GUIA 3

1. PORQUE SE LE LLAMA CONDUCTORES A LOS ELEMENTOS QUE TIENEN 1

ELECTRON EN SU ULTIMO NIVEL DE ENERGIA?
PORQUE DEJA PASAR LA CORRIENTE CON FACILIDAD.
2. PORQUE SE LELLAMA SEMICONDUCTORES A LOS ELEMENTOS QUETIENEN 4
ELECTRONES EN SU ULTIMO NIVEL DE NERGIA?
PORQUE CONDUCE CORRIENTE MUY BAJA.
3.

DESCRIBA

LA

DIFERENCIA

ENTRE

PORTADORES

MAYORITARIOS

MINORITARIOS EN UN MATERIAL SEMICONDUCTOR.

PORTADORES MAYORITARIOS CONTRIBUYE AL PASO DE LA CORRIENTE EN
MAYOR MEDIDAD Y LOS MINORITARIOS LO HACEN EN MENOR MEDIDA.
4. COMO SE GENERA UN CONDUCTOS TIPO P Y UNO TIPO N?
P: SE CONSIGUE AGREGANDO AL SEMICONDUCTOR ATOMOS TRIVALENTES, P
ES LO POSITIVO DEL MATERIAL.
N: SE CONSIGUE AL IMPURIFICAR EL SEMICONDUCTOR CON ATOMOS
PENTAVALENTES, N REPRESENTA LO NEGATIVO DEL MATERIAL.
5. COMO SE OBTIENE UN EXCESO DE ELECTRONES EN UN MATERIAL?
AL MOMENTO DE REALIZAR EL ENLACE QUEDARA 1 ELECTRON LIBRE, ES UN
SEMICONDUCTOR TIPO N.
6. COMO SE CONSTRUYE UN DIODO?
ES LA UNION DEL MATERIAL TIPO P Y TIPO N.
7. EXPLIQUE PORQUE SE CREA LA BARRERA DE POTENCIAL EN LA UNION PN.
CADA VEZ QUE UN ELECTRON SE DIFUNDE EN LA UNION SE CREA UN PAR DE
IONES, ESE PAR SE LLAMA DIPOLO Y AUMENTA CONFORME SE DIFUNDEN
ELECTRONES EN LA UNION, LOS DIPOLOS FORMAN EL CAMPO MAGNETICO.

8. COMO SE COMPORTA UN DIODO IDEAL POLARIZADO INVERSAMENTE Y

DIRECTAMENTE?
INVERSAMENTE: LA BARRERA DE POTENCIAL CRECE EVITANDO EL FLUJO DE
ELECTRONES A TRAVES DEL DIODO.
DIRECTAMENTE: EL DIODO DEJA FLUIR LOS ELECTRONES CON CIERTA
FACILIDAD.
9. COMO SE COMPORTA UN DIODO EN LA TERCERA APROXIMACION
POLARIZADO DIRECTAMENTE?
COMO UN CIRCUITO CERRADO
GUIA 4
1. QUE ES UN TRANSISTOR Y COMO SE CONTRUYE?
ES UN DISPOSITIVO ELECTRONICO SEMICONDUCTOR UTILIZADO PARA
ENTREGAR UNA SEAL DE SALIDA EN RESPUESTA A UNA SEAL DE ENTRADA,
SE FABRICAN DE 3 CAPAS SEMICONDUCTORAS TIPO N Y P.
2. COMO ES EL DOPADO DE LAS CAPAS SEMICONDUCTORAS QUE FORMAN UN
TRANSISTOR BJT?
LA CAPA DE EN MEDIO QUE ESTA PROBABLEMENTE DOPADA ES LA BASE, EL
COLECTOR TIENE UN DOPADO INTERMEDIO ENTRE LA BASE Y EL EMISOR.
3. COMO SE DEBE POLARIZAR UN TRANSISTOR PARA QUETRABAJE EN LA
REGION ACTIVA?
BASE-EMISOR SE POLARIZA DIRECTAMENTE Y BASE-COLECTOR SE POLARIZA
INVERSAMENTE.
4.

CUANDO

UN

TRANSISTOR

ESTA

EN

SATURACION

COMO

ESTAN

POLARIZADAS SUS UNIONES?

EL VOLTAJE COLECTOR-EMISOR ES MUYPEQUEO Y EL DIODO DEL COLECTOR
ESTA POLARIZADO DIRECTAMENTE IGUAL QUE EL DEL EMISOR.

5. COMO SE POLARIZA UN TRANSISTOR EN LA REGION DE CORTE?

ES DONDE Ic = 0, DEBIDO A QUE EL DIODO EMISOR NO CONDUCE O ESTA
POLARIZADO INVERSAMENTE.
6. COMO SE LLAMA A LA REGION DE RUPTURA EN UNTRANSISTOR?
TENSION MAXIMA ENTRE COLECTOR-EMISOR O VOLTAJE COLECTOR EMISOR
(VCE).
7. COMO ES EL FLUJO DE ELECTRONES EN UN TRANSISTOR NPN?
FLUJO MINORITARIO.
8. CUAL ESLAFUNCION DE EL COLECTOR, EL EMISOR YLA BASE EN UN
TRANSISTOR?
EL EMISOR EMITE O INYECTA ELECTRONES A LA BASE, EL COLECTOER ES LA
MAYOR DE LA TRES REGIONES, LA BASE ESTA UNIDA A LA TIERRA.
9. QUE ES LA GANANCIA DE CORRIENTE EN UN TRANSISTOR Y COMO ESTA
RELACIONADA CON LAS CORRIENTES DEL TRANSISTOR?
ES LA RELACION QUE EXISTE ENTRE LA VARIACION O INCREMENTO DE LA
CORRIENTE DE COLECTOR Y LA VARIACION DE CORRIENTE DE BASE.
10. POR QUE EL PUNTO Q DE UN TRANSISTOR DEBE ESTAR O MAS AL CENTRO
DE LALINEA DE CARGA POSIBLE?
PARA QUE NO SE PRESENTE DISTORCION EN LA SEAL DE SALIDA.
11. QUE PASA SI EL PUNTO Q ESTA MUY PEGADO ALA REGION DE SATURACION
Y DESEAMOS AMPLIFICAR UNA SEAL DE CA?
PRESENTA DISTORCION EN LA SEAL DE SALIDA.
12. CUANDO ENTRA UN TRANSISTOR EN SATURACION CON RESPECTO A LA
CORRIENTE DE BASE Y DE COLECTOR?
CUANDO Ic CRECE RAPIDAMENTE, SE COMPORTA COMO UN CORTO CIRCUITO.