TRANSISTORES BIPOLARES DE UNIN (TBJs o

BJTs)
I.- INTRODUCCIN: El transistor bipolar fue el primer amplificador de
estado slido que se construy. Su descubrimiento provoc una revolucin
tecnolgica que se mantiene vigente hasta estos das.

II.- ESTRUCTURA Y CONSTRUCCIN: Los transistores bipolares se

construyen de acuerdo a las estructuras mostradas en la siguiente figura y son
de dos tipos, PNP y NPN.
Como puede verse las
regiones semiconductoras son denominadas
emisor E, base B y
colector y las uniones p-n
son las de baseemisor y la de base-colector.

La siguiente figura
muestra la estructura
interna de un
transistor bipolar NPN
fabricado con la tcnica de difusin de portadores. Observe que la unin
colector- base posee mayor superficie que la de base-emisor, lo cual es til
pues como se analizar posteriormente, en esta unin se disipa la mayor
cantidad potencia en forma de calor, el cual debe ser transferido hacia el
exterior para que el dispositivo no se dae.

La siguiente es una figura que muestra las dimensiones fsicas y la

concentracin de portadores de cada una de las regiones de un transistor
bipolar. Generalmente la regin de la base es la ms delgada de las tres, y
tiene una concentracin de portadores mucho menor que el emisor (10 16 vs
1019), pero mayor que el colector N- (10 16 vs 1014). La regin de colector N+ se
utiliza para que no se forme una unin rectificadora entre la regin N- y la
terminal metlica del colector.

III.- POLARIZACIN:

Para que el transistor bipolar funcione como

amplificador, la unin base-emisor (unin de entrada al transistor) debe
polarizarse directamente,
y la unin base-colector (unin de salida del
transistor) debe polarizarse inversamente. Las siguientes figuras muestran las
configuraciones base comn y emisor comn de polarizacin (la terminal
comn es la referencia para la fuente de polarizacin de las otras dos
regiones). La configuracin colector comn se polariza de manera semejante a
la emisor comn.

IV.- TEORA DE AMPLIFICACIN DE CORRIENTE DEL TRANSISTOR

BIPOLAR: Para entender el funcionamiento del transistor bipolar es necesario
recordar el comportamiento de la unin pn en condiciones
polarizacin, polarizacin directa, y polarizacin inversa:

de cero

a) En estado estable o cero polarizacin, en la unin pn existe una zona de

agotamiento o de desercin en la que no hay portadores de carga pero s
cargas elctricas (que se formaron al recombinarse los portadores que cruzaron
o se difundieron al momento de realizarse la unin), que forman una barrera de
potencial que evita que los portadores continen difundindose a travs de la
unin.

b) Cuando la unin se polariza directamente, el campo elctrico generado por

la fuente externa tiene direccin contraria al interno de la zona de desercin,
siendo de mayor intensidad ste ltimo, lo que se traduce en una reduccin de
la zona de desercin y del campo interno, lo que a su vez permite la difusin
de portadores mayoritarios a travs de la unin. Las corrientes pueden ser
de valores muy altos, dependiendo de los niveles de dopamiento de
las regiones n y p y del valor del voltaje aplicado.

c) Cuando la unin se polariza inversamente, los campos externo e interno

poseen la misma direccin, por lo que la zona de desercin y la barrera de
potencial se amplan y no permite las corrientes de difusin de portadores
mayoritarios a travs de la unin. Sin embargo, los portadores minoritarios que
hay y que se generan en las regiones n y p adyacentes a la unin y en la propia
zona de desercin si pueden atravesarla dada la presencia del campo elctrico
externo a lo largo de todo el dispositivo. Por lo tanto, en polarizacin inversa
existen corrientes de portadores minoritarios a travs de la unin,
generalmente de muy bajo valor.

