Diapositiva 1

PRINCIPIOS DE LA ENERGA FOTOVOLTAICA

Tecnologa fotovoltaica
Proceso de fabricacin de clulas y paneles FVs

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Diapositiva 2
PRINCIPIOS DE LA ENERGA FOTOVOLTAICA

Tecnologa fotovoltaica
Proceso de fabricacin de clulas y paneles FVs
C

Tratamiento de
arenas de cuarzo

II

Cristalizacin y
laminacin del Si

III

Transformacin de
obleas en clulas

30%

IV

Interconexin y
encapsulado en mdulos

30%

F
A

40%

O
S
T
E
S

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Diapositiva 3
PRINCIPIOS DE LA ENERGA FOTOVOLTAICA

Tecnologa fotovoltaica
Eficiencia de conversin VS Proceso de fabricacin
COSTES
COSTES

Eficiencia
Eficienciade
deconversin
conversin

Coste
= Optimo

Proceso
Procesode
defabricacin
fabricacin

Pureza
Pureza yy grado
grado de
de
critalinidad
critalinidad
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Diapositiva 4
PRINCIPIOS DE LA ENERGA FOTOVOLTAICA

Tecnologa fotovoltaica
Evaluacin de costes de fabricacin

Tdevolucin =

Energa
Energaprimaria
primariagastada
gastada
en
fabricacin
en fabricacin

Tiempo
Tiempo

E primaria
E generada/ ao

= n aos

Energa
Energaproducida
producidapor
por
los
paneles
los paneles

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Diapositiva 5
PRINCIPIOS DE LA ENERGA FOTOVOLTAICA

Tecnologa fotovoltaica
Fase I: obtencin del silicio
Horno
Hornode
dearco
arco
elctrico
elctrico

Silicio
Silicio

SiO
SiO2+C(coque)
2+C(coque)
Reduccin
Reduccin

Grado
Grado
metalrgico
metalrgico

Impurezas
Impurezasintolerables:
intolerables:
Ti,
Ti,Zr,
Zr,V,V,Na.
Na.

Grado
Grado
semiconductor
semiconductor
a
ppmma
p
2 p
00, , 2
11p
ppm
maa

Grado
Grado
solar
solar

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Diapositiva 6
PRINCIPIOS DE LA ENERGA FOTOVOLTAICA

Tecnologa fotovoltaica
Fase II: cristalizacin y laminacin del silicio
Cristalizacin
Cristalizacin

Si-monocristalino
SiSi-monocristalino
Crecimiento lento

Lingotes
Lingotes

Silicio fundido a
1.400C con
impurezas tipo-p
(boro)

Procedimiento
Procedimientode
de
crecimiento
crecimientode
de
cristales
cristales
(semillas)
(semillas
semillas))

Si-multicristalino
Si-multicristalino
Crecimiento rpido

Lminas
Lminas

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Diapositiva 7
PRINCIPIOS DE LA ENERGA FOTOVOLTAICA

Tecnologa fotovoltaica
Fase II: Esquema de crecimiento de cristales (semillas).

Frontera
de grano

Desplazamiento
Semilla
(monocristal de Si)

Estructura
multicristalina

Estructura
monocristalina
Silicio
fundido

Multicritalina

Clulas solares

Monocritalina

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Diapositiva 8
PRINCIPIOS DE LA ENERGA FOTOVOLTAICA

Tecnologa fotovoltaica
Fase II: Tiempo de vida media de portadores VS
Productividad

Calidad
Calidad

Tiempo
Tiempode
devida
vidamedia
media
de
portadores
minoritarios
de portadores minoritarios

Alto

Maximizar

Bajo

Lingotes
Lingotes

Productividad
Productividad
YY
Baja Y

Alta Y

Lminas
Lminas

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Diapositiva 9
PRINCIPIOS DE LA ENERGA FOTOVOLTAICA

