Estructura materiales cristalinos

TEMA 1
ESTRUCTURA DE LOS
MATERIALES
CRISTALINOS

Beatriz Aranda

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1.- Estructura atmica y enlaces en los slidos.

Segn la mecnica cuntica el tomo se compone de un ncleo con carga
positiva, constituido por neutrones y protones, rodeado de una nube de electrones de
carga negativa, que se encuentra unido al ncleo por fuerzas electrostticas. Estudiando
el comportamiento de las partculas frente a campos elctricos y magnticos, se
determin que el neutrn es una partcula de carga positiva, mientras que el electrn es
una partcula de carga positiva, siendo en ambos casos su carga de 1.6 x 10-9 C. El
ncleo contiene el 989.9% de la masa total del tomo en slo el 0.01% de su dimetro.
El tamao de un tomo es del orden de 10-10 m, mientras que el del ncleo es del orden
de 10-15 m.
El electrn es una partcula cuyo movimiento en el campo potencial se puede
describir por una funcin de onda ; que indica el comportamiento dual del electrn: es
decir, no podremos determinar la posicin de un electrn en un momento dado, sino que
debemos de hablar de densidad de probabilidad.
2 dV = Densidad de probabilidad
La densidad de probabilidad es la probabilidad de encontrar el electrn en un dV
situado en el punto (x,y,z) del espacio. La ubicacin ms probable del electrn en el
espacio es la de mayor densidad de probabilidad y es la que determina el tamao
atmico.
Mayor densidad de probabilidad

El ncleo contiene los nucleones; protones de carga positiva, igual a la carga del
electrn (1.602x10-19C); y los neutrones sin carga elctrica. Los pesos de ambas
partculas son respectivamente 1.0073u y 1.0087u (unidad de masa atmica, que
equivale a la doceava parte de la masa del tomo de carbono 12C). Se denomina nmero
atmico, Z, al nmero de protones o electrones que posee el tomo.
La masa del electrn en reposo es aproximadamente 9.1094x10-28gramos,
mientras que el de uno de los nucleones es 1.837 veces ms pesado, lo que determina
que la masa del tomo se concentra en el ncleo. Se denomina nmero de masa atmica
(N+Z), a la suma de los neutrones y los protones del tomo. Se denominan istopos a

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elementos que teniendo el mismo nmero atmico poseen distinto nmero de masa
atmico, es decir, difieren en el n de neutrones.
La unidad de masa atmica u = 1.6605x10-24 gramos y su inverso es a lo que se
denomina n de Avogadro = 6.023x1023.
Los electrones se sitan segn la mecnica ondulatoria en niveles discretos de energa,
comenzndose su ocupacin por los de menor energa. La ocupacin de estos niveles da
como resultado la tabla peridica de los elementos.
La ecuacin de Schrdinger es a partir de la cual se obtienen dichos niveles de energa,
ya que es la que representa el comportamiento dual del electrn. sta ecuacin es el
resultado de la combinacin entre la ecuacin que caracteriza a una onda estacionaria(1)
con la que caracteriza a una partcula (2), mediante la relacin de De Broglie (3).
d 2
4 2
=

dx 2
2
E = Ec + V =

(1)

1
me v 2 + V
2

(2) y =

h
h2
1
2
(3) E V =
me v
2me

Si de sta ltima despejo 2 y la introduzco en la primera obtengo la ecuacin de

Schrdinger, siendo sta:
h 2 d 2

+ V = E
8 2 me dx 2
E= Energa total, Ec = Energa cintica y V = Energa potencial
Las soluciones a la ecuacin se obtiene emplendose las condiciones de frontera lmite,
pues para que 2 tenga sentido, tiene que ser finita y tener un nico valor en cada
uno de sus puntos, adems de cumplirse que

2 dV = 1 . Esto exige que la

todoelespacio

amplitud de onda asociada a una partcula encerrada en un espacio finito sea nula en los
extremos. Por ello, en un espacio de una dimensin, cada onda puede caracterizarse por
un nmero entero. La relacin postulada por Born entre el nmero cuntico y el
momento angular se deduce teniendo en cuenta el espacio de dimensin circular.
Suponiendo un electrn que gira en una rbita circular estacionaria es necesario que la
longitud de la circunferencia contenga un nmero entero de longitudes de onda;

2r = n , y como la longitud de onda y el momento del electrn estn relacionados por

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la ecuacin de De Broglie (

h
), igualando ambas longitudes obtengo el valor
me v

angular postulado por Born: me vr = nh 2 .

Aplicando sta condicin de frontera obtenemos las energas permitidas de los
orbitales atmicos siendo sta: En =

me e 4 Z 2

8h 2 02 n 2

; donde n es el n cuntico principal, y determina los estados cunticos discretos

permitidos. A cada n se le considera una capa y en ella todos los electrones poseen el
mismo nivel de energa. Las capas se denominan K, L, M, N... con n crecientes de n(
n= 1; capa K) .
En cada capa existen subcapas que reflejan diferencias leves de energa, lo que se debe a
otros tres n cunticos:(1) n de momento angular orbital, l; (2) n Cuntico magntico,
ml; (3) n cuntico de spin.
l = 0, 1,.....(n-1), designndose como s(l=0), p(l=1), d(l=3), f(l=4)
ml = -l a +l y ms = 1/2
Cada uno de estos estados cunticos pueden ser ocupados por dos electrones de
espines opuestos (principio de exclusin de Pauli).
1.1.- Tabla peridica y propiedades de los distintos elementos.
Por lo visto ya anteriormente los electrones de un elemento de n atmico Z ocupan los
estados cunticos disponibles de menor a mayor energa, teniendo en cuenta el principio
de exclusin de Pauli. Este orden de ocupacin nos lleva la disposicin de los elementos
en la tabla peridica, el cual nos permite determinar el comportamiento de los
materiales y el mecanismo ms probable de enlace.
Ejemplo configuracin electrnica:
l = 0; ml= 0

ms= -1/2
ms= +1/2

ml= 0

2 electrones (subcapa s)

ms= -1/2
ms= +1/2

n= 2

l = 1 ml= 1

ms= -1/2
ms= +1/2

ml= -1

6 electrones (subcapa

ms= -1/2
ms= +1/2

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Luego las capas s pueden ocupar dos electrones, seis la p, diez la d y catorce la f.
Si el nmero de electrones en una capa es menor quiere decir que esta sta parcialmente
ocupada. A la capa ms externa se le denomina capa de valencia y ser la responsable el
comportamiento del elemento, tanto en propiedades como en mecanismos de
enlazamiento con otros elementos. La regla que se puede seguir para el llenado de las
capas es la que aparece a continuacin,. Teniendo en cuenta que hay excepciones como las del carbono, y el cromo- debido a hibridaciones sp y transformaciones sd.
7s

