ELECTRONICA BASICA

COLABORATIVO 2

Trabajo Colaborativo
JACSON JULIAN RODRIGUEZ G
cd. 80547878
Grupo 201419-5

UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA

FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRONICA
ZIPAQUIRA
NOVIEMBRE 10 2014

1.5. Explicar detalladamente el funcionamiento de los MOSFET de

empobrecimiento y de enriquecimiento.
EL MOSFET de empobrecimiento tiene un canal conductor en su estado
de reposo, que se debe hacer desaparecer mediante la aplicacin de la
tensin elctrica en la compuerta.
La forma de trabajo de empobrecimiento se explica debido a que los
electrones de la fuente pueden circular desde el surtidor hacia el
drenador a travs del canal estrecho de material semiconductor tipo N.
Cuanto mayor sea la diferencia de potencial VDD aplicada por la fuente,
mayor ser esta corriente.

El MOSFET de enriquecimiento La aplicacin fundamental de este

transistor se realiza en circuitos digitales, microprocesadores. Se basa en
un canal entre el drenador y surtidor, al aplicar una tensin en la
compuerta.

Mosfet de enriquesimiento (a) canal N,

enriquesimiento canal (p)

Mosfet de

Observa como la linea del canal en estos transistores se representa como

una lnea puntiada.