El principio de amplificacin de corriente del transistor bipolar consiste

en que, como la unin emisor-base est polarizada directamente, el emisor
fuertemente dopado emite electrones como portadores mayoritarios a la
regin de la base, en la cual dichos electrones se convierten en portadores
minoritarios, y como esta regin es muy delgada y de muy bajo dopamiento,
la mayora de estos electrones no se recombinan y alcanzan el campo de
polarizacin inversa de la unin base-colector, que al verlos como portadores

minoritarios, los colecta o conduce hacia la terminal del colector. La siguiente

figura intenta mostrar este principio de amplificacin de corriente para un
transistor pnp en la configuracin base comn:

Este mismo principio de amplificacin de corriente para la configuracin emisor

comn es mostrado en la siguiente figura:

Como nicamente una pequea parte de los portadores emitidos por el

emisor se recombina en la base y la mayora son colectados por el colector
(del 95 al 99 %):

iC=(iE) ( 1 ) donde [0.95,0.99 ]

Aplicando las leyes de Kirchhoff al transistor

iC +iB=iE

(2)

Observe que la corriente de base es solamente una pequea porcin de la

corriente de emisor:

iB=iEiC=
Sustituyendo

iE

de la ecuacin (2) en la ecuacin (1)

iC=( iC +iB )
Despejando

iC=

(4)

iC
1
iB

1=

donde

es la ganancia de corriente del

transistor en la
configuracin emisor
comn.
Si

0.95=19 1 ,

Sustituyendo (4) en (2)

Si

iE=( +1 ) iB

0.99=99 1
(5)

Observe que el transistor bipolar transfiere corrientes de un circuito de entrada

con una unin polarizada directamente, y por lo tanto de baja impedancia, y
las lleva hacia un circuito de salida con una unin polarizada inversamente y de
alta impedancia. La palabra transistor proviene de la simplificacin de las
palabras transfer y resistor, lo que significa que est transformando
impedancias.

V.- CURVAS CARCTERTICAS: Como el transistor bipolar tiene dos

uniones, las curvas caractersticas se separan:
a) Las curvas caractersticas de entrada de la unin base-emisor son semejante
a la de un diodo polarizado directamente, como lo muestran las siguientes
figuras para las configuraciones emisor comn y base comn.

Observe que no es una sola sino una familia de curvas, pues

dependen a su vez de

iB

vCE

respecto de

vCB

vCB

iE

respectivamente. En emisor comn

vCE , mientras que en base comn

iE

aumenta (para base comn el incremento de

iE

decrece conforme aumente

aumenta conforme

vCB

iB

se exagera para que pueda ser notado en la grfica). En

ambos casos el colector mejora su capacidad para colectar los portadores

que llegan a la base conforme aumentan los voltajes

vCE

vCB

de

polarizacin inversa de la unin base-colector, pues la zona de desercin se

ampla cada vez ms.
b) Las curvas caractersticas de salida del transistor son semejantes a las de un
diodo polarizado inversamente, en el sentido de que la corriente se mantiene
aproximadamente constante conforme aumenta el voltaje inverso (hasta
alcanzar la ruptura inversa), como muestran las siguientes figuras para las
configuraciones emisor comn y base comn. Observe que hay una curva de
corriente inversa

iC

para cada valor de corrientes de entrada

iB

iE .

Observe que en el emisor comn las curvas tienen un poco de inclinacin. Esto
significa que

iC

aumenta conforme aumenta

nicamente del valor de la corriente de base

vCE , y no depende

iB , lo que se debe, como

explicamos, a que el colector mejora su eficiencia conforme aumenta

vCE .

En el caso base comn las curvas se mantienen prcticamente horizontales, lo

que significa que la configuracin BC es ms lineal que la EC.

VI.- REGIONES DE POLARIZACIN Y CIRCUITOS EQUIVALENTES:

a) REGIN ACTIVA: En ella la unin base emisor est polarizada
directamente,
inversamente.

mientras
La

que

ganancia

la unin
de

base-colector

corriente

iC
iB

se
se

polariza
mantiene

aproximadamente constante independientemente de las variaciones de

vCE . Se considera que en ella el transistor es un amplificador lineal

de corriente a pequea seal.

El circuito equivalente a c. d. para un transistor NPN es:

Donde

V BE 0.3 V para transistores de, y VBE 0.7 V para transistores de Si

El circuito equivalente simplificado a pequea seal para un transistor

NPN es:

En el transistor PNP los voltajes de polarizacin y la direccin de las corrientes

se invierten.

b) REGIN DE CORTE: No circula ninguna corriente a travs del

transistor, lo que significa que la unin base-emisor est polarizada
inversamente o no est polarizada, y que la unin base-colector est
polarizada inversamente. Las nicas corrientes que pueden circular son
de saturacin inversa. La dos mallas del transistor se consideran como
un circuito abierto.

c) REGIN DE SATURACIN:

Como puede verse de las curvas caractersticas de salida, la regin

activa y la de saturacin estn delimitadas por

vCEsat , el cual vara

dependiendo del valor de la corriente de colector

iC

que vaya a

circular. Esta curva es especificada por el fabricante, como se ver en

el siguiente subtema.