7p

7d

6s

6p

6d

6f

5s

5p

5d

5f

4s

4p

4d

4f

3s

3p

3d

2s

2p

1s
Ejemplo: Z = 46 (paladio)
1s22s22p63s23p63d104s24p64d85s2; como puede observarse se est llenando la subcapa d
del cuarto periodo, por lo que debe ser un elemento que se encuentre en la zona de
transicin de la tabla peridica. Si esto se comprueba en la tabla peridica vemos que se
cumple.
Ahora bien como comentamos anteriormente, se dan excepciones como el caso del
carbono con hibridacin sp3. Z = 6 (carbono)
1s22s22p2 sera lo lgico, sin embargo la configuracin que presenta es 1s22s12p3
2s2

2p2

2s1

2p3

La ocupacin de los estados cunticos de menor energa disponible y el apego al

principio de exclusin de Pauli por parte de los electrones de un tomo dan como
resultado la llamada tabla peridica de los elementos, a partir de la cual podemos
discernir rpidamente sus caractersticas qumicas. sta se encuentra dividida en filas y
columnas, que se denominan periodos y grupos respectivamente. Los elementos del
mismo grupo poseen la misma configuracin electrnica en la capa ms externa y
propiedades similares. Los periodos se inician cuando comienza a ocuparse los estados s
y termina con la ocupacin de todos los estados p; excepto en el caso de primer periodo
donde los estados p no se dan. En la tabla 1.1 aparece la tabla peridica de los
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elementos, y en ella aparece la nueva designacin de los grupos adoptado por la Unin
Internacional de Qumica Pura y Aplicada.
Los elementos de configuracin electrnica completa, carecen de reactividad
qumica o tendencia a reaccionar, por lo que poseen valencia cero, apareciendo como
elementos neutros. Sin embargo los elementos de los grupos 1 ,2 y 16,17, presentan una
alta tendencia a reaccionar cediendo o captando electrones. As se dice que los
elementos de los grupos 1 y 2 son muy electropositivos, porque ceden electrones y los
de los grupos 16 y 17, se dicen que son muy electronegativos porque captan electrones.
Al nmero de electrones cedidos o captados se les denomina valencia. La
electronegatividad crece hacia la derecha y hacia arriba.
Los elementos de los grupos III, IV y V (13,14,15) tienden a reaccionar compartiendo
electrones y sobre todo los del grupo IV se combinan con formacin de enlaces
coovalentes.
Los elementos que ceden electrones con facilidad tambin se denominan metales
y a los que los captan se les denomina no metlicos. El carcter metlico del elemento
se manifiesta en la capacidad de conducir corriente, siendo el no metlico no conductor.

1.2 Energas de enlace y principales mecanismos de formacin de enlace y

propiedades de stos.
Para que se produzca un enlace entre tomos es necesario que exista entre ellos
afinidad qumica, si no los tomos no se unen y se presentan en estado gaseoso a
temperaturas y presiones ordinarias, como ocurre con los elementos del grupo 18. Esto
es debido a que poseen configuracin electrnica de capa cerrada y por tanto no hay .,
reactividad entre ellos. Cuando existe afinidad qumica, existe una fuerza de atraccin
electrosttica positiva de largo alcance (FA) que acerca a los tomos ( la atraccin ocurre
entre el ncleo del primer tomo y los electrones del segundo), y cuando estos estn
cerca, se produce una fuerza de repulsin negativa de corto alcance (FR), cuyo origen es
el de repulsin de los electrones de ambos tomos. La fuerza total de enlace ser:
FB=FA + FR . Existe una separacin de equilibrio, en la cual la fuerza neta es cero, que
ser la que me determine el radio atmico de los elementos que se enlazan.
Cuando se analizan los enlaces, se acostumbra a utilizar ms las energas que las
fuerzas, luego diremos que la energa de atraccin ser cero en el infinito y no cambia

