucin considerable en el ruido e interferencia, pero para esto se requiere
que el ancho de banda de transmisin sea mayor que el de la seal de banda base.
Empleo eficiente del espectro de frecuencias: Asignando la frecuencia portadora
adecuada, se pueden acomodar gran cantidad de transmisiones simultneas en el
espectro sin que stas interfieran, como por ejemplo la radio y la televisin.
Superar las limitaciones del equipo: El diseo del sistema de comunicaciones puede
estar limitado por los equipos con que se cuenta debido a las frecuencias que se
manejan. Por medio de la modulacin, se puede colocar la seal en el sector del
espectro de potencia en donde el equipo presente la menor cantidad de
inconvenientes y donde los requisitos del diseo puedan ser satisfechos de la mejor
forma.

10

2.2

Finalidad de la modulacin
Como se mencion anteriormente, el objetivo de la modulacin es que la

informacin que se enve desde la fuente se pueda adaptar al canal por el que ser
transmitida.

Entonces el proceso para transmitir la informacin sera el siguiente:

primeramente se requiere una fuente de donde partir la seal, esta seal ser el mensaje
m(t), para adaptar este mensaje al canal se utiliza un modulador, que convertir la seal sin
modular m(t) a una seal modulada s(t). Con la seal modulada, ya puede ser transmitida a
travs del canal, pero en este proceso habr perturbaciones como por ejemplo ruido o una
descarga atmosfrica, por lo que la seal sufrir ciertas alteraciones con lo que se tiene al
final del canal una seal x(t). Esta seal an modulada debe ser transformada nuevamente
a su forma original, por medio del demodulador, obteniendo una seal y(t) que en teora
debe ser igual a m(t), lo cual en la prctica no es as a causa de las perturbaciones y de
imperfecciones en los procesos de modulacin y demodulacin, completando as la
transmisin hasta el destinatario.
Este proceso se puede ver en el siguiente diagrama de bloques:

Fuente

m(t) Modulador

s(t)

Canal de
transmisin

x(t)

Demodulador

y(t)

Destino

Perturbaciones
Figura 2.1 Diagrama de bloques de un sistema de transmisin.

La seal m(t) puede ser representada de dos formas, en el tiempo o en el espectro de

frecuencias, como se puede ver en la figura 2.2.

11
A(V)

A(dB)
-3dB

f
Ancho de Banda

(a)

(b)

Figura 2.2 Representacin de una seal: (a) en el tiempo, (b) en la frecuencia.

La seal s(t) que ser transmitida, est compuesta por la seal portadora y la seal
moduladora m(t), adems posee un ancho de banda B centrado a una frecuencia fo, que es
la frecuencia de la portadora, tal como se muestra en la figura 2.3.

A(dB)
B

fo

Bc
Figura 2.3 Ancho de banda del canal y de la seal s(t).

En la figura anterior tambin se puede ver el ancho de banda del canal Bc por el que
se transmite la seal s(t), que como se mencion anteriormente puede variar dependiendo
del medio que se utilice para la transmisin. Un aspecto importante es que el ancho de
banda B siempre se intentar hacer lo ms pequeo posible para as aprovechar de la mejor

12
forma Bc y poder introducir en l la mayor cantidad de seales para transmitir
simultneamente. Este proceso se llama multiplexacin de frecuencias.
A continuacin se muestra un ejemplo de cmo se vera el espectro si se transmiten
n cantidad se seales simultneas dentro del ancho de banda del canal:

A(dB)

...

fo

f1

f2

fn

Bc
Figura 2.4 Multiplexacin en frecuencia.

Entonces, resumiendo, la modulacin consiste en transmitir una seal moduladora

m(t), es decir el mensaje, por medio de una seal portadora v(t) cuya ecuacin es la
siguiente:
v (t ) = A cos( wt + )

(2.2-1)

La modulacin se realiza al modificar alguno de los parmetros de la portadora. Si

se modifica la amplitud A, se llama Modulacin de Amplitud (AM, del ingls Amplitude
Modulation), si se modifica la frecuencia w, se llama Modulacin de Frecuencia (FM, del
ingls Frecuency Modulation), y si se modifica la fase , se llama Modulacin de Fase
(PM, del ingls Phase Modulation).

13

2.3

Modulacin AM
La modulacin de amplitud (AM) consiste en modificar la amplitud de la seal

portadora (alta frecuencia) con respecto a la amplitud de la seal moduladora (baja

frecuencia) que es la que contiene la informacin. Por medio de la modulacin de amplitud
la informacin se imprime sobre la portadora en forma de cambios de amplitud. Este tipo
de modulacin es barata y de baja calidad, utilizada para la radiodifusin de audio y video.
En la siguiente tabla se muestran las frecuencias que abarcan los distintos medios de
difusin AM:
Tabla 2.1 Banda de frecuencias para distintos medios de difusin AM.
Medio de difusin
Radiodifusin comercial AM
Radiodifusin comercial de televisin
(banda baja VHF)
Radiodifusin comercial de televisin
(banda alta VHF)
Radiodifusin comercial de televisin
(UHF)
Radio de banda civil
Radio de aeropuertos

Banda de frecuencias
535-1605 KHz
54-88 MHz

174-216 MHz
470-890 MHz
26.965-27.405 MHz
118-136 MHz

El modulador de AM es un dispositivo no lineal con dos seales de entrada, una es

la seal portadora, que debe ser de amplitud constante y de frecuencia nica, y otra es la
seal de informacin, la cual modifica la seal portadora modulndola, de ah que se le
conozca como seal modulante, y puede ser de frecuencia simple o estar compuesta de
diversas frecuencias generadas por distintas fuentes. La seal que se produce de la unin
de estas dos, se llama seal modulada.

14
2.3.1

Envolvente de la seal modulada

En la figura 2.5 se muestra el diagrama de bloques de un modulador cuya seal de

entrada modulante es Vmsen(2fmt), la portadora Vcsen(2fct) y la seal modulada Vam(t).
En la figura 2.6 se muestran las seales en el dominio del tiempo y como stas
producen una onda AM. A la forma de la onda modulada se le conoce como la envolvente.

Seal modulante
Vmsen(2fmt)

Modulador AM

Seal modulada
Vam(t)

Portadora
Vcsen(2fct)
Figura 2.5 Diagrama de bloques de la generacin se una seal modulada AM.

Seal
Modulante (fm)

Portadora (fc)

Envolvente
Sin modulacin

Seal
Modulada

Figura 2.6 Generacin de una seal modulada AM y su envolvente. [9]

15
Si a la portadora no se le aplicara una seal modulante, la salida sera la portadora
amplificada. Por lo tanto, al aplicar como entrada una seal modulante, la amplitud de la
seal modulada est restringida por la primera. En la figura 2.6 se puede apreciar que la
forma y tiempo de un ciclo de la envolvente son los mismos que los de la seal modulante.
Es decir, la relacin de repeticin de la envolvente es igual a la frecuencia de la seal
modulante.

2.3.2

Espectro de frecuencia

Un modulador es un dispositivo no lineal, por lo tanto se da un producto entre las

seales de entrada y la envolvente es una onda compleja formada por un voltaje de
corriente continua, la frecuencia de la portadora y frecuencias de suma (fc+fm) y resta (fcfm). Estas dos ltimas frecuencias se separan de la frecuencia portadora en un valor igual a
la frecuencia de la seal modulante, es decir, se encuentran a fm Hz de la frecuencia
portadora.
En la figura 2.7 se muestra el espectro de frecuencia para una seal AM. La
frecuencia central es la de la portadora, la banda de frecuencia a la izquierda hasta fc-fm(max)
se llama banda lateral inferior (LSB, del ingls Lower Side Band) y las frecuencias dentro
de ella se denominan frecuencias laterales inferiores (LSF, del ingls Lower Side
Frequency). A su vez la banda de frecuencia a la derecha de la portadora hasta fc+fm(max) se
llama banda lateral superior (USB, del ingls Upper Side Band), cuyas frecuencias se
denominan frecuencias laterales superiores (USF, del ingls Upper Side Frequency). Por lo
tanto el ancho de banda es la diferencia entre la frecuencia lateral superior mxima y la
frecuencia lateral inferior menor, es decir, dos veces la frecuencia modulante ms alta:

16
B = 2 f m (max)

(2.3.2-1)

A(dB)
Portadora
LSB

USB

LSF

USF

fc-fm(max)

fc

fc+fm(max)

f(Hz)

Figura 2.7 Espectro en frecuencia de una seal AM.

2.3.3

Coeficiente y porcentaje de modulacin

El coeficiente de modulacin m indica el cambio en amplitud presente en la onda

modulada AM.

El porcentaje de modulacin es el coeficiente de modulacin pero

expresado en porcentaje.
El coeficiente de modulacin se obtiene por medio de la siguiente ecuacin:

m=

Vm
Vc

(2.3.3-1)

donde
m = coeficiente de modulacin.
Vm = cambio pico en la amplitud del voltaje de la seal modulada [V]
Vc = amplitud pico de la portadora sin modular [V]
En la figura 2.8 se observan distintas ondas AM, cada una con un coeficiente de
modulacin diferente. El m es 1 cuando Vm es igual a Vc, adems Vmin = 0V. Cuando m
es 0.5, Vm es igual a la mitad de Vc. El valor mximo que puede alcanzar m es de 1, en el

17
caso de que llegue a ser mayor, entonces se produce una sobremodulacin, como se
muestra en la figura 2.9.

Vc

Vm
Vm

Vm = Vc
Vc

Vmax = 2Vc
Vmin = 0V

Vm
Vm = Vc
Vc

Figura 2.8 Forma de la onda modulada para distintos coeficientes de

moduladulacin. (a) Seal modulante; (b) Portadora; (c) Seal modulada con m=0.5;
(d) Seal modulada con m=1. [9]

18

Figura 2.9 Efecto de la sobremodulacin sobre una seal AM. [10]

Para obtener los valores de Vm y Vc, simplemente se despejan de la ecuacin

anterior:

Vm = m Vc
Vc =

Vm
m

(2.3.3-2)
(2.3.3-3)

Y el porcentaje de modulacin es:

M =

Vm
100%
Vc

(2.3.3-4)

En la siguiente figura se muestra un ejemplo de cmo se miden Vm y Vc en una

onda modulada para poder obtener el coeficiente de modulacin:

19

+Vmax = Vc+Vm

+Vmin = Vc - Vm
Vm
Vc

-Vmin = -Vc+Vm
-Vmax = -Vc - Vm

Figura 2.10 Medicin de Vm y Vc sobre una onda modulada AM. [9]

Basndose en la figura anterior, y suponiendo que se tiene como seal modulante

una seal seno de frecuencia nica y que la onda modulada es simtrica, es decir, tanto los
trayectos positivos como negativos de la amplitud de la envolvente son iguales, entonces el
porcentaje de modulacin se puede obtener de la siguiente forma:
Se tiene que:
Vmax = Vc Vm

(2.3.3-5)

Vmin = Vc + Vm

(2.3.3-6)

despejando Vc en ambas ecuaciones:

Vc = Vmax Vm

(2.3.3-7)

Vc = Vmin + Vm

(2.3.3-8)

igualando las dos ecuaciones y despejando Vm se tiene:

Vmax Vm = Vmin + Vm

(2.3.3-9)

2 Vm = Vmax Vmin

(2.3.3-10)

20
Vm =

(Vmax Vmin )
2

(2.3.3-11)

y sustituyendo esta ecuacin en (2.3.3-7) (2.3.3-8) se obtiene:

Vc =

(Vmax + Vmin )
2

(2.3.3-12)

entonces finalmente se sustituyen estas dos ecuaciones en (2.3.3-4) con lo que se

tiene que el porcentaje de modulacin se puede expresar tambin de la forma:

(Vmax Vmin )
2
M =
100%
(Vmax + Vmin )
2

(2.3.3-13)

(Vmax Vmin )
100%
(Vmax + Vmin )

(2.3.3-14)

M =

Las frecuencias laterales superior en inferior se pueden obtener a partir del cambio
pico mximo en la amplitud de la onda modulada, Vm, ya que sta es la suma de ambas
frecuencias:
Vm = Eusf + Elsf

(2.3.3-15)

Vm = 2 Eusf = 2 Elsf

(2.3.3-16)

y como Eusf = Elsf:

sustituyendo (2.3.3-11) en (2.3.3-16) se tiene entonces:

Eusf = Elsf =

(Vmax Vmin )
4

donde
Eusf = amplitud pico de la frecuencia lateral superior [V]
Elsf = amplitud pico de la frecuencia lateral inferior [V]

(2.3.3-17)

21
2.3.4

Anlisis de la seal modulada

Como se vio anteriormente, la envolvente de la seal AM posee la misma frecuencia

y amplitud de la seal modulante. A partir de esto y empleando las siguientes ecuaciones,
se puede obtener la ecuacin para la seal modulada AM:

Ecuacin de la portadora:
Ec(t ) = Vc sen(2 fc t )

(2.3.4-1)

donde
Ec(t) = forma de la onda portadora variante en el tiempo.
Vc = amplitud pico de la portadora [V]
fc = frecuencia de la portadora [Hz]

Ecuacin de la seal modulante:

Em(t ) = Vm sen(2 fm t )

(2.3.4-2)

donde
Em(t) = forma de la seal modulante variante en el tiempo.
Vm = amplitud pico de la seal modulante [V]
fm = frecuencia de la seal modulante [Hz]

Por lo tanto, la seal AM estar formada por ambas seales, tendr la frecuencia de
la portadora, pero su amplitud ser la de sta ms la seal modulante.

22
Ecuacin de la seal modulada:
Eam(t ) = [Vc + Vm sen(2 fm t )] sen(2 fc t )

(2.3.4-3)

donde
Eam(t) = forma de la seal modulada variante en el tiempo.
[Vc + Vm sen(2 fm t)] = amplitud de la seal modulada.