Tecnologa fotovoltaica
Fase II: Procedimientos para crecer silicio

Colada
Colada
(Cast)
(Cast)

Silso (WACKER)
Silso (WACKER)
Semix (SOLAREX)
Semix (SOLAREX)
Polix (PHOTOWAT)
Polix (PHOTOWAT)
Bridgeman (ITALSOLAR,
Bridgeman (ITALSOLAR,
CRYSTALOX)
CRYSTALOX)
H.E.M. (Heat-Exchanger
H.E.M. (Heat-Exchanger
Method ) ( CRYSTAL SIEMENS)
Method ) ( CRYSTAL SIEMENS)

PROCEDIMIENTO
PROCEDIMIENTO
PARA
PARACRECER
CRECER
CRISTALES
CRISTALES

SILICIO
SILICIO
MONOCRISTALINO
MONOCRISTALINO

SILICIO
SILICIO
MULTICRISTALINO
MULTICRISTALINO

Zona
Zona
flotante
flotante

Mtodo
Mtodo
Czochralski
Czochralski
Czochralski

E.F.G. (Edge-defined Film-fed Growth) MOBIL

E.F.G.
E.F.G. ( Edge
Edge-- defined Film
Film-fed
fed Growth
Growth)) MOBIL

Lminas
Lminas
yy
pelculas
pelculas

horizontal (RAFT) WACKER

Cinta sobre soporte Estirado
Cinta
Cinta sobre
sobre soporte
soporte Estirado horizontal (RAFT) WACKER
Estirado vertical (HSW) SIEMENS
Estirado vertical (HSW) SIEMENS
Pelcula de Si por epitaxia en fase lquida
Pelcula
Pelcula de
de Si
Si por
por epitaxia en fase lquida
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Diapositiva 10
PRINCIPIOS DE LA ENERGA FOTOVOLTAICA

Tecnologa fotovoltaica
Mtodo de Zona Flotante (Si-ZF)
n

Si-monocristalino
w Gran CALIDAD ( 1ms)

n
n

Segregacin de impurezas
Velocidad de crecimiento: 0,3-0,5
cm/min
Tamao de lingote: 12,5 cm x100
cm longitud
Clulas de alta eficiencia (23,3%)

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Diapositiva 11
PRINCIPIOS DE LA ENERGA FOTOVOLTAICA

Tecnologa fotovoltaica
Mtodo Czochralski (Si-CZ)
n

Si-monocristalino
w Suficiente CALIDAD ( 100s)

Crisol fuente de impurezas

(O2,C)
Velocidad de crecimiento: 0,10,2 cm/min
Tamao de lingote: 15 cm x
1 m longitud
Clulas comerciales. Eficiencia
del 12 al 14%
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Diapositiva 12
PRINCIPIOS DE LA ENERGA FOTOVOLTAICA

Tecnologa fotovoltaica
Mtodo Czochralski (Si-CZ)

CENSOLAR

Diapositiva 13
PRINCIPIOS DE LA ENERGA FOTOVOLTAICA

Tecnologa fotovoltaica
Mtodo de Colada
(Cast)
n
n

Si-multicristalino: lingotes
Mtodos especficos de
cada fabricante

Basija
de
cuarzo

Si
fundido

Soporte y
embudo de
grafito

w Fundido en moldes de

grafito (No segregacin de

impurezas)
n

Enfriamiento desplazando
verticalmente el crisol
con respecto a la zona
calefactora
Mtodo H.E.M.: el Si se
enfra y solidifica en el
crisol

Bobina de
radiacin
de alta
frecuencia

Sistema de
ventilacin

Molde de
grafito
Bloques de
Si

Diapositiva 14
PRINCIPIOS DE LA ENERGA FOTOVOLTAICA

Tecnologa fotovoltaica
Mtodo de Colada (Cast)
n
n

Alta productividad: sencillez de proceso y equipos

Fronteras de grano: alta probabilidad de
recombinacin
w Tiempo de vida media bajo (1 a 10 s)