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hasta que los tomos estn a una distancia aproximada de unos cuantos de dimetros
atmicos. Cuanto ms aumente sta energa ms negativa se torna. La energa de
repulsin solo se manifiesta cuando las nubes electrnicas estn muy prximas, siendo
la energa total la suma de la de atraccin y la de repulsin. La curva resultante es la
energa de enlace, la cual presenta un mnimo a la distancia de equilibrio, r0, que me
determina el radio crtico, o lo que es lo mismo el tamao del tomo o ion , en este tipo
de enlazamiento. Esta es una forma de determinar el tamao atmico. Tabla 1.2.
La energa E0, en r0, es la energa de enlace del par de iones y proporciona una
indicacin sobre su punto de fusin, del coeficiente de expansin trmica y del mdulo
de Young. Cuanto mayor es la energa de enlace (ms negativa), tanto mayor es el punto
de fusin y el mdulo de elasticidad, y menor el coeficiente de expansin trmica.
Los tres mecanismos principales de formacin de enlace son: inico, coovalente
y metlico. El enlace inico se forma entre elementos electronegativos y
electropositivos. El tomo electropositivo cede electrones al electronegativo obteniendo
ambos la configuracin electrnica de capa completa, y unindose ambos por atraccin
electrosttica entre iones de distinto signo. Este tipo de enlace es el que se produce entre
metales y no metales. En trminos de mecnica cuntica, los electrones de valencia
pertenecientes a los tomos neutros se comparten entre los dos tomos que constituyen
la molcula, de tal forma que la densidad de probabilidad de los electrones, es mayor en
torno al tomo ms electronegativo, y por tanto ste tomo adquiere una carga negativa.
Para que la energa de atraccin sea mxima y la de repulsin mnima es necesario que
los vecinos inmediatos de un catin sean aniones y viceversa, siendo por tanto el enlace
inico adireccional, aunque es necesario equilibrar las cargas positivas y negativas para
mantener la neutralidad del cristal.
Al estar los electrones localizados la conductividad de los materiales inicos es
muy mala, ya que para que sta exista los iones deben de moverse con el campo
elctrico y al ser tan pesados se mueven con lentitud, de aqu la mala conductividad
elctrica y trmica. La energa de enlace es alta, por lo que posen un alto punto de
fusin. Las cermicas presentan este tipo de enlace, utilizndose por sus caractersticas
para soportar grandes temperaturas y como aislantes y dielctricos. Estas son frgiles
debido a la naturaleza localizada del enlace.
Cuando los tomos de las molculas comparten electrones por igual, se dicen
que se enlazan bien mediante enlace coovalente o mediante enlace metlico. Una
caracterstica importante de estos enlaces es que pueden darse entre elementos iguales.
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As en el H2, el Cl2, el diamante y el silicio entre otros, los tomos estn unidos por
enlace coovalente, mientras que en el cobre el enlace es metlico.
En los enlaces coovalentes puros los tomos comparten el mismo n de
electrones para obtener la configuracin electrnica de capa completa. En ste caso se
dice que se han formado enlaces por saturacin entre los dos tomos. Ejemplo: H2 y
Cl2. En ellos el enlace es muy fuerte, pero el intermolecular es muy dbil. Esta dbil
atraccin intermolecular es a lo que se denomina enlaces secundarios o fuerzas de van
der Waals. En trminos de densidad de probabilidad la mxima se encuentra entre
ambos ncleos por lo que es un enlace direccional.
En el caso del diamante, la hibridacin sp3 de cada tomo de carbono da origen a
enlaces tetradricos y requiere cuatro tomos como vecinos para formar la
configuracin electrnica ms estables, pero a su vez stos tomos necesitan otros
cuatro vecinos, y as sucesivamente; por lo que siempre hay un estado de enlace
disponible para la unin con tomos de carbono. Esto se describe como enlazamientos
insaturados, y es el responsable de que se forme un agregado muy grande
(macromolcula), dado lugar a un slido. Luego el diamante a temperatura y presin
ordinaria se presenta en estado slido.
Un ejemplo ms del enlazamiento saturado e insaturado es el proceso de
polimerizacin. El etileno CH2=CH2 es un gas porque todos los estados cunticos entre
el C y el H estn llenos, por lo que el enlazamiento es saturado.. Sin embargo si
partimos el doble enlace, se obtiene una molcula CH2 CH2 que tiene un estado de
enlace insaturado, por lo que hay un gran nmero de stas pueden unirse formando
macromolculas que se unen mediante enlaces dbiles de van der Waals, dado lugar a
un polmero slido.
Los materiales con enlace coovalentes son muy resistentes pero a la vez son
frgiles, pues no es posible separar mucho los ncleos sin que se rompa el enlace.
Adems los electrones localizados hacen de stos malos conductores elctricos. El
silicio slo muestra cierta conductividad a altas temperaturas (es lo que se denomina
semiconductor), aunque normalmente la conductividad del silicio se debe al dopaje con
impurezas. El diamante es un buen aislante elctrico pero es un buen conductor trmico.
Los polmeros son frgiles en estado slido, son no conductores- aunque ahora existen
polmeros conductores que poseen en su cadena grupos capaces de liberar electrones- y
los materiales cermicos a partir de silicatos y las cermicas avanzadas(SiN, SiC, y

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BN), tambin poseen enlaces coovalentes, utilizndose stos ltimos por su alta
resistencia al desgaste y a altas temperaturas, adems de por su dureza.
Por ltimo el enlace metlico es consecuencia de la gran facilidad de disociacin
de los metales en iones positivos y electrones negativos. Poseen enlazamiento no
saturado y se componen de un gran nmero d tomos. Los electrones liberados se
desplazan con facilidad, no estando localizados, de aqu su alta conductividad elctrica
y trmica. La teora de Lorent y Drude de electrones libres explica la opacidad -la
oscilacin de los electrones absorbe la energa del haz incidente en cualquier longitud
de onda y la reflectividad -los electrones oscilantes emiten ondas luminosas, fotones-.
Al ser el enlace insaturado, se explica el empaquetamiento compacto de los tomos, as
como sus propiedades sobresalientes de tenacidad y ductilidad con alta resistencia
mecnica. Debido a que le empaquetamiento en los metales es mayor que en los slidos
inicos y coovalentes su densidad es mayor.
Otra caracterstica de los electrones libres en el enlace metlico es la
insensibilidad ante el centro positivo, de aqu la posibilidad de sustitucin de un tomo
por otro, constituyendo as las soluciones slidas sustitucionales o aleaciones (Cu-Ni).
El enlace inico se da entre elementos electropositivos y electronegativos, sin
embargo el enlace coovalente puro solo se da entre elementos de la misma
electronegatividad, es decir, entre elementos iguales. El enlace coovalente puede darse
entre tomos distintos, pero ya no sera simtrico, ya que hay una mayor densidad de
probabilidad cerca de un tomo que del otro, por lo que tenemos que hablar de una
mezcla de enlace coovalente e inico. La presencia de ste carcter inico robustece el
enlace. Pauli propuso la frmula siguiente para determinar el carcter inico del enlace:
Fraccin carcter inico = 1 exp-1/4(xA - xB)
XA Electronegatividad de A
XB Electronegatividad de B
Al hablar de polmeros decamos que entre macromolculas el enlace
intermolecular era dbil y se deba a los enlaces secundarios o fuerzas de van der Waals.
Pues bien sta es una fuerza dbil de atraccin, que puede existir entre los tomos y las
molculas. El origen de la atraccin es principalmente la formacin de dipolos dbiles
permanentes u oscilantes y la atraccin entre los polos opuestos de stos dipolos. La
energa del enlace se puede determinar de la siguiente forma: E = - CA/r6 + CR/rL
En el caso de las molculas de agua y las macromolculas de los polmeros, el
enlace que se da entre ellas es de dipolo permanente, llamndose en ste caso de puente

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de hidrgeno, debido a que la unin se produce a travs de ste. Es el enlace de fuerzas

de van der Waals de mayor energa. La baja resistencia a la cedencia y los reducidos
mdulos de los polmeros se explican en virtud de los dbiles puentes de hidrgeno
(aunque sean los de mayor energa dentro de los enlaces secundarios) y fuerzas de Van
der Waals que se rompen con facilidad cuando estos materiales se someten a esfuerzos.
1.3- Tamao de tomos e iones.
El tamao atmico depende del nmero Z y el tipo de enlazamiento. A medida
que la carga nuclear aumenta los electrones ocupan los estados cunticos de las capas
exteriores con valores n creciente, lo que tiende a aumentar el tamao. Aunque al
aumentar la carga del ncleo, ste atrae ms las capas electrnicas internas ocupadas.
Estos dos efectos se contrarrestan mutuamente de tal forma que la diferencia de rdios
entre los tomos ligeros y los pesados no es muy grande , aunque disminuye a lo largo
del periodo. Se puede decir, que de forma aproximada el tamao aumenta en un grupo
hacia abajo, y en el periodo hacia la izquierda, es decir, hacia donde aumenta el nmero
Z. Sin embargo hay que tener en cuenta que puede haber excepciones, pues tambin va
a influir el tipo de enlazamiento. Tabla 1.4.
En el caso de los iones, tenemos que decir, que los cationes suelen ser menores que los
tomos neutros y los aniones mayores, esto se debe a que en el caso de los cationes al
ceder electrones, los electrones de las capas ms internas se ven ms fuertemente
atrados por el ncleo disminuyendo su tamao, y lo contrario le ocurre a los aniones.