Desarrollando (2.3.4-3), se puede llegar a una ecuacin con la que se puede analizar
la seal AM y ver caractersticas importantes de la misma.
Haciendo uso de la ecuacin (2.3.3-2) y sustituyendo en (2.3.4-3) se obtiene:
Eam(t ) = [Vc + Vc m sen(2 fm t )] sen(2 fc t )

(2.3.4-4)

Eam(t ) = Vc [1 + m sen(2 fm t )] sen(2 fc t )

(2.3.4-5)

Y factorizando:

Se puede ver que la seal modulante posee una componente constante y una
sinusoidal, las cuales producen en el espectro de frecuencia la portadora y las bandas
laterales respectivamente, como se demuestra a continuacin.
Desarrollando (2.3.4-5):
Eam(t ) = Vc sen(2 fc t ) + m Vc sen(2 fm t ) sen(2 fc t )

(2.3.4-6)

Haciendo uso de la igualdad trigonomtrica

1
1
( senA) ( senB) = cos( A + B) + cos( A B )
2
2

(2.3.4-7)

se obtiene finalmente:
Eam(t ) = Vc sen( 2 fc t )

m Vc
2

cos( 2 ( fc + fm) t ) +

m Vc
2

cos(2 ( fc fm) t )

(2.3.4-8)

23
De donde se puede observar que el primer trmino corresponde a la portadora, el
segundo a la frecuencia lateral superior y el tercero a la frecuencia lateral inferior. Esta
ecuacin es lo que se conoce como modulacin de amplitud de doble banda lateral con
portadora completa. Otras caractersticas importantes que se pueden desprender de la
ecuacin, es que la amplitud de la portadora no se ve afectada por el proceso de modulacin
y que las frecuencias laterales dependen de sta y del ndice de modulacin. Para un
porcentaje de modulacin del 100% (m=1), la amplitud de las frecuencias laterales es la
mitad de la amplitud de la portadora, por lo tanto:
Eam(max) = Vc +

Vc

Eam(min) = Vc

Vc

Vc

Vc

= 2Vc

(2.3.4-9)

= 0V

(2.3.4-10)

Para la obtencin del espectro de frecuencia, se realiza la transformada de Fourier

de la ecuacin (2.3.4-5), y se supondr que las seales de entrada son cosenos para mayor
facilidad:
Eam( f ) = F {Vc cos( wc t )} + F {m(t ) cos( wc t )}

e jwc t + e jwc t
e jwct + e jwc t
Eam( f ) = Vc F
+ F m(t )
2
2

(2.3.4-11)

(2.3.4-12)

e jwct
e jwct
m(t ) jwct
m(t ) jwct
Eam( f ) = Vc F
e + F
e
+ F
(2.3.4-13)
+ F
2

2
2
Eam( f ) = Vc ( w + wc ) + Vc ( w wc ) +

1
1
M ( w wc ) + M ( w wc )
2
2

(2.3.4-14)

24
Entonces el espectro de frecuencia para m=1 se vera de la siguiente forma:

A(dB)
Vc

Vc/2

flsb

Vc/2

fc

fusb

f(Hz)

Figura 2.11 Espectro de frecuencia para m=1.

Y de forma general:

A(dB)
Vc

m Vc/2

flsb

m Vc/2

fc

fusb

f(Hz)

Figura 2.12 Espectro de frecuencia para 0 m 1.

donde dependiendo del valor de m, la amplitud de las frecuencias laterales puede variar a lo
largo de la lnea punteada, entre menor sea el ndice de modulacin, menor ser la amplitud
de las frecuencias laterales.

25

2.3.5

Anlisis de AM en el dominio del tiempo

En la figura 2.13, se muestra cmo se genera una seal modulada a partir de la suma

algebraica de la portadora y las frecuencias laterales. Obsrvese que el tiempo entre los
cruces en cero es el mismo y que la amplitud de los picos dentro de la envolvente no son
iguales, lo que significa que un ciclo dentro de la envolvente no es una seal sinusoidal
pura, sino que esta formada de ms de una frecuencia, la de la portadora y sus frecuencias
laterales.
Tambin se puede observar que la amplitud de la portadora no vara, pero en cambio
la de la envolvente vara de la misma forma que la seal modulante.

Figura 2.13 Generacin de una seal modulada a partir de la portadora y las

frecuencias laterales. (a) Frecuencia lateral superior; (b) Portadora; (c) Frecuencia
lateral inferior; (d) Seal modulada. [9]

26

2.3.6

Anlisis de potencia de AM
En los circuitos elctricos, la potencia disipada es igual al voltaje rms al cuadrado

entre la resistencia de carga, es decir:

P=

V2
R

(2.3.6-1)

En el caso de modulacin AM, la potencia que disipa una seal portadora sin
modular ser igual a su voltaje al cuadrado divido entre la resistencia de carga por la que es
conducida:
2

Vc

Vc 2
2

Pc =
=
R
2 R

(2.3.6-2)

donde
Pc = potencia de la portadora [W]
Vc = voltaje pico de la portadora [V]
R = resistencia de carga []

De igual forma, la potencia que se disipa en las bandas laterales es:

2

m Vc

m 2 Vc 2
2 2

Pusb = Plsb =
=
R
8 R
donde
Pusb = potencia de la banda lateral superior [W]
Plsb = potencia de la banda lateral inferior [W]
m Vc/2 = voltaje pico de las bandas laterales [V]
m = coeficiente de modulacin
R = resistencia de carga []

(2.3.6-3)

27
Sustituyendo (2.3.6-2) en (2.3.6-3) se obtiene:
Pusb = Plsb =

m 2 Vc 2 m 2 2 R Pc
=
8 R
8 R

Pusb = Plsb =

m 2 Pc
4

(2.3.6-4)

(2.3.6-5)

A partir de esta ecuacin se puede ver que si el ndice de modulacin es cero, la

potencia en las bandas laterales tambin sera cero y por lo tanto toda la potencia se
concentrara en la portadora. En el caso que m = 1, entonces la potencia en las bandas ser
la cuarta parte de la portadora.
La potencia total transmitida es entonces la suma de la potencia de la portadora ms
la potencia de las bandas laterales:
Pt = Pc + Pusb + Plsb

(2.3.6-6)

donde
Pt = potencia total de la envolvente [W]
Pc = potencia de la portadora [W]
Pusb = potencia de la banda lateral superior [W]
Plsb = potencia de la banda lateral inferior [W]

Sustituyendo (2.3.6-5) en (2.3.6-6):

Pt = Pc +

m 2 Pc m 2 Pc
+
4
4

(2.3.6-7)

m 2 Pc
2

(2.3.6-8)

Pt = Pc +

La potencia de la portadora tanto antes como despus de la modulacin es la misma,

por lo tanto la potencia de la portadora no se ve afectada por el proceso de modulacin.

28
Adems la potencia total se ve incrementada con la modulacin, entre mayor el ndice de
modulacin, mayor la potencia transmitida. Cuando se tiene una modulacin al 100%, la
suma de las potencias de las bandas laterales es apenas la mitad de la potencia de la
portadora, por lo que una de las desventajas es que la informacin se encuentra en las
bandas laterales mientras que la mayor parte de la potencia se haya en la portadora. A
pesar de esto, se cuenta con la ventaja de que se pueden construir receptores baratos y
sencillos por lo que la potencia en la portadora no es totalmente desperdiciada.
En la figura 2.14 se muestra el espectro de potencia en el caso que la modulacin
sea de un 100%, y en la figura 2.15 se ve el espectro para cualquier valor de m.
P(W)
Pc

Pc/4

flsb

Pc/4

fc

fusb

f(Hz)

Figura 2.14 Espectro de potencia para una seal AM con m = 1.

P(W)
Pc

m2 Pc/4

m2 Pc/4

flsb
fc
fusb
f(Hz)
Figura 2.15 Espectro de potencia para una seal AM con 0 m 1.

29

2.4

Tipos de modulacin AM

2.4.1

Modulacin AM con portadora y doble banda lateral.

Es la forma ms conocida y antigua de transmisin AM.

Ofrece la mayor

simplicidad y ahorro econmico, y se usa particularmente en sistemas de bajo nivel.

La modulacin de doble banda lateral con portadora (DSB-FC, del ingls Double
Side Band Full Carrier) y sus caractersticas fueron descritas en la seccin anterior, en
donde se vio que tanto la portadora como las bandas laterales son transmitidas, pero en
varios sistemas se emplea otro sistema de modulacin con el objetivo de reducir la
portadora o aprovechar mejor el ancho de banda.

2.4.2

Modulacin AM de doble banda lateral con portadora suprimida.

Como el nombre lo indica, en la modulacin de doble banda lateral con portadora

suprimida (DSB-SC, del ingls Double Side Band Supressed Carrier) la componente de la
portadora se elimina del espectro de potencia, ya que sta consume la mayor cantidad de
potencia en la transmisin produciendo as una baja eficiencia.

Una desventaja que

presenta es que la mayora de demoduladores producen una notable distorsin si la

modulacin excede el 100%. Este efecto puede ser minimizado o eliminado mejorando la
portadora antes de ser demodulada. Por lo tanto, solo es necesario transmitir cierta cantidad
de portadora de forma que en el receptor pueda ser utilizada para controlar la frecuencia y
fase de una portadora generada localmente.
Tomando la ecuacin (2.3.4-5) y sustituyendo el ndice de modulacin por (2.3.3-1)
se tiene que:

30

Vm
cos(2 fm t )] cos(2 fc t )
Vc

(2.4.2-1)

Vc Vm
cos(2 fm t )] cos(2 fc t )
Vc

(2.4.2-2)

Eam(t ) = Vc [1 +
Eam(t ) = [Vc +

Y como la amplitud de la portadora es cero o muy pequea, la ecuacin se reduce a:

Eam(t ) = Vm cos(2 fm t ) cos(2 fc t )

(2.4.2-3)

En este tipo de modulacin hay ausencia de un nivel DC a diferencia del caso con
portadora, y el ndice de modulacin es infinito debido a que no hay componente de
portadora.
Para obtener el espectro de frecuencia, se realiza la transformada de Fourier de la
ecuacin (2.4.2-3):

Eam( f ) = F {m(t ) cos(2 fc t )}

e jwct + e jwc t
Eam( f ) = F m(t )
2

m(t ) jwot
m(t ) jwot
Eam( f ) = F
e + F
e

Eam( f ) =

1
1
M ( w wo ) + M ( w wo )
2
2

(2.4.2-4)

(2.4.2-5)

(2.4.2-6)

(2.4.2-7)

El espectro de frecuencia se ve entonces de la siguiente forma:

A(dB)

Vm/2

Vm/2

flsb
fc
fusb
f(Hz)
Figura 2.16 Espectro de frecuencia para modulacin DSB-SC.

31
En este caso el ancho de banda se mantiene, pero la potencia se reduce a:
Pt = Pusb + Plsb = 2 Psb

(2.4.2-8)

Y la eficiencia entonces es de un 100%.

2.4.3

Modulacin AM de banda lateral nica con portadora suprimida.

A partir de la modulacin DSB-SC, se puede ver que an existe redundancia ya que

las dos bandas laterales son simtricas, por lo tanto se puede enviar slo una de las dos, ya
sea la superior o la inferior. Este tipo de modulacin se conoce como modulacin de banda
lateral nica con portadora suprimida (SSB-SC, del ingls Single Side Band Supressed
Carrier).
Para este tipo de modulacin el ancho de banda es W, la mitad que en los dos tipos
de modulacin anteriores, y la potencia total es la potencia de una banda lateral.
El inconveniente de la modulacin SSB-SC es que tanto el modulador como el
demodulador presentan una complejidad ms elevada que los tipos anteriores.

2.5

Implementacin de moduladores AM
Existen diversos mtodos diferentes de generar seales moduladas AM, por lo que

se describirn los ms comunes empleados en la prctica. Debido a que el proceso de

modulacin involucra la generacin de nuevos componentes de frecuencia, los
moduladores se caracterizan generalmente como sistemas variantes en el tiempo o no
lineales.

32

2.5.1

Modulacin en Cuadratura.
Considerando que se tiene un elemento no lineal y suponiendo que a su entrada se

aplica un voltaje que es la suma de la seal modulante y la portadora, como se muestra en

la figura 2.17, la no linealidad generar un producto entre ellas y otros trminos
adicionales. La seal modulada deseada puede ser filtrada por medio de un filtro pasa
banda a la salida del elemento no lineal.

Elemento no
lineal

Seal modulante
Vmcos(2fmt)

Filtro
pasabanda

u(t)

Portadora
Vccos(2fct)

Figura 2.17 Diagrama de bloques de un modulador AM en cuadratura.

Suponiendo que el elemento no lineal tiene una caracterstica entrada-salida de la

forma:
v 0 (t ) = a1 vi (t ) + a 2 vi (t )
2

(2.5.1-1)

donde
vi(t) = seal de entrada [V]
v0(t) = seal de salida [V]
a1,a2 = constantes

Luego, si la entrada al elemento no lineal es:

vi (t ) = m(t ) + Vc cos(2 f c t )

(2.5.1-2)

33
su salida es entonces:
v 0 (t ) = a1 [m(t ) + Vc cos(2 f c t )] + a 2 [m(t ) + Vc cos(2 f c t )] 2 (2.5.1-3)
2a

v0 (t ) = a1 m(t ) + a2 m 2 (t ) + a2 Vc 2 cos 2 (2 f c t )] + Vc a1 1 + 2 m(t ) cos( 2 f c t )

a
1

(2.5.1-4)

Y la salida del filtro pasa banda con un ancho de banda de 2W centrado en fc es:

2a

v0 (t ) = Vc a1 1 + 2 m(t ) cos(2 f c t )
a1

(2.5.1-5)

Donde la seal generada por este mtodo es una seal AM DSB convencional.

2.5.2

Modulador por conmutacin.

Este modulador puede ser implementado como se ve en la figura 2.18. La suma de

la seal modulante y la portadora es aplicada a un diodo que tiene una caracterstica
entrada-salida de voltaje lineal.

Vccos(2fct)
RL
V0(t)
m(t)

Figura 2.18 Modulador por conmutacin.

La salida a travs de la resistencia es:

v (t ), c(t ) > 0
v0 (t ) = i
0, c(t ) < 0

(2.5.2-1)

34
La operacin de conmutacin puede verse matemticamente como una
multiplicacin de la entrada vi(t), dada en la ecuacin (2.5.1-2), con la funcin de
conmutacin s(t):
v0 (t ) = [m(t ) + Vc cos(2 f c t )] s (t )

(2.5.2-2)

donde s(t) se muestra en la siguiente figura:

s(t)

-Tp

Tp

Figura 2.19 Seal de conmutacin peridica.

Como s(t) es una funcin peridica, se puede representar por medio de una serie de
Fourier:
s (t ) =

1 2 (1) n 1
+
cos[2 f c (2n 1) t ]
2 n =1 2n 1

(2.5.2-3)

De aqu se tiene entonces que:

v0 (t ) =

Vc
4

1+
m(t ) cos(2 f c t ) + otros trminos

2 Vc

(2.5.2-4)

La seal modulada AM deseada se obtiene por lo tanto pasando vo(t) por un filtro
pasa banda con ancho de banda de 2W y centrado en la frecuencia fc. La seal AM es
entonces una DSB convencional:
u (t ) =

Vc
4

1+
m(t ) cos(2 f c t )

2 Vc

(2.5.2-5)

35
2.5.3

Modulador Balanceado.

Un mtodo relativamente simple de generar una seal AM DSB-SC es usando dos

moduladores AM convencionales en la configuracin que se muestra en la figura 2.20.

m(t)

Modulador
AM

Vc[1+m(t)]cos(2fct)

+
u(t) = 2Vc m(t) cos(2fct)

Vc cos(2fct)

-m(t)

Modulador
AM

Vc[1-m(t)]cos(2fct)

Figura 2.20 Diagrama de bloques de un modulador balanceado.

Se debe tener cuidado de seleccionar moduladores con caractersticas casi

idnticas para que as la portadora se cancele en la unin de suma.

2.5.4

Modulador de Anillo.

Este es otro tipo de modulador para generar una seal AM DSB-SC y se muestra
en la siguiente figura.

m(t)

vo

Portadora

Figura 2.21 Modulador de anillo.