Eficiencia de conversin energtica

w Clulas comerciales (100 cm2) 12 al 14%
w Clulas industriales 15,8%
w Clulas record de laboratorios 17,8%

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Diapositiva 15
PRINCIPIOS DE LA ENERGA FOTOVOLTAICA

Tecnologa fotovoltaica
Corte de los lingotes en obleas
n

Pulido y corte

Procedimientos de corte

Sierra de

interno

Sierra
multihilos o
multihojas

Diapositiva 16
PRINCIPIOS DE LA ENERGA FOTOVOLTAICA

Tecnologa fotovoltaica
Procedimientos de corte
n

Sierras de dimetro interno

w Proceso muy lento (30 obleas/hora). Baja productividad.

Sierras multihilo
w Aumento de productividad

Sierra de

interno

Sierra
multihilos o
multihojas

Diapositiva 17
PRINCIPIOS DE LA ENERGA FOTOVOLTAICA

Tecnologa fotovoltaica
Coste del proceso de corte: Muy costoso
n

Se desperdicia casi la mitad del material cristalino

w Kerf loss = prdidas de material por aserrado

Consumo de energa
w Cristalizacin +corte (sierra con interior): obleas de

450m
n
n

Mtodo CZ 930 kWh/m2

Multicristalino 743 kWh/m2

w Con sierra multihilo (tendencia): obleas de 200 m

n

283 kWh/m2

Diapositiva 18
PRINCIPIOS DE LA ENERGA FOTOVOLTAICA

Tecnologa fotovoltaica
Crecimiento de lminas y pelculas de silicio
cristalino: Si-multicristalino

Ahorro
Ahorrode
dematerial
material

Virtudes
Virtudes

Velocidad
Velocidadde
deproduccin
produccin
Rodillo
Rodillo
Centrifugacin
Centrifugacin
Crecimiento
Crecimientohorizontal
horizontal
Crecimiento
Crecimientovertical
vertical

Calidad
Calidad

Diapositiva 19
PRINCIPIOS DE LA ENERGA FOTOVOLTAICA

Tecnologa fotovoltaica
Crecimiento de lminas y pelculas de silicio
cristalino: Si-multicristalino
Pulverizado

Silicio de partida

Aleado con un metal

(segregado por epitaxia en fase lquida)

Fundido
en crisol

Diapositiva 20
PRINCIPIOS DE LA ENERGA FOTOVOLTAICA

Tecnologa fotovoltaica
Crecimiento de lminas y pelculas de silicio
cristalino.

Soporte de la cinta

Soporte de grafito
Soporte de cermica

Autosoportada

Diapositiva 21
PRINCIPIOS DE LA ENERGA FOTOVOLTAICA

Tecnologa fotovoltaica
Crecimiento de lminas y pelculas de silicio
cristalino.
n

Mtodo EFG (Edge-defined Film-fed Growth). MOBIL

Si-nomocristalino
Lmina por extrusin con matriz de grafito
Si fundido asciende por capilaridad
Se utiliza semilla cristalina
Velocidad de produccin 160 cm2/min
Matriz poligonal de 8, 9 y 10 cm/cara
Problemas de estabilizacin de la interfase
lquido-slido: Si-multicristalino
Mltiples defectos

Diapositiva 22
PRINCIPIOS DE LA ENERGA FOTOVOLTAICA

Tecnologa fotovoltaica
Crecimiento de cinta sobre soporte
n
n

Si-multicristalino
La malla del material soporte se sumerge en el silicio fundido

Ventajas

Inconvenientes

J Velocidad de crecimiento elevada

L La calidad depende del

substrato

J Capas muy delgadas (50 m)

J Fcil control de temperatura

L El substrato puede ser

contaminante

Eficiencia de conversin energtica 16%

Diapositiva 23
PRINCIPIOS DE LA ENERGA FOTOVOLTAICA

Tecnologa fotovoltaica
Crecimiento de cinta sobre soporte
n
n
n
n
n

n
n

Mtodo RAFT (Ramp Assisted Foil Technique)

