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DISEO ELECTRONICO
PRACTICA N 3 CARACTERIZACION DE COMPONENTES, 3 PARTE
1. OBJETIVOS
El objetivo de esta prctica es hallar las caractersticas de transistores BJT mediante los
modelos usados por un simulador tal como LTSPice.
2. DESCRIPCIN
a)
b)
c)
d)
e)
Desarrollo de la Prctica:
1. Grfica de comportamiento de un transistor BJT.
Para obtener las curvas caractersticas (IC vs. VCE para distintas IB) de un transistor BJT se
debe realizar un montaje como el de la figura 1.
4. INFORME
Debe incluir una tapa con nombre de integrantes, nombre experiencia, nombre profesor y
fecha experiencia. Adems debe considerar la siguiente estructura mnima: Introduccin,
Desarrollo, Conclusiones y Referencias Bibliogrficas. Las conclusiones no pueden ser implcitas en
el documento sino que debe haber una seccin explicita de conclusiones.
En el desarrollo debe incluir el montaje de la experiencia y en lo posible fotos, sino un
dibujo del esquemtico del circuito finalmente implementado. Debe incluir los nmeros de serie en
la medida que estos estn disponibles de cada instrumento y material usado para en caso de falla
en la experiencia no volver a usar los instrumentos ya identificados.