36
La conmutacin de los diodos es controlada por la seal portadora cuadrada de
frecuencia fc, denotada como c(t), que es aplicada a los centros de ambos transformadores.
Cuando c(t)>0, los diodos superior e inferior conducen, mientras que los centrales estn
apagados. En este caso, la seal modulante m(t) es multiplicada por +1. Cuando c(t)<0,
los diodos centrales conducen y los otros dos estn apagados.
multiplicado por

En este caso m(t) es

-1. Por lo tanto, la operacin del modulador de anillo puede ser descrita

matemticamente como la multiplicacin de m(t) por la portadora c(t):

vo (t ) = m(t ) c(t )

(2.5.4-1)

Como c(t) es una funcin peridica, se representa por medio de una serie de Fourier:
c(t ) =

(1) n 1
cos[2 f c (2n 1) t ]

n =1 2n 1
4

(2.5.4-2)

Por lo tanto, la seal AM DSM-SC se obtiene pasando vo(t) por un filtro pasa banda
con frecuencia central fc y ancho de banda 2W.

2.6

Implementacin de demoduladores AM
La demodulacin es el proceso para recuperar la seal modulante de la seal AM,

por medio de un demodulador, llamado tambin detector. La seal recuperada debe tener la
misma frecuencia de la seal original y las mismas caractersticas relativas de amplitud.
Por lo general un tipo de demodulador no es til para cualquier tipo de modulador,
sino que para cada uno de stos existe una clase en especial de detector.

37
2.6.1

Detector de envolvente.

Tambin llamado detector de picos, es un demodulador sencillo empleado para

seales DSB-FC, como se muestra en la figura 2.22.
R1

Vi

Vo

C1

R2

Figura 2.22 Detector de envolvente.

Como el diodo es un elemento no lineal, ocurre una mezcla no lineal cuando dos o
ms seales se aplican a la entrada de ste. Por lo tanto la salida contiene las frecuencias de
entrada, sus armnicos y los productos cruzados.
La portadora activa y desactiva al diodo haciendo que rectifique, as las frecuencias
laterales se mezclan con la portadora y se obtienen las seales de banda base original.
Como la red R2C1 es un filtro paso bajo, nicamente pasan las frecuencias de diferencia a
travs del detector.
En la figura 2.23 se muestra la seal modulada AM de entrada al detector, la forma
de la onda de corriente del diodo y la forma de onda de salida del demodulador.
Inicialmente (t = 0) el diodo esta polarizado inversamente y desactivado, por lo tanto el
capacitor se encuentra descargado y la salido es 0V. El diodo se activa una vez que el
voltaje de entrada supera el potencial de barrera de ste (0.3V para diodos de germanio y
0.7V para diodos de silicio), de esta forma fluye corriente por l y el capacitor se empieza a
cargar (t = 1). El voltaje en el capacitor se mantendr 0.7V por debajo del voltaje de

38
entrada hasta que este ltimo alcance su valor pico. Una vez que el voltaje de entrada
empieza a caer, el diodo se apaga y deja de fluir corriente por l (t = 2). El capacitor por lo
tanto se comienza a descargar a travs de la resistencia, pero lo hace de forma ms lenta
que la cada del voltaje de entrada. El diodo se mantiene desactivado hasta que el voltaje
de entrada lo vuelva a activar y se repita el ciclo.

(a)

(b)

(c)
Figura 2.23 (a) Seal modulada AM a la entrada del detector; (b) Forma de onda de
corriente en el diodo; (c) Forma de onda a la salida del detector.

Este proceso se repite en cada pico positivo del voltaje de entrada y el voltaje del
capacitor sigue estos picos, por lo tanto la onda de salida presenta una forma de rizado de
alta frecuencia, la misma de la portadora, debido a que el diodo se activa durante los picos
positivos de la envolvente. En el caso que se quisieran detectar los picos negativos,
simplemente el diodo se coloca en la direccin opuesta.

39
El voltaje de salida llega a su mximo y mnimo al mismo tiempo que lo hace el
voltaje de entrada, por lo tanto para una modulacin del 100% la salida tendr un valor pico
de Ventrada(max) 0.7V. En la figura 2.24 se puede ver la seal de entrada y salida de un
detector de picos.

Portadora sin
modular

Portadora sin
modular

Vp
0
-Vp

Vpromedio

Vp 0.7
0

Figura 2.24 Seal de entrada y salida del detector de envolvente.

Cuando la amplitud de los picos de la seal de entrada va en aumento, es necesario

que el capacitor del detector se mantenga cargado entre picos, para esto se requiere de una
R2C1 grande. Por el contrario cuando la amplitud va decreciendo, es necesario que el
capacitor se descargue entre los picos a un valor menor al pico siguiente, por lo que se
requiere de una R2C1 menor. El problema que se presenta es que si R2C1 es muy pequea,
la onda de salida ser como una seal rectificada de media onda, lo que se conoce como
distorsin del rectificador, y si R2C1 por otro lado es muy grande, la pendiente de la
seal de salida no puede seguir la de la envolvente, lo que se conoce como recortador
diagonal. Ambos efectos se muestran en la figura 2.25.

40

(a)
Constante de tiempo
RC muy corta

(b)
Constante de tiempo
RC muy grande

Forma de onda ideal

(c)
Figura 2.25 (a) Seal de entrada al detector de envolvente; (b) Seal de salida con
distorsin del rectificador; (c) Seal de salida con recortador diagonal.

La frecuencia mxima de la seal modulante que con ayuda de un detector de

envolvente se puede demodular sin atenuarse viene dada por:

f m (max)

1
2 1
m
=
2 R 2 C1

donde
fm(max) = frecuencia mxima de la seal modulante [Hz]
m = coeficiente de modulacin

(2.6.1-1)

41
A partir de la ecuacin se puede ver que para un 100% de modulacin el numerador
tiende a cero, lo que significa que todas las frecuencias de la seal modulante sern
atenuadas. Por esta razn se suele poner como lmite mximo de modulacin un 90%.
Para un 70.7%, la ecuacin anterior re reduce a:
f m (max) =

1
2 R 2 C1

(2.6.1-2)

De esta forma, las ecuaciones que se requieren para determinar los parmetros
necesarios del detector para demodular una seal AM DSB-FC dada, son las siguientes:
1
1
< R 2 C1 <
2 f c (max)
2 f m (max)
R1 C1 >

2.6.2

1
2 f c (max)

(2.6.1-3)

(2.6.1-4)

Demodulacin de seales DSB-SC.

Una seal de doble banda lateral con portadora suprimida, no es posible

demodularla con la ayuda de un detector de envolvente, puesto que la componente

portadora fue eliminada en el proceso de modulacin.
Una forma de lograr demodular una seal de este tipo, es con la ayuda de una seal
piloto en el receptor con la frecuencia de la portadora original que se multiplique a la seal
modulada DSB-SC. Para esto, se requiere un demodulador fase-coherente o sncrono para
recuperar la seal de mensaje de la seal recibida. Esto quiere decir, que la fase de la seal
generada localmente debe ser idealmente igual a la fase de la portadora original.
El diagrama de bloques de este demodulador es el siguiente:

42

Seal DSB-SC
Vm cos(2 fm t) cos(2 fc t)

x(t)

Filtro Paso
Bajo

y(t)

Portadora local
VL cos(2 fc t)

Figura 2.26 Diagrama de bloques de un demodulador DSB-SC.

El filtro paso bajo dejar pasar solamente las frecuencias bajas, por lo que se podr
tener a la salida del demodulador la seal de mensaje, es decir la seal modulante.

2.6.3

Demodulacin de seales SSB-SC.

Para recuperar la seal modulante original a partir de la seal modulada SSB-SC, se

debe desplazar el espectro de frecuencia en fc para llevar la banda lateral que se est
transmitiendo de nuevo al dominio banda base.

Esto se puede lograr utilizando un

procedimiento como el realizado en la demodulacin de DSB-SC, por medio de la

multiplicacin de la seal SSB-SC con una seal sinusoidal generada localmente que posea
la misma frecuencia y fase de la portadora, seguido esto de un filtro paso bajo para eliminar
las frecuencias no deseadas y as dar lugar a la banda base deseada.
Si se presenta algn error en la frecuencia o fase del oscilador local del
demodulador con respecto a la seal portadora original, se producir una distorsin en la
seal demodulada. Este tipo de error slo se presenta en este tipo de modulacin, y para
reducir la distorsin se requiere de osciladores muy estables y precisos si la frecuencia
portadora es muy alta.

CAPTULO 3: Diseos y simulaciones de los circuitos a

implementar
3.1

Modulador DSB-FC por emisor

3.1.1

Diseo.
En la figura 3.1 se muestra el esquema de un modulador de emisor, el cual es un

modulador sencillo con slo un componente activo, el transistor Q1. La seal modulante se
introduce en el emisor y la portadora en la base del transistor.
Vcc

R2

Rc

C2
C1
Q1

Vc

RL

R1

Ca
Re

Vm

Figura 3.1 Circuito modulador AM DSB-FC con transistor.

El voltaje o amplitud pico de la portadora es mucho menor al de la seal modulante.

Si sta seal se elimina o es 0V, entonces el transistor Q1 operar como un amplificador
lineal. La seal de entrada a la base es amplificada e invertida 180 en el colector. El
43

44
condensador C1 se llama condensador de bloqueo, ya que su funcin es, como la palabra lo
dice, la de bloquear la corriente continua que pudiera venir de Vc. Esto se logra debido a
que el condensador acta como un circuito abierto para la corriente continua y como un
corto circuito para la corriente alterna, que es la que se desea amplificar. En la realidad los
condensadores no se comportan un 100% de este modo, pero si se acercan bastante
pudiendo suponerse como ideales.
La resistencia Re aumenta la estabilidad del amplificador, pero presenta una gran
sensibilidad a los cambios de temperatura, ocasionando cambios en la corriente de base y
por ende en la corriente del emisor, lo que producir una disminucin en la ganancia de
corriente alterna. Como esto no se desea, entonces se coloca el capacitor Ca en paralelo
con la resistencia, cuyo funcionamiento es el mismo de C1.
La seal modulada a la salida del colector estar compuesta por un voltaje DC y una
seal modulante de baja frecuencia, las cuales se eliminan por medio del filtro paso alto
compuesto por C2 y RL.
Un aspecto importante en este tipo de modulacin es que se debe tener en cuenta
que el transistor est polarizado en clase A (ver anexo A) y con su punto Q centrado, para
que funcionando como amplificador lineal presente a su salida la mayor amplificacin
posible de la seal de alta frecuencia, aunque se debe tener presente que en el instante que
se introduce la seal modulante en el emisor del transistor, este punto Q comenzar a variar
haciendo que la amplificacin sea variante en el tiempo, como se ver ms adelante.
Para centrar el punto Q, se escogern los valores de C1, Ca, Rc, Re, Vcc, Vm y Vc
primeramente, con los cuales se hallar la mxima excursin simtrica de la corriente de
colector y el punto Q, para posteriormente hallar R1 y R2.

45
Sean C1 = 0.01uF, Ca = 1uF, Rc = 30K, Re = 8K, Vcc = 10V, Vm = 10Vpp con
una frecuencia de 20KHz, Vc = 20mVpp con una frecuencia de 300KHz.
El punto Q en la recta de carga de corriente alterna se obtiene por medio de las
siguientes ecuaciones:
I CQ =

Vcc
Rca + Rcc

(3.1.1-1)

VCEQ =

Vcc
1 + Rcc
Rca

(3.1.1-2)

donde
Rca = Rc []
Rcc = Rc+Re []

Sustituyendo con los valores de diseo:

I CQ =

10
= 0.147mA
30000 + 38000

VCEQ =

10
38000
1+

= 4.41V
30000

La recta de carga de corriente alterna es entonces:

iC, mA

0.294
Q
0.147
VCE, V
4.41

8.82

Figura 3.2 Recta de carga de corriente alterna.

(3.1.1-3)

(3.1.1-4)

46
Para que la recta de carga de corriente continua pase por Q, se deben hallar los
valores de R1 y R2 por medio de las siguientes ecuaciones:
Rb =

Re
10

(3.1.1-5)

donde
Rb = resistencia equivalente del paralelo entre R1 y R2 []

= ganancia de corriente del transistor

Rb
VBB = I CQ Re+
+V
BEQ

(3.1.1-6)

Rb
1 VBB

(3.1.1-7)

R1 =

R 2 = Rb

VCC

VCC
V BB

(3.1.1-8)

Sustituyendo con lo valores de diseo se tiene:

Rb =

100 8000
= 80 K
10

80000

VBB = 0.147m 8000 +

+ 0.7 = 1.99V
100

R1 =

(3.1.1-9)

(3.1.1-10)

80000
= 99.875K
1 1.99
10

(3.1.1-11)

10
= 402.01K
1.99

(3.1.1-12)

R 2 = 80000

47
De esta forma se tiene ya el punto Q centrado. Como la base del funcionamiento de
este circuito es el transistor y es el que proporciona el medio de multiplicacin de las
seales de entrada para la modulacin, se analizar ahora cmo se lleva a cabo la
multiplicacin de stas y el efecto de la seal modulante en la ganancia.
Para esto, se realizar el anlisis en pequea seal, sin introducir la seal modulante,
con lo que se tiene un amplificador lineal. El circuito para pequea seal es entonces:
B

V
Vc m

Rb

ib

ic

hie

hfe ib

Rc

RL

Figura 3.3 Circuito en pequea seal para el circuito modulador sin Vm.

donde
Vc = seal portadora [V]
Rb = paralelo de las resistencias R1 y R2 []
B = base del transistor
hie = impedancia de entrada del transistor []
E = emisor del transistor
hfe = ganancia en cortocircuito
ib = corriente de base [mA]
ic = corriente de colector [mA]
C = colector del transistor
Rc = resistencia de colector []
RL = resistencia de carga []
VL = voltaje de carga [V]

VL

48
De esta forma se puede obtener la ganancia de voltaje:
Av =

VL
Vc

(3.1.1-13)

Para obtener el voltaje de carga, se hace el paralelo de Rc y RL, con lo que se tiene:
VL = ( Rc RL ) ic

(3.1.1-14)

ic = h fe ib

(3.1.1-15)

Y se tiene que:

Sustituyendo (3.1.1-15) en (3.1.1-14):

VL = ( Rc RL ) h fe ib

(3.1.1-16)

Por otro lado, el voltaje de entrada Vc se puede expresar como:

VC = hie ib

(3.1.1-17)

De esta forma, sustituyendo (3.1.1-16) y (3.1.1-17) en (3.1.1-13) la ganancia de

voltaje es:
Av =

( Rc RL ) h fe
hie

(3.1.1-17)

La impedancia de entrada hie se puede ver tambin como:

hie =

VT h fe
I CQ

(3.1.1-18)

donde ICQ es la corriente de colector en el punto Q y VT es el voltaje termal del

diodo, que a temperatura ambiente es de 25mV, es decir:

hie =

25m h fe
I CQ

(3.1.1-19)

49
Sustituyendo (3.1.1-19) en (3.1.1-17):
Av =

( Rc RL ) h fe
25m h fe

(3.1.1-20)

I CQ
Av =

( Rc R L ) I CQ
25 x10 3

(3.1.1-21)

A partir de esta ecuacin la ganancia de voltaje se puede expresar como una

constante multiplicada por la corriente ICQ:
Av = B I CQ

(3.1.1-22)

donde B es una constante.

Debe recordarse que esta ganancia es lineal, puesto que no se ha introducido la seal
modulante Vm, por lo que ICQ es la corriente de colector en DC para el punto de reposo.
Pero en el instante que se incorpora Vm al circuito, ICQ vara ahora de acuerdo a la
magnitud de sta seal, es decir:
I CQ = f (Vm )

(3.1.1-23)

Y con esto tambin la ganancia ahora es variante en funcin de Vm:

Av = C Vm =

VL
Vc

(3.1.1-24)

donde C es una constante.