2.- Materiales cristalinos y amorfos

Los materiales de pueden clasificar en funcin de la disposicin atmica o
molecular, en slidos cristalinos y amorfos. Si existe una disposicin regular de los
tomos que da lugar a un patrn que se repite en las tres direcciones del espacio se dice
que el slido es cristalino, y si no existe ste patrn definido se dice que se trata de un
slido amorfo. En el primer caso se dice que el material tiene orden de largo alcance, y
en el segundo caso orden de corto alcance. Esto puede observarse en la figura siguiente:
P(2,3)

Figura 2

a) Orden largo alcance

b) Orden corto alcance

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los puntos pueden representar un tomo o grupo de tomos o molculas. En el caso de

largo alcance la zona que aparece encerrada en el rectngulo se repite horizontal y
verticalmente mediante los vectores de translacin, mientras que en de corto alcance
slo se repite en las zonas enceradas, siendo similar a la estructura de los lquidos.
Aunque la mayor parte de los metales son cristalinos, algunos se tornan amorfos cuando
sufren enfriamientos drsticos, a partir del lquido, denominndose a estos metales y
aleaciones amorfos.
De la misma forma aunque los lquidos poseen orden de corto alcance, hay
algunos que pueden poseer orden de largo alcance y son cristalinos (polmeros
cristalinos lquidos).

3.- Celdas unitaria, sistemas cristalinos y redes puntuales o espaciales

El estudio de la estructura, o disposicin de los tomos en los materiales
cristalinos constituye la cristalografa. Podemos decir, que os patrones tridimensionales
que sigue la disposicin atmica pueden delimitarse a siete sistemas cristalinos y 14
redes de Bravais puntuales. Los sistemas cristalinos tienen caractersticas especficas
que determinan el empaquetamiento atmico y la densidad del material.
El patrn que se repite en la estructura cristalina se denomina celda unidad. sta
se caracteriza por tres vectores de translacin a, b y c y los ngulos , y entre los
ejes, denominndose constantes reticulares o parmetros de la red.
Celda unidad cbica con los parmetros
de red mencionados.
c

Si partimos de un punto y lo trasladamos en todas direcciones con el conjunto de

los tres vectores unitarios obtenemos lo que se denomina red espacial o puntual (matriz
de puntos dispuestos en el espacio de tal forma que todos poseen el mismo entorno). Si
elegimos un punto como origen y aplicamos cada uno de estos vectores de translacin
unitarios cualquier nmero de veces para llegar a un segundo punto, se obtiene un
vector que va del origen a ese segundo punto: P = u a + v b + w c; donde u, v y w

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indican el nmero de veces que se ha trasladado el eje respectivo. Estos valores son las
coordenadas del punto P (esto puede observarse en la figura 2).
Los puntos del retculo pueden representarse por un vector. Hay que advertir que
aunque la celda unidad tenga forma y orientacin, el origen en el retculo espacial
puntual no es fijo, por lo que podremos elegirlo en funcin de la conveniencia para
resolver los distintos problemas.
Slo existen 7 formas de especificar los valores para las longitudes axiales y
para los ngulos entre stos, dando lo que se denominan los siete sistemas cristalinos.
Luego slo podemos tener 7 formas de las celdas unitarias. Pero adems teniendo en
cuenta la definicin de red puntual, se puede aadir puntos al interior y a las caras de
algunas de las 7 celdas unitarias, por lo que a fin de diferenciar unas de otras, a las
primeras se les denomina simples o primitivas y se le designa por la letra P o R. Si se
agrega un punto al interior, la red puntual que se genera se denomina centrada en cuerpo
y se designa por I. Si se agrega un punto en el centro del plano de la celda, la red
puntual que se genera se denomina centrada en base o caras y se designan por las letras
C o F respectivamente. Bravais demostr que slo hay 14 redes puntuales posibles, por
lo que a las rede3s puntuales tambin se les denomina redes de Bravais.(Figura 3).
Los puntos de la red de Bravais pueden representar un solo tomo o molcula , o
pueden representar un conjunto de stos.

4.- Estructuras metlicas ms comunes.

La mayora de los metales cristalizan en una de estas estructuras cristalinas:
cbica centrada en cuerpo (CCC), cbica centrada en caras (CC) y Hexagonal
compacta(HCP).
4.1.- Estructura cbica centrada en cuerpo (CCC).
Esta estructura recibe la designacin de I y en ella todos los ejes son iguales a =
b = c y sus ngulos son de 90. El parmetro reticular es a. S se coloca un tomo en
cada punto de la red de Bravais cbica centrada en cuerpo, tengo 8 tomos en los
vrtices y uno en el interior. El tomo central toca a todos los tomos de los vrtices a
travs de la diagonal del cubo. ste n de tomos que tocan al tomo central son los
vecinos inmediatos y es lo que se denomina n de coordinacin. Luego en esta
estructura NC = 8.
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Esto puede aprciarse mejor en la figura 5 del anexo.

El n de tomos por celda unidad ser: NCCC = NI + NC/2 + NV/8 = 2; siendo NI
el n de tomo internos, NC, el n de tomos en las caras y NV, el n de tomos en los
vrtices.
El parmetro reticular puede determinarsea travs del radio atmico, teniendo
encuenta que los tromos se unen a travs de la diogonal de cubo. Luego como la
diagonal del cubo es a 3 entonces: a 3 = 4r a =

4r
; donde a es el parmetro
3

reticular y r es el radio atmico.