Si-multicristalino
La malla del material soporte se sumerge en el silicio fundido
Estirado vertical
Soporte reutilizable (superficie recubierta con material que
facilita la separacin del Si)
Velocidad de crecimiento 10 m/min.
Espesor 150-250 m

Eficiencia de conversin energtica 10%

Diapositiva 24
PRINCIPIOS DE LA ENERGA FOTOVOLTAICA

Tecnologa fotovoltaica
Crecimiento de cinta sobre soporte
n
n
n

n
n

Mtodo HSW (Horizontal Supported Wed)

Si-multicristalino
La malla del material soporte se sumerge en el silicio
fundido
Estirado horizontal
Soporte fibra de carbn

Diapositiva 25
PRINCIPIOS DE LA ENERGA FOTOVOLTAICA

Tecnologa fotovoltaica
Crecimiento de cinta sobre soporte
n

Mtodo HSW (Horizontal Supported Wed)

Ventajas
Ventajas
J
JMayor
Mayorsuperficie
superficiede
decontacto
contacto
entre
fases
entre fases

Inconvenientes
Inconvenientes
L
LDifcil
Difcilcontrol
controldel
delespesor
espesor
de
la
capa
de la capa

Favorece
Favorecelaladisipacin
disipacindel
del
calor
calor

Mayor
Mayorvelocidad
velocidadde
de
crecimiento
crecimiento

Eficiencia de conversin energtica 11%

Diapositiva 26
PRINCIPIOS DE LA ENERGA FOTOVOLTAICA

Tecnologa fotovoltaica
Crecimiento de lminas y pelculas de silicio cristalino.
Epitaxia en fase lquida
Epitaxia
Epitaxia
Proceso
Proceso de
de crecimiento
crecimiento de
de una
una lmina
lmina delgada
delgada de
de un
un
material
material cristalino
cristalino sobre
sobre otra
otra de
de igual
igual oo distinta
distinta naturaleza
naturaleza
cristalina.
cristalina.
Velocidad de
Velocidad de
crecimiento 1
crecimiento 1
m/min
m/min

Cristales
Cristales
iniciales
iniciales

Pelcula
Pelculade
de
cristales
cristales

150 cm 2/min
(10 cm anchura x100 m espesor)
150 cm 2/min (10 cm anchura x100 m espesor)

Diapositiva 27
PRINCIPIOS DE LA ENERGA FOTOVOLTAICA

Tecnologa fotovoltaica
Crecimiento de lminas y pelculas de silicio cristalino.
Epitaxia en fase lquida
Epitaxia
Epitaxia
Proceso
Proceso de
de crecimiento
crecimiento de
de una
una lmina
lmina delgada
delgada de
de un
un
material
material cristalino
cristalino sobre
sobre otra
otra de
de igual
igual oo distinta
distinta naturaleza
naturaleza
cristalina.
cristalina.

Substrato
Substrato(semilla
(semillacristalina)
cristalina)
Acero
Acerorecubierto
recubiertode
deCSi,
CSi,
SiSiooGaP
GaP(monocristalino)
(monocristalino)
Cermica
Cermicaconductora
conductora
(multicristalino)
(multicristalino)

Temperatura<punto
Temperatura<puntode
defusin
fusin
Enfriamiento
Enfriamientocontrolado
controlado(1C/min)
(1C/min)
desde
900-950C
desde 900-950C

Fase
Faselquida
lquida
Solucin
Solucinmetlica
metlicade
deSiSi
en
Sb,
Pb,
In,
Au
en Sb, Pb, In, Au
(centros
(centrosde
denucleacin)
nucleacin)

Diapositiva 28
PRINCIPIOS DE LA ENERGA FOTOVOLTAICA

Tecnologa fotovoltaica
Crecimiento de silicio en cinta. Resumen