Para

que

el

transistor

VCEQ>VCEsat e ICQ> ICBO

est

en

la

regin

activa

VI.- ESPECIFICACIONES DEL FABRICANTE DEL TRANSISTOR

BIPOLAR: As como con el diodo, el fabricante proporciona en la hoja de
datos los valores mximos o ratings de corrientes y voltajes que soporta el
transistor antes de daarse, algunas de las curvas caractersticas, y algunos
otros parmetros de su comportamiento como amplificador, como dispositivo
que disipa calor, etc. Esta informacin siempre es proporcionada para la
configuracin emisor comn, pues como veremos posteriormente, es la nica
que amplifica corriente y voltaje simultneamente.
TAREA (para entregar a la siguiente clase): Traer las hojas de datos de los
transistores P2N2222A y su complementario PNP.

VII.- AMPLIFICADOR EMISOR COMN:

La ganancia de corriente del transistor en esta configuracin es

iC
=
iB

por lo tanto esta configuracin es amplificadora de

corriente.
Si observamos el diagrama de un amplificador emisor comn podremos ver
que la unin base emisor del transistor recibe tanto voltaje de c. d. como
voltaje de c. a. Esto significa que a travs de ella circular una corriente de
polarizacin IBQ (de c. d.), como tambin una corriente de c. a., como muestra
la figura para un diodo cualquiera:

Si el nivel de seal de c.a. es suficientemente pequeo, la curva caracterstica

de la unin se puede aproximar por una lnea recta, donde el inverso de la
pendiente de la curva en el punto de polarizacin corresponde a la resistencia
dinmica de la unin base emisor del transistor

rbe o hie . Esto significa

que la unin base emisor del transistor en la regin activa se comporta para
pequeas seales de corriente alterna como si fuera una resistencia.
Matemticamente:

rbe=

Si

vBE
1
1
=
=
para iBQ=k y vBE 0
iB
iB
iB
vBE vBE

iB Ioe

vBE
VT

iB
1
=
iB
vBE VT

( )

Sustituyendo

rbe=

VT
IBQ

sta es la impedancia de entrada al transistor en la configuracin

emisor comn.
Las variaciones de c. a. de entrada para el emisor comn producen variaciones
de corriente lineales si la seal es suficientemente pequea, dadas por

iB=ib=

vBE vbe
=
rbe
rbe

Estas variaciones de la corriente de base son amplificadas por el transistor

 iC=ic=( iB )=ib
Al circular estas variaciones de corriente por la resistencia equivalente de c. a.
que haya en el colector producirn variaciones de voltaje, como muestra la
siguiente figura:

Si las variaciones de voltaje en el colector no sacan al transistor de su regin

activa, su valor ser

v (Rc ca)=vRc ca= iC ( Rc ca )=( iB ) Rc ca=( Rc ca )

vBE
rbe

La ganancia del amplificador completo es

Av ec=

v (Rc ca) ( Rc ca )
=
vBE
rbe

Este mismo resultado se obtiene cuando se sustituye el circuito equivalente del

transistor a pequea seal o c. a. mostrado con las regiones de polarizacin,
donde hfe , y hie =rbe.
Como puede verse, para evaluar la ganancia de voltaje
primeramente evaluar

Av ec

es necesario

rbe , y para evaluar sta es necesario evaluar

IBQ .