4.2- Estructura cbica centrada en caras.
Se designa con la letra F. Todos los ejes unitarios son iguales y sus ngulos son de 90,
siendo el parmetro reticular a. Si colocamos un tomo en cada punto de la red de
Bravais cbica centrada en caras, tendremos 6 tomos en los seis centros de caras,
adems de los 8 de los vrtices.
tomo metlico

El nmero de tomos por celda unidad es 4, estando stos en contacto a travs de

la diagonal de la cara, de donde podemos obtener la relacin con el parmetro de red;
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a = 4r

14

. El nmero de coordinacin es 12, lo cual puede observarse fcilmente,

teniendo en cuenta la figura 6. El tomo X est en contacto con los 8 que se enumeran
en la figura y los otros cuatro son reflejo del 5, 6, 7 y 8, de la celda unitaria siguiente
unida a la que contiene la X.
4.3 Estructura hexagonal compacta.
La estructura es la que puede verse en la figura 7a. Se trata de una red simple de
Bravais, con otro tomo situado en el punto (1/3, 2/3, ) (2/3, 1/3, ). Los parmetros
reticulares de la celda unitaria son a1, a2 y c, donde a1 = a2 c y = = 90 y = 120.
Sin embargo aunque sta sea la celda unitaria primitiva es difcil ver las caractersticas
de la HCP utilizndola, por ello lo que se hace habitualmente es unir tres de ellos para
formar un hexgono. As se puede decir, que la hexagonal compacta posee un tomo en
cada vrtice, uno en cada centro de base y tres situados en un plano intermedio en los
ortocentros de tres de los seis tringulos equilteros, alternndose. El empaquetamiento
final es el que aparece en la figura 7c. El nmero de coordinacin es 12. Los planos
superior e inferior se denominan planos basales y las caras son los planos prismticos.
Los tomos basales estn todos en contacto y los de la segunda capa se sitan en las
depresiones de los primeros y por ltimo la capa basal superior los tomos se sitan en
la misma posicin que los de la capa inferior. Luego la secuencia de apilamiento es
ABAB....y el nmero de tomos de la celda unitaria primitiva es 2, luego el hexgono
que tomamos tendr 6 tomos.
Los tomos estn en contacto a lo largo de los ejes unitarios a1 y a2, por tanto uno
de los parmetros reticulares es a1 = a2 = 2r. Podemos determinar el otro parmetro
reticular c, si advertimos que el tomo que se encuentra dentro de la celda simple estn
en contacto con los tomos del plano basal y por tanto la distancia interatmica tambin
es 2r = a
(2/3,1/3,1/2
(0,0,0) 1/3
2/3

2r = a

x
(0,0,0)
(2/3,1/3,0)

(2/3,1/3,0)

Observando estas dos figuras podemos determinar la relacin c/a, con lo que
tendremos el parmetro de red que nos faltaba.

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Por el tringulo rectngulo que se forma en la figura del lado izquierdo podemos
determinar x, con lo cual llevndolo a la figura siguiente obtenemos la relacin buscada.
2

2 1 1
x2 = a a = a2
3 3 3

1
1
1
1
a a 2 = c 2 1 a 2 = c 2
3
4
4
3
2

1
como a 2 = c + x 2
2

1 1
a 2 = c + a 2
2 3

c 8

=
a 3

c
=1.633
a

Ejemplo: determinar el parmetro reticular de a) Molibdeno (CCC, con r = 1.36A), b)oro

(CC, con r = 1.44A) y c) Cobalto (HCP con r = 1.15 A).
a) Al ser CCC los tomos se tocan a travs de la diagonal del cubo, luego la relacin
entre r y a ser:
4r
4(1.36 )
a 3 = 4r a =
a=
= 3.14 A = 0.3141nm
3
3
b) Al ser CC los tomos se tocan a travs de la diagonal de la cara, luego:
4r
4(1.44 )
2 a = 4r a =
a=
= 4.073 A = 0.4073 nm
2
2
c) Al ser hexagonal compacta, tenemos que calcular los dos parmetros de red a y c.
Comenzaremos hallando a, y despus a travs de la relacin c/a, calcularemos c.
2r = a a = 2(1.25) = 2.5 A = 0.25 nm; c = 1.633a c = 1.633(2.5) = 4.0825 A
4.4.- Intersticios y huecos en las estructuras cristalinas.

En las estructuras vistas anteriormente existen espacios vacos, llamados

intersticios o huecos, donde pueden caber tomos de pequeo tamao. El tamao de
estos intersticios vara de unas estructuras a otras. Podemos decir que existen dos tipos
de intersticios; los octadricos (el intersticio est situado en el centro de un octaedro) y
tetradricos (el hueco se sita en el centro de un tetraedro).
Los huecos en las estructuras CC, HCP y CCC pueden observarse en las figuras 8, 9 y
10. En la estructura CC los huecos ms grandes son los octadricos que se encuentran
en los centros de aristas y en el centro del cubo. stos estn rodeados por seis tomos
que forman los vrtices de un octaedro. Luego teniendo en cuenta que en la estructura
CC, a =

4r
, y que segn la figura 8, determinamos que el intersticio puede alojar una
2

esfera de 0.414r. los huecos tetradricos se encuentran situados por la translacin del
vector de la forma (1/4a,1/4a,1/4a) que va de un vrtice al interior del cubo. Por tanto la
distancia del vrtice al centro del hueco es de la diagonal del cubo, o lo que es lo
mismo. Como en cubo tiene 8 vrtices tengo 8 huecos tetradricos, luego el doble que
tomos por celda unidad, con n radio aproximado de 0.225r.

Beatriz Aranda

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16

La estructura HP tiene fundamentalmente la misma disposicin atmica que la

estructura CC, por lo que los huecos tetradricos y octadricos se encuentran en el
mismo nmero y pueden alojar tomos aproximadamente del mismo tamao. En ambas
estructuras el nmeros de huecos octadricos por celda unidad es igual al n de tomos
por celda unidad y el n de huecos tetradricos es el doble que el de tomos por celda.
En el caso de la CCC el hueco de mayor tamao es el tetradrico se encuentra en la
posicin de coordenadas

vectoriales

(1/2,1/4,0). Hay un total de 24 huecos

tetradricos, cuatro en cada cara del cubo, los cuales pueden alojar una esfera de 0.291r.
Los huecos octadricos, estn situados en los puntos medios de las aristas y en los
centros de caras, habiendo un total de 18 huecos. El octaedro que encierra cada hueco
est ligeramente comprimido, con dos tomos ms prximos que los otros cuatro., por
lo que los huecos slo pueden alojar esferas con un radio aproximado de 0.155r. Por
tanto tenemos 12 huecos tetradricos y 6 huecos octadricos por celda unidad. Como
puede observarse los huecos en esta estructura son mucho menores; esto se refleja en el
hecho de que la fase austenita (CC) de los aceros disuelve en mayor medida los tomos
de carbono que la fase ferrita (CCC). sta es la razn fundamental por la que es posible
endurecer los aceros cuando se le aplica un tratamiento trmico.

5.- Estructura coovalente: la estructura cbica del diamante.

Los elementos C, Si y Ge con enlaces coovalentes insaturados, presentan la
estructura cbica del diamante (CD). Ejemplos de estas estructuras son los cermicos
avanzados SiC, SiN y el compuesto semiconductor GaAs.
El diamante posee una estructura de Bravais CC y por tanto posee la red cbica vista
anteriormente. La diferencia entre sta y la estructura del diamante es la presencia de 4
tomos interiores adicionales, situados en 4 de los 8 huecos tetradricos de la estructura,
que se sitan en los puntos (1/4, , ), (3/4, , ), (3/4, , ) y (3/4, , ).

