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Universidad Mayor Facultad de Ingeniera

DISEO ELECTRONICO
PRACTICA N 1 CARACTERIZACION DE COMPONENTES
1. OBJETIVOS
El objetivo de esta prctica es hallar las caractersticas de transistores BJT mediante las
hojas de datos y verificar la validez de la ecuacin trmica, junto con contrastar los resultados
contra un simulador.
2. DESCRIPCIN
Usted y su grupo, mediante el multitester, debe obtener las caractersticas bsicas:
deduccin del tipo de transistor (NPN o PNP en los BJT), configuracin de cada pin y (hFE).
Para ello, encontrar cul es la situacin de los diodos y su polaridad usando la hoja de
datos. Una vez conocida la correspondencia de cada pin, colocar adecuadamente el multitester
para medir en el caso de un BJT, si es que el instrumento tiene esa modalidad.
Utilizando la hoja de datos, para cada BJT analizar los siguientes parmetros: tipo de
transistor, configuracin de cada pin, potencia mxima, VCE mxima, IC mxima, (hFE) y frecuencia
de corte.
Grfica de comportamiento de un transistor BJT.
Para obtener las curvas caractersticas (IC vs. VCE para distintas IB) de un transistor BJT se
debe realizar un montaje como el de la figura 1.

Figura 1. Circuito de polarizacin del transistor BJT tipo NPN.

Rodrigo Arriagada Nez

Universidad Mayor Facultad de Ingeniera


Donde Vref= 15V; Rb1= 4.7K; Rb2 = 10K; Rc1= 33(frmela con 3 de 100 ohms en paralelo)
y Rc2 = 10K. Se requiere ajustar Rb2 de tal manera que IB alcance los 1mA. A continuacin se vara
Rc2 de forma de VCE sea 0V, 0.5V, 1V y 1.5 V midiendo en los distintos casos la corriente IC.
1) Obtener las lecturas de VCE, IB, e IC empleando el multitester repitiendo el proceso para IB
igual a 1mA, 1.5mA, 2mA, 2.5mA y 3mA.
2) Medir la temperatura ambiente y del transistor y contrastar las mediciones con simulacin.
3) Con esta configuracin estar alguna vez el transistor en la regin de saturacin?.
4) Y en corte?.
5) Por qu?.

Figura 2. Curva caracterstica de un transistor BJT .

3. LISTA DE COMPONENTES SUGERIDA

Fuente de laboratorio variable.


1 Multitester.
1 Transistor BJT 2N3904
1 Transistor BJT 2N2222
1 LM317.
Resistencias: 3 de 100 1/2W, 1k, 4.7k
Potencimetros: 10 k
Termmetro digital con termocupla tipo J o K.
Cables.
Protoboard.

Rodrigo Arriagada Nez

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4. INFORME
Debe incluir una tapa con nombre de integrantes, nombre experiencia, nombre profesor y
fecha experiencia. Adems debe considerar la siguiente estructura mnima: Introduccin,
Desarrollo, Conclusiones y Referencias Bibliogrficas. Las conclusiones no pueden ser implcitas en
el documento sino que debe haber una seccin explicita de conclusiones.
En el desarrollo debe incluir el montaje de la experiencia y en lo posible fotos, sino un
dibujo del esquemtico del circuito finalmente implementado. Debe incluir los nmeros de serie en
la medida que estos estn disponibles de cada instrumento y material usado para en caso de falla
en la experiencia no volver a usar los instrumentos ya identificados.

Rodrigo Arriagada Nez

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