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DISEO ELECTRONICO
PRACTICA N 1 CARACTERIZACION DE COMPONENTES
1. OBJETIVOS
El objetivo de esta prctica es hallar las caractersticas de transistores BJT mediante las
hojas de datos y verificar la validez de la ecuacin trmica, junto con contrastar los resultados
contra un simulador.
2. DESCRIPCIN
Usted y su grupo, mediante el multitester, debe obtener las caractersticas bsicas:
deduccin del tipo de transistor (NPN o PNP en los BJT), configuracin de cada pin y (hFE).
Para ello, encontrar cul es la situacin de los diodos y su polaridad usando la hoja de
datos. Una vez conocida la correspondencia de cada pin, colocar adecuadamente el multitester
para medir en el caso de un BJT, si es que el instrumento tiene esa modalidad.
Utilizando la hoja de datos, para cada BJT analizar los siguientes parmetros: tipo de
transistor, configuracin de cada pin, potencia mxima, VCE mxima, IC mxima, (hFE) y frecuencia
de corte.
Grfica de comportamiento de un transistor BJT.
Para obtener las curvas caractersticas (IC vs. VCE para distintas IB) de un transistor BJT se
debe realizar un montaje como el de la figura 1.