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17

De la figura anterior se deduce que el nmero de tomos por celda unidad ser:

N CD = 4 +

6 8
+ = 8 tomos . Tcnicamente la estructura CD es una red de Bravais CC
2 8

con dos tomos asociados por punto reticular. Sin embargo el nmero de coordinacin
en esta estructura es de 4 en lugar de 12. El parmetro de red puede calcularse teniendo

en cuenta que el hueco tetradrico se sita en el punto de coordenadas 1 , 1 , 1 , de

4 4 4
aqu que :

a 3
= 2r a 3 = 8r que es la diagonal del cubo. Como a travs de la
4

diagonal slo tengo 4 radios atmicos, quedan dos huecos desocupados (figura 11),lo
que determina la menor densidad de las cermicos, y la menor compacidad de sta
estructura frente a la de los metales. Un ejemplo con enlaces coovalentes y con una
estructura muy similar lo presenta el semiconductor GaAs (Figura 12). Aunque
tcnicamente la estructura de ste semiconductor es iguala la del ZnS, se incluye aqu
por los enlaces coovalentes. En ella los huecos tetradricos son ocupados por los tomos
de Ga.

6.- Estructuras cristalinas inicas: Materiales cermicos.

Los materiales cermicos son principalmente compuestos inicos de metales y
no metales (xidos, Carburos, nitruros, boruros, siliciuros y halogenuros).
Las estructuras de stos est determinado por la forma en que pueden empaquetarse los
iones positivos y negativos de modo que la atraccin electrosttica sea mxima y
mnima la de repulsin. Esto equivale a decir, que los cationes tendrn como vecinos
ms prximos a los aniones y viceversa. La estructura ms estable es la que pose el
mayor nmero de vecinos inmediatos, o lo que es lo mismo el mayor n de
coordinacin. Si los vecinos inmediatos estn conectados entre s se forma un poliedro
de coordinacin, y como los cationes son generalmente de menor tamao que los
aniones la relacin entre radios rc/ra, es la que determina la estructura siendo el criterio
de estabilidad el que la razn sea mayor que o igual a un valor crtico para un
determinado poliedro por alcanzar o n de coordinacin (tabla 3). Al encerrar el poliedro
a los cationes tambin se le denomina poliedro de coordinacin catinica. El otro
criterio de estabilidad en la estructura de las cermicas inicas es el de neutralidad
elctrica, es decir que el n de cargas positivas sea igual al de carga negativas.

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18

La red de Bravais en las estructuras inicas estn determinadas por los vectores
de translacin que son: (0, 0, 1) en la red cbica simple; (1/2, , 0) en la CC y de (1/2,
, ) en CCC. El vector de translacin debe terminar y comenzar en el mismo tipo de
ion.
6.1.- Estructura del CsCl.

Es un ejemplo de las estructuras inicas con n de coordinacin 8. Su relacin

entre radios es de

rc 1.70
=
= 0.939 > 0.732 , lo cual confirma el n de coordinacin. La
ra 1.81

estructura que puede observarse a continuacin, presenta los iones Cl- en las posiciones
de una red cbica simple y el Cs+ ocupando el hueco intersticial del centro del cubo.

Cs+
Cl-

Al principio puede confundirse sta estructura con una CCC, sin embargo si
aplicamos el vector de translacin de sta veremos que no llegamos al mismo tipo de
ion, mientras que si aplicamos el vector (1,0,0) de la Cbica simple si que llegamos al
mismo tipo de ion. Luego es cbica simple con dos iones uno cesio y otro cloro
asociado a cada punto reticular. Luego podemos decir:
-

n de coordinacin es 8.
Tengo dos iones por celda unidad, uno positivo y otro negativo (mantengo la
neutralidad)
Los iones se unen a travs de la diagonal del cubo, luego: 2 r + + r = a 3
Presentan esta estructura el CsBr, CsI

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19

6.2.- Estructura del cloruro sdico

La estructura de la sal gema que se encuentra representada a continuacin, posee

un anin cloro en cada punto reticular de la red CC, y los cationes se encuentran
situados en todos los huecos octadricos de la estructura. El n de coordinacin es de 6
tanto para los aniones como para los cationes, ya que la relacin entre radios es
de

rc 098
=
= 0.541 > 0.414 .
ra 1.81

ClNa+

La red es CC, porque si aplicamos su vector de translacin (1/2, , 0) obtenemos el

mismo tipo de ion. Podemos resumir:
-

el n de coordinacin es 6 para ambos tipos de iones.

Hay cuatro cationes y cuatro aniones por celda unidad (8 iones/celda).
Los iones estn en contacto a travs de las aristas del cubo, dando la relacin:
a = 2(r + + r )
Compuestos que poseen esta estructura son el MgO, CaO, SrO, BaO, CdO, MnO,
FeO, CoO y NiO.

6.3.- Estructura de la blenda de Zinc.

En esta estructura los aniones se encuentran en los puntos reticulares normales

de la CC y los cationes se encuentran en cuatro de los 8 huecos tetradricos, de tal
forma que su n de coordinacin es de 4 para ambos iones.
La estructura es muy similar a la del diamante pero con la diferencia de que los
tomos interiores son sustituidos por cationes. El n de coordinacin corresponde al de
la relacin entre radios, que en ste caso es de 4. Como puede observarse en la
estructura la distancia entre primeros vecinos se da a partir de la diagonal del cubo, de
tal forma que la relacin entre el parmetro de red a y el radio de los elementos ser
3
a = ( r+ + r ) .
4
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20

6.4.- Estructura de la Fluorita

LA frmula qumica MX2 incluye un gran nmero de cermicos estructurales. Todos

ellos responden a la estructura de la fluorita (CaF), que es la que se muestra a
continuacin o a la de la slice (SiO2), que se ve posteriormente.

Ca
F

La red de la fluorita se construye sobre una red de Bravais FCC, en los que hay
tres iones asociados a cada punto reticular (dos de flor y uno de calcio). La celda
unidad posee 12 iones ( 8 F- y 4 Ca), situndose los de Ca en posiciones CC y los F- en
las posiciones de los intersticios tetradricos. El nmero de coordinacin Es de 4 para el
Catin y de ocho para el anin como puede observarse a continuacin.