Finalmente se tiene que el voltaje de salida del circuito modulador de la figura 3.1
es:
VL = Vc C Vm

(3.1.1-25)

De esta forma es como las seales de entrada Vc y Vm se multiplican para dar paso
a la modulacin, debido a que la etapa amplificadora es ahora variable en el tiempo. Como

50
la salida del colector presenta componentes no deseados fundamentalmente de baja
frecuencia, como se ver ms adelante en la simulacin, es por ello que se coloca el filtro
paso alto a la salida. Por esta razn y debido a que se da una multiplicacin por medio de
un elemento no lineal, este tipo de modulador se ubica dentro de los moduladores en
cuadratura.
Finalmente, el filtro que se disear es un paso alto activo, ya que su desempeo es
mejor que el de un filtro pasivo, y como se quieren eliminar las componentes de baja
frecuencia que se muestran en la figura 3.5, se disear para una frecuencia de corte de
250KHz.
8.0V

6.0V

4.0V

2.0V
0s

50us

100us

150us

200us

250us

V(R3:1)
Time

Figura 3.4 Forma de onda en el colector del modulador.

6.0V

4.0V

2.0V

0V
0Hz

100KHz
V(R3:1)

200KHz

300KHz

400KHz

500KHz

600KHz

700KHz

800KHz

Frequency

Figura 3.5 Espectro de frecuencia de la seal del colector.

900KHz 1000KHz

51
800mV

600mV

400mV

200mV

0V
250KHz
260KHz
V(R3:1)

270KHz

280KHz

290KHz

300KHz

310KHz

320KHz

330KHz

340KHz

350KHz

Frequency

Figura 3.6 Banda de frecuencia que se desea dejar.

Para obtener los valores de las resistencias para un valor de capacitancia dado, se
hace uso de la tabla mostrada en el anexo B, donde se escoge el orden del filtro y se
sustituyen los valores de las resistencias en la siguiente ecuacin, lo que da como resultado
los valores finales a utilizar en el diseo:
Rn =

1
2 f p Ri C

(3.1.1-26)

De esta forma, para un filtro paso alto de orden 2 con una frecuencia de corte de
250KHz y escogiendo un valor de capacitancia de 0.1nF, el diseo es el siguiente:
R5 =

1
2 250k 1.414 0.1n
R5 = 4502

R6 =

1
2 250k 0.7071 0.1n
R6 = 9003

(3.1.1-27)
(3.1.1-28)
(3.1.1-29)
(3.1.1-30)

52
El filtro final queda como se muestra a continuacin:

C2

C1

U53
3

Vi
0.1n

R5

V+

4502

B2

0.1n
R6

V-

OUT
-

B1

Vo

6
1

LF411
4

9003

Figura 3.7 Filtro paso alto a implementar.

3.1.2

Simulacin.
El circuito diseado final queda de la siguiente forma:
10
V3

R5

30k

4502
C

0.1n

0.1n

LF411

C1

Rc

402k

V+

R2

Q1

OUT
2

Vc

R6

VOFF = 0
VAMPL = 20m
FREQ = 300k

R1

Re

99.875k

8k

Ca
1u

B1

5
6
1

9003

V-

0.01u

B2

V2
10

Vm
VOFF = 0
VAMPL = 10
FREQ = 20k

Figura 3.8 Circuito modulador AM DSB-FC con transistor simulado en PSpice.

53
La portadora es de alta frecuencia y pequeo voltaje comparado a la seal
modulante como se mencion en la teora, por otro lado se emple un amplificador LF411
en lugar del uA741 debido a que por sus caractersticas y mejor desempeo a altas
frecuencias hace que los resultados de la simulacin sean mejores, aunque en la prctica el
uA741 trabaja muy bien para este filtro aunque la seal AM es de menor amplitud, como se
ver en el captulo 5, ya que el simulador es ms estricto y presenta distorsiones en la seal
modulada.
La seal modulada resultante es la siguiente:
1.0V
(601.977u,764.477m)
(625.108u,395.876m)

0.5V

0V

-0.5V

(600.565u,-795.687m)
-1.0V
500us
V(N128280)

550us

600us

650us

700us

750us

Time

Figura 3.9 Seal modulada AM a la salida del circuito simulado en PSpice.

A partir de la seal obtenida se puede ver que la amplitud pico a pico es de

aproximadamente 1.56V, la diferencia entre el voltaje mximo y mnimo es de 368.6mV y
el ndice de modulacin tiene un valor de:
m=

764.477 368.6
= 0.32
764.477 + 368.6

(3.1.2-1)

54
Estos resultados simulados se compararn en el captulo 5 con los obtenidos
experimentalmente en el laboratorio.
El espectro de frecuencia de la seal modulada es:
600mV
(300.000K,542.104m)

400mV

200mV
(320.000K,90.375m)

(280.000K,84.318m)

0V
250KHz
260KHz
V(N128280)

270KHz

280KHz

290KHz

300KHz

310KHz

320KHz

330KHz

340KHz

350KHz

Frequency

Figura 3.10 Espectro de frecuencia de la onda AM de bajo nivel.

La frecuencia portadora se encuentra efectivamente en 300KHz y las frecuencias de

las bandas laterales inferior y superior se hallan desplazadas fc-fm y fc+fm KHz
respectivamente, por lo que el circuito modula correctamente.
Como se vio anteriormente, la amplitud final de la seal modulada es algo pequea,
por lo que se debe amplificar para la posterior implementacin del detector de envolvente,
ya que hay que tomar en consideracin la cada de voltaje del diodo, y si la seal es muy
pequea, por debajo de 0.7V, el diodo no funcionar correctamente en el caso de ser de
silicio.
Para amplificar la seal AM, se colocar a la salida del filtro paso alto un
amplificador no inversor como el siguiente:

V+

U46
3

Vi

55

B2

V-

OUT
B1

5
6

Vo

LF411
4

R1

R2

Figura 3.11 Amplificador no inversor.

La amplificacin viene dada por la ecuacin:

R1

Vo = Vi1 +

R2

(3.1.2-2)

Se emplearn entonces unas resistencias cuyos valores son R1=70K y R2=10K,

quedando el circuito como se muestra en la siguiente figura:
10
V3

R5

3
0.1n
Q1

B2

OUT
2

Vc

R6

VOFF = 0
VAMPL = 20m
FREQ = 300k

V-

0.01u

0.1n

B1

LF411

C1

LF411
R1

Re

99.875k

8k

Ca
1u

B2

OUT
2

9003

V+

4502
C

V-

30k

Rc

402k

V+

R2

B1

5
6
1

R8

V2
10

R7
10k

70k

Vm
VOFF = 0
VAMPL = 10
FREQ = 20k

Figura 3.12 Circuito modulador AM DSB-FC con amplificador no inversor simulado

en PSpice.

La seal modulada resultante presenta una amplificacin de casi 8 veces la seal de

entrada y se ve en la figura 3.13.

56

8.0V
(598.798u,5.8881)
(625.424u,2.9766)

4.0V

0V

-4.0V

(600.783u,-5.9949)
-8.0V
500us
V(N133715)

550us

600us

650us

700us

Time

Figura 3.13 Seal modulada AM amplificada a la salida del circuito simulado en

PSpice.

Obsrvese que ahora la amplitud pico mxima de la seal modulada es de 11.9V y

la diferencia entre el voltaje mximo y mnimo de 2.9V, valores con los que se puede
realizar la demodulacin sin inconvenientes.

3.2

Detector de envolvente
El diseo del detector se realiza mediante las ecuaciones (2.6.1-3) y (2.6.1-4), pero

esto en el caso de que se tuviera un ndice de modulacin de 0.707. Como en el ejemplo

anterior el ndice es de 0.32, entonces se tomar la ecuacin (2.6.1-1), y a partir de ella se
obtienen los valores para el detector. Como las resistencias son ms fciles de implementar
en la prctica, por medio de trimmers, se escogern las capacitancias con valores
comerciales para obtener las resistencias que se requieren.

750us

57
Entonces para un ndice de modulacin de 0.32 y empleando la ecuacin (2.6.1-1)
se tiene:

f m (max)

1
1

2
0.32
=
2 R 2 C1

f m (max) =

2.96
2 R 2 C1

(3.2-1)

(3.2-2)

Esta ecuacin aplica para cuando se utiliza un detector con slo una resistencia, pero
para el que se implementar se utilizar el mostrado en la figura 2.22, con el que se
emplean las ecuaciones (2.6.1-3) y (2.6.1-4) pero con el ndice de modulacin de 0.32.
Se tomar como C1 una capacitancia de 1nF y despejando de (2.6.1-4) se obtiene la
resistencia R1:
R1 =

2.96
2.96
=
2 f c (max) 1n 2 300k 1n
R1 = 1570.3

(3.2-3)

(3.2-4)

Sustituyendo C1 en (2.6.1-3) y despejando se obtiene R2:

2.96
2.96
< R2 <
2 300k 1n
2 20k 1n
1570.3 < R 2 < 23.55k

(3.2-5)
(3.2-6)

Se debe seleccionar un valor de R2 con el que no se produzca ni distorsin del

rectificador ni recorte diagonal.
Tomando el valor inferior de 1570.3, el detector de envolvente a la salida del
modulador y la seal demodulada quedan como se muestra en la figura 3.14 y 3.15
respectivamente.

58

10
V2

R15

R5

0.1n

0.1n

OUT

Q2N2222

2
R6

R18
V5

99.875k

VOFF = 0
VAMPL = 20m
FREQ = 300k

8k

B1

U52

B2

OUT
2

LF411

C7
1u

LF411

9003

R17

B2

B1

5
D26

R7

D1N4148

1570.3

6
1

R8
4

0.01u

V+

U53
3

V-

C1

Q1

C6

4502
C2

V+

30k

V-

402k

R16

R4

C8

V4

70k

V3

VOFF = 0
VAMPL = 10
FREQ = 20k

1570.3

1n

10
R3
10k

Figura 3.14 Modulador de bajo nivel con detector de envolvente con R8 = 1570.3.
2.0V

1.5V

1.0V

0.5V

0V
500us
V(N133890)

550us

600us

650us

700us

Time

Figura 3.15 Seal de salida del detector de envolvente con R8 = 1570.3.

Con el valor de resistencia utilizado la seal demodulada presenta un gran efecto de

distorsin del rectificador, por lo que se debe emplear un valor mucho ms alto.
Tomando ahora el valor superior de 23.55k, la seal demodulada queda de la
siguiente forma:

750us

59
4.0V

3.0V

2.0V

1.0V
500us
V(N133890)

550us

600us

650us

700us

750us

Time

Figura 3.16 Seal de salida del detector de envolvente con R8 = 23.55k.

En este caso la seal demodulada presenta el caso de recorte diagonal, lo que

significa que R2C1 es muy grande, entonces se debe reducir un poco el valor de la
resistencia hasta encontrar un valor adecuado.
Se tomar ahora una resistencia de 15k, con lo que la seal demodulada se ve
como sigue:
4.0V

3.0V

2.0V

1.0V
500us
V(N133890)

550us

600us

650us

700us

Time

Figura 3.17 Seal de salida del detector de envolvente con R8 = 15k.

750us

60
Los efectos antes mencionados no son tan pronunciados en este caso, la seal
demodulada presenta la forma adecuada segn se vio en la figura 2.25. Su frecuencia es la
frecuencia de la seal modulante, y aunque la cada de tensin debera ser de 0.7V con
respecto a la seal modulante, sta es un poco mayor debido a la utilizacin de la
resistencia R1 en serie con el diodo. Esta resistencia se podra eliminar y el funcionamiento
del detector es prcticamente el mismo.
Si se invierte la posicin del diodo entonces se obtendr la seal demodulada
invertida, como se muestra a continuacin:
-1.5V

-2.0V

-2.5V

-3.0V

-3.5V
500us
V(N133890)

550us

600us

650us

700us

750us

Time

Figura 3.18 Seal de salida del detector de envolvente con el diodo invertido.

Finalmente se puede colocar otro amplificador a la salida del demodulador para

tener una seal demodulada de mayor amplitud, pero esto es til para efectos de recepcin
de la seal, tema que no se trata en el presente trabajo.

61

3.3

Modulador DSB-SC
Para la obtencin de un modulador DSB-SC se debe colocar a la salida del circuito

de la figura 3.12 un filtro rechaza banda que elimine la portadora y permita el paso de las
bandas laterales. Debido a que en la bodega de edificio de ingeniera elctrica no se cuenta
con capacitores variables para el diseo de un filtro paso bajo activo, se disear un rechaza
banda pasivo, a pesar que su desempeo no sea el deseado.
Tanto el filtro paso bajo pasivo como el paso alto pasivo cuentan con la siguiente
frmula para su diseo:
fc =

1
2 R C

(3.3-1)

donde fc es la frecuencia de corte superior para el caso del paso alto y frecuencia de
corte inferior para el caso del paso bajo
Otro aspecto a considerar es que la frecuencia modulante se aumenta hasta 50KHz
para un mejor efecto del filtro y que las bandas laterales no se vean atenuadas en un alto
grado.
Para disear el filtro paso bajo se tomar como frecuencia de corte 335KHz y una
capacitancia de 1nF, entonces la resistencia tiene un valor de:
R=

1
= 475
2 335k 1n

(3.3-2)

Para el filtro paso bajo se tomar una frecuencia de corte de 260KHz y una
capacitancia de 1nF:
R=

1
= 612
2 260k 1n

(3.3-3)

62
El filtro rechaza banda es entonces el siguiente:

Vi

C1

C2

1n

1n

Vo

R1

R2

475

R3

475

R4

612

612
C3

C4

1n

1n

Figura 3.19 Filtro rechaza banda pasivo.

Finalmente se debe colocar a la salida del filtro un sumador inversor para que se
puedan sumar ambas seales y se genere el rechaza banda.

R1
2

V1

V-

R3

B1

3
R2

B2

Vo

R1

V2

V+

OUT

Figura 3.20 Sumador inversor.

El voltaje de salida del sumador viene dado por la frmula:

R3
Vo = (V 1 + V 2)
R1

(3.3-4)

63
Para una amplificacin de 5 veces la suma de los voltajes de entrada, el sumador es
entonces el siguiente:
R3

V1

V-

5k
R1
-

B1

1k
3

1k

V+

R1

V2

B2

R2

Vo

OUT

1k

Figura 3.21 Sumador inversor diseado.

Finalmente el circuito DSB-SC a simular es el mostrado en la siguiente figura:

10
V2

R5
C8

OUT
2
R6

R18
99.875k

V4

B2

OUT
2

B1

LF411

1n

1k

R23

R24

475

475

6
1

R21

R22

R26

612

612

1k

5k
LF411
2
-

V3

R20

70k

C10

C11

1n

1n

10k

+
U57

R27
1k

Figura 3.22 Modulador DSB-SC.

Ntese que el capacitor de emisor se disminuy, esto para aumentar el ndice de

modulacin y con ello las bandas laterales, y as la atenuacin del filtro no las elimine.