Adems, es necesario demostrar que el transistor realmente se encuentra

polarizado en la regin activa ( ICQ> ICBO y VCEQ> VCEsat ) y que trabaja
como amplificador lineal.
Ejemplo: Encuentre el punto de polarizacin (I BQ, ICQ y VCEQ), verifique que
circuito sea un amplificador, y calcule la ganancia de voltaje, el voltaje Vsal si

Vi = 10 mVpp, las impedancias de entrada Ri y Ri y la impedancia de salida

Ro del emisor comn mostrado en la siguiente figura:

Analizando la malla de entrada del transistor (que contiene la regin baseemisor del transistor):

IBQ=

( 4.60.6 ) V
=10 A
400 K

Evaluando la corriente de colector, considerando que el transistor se polariza

en la regin activa:

ICQ=IBQ=( 100 )( 10 A )=1 mA

De la malla de salida del transistor (contiene la regin colector-emisor del
transistor)

Vcc=10V =ICQRc +VCEQ=( 1 mA ) ( 5 K ) +VCEQ=5 V +VCEQ

Despejando

VCEQ=5 V >VCEsat 0.2V

El transistor est polarizado en la regin activa, y es un amplificador.

Analizando a c. a.:

rbe=hie=

VT ( 1 )( 25.9 mV )
=
=2.59 K=Ri '
IBQ
10 A

impedancia

de

entrada

al

transistor

Ri=R i ' RBB=( 2.59 K )( 40 K )=2.43 K

impedancia

de

entrada

del

amplificador
Evaluando la ganancia de voltaje del circuito:

Av =

Si

Rc (100 )( 5 K )
=
=193.05
rbe
2.59 K

Vi=10mVpp

entonces

Vsal= AvVi=( 193.05 ) ( 10 mV )=1.93 Vpp

La impedancia de salida del amplificador es

Rc=5 K , considerando que las

curvas caractersticas de salida del transistor son totalmente horizontales para

esta corriente.
Ejemplo: Encuentre el punto de polarizacin y verifique que el circuito es un
amplificador, y calcule la impedancia de entrada, la ganancia de voltaje y Vsal
si Vi = 5 mVpp. Considere que VBE = 0.7 V y que 200.

Observe que la base del transistor se polariza con la fuente Vcc = 10 V y dos
resistencias que forman un divisor de tensin (R 1 = 2.2 K y R2 = 10 K), que
se pueden simplificar utilizando el equivalente de Thevenin:
VBB = VccR1/(R1 + R2)

RBB = R1R2 = R1R2/(R1+R2)

La malla de entrada a c. d. incluye a RE = 1 K, y su ecuacin es:

VBB = IBQRBB + VBEQ + IEQRE

donde

IEQ = ( + 1)IBQ

VIII.- AMPLIFICADOR BASE COMN

Para el transistor en esta configuracin la ganancia de corriente es

Ait =

iC
= 1,
iE

por lo que se puede deducir que esta configuracin no

proporciona ganancia de corriente.

Al aplicar los mismos principios a c. a. del emisor comn, solo que para este
amplificador la entrada al transistor es por el emisor, la impedancia de la unin
emisor-base se evala considerando

reb=

VT
VT
rbe
=
=
IEQ (+1 ) IBQ +1

IEQ :

es la impedancia de entrada al transistor

en la
configuracin base comn. Observe que es mucho menor que la de
emisor comn.

y
Como

iE=ie=

vEB veb
=
reb
reb

iC=iE iE , donde 1 es la ganancia de corriente del

transistor en base comn

v ( Rc ca )=( iC ) ( Rc ca ) =( iE )( Rc ca )
La ganancia de voltaje del base comn es:
Rc ca
v(Rc ca) ( Rc ca ) +1
Rc ca
Av bc=
=
=
=
=Av ec
vBE
reb
rbe
rbe
+1

( )

( )

Observe que es del mismo valor que la de emisor comn pero no invierte la
fase entre entrada y salida.
Ejemplo: Calcule el punto de polarizacin del amplificador base comn
mostrado, as como su ganancia de voltaje. Considere que VBE = 0.6 V y que
= 100.

Solucin: De la malla de entrada a c. d. (contiene la regin emisor-base)

4.6 V =VBEQ+ IEQRE=0.6 V + IEQ ( 4 K )

Despejando

IEQ=

( 4.60.6 ) V
=1 mA ICQ
4 K

Considerando la malla de salida desde colector a emisor:

14 V =1 mA ( 5 K ) +VCEQ+1 mA ( 4 K ) 9 V +VCEQ
Despejando

VCEQ=5 V >0.3 V

por lo que se deduce que el transistor

se encuentra polariado en la regin activa y es un amplificador.