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21

Como puede observarse en la figura este tipo de cermicos presentan un

volumen no ocupado en el centro de la celda unidad, que juega un papel muy importante
en la tecnologa de los materiales nucleares. El dixido de uranio (UO2) es un
combustible de reactores nucleares que pueden acomodar productos de fusin ( gas
helio), sin que aparezcan hinchamientos, debido a estas estructuras. Poseen esta
estructura, UO2, ThO2, y TeO2.
6.5.- Estructura de la slice.

La relacin entre radios es de 0.29, lo que indica una coordinacin tetradrica,

con cuatro iones oxgeno alrededor del Si4+.
Las tres estructuras fundamentales de la slice son el cuarzo, la tridimita y la
cristobalita, cada una de las cuales existen en dos o ms modificaciones. stas se
conocen como altropos o polimorfos de la slice. Como representacin de sta se suele
dar la estructura de la cristobalita que puede obtenerse a travs de la estructura del
diamante, insertando despus os iones oxgeno entre cada par de tomos de silicio. sta
estructura es ms abierta que la de otros xidos, por lo da lugar a una densidad mayor
aunque el peso atmico sea mayor, como ocurre con el caso de MgO, que poseyendo un
peso atmico menor, posee una mayor densidad.
Si4+
O2O2-

Tcnicamente es una red de Bravais CC, con seis iones por punto reticular ( dos
de Si

4+

y 4 O2-). Luego la celda posee 24 tomos, 16 de oxgeno y 8 de silicio. Los

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22

tetraedros de slice pueden unirse de distinta forma dando lugar a distintas estructuras
que se estudiarn posteriormente en los cermicos.
6.6.- Estructura cristalinas del tipo AmBnXP

Tambin es posible que s de en los cermicos tener ms de un tipo de catin;

uno de estos materiales es el tianato de bario (BaTiO3). ste tiene la estructura cristalina
de la perouskuita (CaTiO3), que posee una red de Bravais simple con 5 iones asociados
a cada punto reticular., y por celda (un Ti4+, un Ca2+ y 3 O2-). La celda unidad puede
dibujarse como se muestra a continuacin; con los Ca o Ba en los vrtices, el titanio en
el centro y los oxgenos ocupando los centros de cara. Los materiales de este tipo
poseen muy buenas propiedades ferroelctricas y piezoelctricas.
La frmula AB2X4 incluye una importante familia de cermicas con aplicaciones
magnticas, basadas en la estructura de la espinela (MgAlO4), que puede observarse en
la figura 3.23 del anexo. Esta presenta una red de Bravais FCC con 14 iones ( 2 Mg2+, 4
Al3+, y 8 O2-) asociados a cada punto reticular. Por tanto la celda posee 56 iones (8
Mg2+, 16 Al3+ y 32 O2-). Los iones Mg estn ocupando posiciones tetradricas, es decir,
estn en coordinacin con 4 oxgenos, y los iones Al3+ estn situados en posiciones
octadricas, es decir, se hallan en coordinacin seis con los oxgenos. Sin embargo
tenemos que advertir que los cermicos magnticos con importancia comercial estn
basados realmente en una estructura un poco modificada, que se denomina estructura de
espinela inversa, en la que los huecos octadricos estn ocupados por los iones M2+, y la
mitad de los iones M3+. El resto de iones M3+ se encuentran ocupando huecos
tetradricos. Ejemplo de ste tipo de materiales son: FeMgFeO4, Fe3O4 o magnetita,
FeNiFeO4, y muchas otras ferritas de inters comercial.
En la tabla 3 del anexo, podemos encontrar un resumen de las estructuras ms
comunes que se dan en los cermicos.

7.-Alotropa y polimorfismo.
Es la capacidad que poseen los materiales cristalinos de asumir distintas
estructuras cristalinas a diferentes presiones y temperaturas. Muchos metales y algunos
cermicos presentan esta propiedad, siendo el hierro y el slice un buen ejemplo de
ellos.
El hierro asume la estructura ccc a bajas temperaturas , alrededor de 912C
asume la estructura cc y vuelve a ser ccc alrededor de 1394C.
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23

El slice que se utiliza como refractario en hornos asume formas de cuarzo alfa
hasta 573C, de cuarzo beta de 573 hasta 867C, tridimita beta de aqu a 1470C y
cristobalita beta de 1470 a 1710C.
La importancia de la alotropa radica en el cambio de volumen que experimentan
los materiales al cambiar de estructura, debido a que cambios de temperaturas pueden
hacer que se creen tensiones internas debido a estos cambios de volumen, que pueden
dar lugar a la fractura.

8.- Fraccin de empaquetamiento y densidad.

Para determinar algo tan importante como es la densidad de los materiales, es
muy til conocer el factor de empaquetamiento o fraccin volumtrica de
empaquetamiento (APF FVE), que se define como la fraccin de volumen ocupada
por

los

tomos

iones

en

la

celda

unitaria:

3
n Ni 4 r
i
Volumen tomos
3
; donde Ni es el nmero de iones o
=
APF =
Volumen celda unidad i =1
VCu

tomos por celda unidad, y ri es el radio atmico o inico.

Si se trata de celda inica necesitaremos sumar el volumen total de cada ion en
el numerador. VCu, es el volumen de la celda unidad.
Para una misma masa atmica, una FVE muy grande significa que la estructura
posee una mayor densidad. Como ya vimos las estructuras de mayor compacidad son la
FCC y la HCP, por lo que los elementos que posean este tipo de estructura. poseern
mayor densidad.
En

trminos

de

estructura

cristalina,

la

densidad

se

toma,

como:

masa tomos / iones por celda unidad

.
volumen celda unidad
Por todo ello la densidad depende de los tamaos atmicos o inicos, de la

fraccin volumtrica de empaquetamiento y de la masa atmica. Como ya vimos al

principio el tamao del radio atmico no vara mucho de un elemento a otros, por lo que
el tamao no influir en gran medida en la densidad. La mayor influencia la ejerce la
masa atmica y su empaquetamiento compacto. Los polmeros y los cermicos son
relativamente ms ligeros porque estn compuestos de elementos ligeros, adems de su
estructura ms abierta.

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24

9.- Direcciones y planos en los cristales: Indices de Millr.