B1

OUT

R19
10

U56

C7
0.09u

VOFF = 0
VAMPL = 10
FREQ = 50k

B1

LF411

9003

R17
8k

1n

V5
VOFF = 0
VAMPL = 20m
FREQ = 300k

B2

V-

0.1n

Q2N2222

V-

0.01u

R28

R25

V+

0.1n

U53
3

V+

C1

V-

C2
Q1

C6

C9

4502
V+

30k

R15

402k

R16

B2

1
6
5

64
La seal AM DSB-SC filtrada es:
8.0V

4.0V

0V

-4.0V

-8.0V
0s

50us
V(N140249)

100us

150us

200us

250us

300us

350us

400us

450us

500us

Time

Figura 3.23 Seal AM DSB-SC filtrada.

Y el espectro de frecuencia respectivo es:
800mV

600mV

400mV

200mV

0V
200KHz
220KHz
V(N140249)

240KHz

260KHz

280KHz

300KHz

320KHz

340KHz

360KHz

380KHz

400KHz

Frequency

Figura 3.24 Espectro de frecuencia de la seal AM DSB-SC.

La portadora no queda del todo eliminada, pero si lo suficiente para ahorrar mucha
potencia en el caso de que la seal AM fuera a ser transmitida. El resultado se puede
mejorar empleando un filtro activo.

65

3.4

Modulador SSB-FC
Para la obtencin de un modulador SSB-FC se debe colocar a la salida del circuito

de la figura 3.12 un filtro paso alto que elimine la banda lateral inferior. Para un buen
resultado se debe trabajar con un filtro de orden alto, pero debido a que la versin empleada
de Pspice para las simulaciones es de prueba, el nmero de nodos est restringido, por lo
tanto se eliminar la etapa amplificadora y se disear un filtro activo paso alto de orden 4.
Puesto que la banda lateral es de poca amplitud, se disear un filtro con frecuencia
de corte de 500KHz, ya que cerca de los 300KHz empieza a atenuar las frecuencias de poca
amplitud, como se muestra en la figura 3.26.
Para obtener los valores de las resistencias del filtro para un valor de capacitancia de
1nF, se hace uso de la tabla mostrada en el anexo B para los filtros de orden 4 y se
sustituyen los valores de las resistencias en la ecuacin (3.1.1-12), lo que da como
resultado:
R1 =

R2 =

R3 =

1
2 500k 1.082 1n

(3.4-1)

R1 = 294.2

(3.4-2)

1
2 500k 0.9241 1n

(3.4-3)

R2 = 344.45

(3.4-4)

1
2 500k 2.613 1n

(3.4-5)

66
R3 = 121.8
R4 =

(3.4-6)

1
2 500k 0.3825 1n

(3.4-7)

R4 = 832.2

(3.4-8)

El filtro paso alto es entonces el siguiente:

R1
294.2
+

B2

B1

C16

C17

6
1

U56
3

1n

B2

1n
OUT

LF411

2
4

R2

V-

OUT

121.8

V+

1n

Vi

R3

R4

B1

5
6

Vo

LF411
4

344.45

V-

1n

U55

C15

V+

C14

832.2

Figura 3.25 Filtro activo paso alto para la obtencin de la seal SSB-FC.

El barrido de frecuencia del filtro es:

1.0V

0.5V

0V
10Hz
30Hz
V(N137509)

100Hz

300Hz

1.0KHz

3.0KHz

10KHz

30KHz

100KHz

Frequency

Figura 3.26 Barrido de frecuencia del filtro activo paso alto.

300KHz

1.0MHz

67
En esta imagen se puede ver entonces que por debajo de los 300KHz el filtro atena
frecuencias de poca amplitud.
El circuito modulador SSB-FC es el que se muestra en la siguiente figura:

10
V2

R5
4502

Q2N2222

2
R6

R18
V5
VOFF = 0
VAMPL = 20m
FREQ = 300k

8k

B1

6
1

1n

0.7u

R19
B2

1n
OUT
2

LF411
R14

C7

B1

121.8

5
C16
1

U56
3

1n

B2

1n
OUT
2

LF411
R20

V3

VOFF = 0
VAMPL = 10
FREQ = 50k

C17

344.45

10

V4

U55
3

LF411

9003

R17

99.875k

C15

OUT

294.2
C14

V+

0.1n

B2

V-

0.01u

B1

0.1n

V-

C6

R13
5

V+

U53
3

V-

C1

Q1

C2

V+

30k

R15

402k

R16

832.2

Figura 3.27 Circuito modulador AM SSB-FC.

La frecuencia modulante se mantiene en 50KHz para obtener un mejor efecto del

filtro. La seal filtrada se muestra en la figura 3.28 y su espectro de frecuencia en la figura
3.29.
400mV

200mV

0V

-200mV

-400mV
0s

50us

100us

150us

V(N137509)
Time

Figura 3.28 Seal AM SSB-FC.

200us

250us

5
6
1

68
100mV

50mV

0V
200KHz
220KHz
V(N137509)

240KHz

260KHz

280KHz

300KHz

320KHz

340KHz

360KHz

380KHz

400KHz

Frequency

Figura 3.29 Espectro de frecuencia de la seal AM SSB-FC.

A partir de las imgenes anteriores, se puede ver que la banda lateral inferior se
elimin por completo. Como se sabe, para efectos de transmisin en la portadora se
concentra la mayor cantidad de potencia, la cual es innecesaria puesto que la informacin
se haya en las bandas laterales. Para eliminar la portadora junto con la banda lateral, o bien
se puede disear el filtro paso alto para que atene por completo la frecuencia de 300KHz,
pero el inconveniente que se presenta es que la banda lateral superior es de poca amplitud,
por lo que el efecto del filtro la reducir an ms. La otra posibilidad es el diseo de un
filtro pasa banda, con el que se permita el paso nicamente de la banda lateral, ya sea la
superior o la inferior. Este tipo de modulacin no se implementar en el laboratorio, por lo
que slo se ver el efecto sobre la portadora de aumentar la amplitud de sta y las bandas
laterales.
Si se aumenta el ndice de modulacin, disminuyendo el valor del capacitor de
emisor, las bandas laterales aumentan de amplitud, por lo tanto el efecto del filtro sobre la
portadora ser ms notable, como se ve en las siguientes capturas:

69
400mV

200mV

0V

-200mV

-400mV
400us
410us
V(N140397)

420us

430us

440us

450us

460us

470us

480us

490us

500us

380KHz

400KHz

Time

Figura 3.30 Seal AM SSB-FC con mayor ndice de modulacin.

100mV

50mV

0V
200KHz
220KHz
V(N140397)

240KHz

260KHz

280KHz

300KHz

320KHz

340KHz

360KHz

Frequency

Figura 3.31 Espectro de frecuencia de la seal AM SSB-FC con mayor ndice de

modulacin.

En este caso la banda lateral superior presenta una mayor amplitud que en el caso
anterior, y a su vez la banda lateral inferior no se atena por completo debido al aumento en
la amplitud de stas.

Con un filtro de mayor orden la pendiente de corte es ms

pronunciada y la atenuacin es mejor como se ver en el captulo de implementacin.

70

3.5

Modulador DSB-FC por colector

En la figura 3.32 se muestra el circuito de un amplificador AM con transistor, donde

la modulacin se lleva a cabo en el colector, que es la componente de salida del transistor.

Esto tiene como resultado que la seal de salida sea de potencia media.
Para lograr una eficiencia alta en los moduladores AM de media y alta potencia, se
utilizan por lo general transistores que operen en clase C (ver anexo A), con lo que se
consiguen eficiencias de hasta un 80%.

Vcc

Vm

RFC

Vo
Q1

Q2N2222

Vp

R1
C1

Figura 3.32 Circuito modulador AM de potencia media con transistor.

Debido a que el transistor se polariza en clase C, su operacin es no lineal. El RFC

(radiofrecuencia) acta como un corto en corriente continua y como un circuito abierto a
altas frecuencias. De esta forma, asla a la fuente de corriente directa de la portadora de

71
alta frecuencia y de las bandas laterales, mientras que permite que las frecuencias bajas
modulen al colector del transistor.
El circuito opera de la siguiente forma. Cuando la amplitud de la portadora excede
los 0.7V de la unin base-emisor del transistor, ste se enciende haciendo que fluya la
corriente a travs del colector, y cuando la amplitud de la portadora cae por debajo de los
0.7V, entonces Q1 se apaga y no fluye la corriente. Por lo tanto, la portadora controla el
funcionamiento del transistor entre la condicin de corte y punto de operacin, fluyendo la
corriente del colector por menos de 180 en cada ciclo de la portadora, con lo que se
consigue la operacin en clase C. Cada ciclo sucesivo de la onda portadora hace que fluya
corriente en el colector por un corto tiempo, produciendo una forma de onda negativa en l.
En la figura 3.33 se muestran la forma de onda de la portadora y del voltaje de salida, as
como de la corriente en el colector. La forma de onda del voltaje del colector es la de la
seal rectificada de media onda con una frecuencia igual a la de la portadora.

Figura 3.33 Formas de onda del colector y de la salida sin onda modulante.

Cuando se agrega al colector una seal modulante en serie con la fuente de corriente
continua, se suma y se resta a la seal Vcc. La amplitud pico de la onda modulante debe

72
ser igual al voltaje de corriente continua aplicado. La seal de salida vara entre 2Vcc y 0,
que es el punto donde el voltaje colector-emisor entra en saturacin, y la variacin pico del
voltaje del colector es igual a Vcc. Estas formas de onda se pueden ver en la figura 3.34.
Como el transistor Q1 es un elemento no lineal, la seal del colector contiene
entonces las dos frecuencias de entrada (fm, fc) y las frecuencias de suma y resta (fc fm).
Adems esta seal contiene la armnica de orden ms alta y los componentes de
intermodulacin, por lo que a la salida se debe colocar un filtro que deje pasar nicamente
la banda fcfm.

Figura 3.34 Formas de onda del colector y de la salida con onda modulante.

73
Por ltimo, R1 es la resistencia de polarizacin del transistor. En paralelo con C1
producen una auto polarizacin inversa y junto con el potencial de la barrera del transistor
determinan el voltaje de encendido de Q1.

3.5.1

Diseo.
Para evitar problemas en la implementacin a la hora de conectar la fuente DC en

serie con el generador de seales (la fuente se pone en overload al hacer esto), se eliminar
la fuente y a la seal modulante se le introducir un nivel de offset equivalente al voltaje
DC de la fuente.
Para la auto polarizacin del transistor se emplear una resistencia de 1k en
paralelo con una capacitancia de 0.01uF. Estos valores pueden variar puesto que no tienen
un efecto sobre la seal resultante, simplemente son para generar un voltaje en la base que
active el transistor. Por otro lado, la inductancia RFC se sustituir por una resistencia por
dos razones, la primera es que la seal de colector obtenida con ella presenta picos de
voltaje no deseados como se muestra en la figura 3.35, y por otro lado la funcin de sta es
aislar la fuente de corriente directa, la cual no se emplear por lo que no ser un
componente indispensable. Al cambiar RFC por una resistencia, el transistor trabaja en
este caso entre el corte y saturacin.
La seal de colector empleando RFC en el circuito es:

74

20V

10V

0V

-10V
0s

0.5ms

1.0ms

1.5ms

2.0ms

2.5ms

3.0ms

V(Q3:c)
Time

Figura 3.35 Forma de onda del colector empleando RFC.

20V

15V

10V

5V

0V
1.10ms
V(Q3:c)

1.15ms

1.20ms

1.25ms

1.30ms

1.35ms

1.40ms

Time

Figura 3.36 Vista amplificada de la forma de onda del colector empleando RFC.

La magnitud de los picos que se producen son del doble de la amplitud de la onda,
pero en caso de que se est empleando una fuente DC y se necesite la RFC, el filtro que se
coloca a la salida del colector, como se ver ms adelante, los recorta permitiendo as el
correcto funcionamiento del modulador.

75

3.5.2

Simulacin.
El funcionamiento del circuito se puede ver por medio de la siguiente simulacin.

Sea el circuito modulador AM diseado que se muestra en la figura 3.37:

FREQ = 1k
VAMPL = 5
VOFF = 5
V7

R11
1k

Vo

Q3

Q2N2222

V6
VOFF = 0
VAMPL = 1.4
FREQ = 35k

R12
1k

C10
0.01u

Figura 3.37 Circuito modulador AM de media potencia simulado en Pspice.

Las seales obtenidas por medio de la simulacin se pueden ver en la siguiente

figura:

76

1.0V

-0.0V

-1.0V

-2.0V
0s

0.5ms

1.0ms

1.5ms

2.0ms

2.5ms

V(V6:+)
Time

(a)
10V

5V

0V
0s

0.5ms
V(R11:2)

1.0ms

1.5ms

2.0ms

2.5ms

3.0ms

3.5ms

4.0ms

4.5ms

5.0ms

Time

(b)
12V

8V

4V

0V

-4V
0s

0.5ms

1.0ms

1.5ms

2.0ms

V(Q3:c)
Time

(c)
Figura 3.38 Seales del circuito simulado en Pspice. (a) Onda portadora;
(b) Onda modulante; (c) Seal de salida del colector.

2.5ms

77
10mA

5mA

0A

-5mA
0.8ms
0.9ms
IC(Q3)

1.0ms

1.1ms

1.2ms

1.3ms

1.4ms

1.5ms

1.6ms

1.7ms

1.8ms

Time

Figura 3.39 Forma de onda de la corriente en el colector.

La seal de salida del colector y la

forma de onda de la corriente en ste

efectivamente concuerdan con las mostradas en la figura 3.34. Pero esta seal contiene
como se mencion anteriormente frecuencias que se deben eliminar por medio de un filtro
pasa banda para as obtener la seal AM DSB-FC que se desea. El espectro de la seal del
colector es:
4.0V

3.0V

2.0V

1.0V

0V
0Hz

10KHz
V(Q3:c)

20KHz

30KHz

40KHz

50KHz

60KHz

70KHz

80KHz

Frequency

Figura 3.40 Espectro de frecuencia de la seal de salida del colector.

90KHz

100KHz

78
Se debe disear entonces un filtro pasa banda que elimine los componentes que no
se desean. El filtro que se utilizar para la simulacin es activo de orden 2, pero para la
implementacin posterior en laboratorio se emplear uno pasivo por las razones explicadas
anteriormente. Al igual que el modulador por emisor, este circuito corresponde a un
modulador en cuadratura, aunque en este caso si es necesario un filtro pasa banda puesto
que existen tanto componentes no deseados de baja frecuencia como de alta frecuencia
debido a que el principio de funcionamiento de este modulador se basa en el muestreo.
Para el filtro paso alto se utilizarn capacitancias de 1nF para una frecuencia de
corte de 30KHz, con lo que se tienen unas resistencias de:

R1 =

R2 =

1
2 30k 1.414 1n

(3.5.2-1)

R1 = 3751.9

(3.5.2-2)

1
2 30k 0.7071 1n

(3.5.2-3)

R2 = 7502.7

(3.5.2-4)

Para el filtro paso bajo se utilizarn resistencias de 1K para una frecuencia de

corte de 40KHz, con lo que se tienen unas capacitancias de:
C1 =

1.414
2 40k 1k

C1 = 5.26nF

(3.5.2-5)
(3.5.2-6)

79

C2 =

0.7071
2 40k 1k

(3.5.2-7)

C 2 = 2.81nF

(3.5.2-8)

El circuito modulador es finalmente:

V1

FREQ = 1k
VAMPL = 5
VOFF = 5

10

V7
R7
R11

3751.9

1k

1n

B2

Q2N2222

V-

OUT
B1

5.26n
R9

R10

U5

6
1

3
1k

OUT

R8

2
4

VOFF = 0
VAMPL = 1.4
FREQ = 35k

B2

1k

LF411

V6

1n

V+

Q3

C9
5

V-

U4
3

C8

V+

C7

B1

2.81n

7502.7

C11

LF411

V2
R12
1k

C10

10

0.01u

Figura 3.41 Circuito modulador AM de alta potencia final.