La impedancia de entrada al transistor es
Rit = reb =

25.9 mV
rbe 2 .59 K
=25 . 9 =
=

1 mA
100

La impedancia de entrada es

La ganancia de voltaje es

La impedancia de salida es

Ri= rbe=4 K 25.9 =25.7 reb

Av =

Rc 5 K

=193.05
reb 2.59

Ro=Rc=5 K

considerando curvas

caractersticas de salida horizontales.

Ejemplo: Encuentre las condiciones de polarizacin, la ganancia de voltaje, y
las impedancias de entrada Rit y Ri del amplificador mostrado al inicio de este
subtema. Considere que VBE = 0.6 V y = 200.

IX.- AMPLIFICADOR COLECTOR COMN

En esta configuracin, la ganancia del corriente el transistor es

Ait =

iE
=+1 1.
iB

Por lo tanto se deduce que ste es un amplificador

de corriente.
Para evaluar la ganancia de voltaje y la impedancia de entrada, de la malla de
entrada

vi= vBE+ iERe ca=iBrbe+ [ ( +1 ) iB ] ca iB [ rbe+ ca ]

Despejando

Como

Rit=

vi
=rbe + ca
iB

Ri=RBB RBB

Vsal=( iE ) ca [ ( iB ) ] ca=( ca ) iB

La ganancia de voltaje es

Av =

( ca )
Vsal
=
<1
Vi
[ rbe+ ca ]

Se deduce que esta configuracin no amplifica voltaje, solo corriente.

No hay aumento en las variaciones del voltaje en el emisor del transistor
debido a que, como

vBE

vara muy poco con las variaciones de la seal de

entrada (vase la figura del diodo polarizado directamente y con seal,

VBEQ 0.3 V , 0.7 V Si ), el voltaje de entrada

vi

prcticamente se desplaza

a c. d. y aparece en el emisor.

Para evaluar la impedancia de salida es necesario utilizar el circuito

equivalente de Thevenin de salida, como muestra la siguiente figura:

Ro= Rot
de la malla
de entrada al transistor

vo= ( iE ) reb+ iB ( Rf RBB )

( iE ) reb+

iE reb+

[ iE ]( Rf RBB )
Rf RBB

Despejando

Rot=

vo
Rf RBB
=reb+

iE

Ejemplo: Calcule las ganancias de voltaje y de corriente y las impedancias de

entrada y de salida del siguiente circuito. Considere que VBE 0.6 V y = 100.

Solucin: De la malla de entrada a c. d.

6.1V =IBQ (50 K )+ VBEQ+ IEQ ( 5 K )

( 50 K ) + ICQ ( 5 K )
( ICQ
)

ICQ
Despejando

( 6.10.6 )
=1 mA
50 K
+5 K
100

rbe = 2.59 K

Rit=2.59 K+100 ( 5 K )=502.59 K

Ri=( 502.5950 ) K=4.95 K

La ganancia de voltaje es

La impedancia de salida es:

Av =

( 100 ) ( 5 K )
502.59 K

Ro=25.9 +

= 0.995

100050,000
=35.7
100

Ejemplo: Calcule de nuevo las ganancias y las impedancias del siguiente

amplificador, considerando que = 200 y VBEQ = 0.6 V.

COMPARACIN DE LAS CARACTERSTICAS A SEAL DE LOS

AMPLIFICADORES EMISOR COMN, BASE COMN Y COLECTOR COMN.
Para los ejemplos resueltos anteriores, con ICQ 1 mA y VCEQ 5 V, las
caractersticas a pequea seal fueron:

Emisor
comn
Base Comn

Ai
(transisto
r)
= 100
1

Av =

- Rc ca/rbe =
-193.05
Rc ca/rbe =193.05

Rit

rbe =VT/IBQ
=2.59 K
reb = VT/IEQ =

Ro

Rc = 5 K
Rc = 5 K

25.9
Colector
comn

+1=
101

Re ca/(rbe+Re ca) 1

reb + Re ca =
502.6 K

Reb + Re ca/
=35.7

Observe que el emisor comn posee alta ganancia de corriente y de voltaje,

impedancia de entrada de valor medio e impedancia de salida del valor de Rc.
El base comn tiene alta ganancia de voltaje pero su ganancia de corriente es
menor que 1, la impedancia de entrada es de valor muy bajo y la impedancia
de salida del valor de Rc. El colector comn proporciona alta ganancia de
corriente pero su ganancia de voltaje es menor que 1, su impedancia de
entrada es muy alta y su impedancia de salida muy baja.
El amplificador emisor comn es el ms utilizado para amplificar de
voltaje, corriente y potencia.
El base comn se utiliza para amplificar voltaje con baja impedancia
de entrada.
El colector comn se utiliza como amplificador de corriente y
transformador de impedancias (de baja impedancia de la carga en el
emisor a alta impedancia en la entrada o base).