De esta forma, con la seal de colector filtrada, la seal de salida es una seal AM
DSB-FC como se muestra en la siguiente figura:

5
6
1

80
4.0V
(1.2483m,2.5587)

2.0V
(758.503u,1.9924m)

0V

-2.0V

(1.2381m,-2.9814)
-4.0V
0s

0.5ms

1.0ms

1.5ms

2.0ms

2.5ms

3.0ms

V(C9:2)
Time

Figura 3.42 Seal modulada AM DSB-FC del modulador por colector.

La seal AM tiene una amplitud de aproximadamente 5.6Vp-p y un ndice de

modulacin de 1.

Ntese que la onda modulada no presenta una forma totalmente

simtrica, ya que el filtro no es ideal y no elimina las frecuencias deseadas en un 100%,

como se puede ver en su espectro de frecuencia:
1.5V

1.0V

0.5V

0V
0Hz

10KHz
V(C9:2)

20KHz

30KHz

40KHz

50KHz

60KHz

70KHz

80KHz

90KHz

Frequency

Figura 3.43 Espectro de frecuencia de la seal modulada AM DSB-FC.

100KHz

81
Las frecuencias bajas se eliminaron, mientras que las altas no por completo, pero se
atenuaron de poco ms de 1V a alrededor de 300mV. La magnitud y frecuencia de las
bandas laterales y portadora se ven en el siguiente espectro de frecuencia:
1.5V
(35.000K,1.2542)

1.0V

(33.996K,600.497m)

(36.005K,612.071m)

0.5V

0V
30KHz
31KHz
V(C9:2)

32KHz

33KHz

34KHz

35KHz

36KHz

37KHz

38KHz

39KHz

40KHz

Frequency

Figura 3.44 Bandas laterales y portadora de la seal AM DSB-FC.

La portadora presenta una magnitud de 1.25V y las portadoras alrededor de

612mV, que es prcticamente la mitad de la portadora como se vio en la teora del captulo
2. Segn la ecuacin (2.3.3-17) el valor terico debe ser:
Eusf = Elsf =

(2.55 0.002)
= 637mV
4

(3.5.2-9)

El cual presenta un porcentaje con respecto al valor simulado que es despreciable.

Este tipo de modulador presenta una ventaja con respecto al modulador de emisor, y es que
el ndice de modulacin se puede variar muy fcilmente con ayuda del nivel offset de la
seal modulante. As, al aumentar el offset a 10V, se tiene la siguiente seal:

82

5.0V
(2.1617m,3.6649)
(1.7619m,1.3546)

0V

(2.2649m,-4.0266)
-5.0V
0s

0.5ms

1.0ms

1.5ms

2.0ms

2.5ms

3.0ms

V(C9:2)
Time

Figura 3.45 Seal modulada AM DSB-FC del modulador por colector con m = 0.46.

Ntese cmo la amplitud aument hasta casi 7.7Vp-p y el ndice de modulacin es

ahora:
m=

3.66 1.35
= 0.46
3.66 + 1.35

(3.5.2-10)

Como el ndice de modulacin disminuy, las bandas laterales deben ser ahora de
menor amplitud y a su vez menor a la mitad de la amplitud de la portadora. La amplitud
terica de stas es:
Eusf = Elsf =

(3.66 1.35)
= 578mV
4

(3.5.2-11)

83

El espectro de frecuencia correspondiente es:

3.0V

(35.000K,2.3817)

2.0V

1.0V
(36.005K,520.789m)

(33.996K,510.315m)

0V
30KHz
31KHz
V(C9:2)

32KHz

33KHz

34KHz

35KHz

36KHz

37KHz

38KHz

39KHz

40KHz

Frequency

Figura 3.46 Espectro de frecuencia para un ndice de modulacin de 0.46.

La amplitud simulada de las bandas laterales es de alrededor de 50mV menos que el

valor terico, lo cual sigue siendo una diferencia pequea, y son cerca de 1/5 la amplitud de
la portadora.
El ndice de modulacin se puede disminuir an ms aumentado el offset de la seal
modulante, pero si por el contrario se disminuye por debajo de los 5V, se produce entonces
el efecto de la sobremodulacin, como se ve en la siguiente figura:
4.0V

2.0V

0V

-2.0V

-4.0V
0s

0.5ms

1.0ms

1.5ms

V(C9:2)
Time

2.0ms

2.5ms

3.0ms

84

Figura 3.47 Seal sobremodulada AM DSB-FC del modulador por colector.

El espectro de frecuencia para esta seal es:
800mV

600mV

400mV

200mV

0V
30KHz
31KHz
V(C9:2)

32KHz

33KHz

34KHz

35KHz

36KHz

37KHz

38KHz

39KHz

40KHz

Frequency

Figura 3.48 Espectro de frecuencia de la seal AM sobremodulada.

Debe recordarse que este efecto no es deseado a la hora de modular, por lo que se
debe evitar que el ndice de modulacin exceda de 1.

CAPTULO 4: Funciones bsicas del equipo de laboratorio

En este captulo se describirn las funciones bsicas del equipo de laboratorio con el
que se contar para el anlisis de los circuitos a implementar, stos son: Generador de
seales Agilent E4433B, Osciloscopio Agilent 54642A y el software AGILENT
INTUILINK para la toma de capturas desde el osciloscopio.

4.1

Generador de Seales Agilent E4433B

El procedimiento para la generacin de las seales portadora y modulante mediante

el generador de seales es el siguiente:

Presione la tecla PRESET.

Para generar primeramente la seal portadora de alta frecuencia, oprima el botn RF
ON/OFF para activar la salida de alta frecuencia del generador.

La seal por defecto es senoidal, que es la que se utilizar.

Para ingresar el valor de la frecuencia, presione FRECUENCY seguido de la
frecuencia, la cual puede ser ingresada en Hz, KHz, MHz o GHz. El rango de
valores de alta frecuencia van de 100KHz hasta 4GHz.

Para ingresar la amplitud de la seal de alta frecuencia, presione AMPLITUDE

seguido por el valor de amplitud deseado, sea en mV o V.

Ahora se proceder a generar la seal de baja frecuencia, para esto presione LF

OUT, con lo que se desplegar un submen en el sector derecho de la pantalla.

La primer pestaa es LF OUT, por defecto se haya en OFF, cmbielo a modo ON.

En la segunda pestaa, LF OUT AMPLITUDE, ingrese la amplitud de la seal, ya
sea en mVp o Vp.
85

86

La tercer pestaa es LF OUT SOURCE, seleccinela y aparece otro submen,

escoja FUNCTION GENERATOR.

En la cuarta pestaa, LF OUT WAVEFORM, se puede escoger el tipo de onda

deseado, entre los que se haya onda senoidal, cuadrada, triangular y otras.
Seleccione el tipo SINE.

Por ltimo se tiene LF OUT FREQUENCY, seleccinela e ingrese la frecuencia

deseada, ya sea en Hz o KHz. La mxima frecuencia para la onda senoidal es
50KHz.

4.2

Osciloscopio Agilent 54642A

Las funciones bsicas del osciloscopio para el anlisis de las seales moduladas son

las siguientes:

Para ver tanto la seal de alta frecuencia como la de baja frecuencia en la pantalla al
mismo tiempo, active los dos canales presionando los botones 1 y 2 en el panel
ANALOG.

Si desea cambiar la escala de tiempo de las seales, utilice la perilla del panel
HORIZONTAL, la cual va desde 1ns hasta 50s.

Se puede poner escala automtica a las seales por medio del botn AUTO-SCALE,
pero tambin se puede realizar de forma manual haciendo uso de la perilla en el
panel ANALOG, permitiendo una escala en el eje Y desde 2mV hasta 5V.

Una vez que se tiene la seal modulada, para ver su espectro de frecuencia presione
el botn MATH en el panel ANALOG, con el cual se despliega un submen en el
sector inferior de la pantalla, en el que debe activar la pestaa FFT.

87

Para centrar el espectro en la frecuencia deseada, seleccione la pestaa SETTINGS,

el canal que se va a analizar y por ltimo la pestaa CENTER. De igual forma, para
variar la escala del eje x, se selecciona la pestaa SPAN que se encuentra a la
izquierda de CENTER, la cual indica los Hz que hay de extremo a extremo de la
pantalla. Ambas funciones se gradan por medio de la perilla a la izquierda del
panel MEASURES.

Para hacer mediciones y obtener valores precisos de lo que se desee analizar, se

cuenta con el botn CURSORS dentro del panel MEASURE, el cual despliega un
submen en la parte inferior de la pantalla. En el mismo se puede seleccionar el
canal deseado y el eje que se quiera medir. Para mover los cursores se hace uso de
la perilla a la izquierda del panel MEASURE. Para mover el cursor 1 o el cursor 2
se debe seleccionar la pestaa X1/Y1 o X2/Y2 respectivamente dependiendo del eje
con el que se est trabajando.

Para mover ambos cursores al mismo tiempo,

seleccinese la pestaa X1X2 o Y1Y2.

Por ltimo si se necesita detener las seales en el tiempo, presione el botn

RUN/STOP.

88

4.3

Agilent Intuilink
Para la toma de capturas de las seales desplegadas en la pantalla del osciloscopio,

se deben seguir los siguientes pasos:

En Windows, entre al men de START, luego a PROGRAMS, seguido de

AGILENT INTUILINK, 54600 y finalmente al programa WORD 54600
TOOLBAR.

Con esto se habilita la barra del Agilent 54600 en Word, y para la toma de capturas
simplemente haga clic en el botn GET SCREEN IMAGE.

CAPTULO 5: Implementacin de los circuitos simulados

5.1

Implementacin del modulador DSB-FC por emisor

En el anexo C se puede ver el circuito modulador DSB-FC implementado en el

laboratorio de telecomunicaciones. Las capturas realizadas se muestran a continuacin.

La portadora empleada fue una seal senoidal de 112.5mVp-p (a pesar que en el
generador de seales se produjo una seal de 20mVp-p, el osciloscopio marc una amplitud
de 112.5mVp-p) y 300KHz, y la modulante una senoidal de 10Vp-p con una frecuencia de
20KHz. Tambin se aument el capacitor de emisor a 0.47uF para disminuir el ndice de
modulacin para efectos de compararlo posteriormente con uno de ndice mayor. En la
primer imagen se muestra la amplitud de la modulante y en la segunda la amplitud de la
portadora.

Figura 5.1 Amplitud pico a pico de la seal modulante.

89

90

Figura 5.2 Amplitud pico a pico de la seal portadora.

Como se hizo en la simulacin, primero se analiz el circuito sin la etapa

amplificadora, y se obtuvieron las siguientes seales:

Figura 5.3 Amplitud pico a pico de la seal modulada.

91

Figura 5.4 Diferencia de voltaje mximo y voltaje mnimo de la seal modulada.

Los valores obtenidos no son iguales a los simulados, debido a que en la prctica se
emple un amplificador uA741 para el filtro paso alto ya que se cuenta con pocos LF411 y
estos se emplearn ms adelante para generar la seal SSB.
El ndice de modulacin en este caso es:
m=

231.3 156.3
= 0.20
231.3 + 156.3

(5.1-1)

Este valor difiere del obtenido en la simulacin, pero se debe a la diferencia del
voltaje de la seal portadora empleado.
El espectro de frecuencia para esta seal es:

92

Figura 5.5 Frecuencia de las bandas laterales y portadora.

La parte inferior es el ruido producido. Obsrvese que la portadora se encuentra

efectivamente centrada en los 300KHz y las bandas laterales estn desplazadas los 20KHz
de la seal modulante tanto a la derecha como a la izquierda de la portadora, es decir se
encuentran en 280KHz y 320Khz.
En la siguiente captura se ve la amplitud de la portadora y bandas laterales:

Figura 5.6 Amplitud de las bandas laterales y portadora.

93
La amplitud obtenida por medio del osciloscopio est dada en decibelios, mientras
que la que se obtuvo por medio de la simulacin se haya en voltios. Para realizar la
conversin entre estas unidades, se va a emplear la referencia bibliogrfica [7].
La portadora tiene una amplitud de -16.25dBV, que es equivalente a 160mV(rms),
mientras que las bandas laterales tienen una amplitud de -32.5dBV que equivalen a
15.4mV(rms). Para obtener la magnitud terica de las bandas laterales se emplean la
ecuacin (2.3.3-17):
Eusf = Elsf =

(231.3m 156.3m)
= 18.75mV
4

(5.1-2)

Este valor difiere un poco del obtenido experimentalmente, pero la diferencia no es

significativa, el ruido puede alterar al igual que pequeos errores de medicin, adems se
puede observar en el osciloscopio que el espectro tiene sus pequeos movimientos y no es
esttico.
Posteriormente se agrega la etapa amplificadora que se puede ver en el anexo C. La
seal amplificada obtenida se muestra en las siguientes figuras:

Figura 5.7 Amplitud pico a pico de la seal modulada amplificada.

94

Figura 5.8 Diferencia de voltaje mximo y voltaje mnimo de la seal modulada

amplificada.

La seal modulada aument de casi 600mVp-p hasta 4.25Vp-p, un nivel

suficientemente bueno para la posterior aplicacin del detector de envolvente, aunque la
amplificacin es mucho mejor si se utiliza un LF411 para el filtro paso alto como se
demostr en la simulacin. Para el amplificador se emple un trimmer, con lo que es
sencillo variar el nivel de amplificacin que se desee.
El espectro de frecuencia para la seal AM amplificada es el siguiente:

Figura 5.9 Amplitud de las bandas laterales y portadora de la seal AM amplificada.

95
La amplitud de la portadora aument hasta 1.2V y las bandas laterales hasta 120mV.
Finalmente se analiz el efecto de cambiar el ndice de modulacin, como se
muestra en las figuras que siguen. Para aumentar m se disminuy el capacitor de emisor
a 0.2uF y el voltaje DC se disminuy a 4Vdc.

Figura 5.10 Amplitud pico a pico de la seal modulada con m = 0.70.

Figura 5.11 Diferencia de voltaje mximo y voltaje mnimo de la seal modulada con
m = 0.70.

96
El espectro de frecuencia para esta seal es:

Figura 5.12 Espectro de frecuencia para m = 0.70.

Ntese cmo las bandas laterales ahora presentan una mayor amplitud con respecto
a la portadora, llegando a ser casi la mitad de sta. Debe recordarse que las bandas laterales
no pueden sobrepasar la mitad de la amplitud de la portadora, stas slo pueden llegar a ser
la mitad de la portadora en el caso en que el ndice de modulacin sea 1. En este ejemplo la
portadora tiene una magnitud de 255mV mientras que la de las bandas es de 75mV.

5.2

Implementacin del detector de envolvente

En el anexo C se puede ver el detector de envolvente implementado en el

laboratorio de telecomunicaciones. El diseo se realiz para la seal de la figura 5.7, donde

para un valor de capacitancia de 1nF, se obtuvieron los siguientes resultados:
R1 =

4.9
4.9
=
2 f c (max) 1n 2 300k 1n
R1 = 2579

(5.2-1)

(5.2-2)

97
4.9
4.9
< R2 <
2 300k 1n
2 20k 1n
2.6k < R 2 < 39k

(5.2-3)
(5.2-4)

Los valores comerciales con que se cuentan hacen que el rango vaya de 2.7k hasta
39k.
El diodo que se emple es de germanio, para que la cada de voltaje sea de 0.3V,
aunque en este caso perfectamente se puede utilizar uno de silicio ya que el voltaje mximo
de la seal modulada amplificada es de 2V y el voltaje mnimo es de 1.3V, lo que permite
la cada de 0.7V de este diodo.
Inicialmente se emple una R2 de 2.7k para ver el desempeo del detector, el cual
se puede ver en la siguiente figura.

Figura 5.13 Seal demodulada con R2 = 2.7k.

98
La seal obtenida presenta distorsin del rectificador, por lo que se debe
incrementar el valor de R2 para obtener un mejor resultado.
Empleando ahora una R2 de 15k, la seal demodulada es:

Figura 5.14 Seal demodulada con R2 = 15k.

Ntese como la seal demodulada comienza a tener un menor rizado y su forma se

asemeja ms a la seal original.
Aumentando an ms R2 la seal obtenida es:

99

Figura 5.15 Seal demodulada con R2 = 27k.

Figura 5.16 Seal demodulada con R2 = 39k.

100

Figura 5.17 Vista amplificada de la seal demodulada con R2 = 39k.

Figura 5.18 Vista comparativa entre la seal modulante original y la seal

demodulada con R2 = 39k.

101
La seal resultante presenta un equilibrio en el producto C1R2 puesto que no
presenta un efecto de distorsin del rectificador pronunciado ni un recorte diagonal, por lo
que la seal demodulada se asemeja suficiente a la seal modulante original, aunque la
demodulacin no puede ser perfecta debido al pequeo rizado que se produce por la
deteccin de picos del diodo.
Llevando R2 hasta un valor de 80k, la seal demodulada resultante no presenta un
cambio notable con respecto al caso anterior.

Figura 5.19 Seal demodulada con R2 = 80k.

Finalmente si se desea obtener la seal modulante invertida, simplemente se invierte

la direccin del diodo en el demodulador.

102

Figura 5.20 Seal demodulada invertida con R2 = 39k.

5.3

Implementacin del modulador SSB-FC

Para el modulador SSB-FC se dise un filtro paso alto de orden 8 para tener una

mejor pendiente de corte, y se utiliz una frecuencia de corte de 500KHz. Con dicha
frecuencia de corte, el filtro atena casi por completo las frecuencias menores a 300KHz,
como se vio en la seccin de simulacin.
Para disear el filtro de orden 8, se colocan 4 filtros en serie como el mostrado en la
figura 5.21, se escoge un valor de capacitor fijo y se utiliza la tabla del anexo B para n = 8.
As el filtro queda de la siguiente forma:

103

R1
312

324.5

1n

176.8
B2

1n
OUT
R4

B1

5
C

6
1

U51
3

1n

R7
B2

1n
OUT

382.9 LF411

LF411

B1

62 C

6
1

1n

B2

1n
OUT
R8

1632

LF411

572.8

U52
3

R6

R2

V+

LF411

B1

U50

V-

V+

V-

OUT

R5

264.8

V+

B2

1n

1n

V-

R3

U49

V+

V-

Figura 5.21 Filtro paso alto de orden 8.

El filtro implementado se puede ver en el anexo C. Se va a analizar el desempeo

del filtro para diferentes casos. Primeramente se aument la frecuencia modulante a 50Khz
para obtener un mejor efecto del filtro y la capacitancia de emisor se disminuy a 200uF.
La seal AM resultante se muestra a continuacin:

Figura 5.22 Amplitud pico a pico de la seal AM con frecuencia modulante de 50KHz.

B1

5
6
1

104

Figura 5.23 Voltaje mximo y mnimo de la seal AM con frecuencia modulante de

50KHz.

El ndice de modulacin es de:

m=

2.375 1.5
= 0.226
2.375 + 1.5

Una vez filtrada esta seal, la salida obtenida es:

Figura 5.24 Seal AM filtrada con m = 0.226.

(5.3-1)

105
La seal se atenu casi un 90% y su espectro de frecuencia es:

Figura 5.25 Espectro AM SSB con portadora y banda lateral superior.

Figura 5.26 Magnitud de la portadora y banda lateral superior de la seal AM SSB.

106
Se puede ver que la seal filtrada corresponde a una seal AM SSB con portadora,
aunque sta se atenu un poco.
Para lograr una mayor atenuacin de la portadora y ahorrar energa de transmisin,
se puede aumentar el ndice de modulacin, puesto que las bandas laterales aumentan su
amplitud, entonces la portadora presentar una amplitud menor a stas, como se muestra en
las siguientes capturas.
Para aumentar el ndice de modulacin se disminuye la capacitancia de emisor a
100nF.

Figura 5.27 Amplitud pico a pico de la seal AM con m = 0.44.

107

Figura 5.28 Voltaje mximo y mnimo de la seal AM con m = 0.44.

El ndice de modulacin es de:

m=

2.563 1
= 0.44
2.563 + 1

La seal AM filtrada para este caso se ve como sigue:

Figura 5.29 Seal AM filtrada con m = 0.44.

(5.3-2)

108
Y su espectro de frecuencia es:

Figura 5.30 Magnitud de la portadora y banda lateral superior de la seal AM SSB

con m = 0.44.

Se puede ver que la magnitud de la portadora en este caso es menor a la banda

lateral, pero la atenuacin tampoco es suficiente para lograr eliminarla. La frecuencia
portadora se podra desplazar a la izquierda, es decir disminuirla, con lo que sta
comenzara a atenuarse cada vez ms por el efecto del filtro, pero a su vez la banda lateral
superior sufrira el mismo efecto, y por ser ambas de tan pequea magnitud, llegaran a
eliminarse las dos.

109

5.4

Implementacin del modulador DSB-FC por colector

Las capturas y datos obtenidos se muestran a continuacin.
La portadora empleada fue una seal senoidal de 2.8Vp-p y 35KHz, y la modulante

una senoidal de 10Vp-p con una frecuencia de 1KHz.

Figura 5.31 Amplitud pico a pico de la seal portadora.

110

Figura 5.32 Amplitud pico a pico de la seal modulante.

El voltaje de colector sin introducir la seal modulante en el circuito es, como se vio
en la figura 2.19:

Figura 5.33 Voltaje de colector sin seal modulante.

111
Una vez que se introduce la seal modulante, la seal de salida del colector es:

Figura 5.34 Seal de salida del colector.

La amplitud pico a pico de la seal es efectivamente 10V, y aumentando el intervalo

de tiempo la seal se ve de la siguiente forma:

Figura 5.35 Seal de salida del colector en un intervalo mayor de tiempo.

112
El espectro de frecuencia para esta seal es:

Figura 5.36 Espectro de frecuencia de la seal de salida del colector.

Ntese que la portadora y bandas laterales se hayan en las frecuencias correctas,

pero todas las dems imgenes se deben filtrar por medio de un filtro pasa banda. El filtro
implementado est compuesto de un filtro paso bajo pasivo de orden 3, con capacitores de
1nF y resistencias de 6.8k, y un filtro paso alto pasivo de orden 2, con capacitores de 1nF
y resistencias de 10k. El orden del filtro paso alto es menor ya que debe atenuar menor
frecuencias que el paso bajo.
Una vez filtrada la seal, la banda de frecuencias que deja pasar el filtro forman la
seal AM que se muestra en las siguientes figuras:

113

Figura 5.37 Amplitud pico a pico de la seal AM a la salida del filtro pasa banda.

Figura 5.38 Voltaje mximo y mnimo de la seal AM a la salida del filtro pasa banda.

Por tratarse de un filtro pasivo, la atenuacin de la seal es alta, siendo su amplitud

pico a pico de apenas 290.6mV. Por otro lado la seal AM no presenta una forma perfecta

114
y se haya un poco desplazada con respecto al eje x, debido a que el filtrado no es perfecto
como se ver ms adelante.
Si se corrige el pequeo corrimiento DC de la seal, el ndice de modulacin es
prcticamente uno.
El espectro de frecuencia obtenido para la seal filtrada es:

Figura 5.39 Espectro de frecuencia de la seal AM a la salida del filtro.

Se puede ver que no todas las frecuencias se eliminaron, pero sus amplitudes estn
por debajo de los 6.27mV, lo que las hace prcticamente despreciables.

115

Figura 5.40 Frecuencia de la portadora y bandas laterales.

Figura 5.41 Amplitud de la portadora y bandas laterales.

La amplitud de la portadora es de 50.5mV y la de las bandas laterales de 25.5mV, lo

que confirma que el ndice de modulacin es 1.

CAPTULO 6: Prcticas de Laboratorio

En este captulo se muestran las prcticas sobre modulacin y demodulacin
analgica AM por medio de las cuales el estudiante pueda tener el conocimiento bsico
sobre el tema y que pueda hacer uso del equipo disponible de telecomunicaciones presente
en la escuela de Ingeniera Elctrica.

Las prcticas estn compuestas de un ttulo, objetivo general, objetivos especficos,

equipo a utilizar, duracin de la prctica, un trabajo previo, el diseo del circuito que se
implementar, la simulacin del mismo por medio del programa Pspice, implementacin
del circuito y por ltimo la parte experimental por medio del equipo de laboratorio.

La parte de simulacin e implementacin se llevarn a cabo en el laboratorio, puesto

que la cantidad de algunos componentes en la bodega es reducida, se pueden turnar los
equipos de trabajo entre parte de simulacin y parte experimental.

Las prcticas se basan en los diseos, simulaciones y parte experimental realizada

en los captulos 3 y 5, donde se analizaron los resultados obtenidos.

116

117

PRCTICA #1 MODULACIN AM DSB-FC

Objetivo General:
 Estudiar el concepto de amplitud modulada y disear un circuito modulador AM
DSB-FC.

Objetivos Especficos:
 Estudiar los conceptos bsicos de la modulacin.
 Analizar las ventajas que presenta la modulacin para la transmisin de seales.
 Conocer las desventajas que presenta la modulacin DSB-FC en trminos de
potencia.

 Analizar el espectro de frecuencia de una seal AM DSB-FC.

 Analizar los efectos de la variacin del ndice de modulacin sobre el espectro de
frecuencia.

Equipo:


Generador de seales Agilent E4433B

Osciloscopio Agilent 5464A

Protoboard

Fuente DC

8 cables

2 puntas 1X

Programa Pspice

118

Duracin: 3 sesiones

Trabajo previo:
1. Investigue los conceptos de Banda Base, Ancho de Banda de la Seal, Espectro de
una seal y banda de paso del canal.
2. Comente al menos 4 ventajas de la modulacin para la transmisin de seales.
3. Qu se conoce como seal portadora, seal modulante, envolvente y bandas
laterales?
4. Cules son los tipos principales de modulacin AM analgica?

Explique

brevemente la modulacin DSB-FC.

5. Dibuje el espectro de frecuencia de una seal AM DSB-FC con frecuencia portadora
de 300KHz y frecuencia modulante de 20KHz. Investigue la forma terica de
obtener la magnitud de las bandas laterales.
6. Qu inconveniente presenta dicho espectro en trminos de potencia?
7. Investigue los conceptos de ndice de modulacin, porcentaje de modulacin y
sobremodulacin.
8. Qu efecto tiene el cambio del ndice de modulacin sobre el espectro de
frecuencia de una seal AM DSB-FC?
9. Investigue la configuracin bsica de un transistor polarizado en clase A y cmo se
centra su punto Q (el colector cuenta con una resistencia en lugar de un circuito
resonante LC).

119

Diseo:
Se disear un modulador AM DSB-FC como el que se muestra en la figura 6.1.

10Vdc

Vcc

R2

Rc

R5
C

C1

0.01u

V+

30k

Q1

Vc

R6

B1

5
6

Vo

LF411
4

Q2N2222

V-

OUT
2

VOFF = 0
VAMPL = 20m
FREQ = 300k

B2

R1

Re

V2

Ca
1u

8k

10Vdc

Vm
VOFF = 0
VAMPL = 10
FREQ = 20k

V+

U46
3

Vi

Figura 6.1 Circuito AM DSB-FC.

B2

V-

OUT
B1

5
6

Vo

LF411
R1

R2

Figura 6.2 Amplificador no inversor.

Para los valores ya definidos, obtenga R1 y R2 necesarios para que el transistor

tenga su punto Q centrado. Adems disee el filtro paso alto activo a la salida del colector
de forma que elimine las frecuencias bajas no deseadas y que la seal AM resultante se
atene lo menos posible.

120
Por ltimo disee un amplificador no inversor como el de la figura 6.2 de forma que
la envolvente de la seal AM presente una amplitud mnima no menor a 1V.

Simulacin:
Utilizando el programa Pspice, simule el circuito diseado y obtenga los siguientes
datos y capturas:
Tanto para la seal AM DSB-FC sin amplificar como amplificada: amplitud pico a
pico, voltaje mximo y voltaje mnimo de la envolvente, ndice de modulacin, espectro de
frecuencia y amplitud de la portadora y bandas laterales.

Parte experimental:
Implemente el circuito diseado AM DSB-FC. Para generar la seal portadora y
seal modulante, utilice las salidas RF y LF respectivamente del generador de seales. Para
las mediciones y capturas utilice el osciloscopio.
Realice el siguiente procedimiento (para todos los puntos tome las capturas
necesarias):
1. Mida la amplitud pico a pico y frecuencia tanto de la seal portadora como de la
seal modulante.
Para la seal AM sin amplificar:
2. Mida la amplitud pico a pico y la diferencia de voltaje mximo y mnimo de la seal
modulada.
3. Obtenga el ndice de modulacin de la seal AM.

121
4. Obtenga el espectro de frecuencia de la seal AM, con las frecuencias de la
portadora y bandas laterales, as como sus amplitudes.
5. Obtenga la magnitud terica de las bandas laterales y comprela con la obtenida
experimentalmente. Compruebe que la diferencia sea poca.
6. Agregue ahora la etapa de amplificacin. Para la seal AM amplificada repita los
pasos del 2 al 5.
7. Aumente ahora el ndice de modulacin, para esto disminuya el valor del capacitor
de emisor y el voltaje DC.
8. Repita los paso del 2 al 5. Note los efectos que tiene el cambio en el ndice de
modulacin sobre el espectro de frecuencia.

122

PRCTICA #2 DEMODULACIN AM DSB-FC

Objetivo General:
 Implementar un circuito que demodule seales AM DSB-FC.

Objetivos Especficos:
 Estudiar los conceptos bsicos de la demodulacin.
 Conocer los distintos tipos de demoduladores que se pueden disear dependiendo
del tipo de demodulador con que se cuente.

 Estudiar los conceptos bsicos y funcionamiento de un detector de envolvente.

 Aprender a disear un detector de envolvente dependiendo de las caractersticas de
la seal AM DSB-FC.