X.- CIRCUITOS DE POLARIZACIN, ANLISIS Y DISEO.

El circuito de polarizacin ms simple para un transistor bipolar es mostrado en
la figura:

El valor
de Eb o VBB se pude escoger
para tener
cualquier punto de polarizacin (I CQ, VCEQ)
del transistor.
Ejempl
o: Calcule Eb para que VCEQ 5 V.

Considere
que VBE = 0.6 V y = 100.

Solucin: De la malla de salida

Considerando que = 100

De la malla de entrada

ICQ=

IBQ=

10V 5 V
=5 mA
1 K

5 mA
=50 A
100

Eb=( IBQ ) ( RB )+VBE =50 A ( 100 K ) + 0.6V

5.6 V

El circuito se puede cambiar para que la fuente de polarizacin de base sea la

misma que polariza al colector del transistor, y solamente se cambia el valor
de Rb, como se muestra en la siguiente figur a:

Ejemplo:
anterior el valor de Rb
(Vcc = 10 V, Rc = 1 K).

Calcule

para el mismo circuito

Rb para que VCEQ = 5 V

Solucin: Como

Rb=

IBQ=50 A

( 100.6 ) V
=188 K
50 A

Ejemplo:

El circuito de polarizacin universal es mostrado en la siguiente figura:

Proporciona retroalimentacin
negativa a travs de RE para que la
corriente

de polarizacin ICQ sea estable

respecto de las variaciones de la del
transistor y de la temperatura.
Realizando el equivalente de
Thevenin
en la base del transistor:

V +

( R 2)

VBB=

De la malla de entrada al transistor:

VBB=IBQRBB+VBE + IEQRE

RBB +VBE + ICQRE

[ ICQ
]
ICQ

Factorizando y despejando

VBBVBE
RBB
+

Como VBE vara -2.5 mV por cada oC de aumento de la temperatura, VBB se

escoge de un valor que compense dichas variaciones, lo que se traduce en que

VRE ICQRE 10

( 2.5oCmV )( Tmax25 oC )

Ejemplo: evale VRE si Tmax 70 oC.

Solucin:

VRE 10

( 2.5oCmV )( 70 oC25 oC )=1.125 V

Para condiciones normales se escoge

VRE=1 V .

Para que ICQ no dependa de la ganancia de corriente

del transistor

RBB

Un valor prctico de RBB se obtiene de

RBB

10

De la ecuacin de la malla de entrada se evala VBB y posteriormente se

despejan R1 y R2 de las ecuaciones

R 2=

RBB
Vcc
y R 1=RBB
VBB
VBB
1
Vcc

( )

Ejemplo: Evale RE, R1 y R2 para que el amplificador mostrado tenga

una ICQ 1 mA. Considere que VBE = 0.6 V y que 100. V+ = 10 V y
Rc = 4.7 K.

Solucin: Si

VRE ICQRE=( 1 mA ) 1 V entonces 1 K

Para estabilidad de polarizacin respecto de ,

RBB

100 ( 1 K )
=10 K
10

De la ecuacin de la malla de entrada

VBB=1 mA 1 K+

10 K
+0.6=1.7 V
100

Evaluando

y R 1=( 10 K )

10 K
=12.05 K 12 K
1.7
1
10

( )

R 2=

[ ]

10
=58.8 K
1.7

Tarea: Resuelva el mismo ejercicio para Vcc = 15 V, I CQ = 2 mA, Rc =

3.9 K, y = 160.
Otros circuitos utilizan retroalimentacin de colector, como muestra el primer
transistor de la siguiente figura, u otras formas de retroalimentacin negativa a
c. d. , como muestran el segundo transistor de esta misma figura y los dos de
la figura posterior, para darle estabilidad al punto de operacin.