Equipo:


Generador de seales Agilent E4433B

Osciloscopio Agilent 5464A

Protoboard

Fuente DC

8 cables

2 puntas 1X

Programa Pspice

123

Duracin: 1 sesin

Trabajo previo:
1. Investigue los tipos de demoduladores que se pueden implementar para las seales
DSB-FC.
2. Explique qu es un demodulador de envolvente y cmo se obtienen sus parmetros
a partir del ndice de modulacin de la seal AM.
3. Qu se conoce como distorsin del rectificador y recortador diagonal en un
detector de envolvente? Cmo se pueden evitar esos efectos?
4. Qu efecto tiene el invertir de posicin el diodo del detector de envolvente sobre la
seal demodulada?
5. Qu ventaja presenta el uso de un diodo de germanio sobre uno de silicio cuando
se tiene una seal AM de poca amplitud?

Diseo:
Se disear un demodulador AM DSB-FC como el que se muestra en la figura 6.3.
R1

Vi

Vo

C1

R2

Figura 6.3 Detector de envolvente.

124
La resistencia R1 es opcional, si lo desea puede realizar el diseo sin ella. Para la
seal AM DSB-FC amplificada conseguida en el experimento anterior, obtenga los valores
necesarios del detector de envolvente para demodularla.

Simulacin:
Utilizando el programa Pspice, agregue el detector de envolvente diseado a la
salida del modulador AM DSB-FC. Obtenga las siguientes capturas por medio de la
simulacin:
1. La seal demodulada utilizando el valor mnimo de R2, as como para un valor
medio y el valor mximo de sta.
2. Invierta la posicin del diodo para alguna de las seales anteriores y obtenga la
captura correspondiente.

Parte experimental:
Implemente el demodulador diseado y agrguelo a la salida del circuito AM DSBFC. Realice el siguiente procedimiento (para todos los puntos tome las capturas necesarias):
1. Obtenga las seales demoduladas para los tres valores de R2 empleados en la parte
de simulacin.
2. Para el valor mximo de R2, realice una comparacin entre la seal demodulada y la
seal modulante original.

Tenga en cuenta que la seal demodulada no debe

presentar el efecto de recortador diagonal.

3. Invierta la posicin del diodo y tome la captura correspondiente de la seal
demodulada.

125

PRCTICA #3 MODULACIN AM SSB-FC

Objetivo General:
 Disear un circuito modulador AM SSB-FC.

Objetivos Especficos:
 Conocer la importancia del ahorro de potencia en la modulacin.
 Aprender la importancia de los filtros para le generacin de distintos tipos de
modulacin analgica AM.

 Conocer la diferencia a la hora de demodular una seal SSB-FC con respecto a una
seal DSB-FC

Equipo:


Generador de seales Agilent E4433B

Osciloscopio Agilent 5464A

Protoboard

Fuente DC

8 cables

2 puntas 1X

Programa Pspice

Duracin: 1 sesin

126

Trabajo previo:
1. Cmo se genera una seal AM SSB-FC a partir de una DSB-FC?
2. Qu ventaja presenta la modulacin SSB-FC con respecto a la modulacin DSBFC?
3. Dibuje los dos espectros de frecuencia posibles de una seal AM SSB-FC con
frecuencia portadora de 300KHz y frecuencia modulante de 50KHz.
4. Qu procedimiento se debe realizar para la demodulacin de una seal SSB-FC?

Diseo:
Disee un filtro paso alto activo que permita el paso de la frecuencia portadora y de
la banda lateral superior. Este filtro se colocar a la salida del circuito AM DSB-FC
implementado en el primer experimento. Escoja el orden del filtro que mejor le parezca.
Para el filtro emplee amplificadores LF411.

Simulacin:
Utilizando el programa Pspice, simule el circuito diseado y obtenga los siguientes
datos y capturas (vare la frecuencia modulante a 50KHz para un mejor efecto del filtro):
1. Realice un barrido de frecuencia del filtro paso alto.
2. Obtenga la seal SSB-FC en el tiempo.
3. Obtenga el espectro de frecuencia de la seal anterior.

127

Parte experimental:
Implemente el circuito diseado AM SSB-FC. Realice el siguiente procedimiento
(para todos los puntos tome las capturas necesarias):
1. Mida la amplitud pico a pico de la seal modulada sin filtrar y la diferencia de
voltaje mximo y mnimo de la misma.

Si la seal presenta un ndice de

modulacin muy pequeo, disminuya el valor del capacitor de emisor.

2. Obtenga el ndice de modulacin.
3. Obtenga la amplitud pico a pico ahora de la seal SSB-FC. Observe la diferencia
entre esta seal y la seal DSB-FC.
4. Obtenga el espectro de frecuencia de la seal SSB-FC, con las frecuencias de la
portadora y bandas laterales, as como sus amplitudes.
5. Aumente ahora el ndice de modulacin.
6. Repita los pasos del 1 al 5.
7. Analice el efecto sobre el espectro de frecuencia de una seal SSB-FC al aumentar
el ndice de modulacin.

128

PRCTICA #4 MODULADOR AM DSB-FC POR

COLECTOR

Objetivo General:
 Disear un circuito modulador AM DSB-FC por colector.

Objetivos Especficos:
 Aprender una segunda forma de obtener una seal DSB-FC por medio de un
modulador con transistor.

 Conocer las ventajas de un modulador por colector sobre un modulador por emisor.
 Disear e implementar un filtro pasa banda para la obtencin de una seal DSB-FC
a partir de un modulador por muestreo.

 Conocer el efecto de la sobremodulacin en una seal AM.

Equipo:


Generador de seales Agilent E4433B

Generador de seales con funcin de offset

Osciloscopio Agilent 5464A

Protoboard

2 puntas 1X

Programa Pspice

129

Duracin: 2 sesiones

Trabajo previo:
Para el circuito de la figura 6.4 investigue:
1. Cul es la funcin del paralelo RC en la base del transistor?
2. Cul es la forma de onda de salida del transistor (colector)?
3. Cmo se vera el espectro de frecuencia de esta seal? No emplee valores
exactos.
4. Qu se puede colocar a la salida del transistor para obtener una seal AM
DSB-FC?

Diseo:
Se disear un modulador AM DSB-FC como el que se muestra en la figura 6.4.

Vm

FREQ = 1k
VAMPL = 5
VOFF = 5
R2

Vo
Q1

Q2N2222
Vc
VOFF = 0
VAMPL = 1.4
FREQ = 35k

R1

C1

Figura 6.4 Circuito AM DSB-FC por colector.

130
Para los valores ya definidos, escoja los valores de R1 y C1 as como R2. Adems
disee un filtro pasa banda a la salida del colector de forma que elimine las frecuencias no
deseadas y que permita nicamente el paso de la banda de frecuencias que generen la seal
AM DSB-FC que se desea.

Simulacin:
Utilizando el programa Pspice, simule el circuito diseado y obtenga los siguientes
datos y capturas:
1. Seal portadora y seal modulante.
2. Forma de onda de la corriente del colector.
3. Seal de salida del transistor y su amplitud.
4. Espectro de frecuencia de esta seal.
5. Seal AM DSB-FC a la salida del filtro pasa banda, as como su amplitud pico a
pico, voltaje mximo y voltaje mnimo de la envolvente.
6. ndice de modulacin.
7. Espectro de frecuencia de esta seal, con las amplitudes de la portadora y bandas
laterales.
8. Proceda ahora a aumentar el nivel offset de la seal modulante a 10V.
9. Repita los pasos del 5 al 7.
10. Disminuya ahora el nivel offset a 2.5.
11. Repita los pasos 5 y 7.

131

Parte experimental:
Implemente el circuito diseado AM DSB-FC por colector.

Realice los pasos

llevados a cabo en la simulacin y compare los resultados obtenidos experimentalmente.

Realice una comparacin entre este tipo de modulador y el implementado en la
primer prctica. Qu ventajas o desventajas presenta uno con respecto al otro?

CAPTULO 7: Conclusiones y Recomendaciones

7.1

Conclusiones
El uso del equipo del laboratorio de telecomunicaciones es sencillo y presenta todas
las funciones necesarias para el anlisis de circuitos analgicos AM tanto en el
dominio del tiempo como en el dominio de la frecuencia, pero tambin se cuenta
con los manuales del fabricante para que el estudiante los consulte y le pueda dar un
mejor uso a todas las funciones que ofrece dicho equipo.

Los circuitos estudiados, diseados e implementados son una base para la

modulacin y demodulacin analgica AM, pero no son los nicos y existen
diversos tipos diferentes, todos con sus caractersticas propias y facilidades sobre
los dems.

Si bien se llevaron a cabo los objetivos de implementar tanto un circuito modulador

como uno demodulador analgico AM, hubiera sido interesante implementar un
demodulador ms como por ejemplo el demodulador SSB, pero por la complejidad
de ste y escases de elementos en la bodega no se pudo realizar.
La primer prctica es la ms extensa ya que se estudian los conceptos bsicos sobre
modulacin analgica AM y se realiza el diseo e implementacin del circuito
modulador DSB-FC que ser la base para las siguiente dos prcticas.
En la segunda prctica se introduce la teora de la demodulacin y el detector de
envolvente, que es un circuito sencillo de implementar pero tiene el inconveniente
que slo funciona para seales DSB-FC.

132

133
En la tercer prctica se introduce el estudio de los filtros para generar otros tipos de
moduladores en amplitud y as ahorrar potencia a la hora de transmitir, suprimiendo
una banda lateral y atenuando en cierta medida la portadora.
En la cuarta prctica se introduce un tipo diferente de modulador basado igualmente
en un transistor, pero en este caso la seal modulante presenta un offset que se
puede variar fcilmente el cual a su vez vara el ndice de modulacin, algo que no
era tan sencillo en el primer modulador.
Mientras que la portadora se pueda generar en el demodulador, es recomendable
suprimirla en el modulador para as no desperdiciar energa a la hora de ser
transmitida la seal AM, puesto que la informacin slo se haya contenida en las
bandas laterales.
El empleo de trimmers facilita el anlisis de los circuitos debido a que evitan estar
cambiando resistencias para modificar algunos parmetros en la seal modulada
AM, como por ejemplo en el amplificador no inversor, cuya amplificacin se puede
graduar fcilmente con el uso de un trimmer.

134

7.2

Recomendaciones

El empleo de filtros es necesario en el proceso de modulacin y por lo general

deben ser de un orden alto, por lo tanto se requiere una cantidad considerable de
amplificadores operacionales, entre ellos el LF411, pero es un componente del cual
hay muy poca cantidad en la bodega de la escuela, por lo que sera recomendable
aumentar la cantidad de stos.
Para la simulacin de los circuitos se requiere el programa Pspice, pero ste no se
haya en las computadoras del laboratorio de telecomunicaciones, por lo que es
recomendable que se instale la versin completa ya que los circuitos son grandes, y
con la versin de prueba se tendr el problema de exceder el lmite de nodos.

BIBLIOGRAFA

1. Black, Harold. Modulation Theory, SE, D.Van Nostrand Company, Inc.,

Estados Unidos, 1966.

2. Quirs Caldern, Carlos. Sistema de Transmisin AM-FM, Trabajo Final de

Graduacin. Escuela de Ingeniera Elctrica, Universidad de Costa Rica. 1989.

3. Granados Aguilar, Jimmy. Prcticas de Modulacin para Ingenieros, Trabajo

Final de Graduacin. Escuela de Ingeniera Elctrica, Universidad de Costa Rica.
1987.

4. Proakis, John G. Communication Systems Engineering, 2 Edicin, PrenticeHall Internacional, Estados Unidos, 1966.

5. Vzquez Muoz, K. Modulador en amplitud de seales analgicas mediante el

procesador

TMS320C50,

catarina.udlap.mx/u_dl_a/tales/documentos/lem/

vazquez_m_k/capitulo2.pdf

6. Cocco,

J.C.

Amplitud

Modulada

Principios

http://www.monografias.com/trabajos10/modul/modul.shtml

135

Bsicos,

136
7. Conversor

de

decibelios

voltios

viceversa,

http://www.sengpielaudio.com/calculator-db-volt.htm

8. Santa Cruz, O. Transmisores de Radio Amplificadores de potencia,

http://www.profesores.frc.utn.edu.ar/electronica/ElectronicaAplicadaIII/Aplicada/C
ap10Transmisores.pdf

9. Santa

Cruz,

O.

Transmisin

de

Modulacin

de

Amplitud,

www.profesores.frc.utn.edu.ar/electronica/ElectronicaAplicadaIII/Aplicada/Cap03

ModulacionAM1.pdf

10. Martn

Fernndez,

M.

Modulacin

en

Amplitud,

lmi.bwh.harvard.edu/papers/pdfs/2002/martin-fernandezCOURSE02.pdf

ANEXOS
Anexo A: Amplificadores clase A y C.
Amplificadores clase A:
En la figura A.1 se muestra el esquema de un amplificador clase A simple.

Figura A.1 Amplificador clase A.

La seal portadora se acopla a la entrada por medio de un capacitor. La

polarizacin se lleva a cabo mediante las resistencias R1, R2 y R3. El colector se sintoniza
con un circuito resonante LC a la frecuencia de operacin. Este circuito o el filtro
correspondiente no es una parte fundamental en el amplificador, pero debido a que ningn
dispositivo es perfectamente lineal, a veces se incluyen para evitar que las corrientes
armnicas alcancen la carga.
Los amplificadores de potencia clase A se usan por lo general en aplicaciones de
bajo nivel y la potencia consumida por stos es una pequea parte de la potencia de entrada
total.
137

138

Amplificadores clase C:
El amplificador clase C se utiliza para amplificacin de potencia como por ejemplo
en excitadores, multiplicadores de frecuencia y amplificadores finales. Este tipo de
amplificador se polariza de forma tal que conduce menos de 180 la seal de entrada, su
ngulo de conduccin suele hallarse entre los 90 y 150, lo que significa que la corriente
circula en impulsos cortos. Por esta razn se requiere de un circuito sintonizado resonante
para lograr la amplificacin completa de la seal.
Una forma sencilla de polarizar es como se muestra en la figura A.2.

Figura A.2 Polarizacin de un amplificador clase C.

Cuando la unin base-emisor conduce en el semiciclo positivo, el capacitor se

comenzar a cargar hasta el pico de voltaje aplicado menos la cada de potencial de la
unin. Por el contrario, en el semiciclo negativo la unin tendr polarizacin inversa por lo
que el transistor no conducir, descargndose el capacitor por medio de la resistencia. Con
esto se produce un voltaje negativo en R1 polarizando inversamente al transistor.
Todos lo amplificadores clase C tiene conectado al colector un circuito sintonizado
como se muestra en la figura A.3.

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Figura A.3 Amplificador clase C con polarizacin y circuito sintonizado.

El objetivo de este circuito sintonizado es formar la onda senoidal de salida AC
completa.

Anexo B:
Tabla B.1 Valores de resistencias y capacitores para el diseo de filtros activos.

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Anexo C: Fotos del equipo de laboratorio y circuito.

Figura C.1 Multmetro, Generador de Seales y Fuente DC.

Figura C.2 Generador de Seales Agilent E4433B.

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Figura C.3 Circuito Modulador AM DSB-FC y SSB-FC.

Figura C.4 Osciloscopio Agilent 5464A.

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Figura C.5 Equipo de trabajo del laboratorio de telecomunicaciones.