La deformabilidad en los metales viene determinada por las fracciones atmicas
planares y lineales, ya que la deformacin de los materiales va a tener lugar slo a
travs de determinados planos y direcciones, que los son los de mayores fracciones
atmicos planares y lineales. Por tanto para poder determinar la deformabilidad tenemos
en primer lugar que ver como se nombran los planos y direcciones en las estructuras
cristalinas, para posteriormente poder definir las fracciones atmicas planares y lineales,
que nos conducirn a dicha propiedad.
9.1.- Direcciones

En las redes espaciales, cuando trasladamos los vectores unitarios, a, b y c de la

celda unitaria, un determinado nmero de veces llegamos a otro punto de dicha red
espacial, o dicho de otra forma al trasladar los vectores unitarios un nmero
determinado de veces podemos obtener toda la red espacial. Por ello cada punto del
retculo se puede representar por medio de un vector y sus coordenadas (u, v, w), que
corresponden a l vector P = ua + vb + wc.
Puesto que el vector tiene magnitud y direccin, las direcciones se identifican
con las coordenadas vectoriales (u, v, w) del punto P respecto del origen, tomndose
stas coordenadas como los ndices de Miller de la direccin del origen a P, y se
encierra entre corchetes [ u v w]. Fig 2.23 del anexo. Los nmeros u, v y w deben ser
los enteros ms sencillos, as [112], [224], [1/2,1/2,1] representan la misma direccin,
pero se tomar como ndices de Millr vlidos el primero. Las translaciones de los ejes
en sentido negativo se simbolizan con una barra encima del nmero [u v w]. Puesto que
una direccin se representa mediante un vector, una direccin entre dos puntos, P1 y P2,
de la red cristalina, vendr dada por la diferencia vectorial entre los dos vectores,
teniendo en cuenta el origen y final de la direccin, es decir la direccin P de P1 a P2
ser: P = P2 P1 = [u, v, w]punta [u, v, w]cola.
Si consideramos ahora el caso especfico de la estructura cbica, podemos
observar que todas la direcciones que obtenemos tomando como origen uno fijo y los
vrtices del cubo, como finales de direccin, es decir, las direcciones [100], [010],

[ ]

[001], [1 0 0], 0 1 0 , [0 0 1] , poseen todas la misma longitud, por geometra del cristal y
la misma distancia interatmica, por lo que decimos que forman una familia de
direcciones ya que estn relacionadas por simetra del cristal, y se simboliza

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25

introduciendo entre ngulos la direccin que las representa, < 100 >. Otra familia de
direcciones en la celda cbica la constituyen las diagonales del cubo < 111 >, que son
cuatro, [111], [1 1 1], [1 1 1], y [1 1 1] . Como puede observarse en el caso de la estructura
cbica podemos obtener todas las direcciones equivalentes que forman la familia con
nicamente intercambiar los ndices de posicin y tomando los negativos y los
positivos.
9.2.- Planos.

Tambin los planos se identifican mediante los ndices de Millr, pero sta vez
como h, k y l encerrados entre parntesis. Al igual que en el caso de las direcciones
existen familias de planos, que estn compuestas por todos los planos equivalentes
existentes por la simetra del cristal. En ste caso la familia se representa por uno de los
planos introducidos entre llaves, por ejemplo, la familia de las caras del cubo ser,
{100}. De forma general una familia vendr representada como {h k l}. Los ndices de
Millr, son los recprocos de los puntos de corte con los ejes coordenados y vamos a
demostrarlo. Tomemos el plano que corta a los ejes coordenados en A(2a), B(4b) y en
C(2c) (figura 2.28), por lo que la ecuacin del plano vendr dada por :

x
y
z
+ + = 1,
A B C

Siendo los coeficientes especficos de x, y, z, los que determinan un plano especfico. El

problema es que son fraccionarios por lo que necesitamos transformar la ecuacin de
forma que los coeficientes sean n enteros, para ello vamos a utilizar dos teoremas de
geometra. El primero dice que para un plano racional con intersecciones en A, B y C,
existen ABC planos idnticos, con igual separacin del origen a ste punto racional (
siempre que no halla un factor comn en los pares AB,AC y BC); y el segundo dice que
la ecuacin (ax + by + cz = m) representan un plano m veces ms distante del origen
que ( ax + by +cz = 1).
Por lo que aplicando los dos teoremas anteriores, podemos multiplicar la primera
ecuacin por ABC, con lo que nos quedara: BC x + AC y + AB z = ABC, que segn el
segundo teorema estar ABC veces ms distante del origen que el plano h x + k y + l z
= 1, siendo h = BC, k = AC y l = AB. Luego como existen ABC planos idnticos, la
ecuacin anterior representar al primer plano a partir del origen que ser idntico al
plano

x
y
z
+ + = 1 . Por ello podemos utilizar los coeficientes, h, k y l como los
A B C

ndices de Millr del plano encerrados entre parntesis, (h k l).

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26

Ahora bien si expresamos esta ecuacin en forma de intersecciones,

entonces:

x
y
z
+
+
= 1 . Por lo que queda demostrado que los ndices de Miller
1
1
1
h
k
l

son los recprocos de las intersecciones fraccionarias, 1/h, 1/k, y 1/l , del primer plano a
partir del origen en los ejes cristalogrficos respectivos. As si las longitudes axiales son
a, b y c, las intersecciones reales del plano son a/h, b/k y c/l, como se muestra en la
figura 2.28b del anexo.
Por todo ello para obtener los ndices de Millr de un plano debemos:
1 identificar las intersecciones de ste con los ejes cristalogrficos.
2calcular los recprocos de las intersecciones
3 eliminar fracciones y
4 representar los ndices de Millr como el conjunto de hkl ms pequeo encerrado
entre parntesis, es decir (hkl).
Tememos que tener en cuenta :
-

Cuando el plano corta con algn eje en el infinito, es decir, es paralelo a ste, el
recproco es cero.

Un plano de ndices negativos e iguales a un segundo plano, es paralelo e igual al

segundo plano.

Las familias de planos, estn formadas por los planos equivalentes por la simetra
del cristal, es decir, todos son geomtricamente semejantes y en ellos las distancias
intertomicas son las mismas.

En el caso de la estructura cbica los ndices de Millr de todos los plano que
conforman una familia se pueden obtener intercambiando los ndices tanto en
sentido positivo como negativo. Por ejemplo la familia de las caras del cubo, {100},
sern: (1 0 0), (0 1 0 ), (0 0 1), (1 0 0), (0 1 0), (0 0 1) , luego como puede comprobarse
son los planos que conforman las seis caras del cubo.

9.3.- Planos y direcciones en HCP.

Aunque el procedimiento que se ha descrito anteriormente sirve para identificar

los ndices de Miller de los planos y direcciones en cualquier sistema cristalino, Para
poner de manifiesto la geometra hexagonal de ste sistema, la representacin de tres
dgitos (ndices de Miller) se convierte en una representacin de cuatro dgitos( ndices

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27

de Miller- Bravais). sta representacin surge, debido a un tercer eje en el plano basal
del hexgono, a3, que est relacionado por simetra con a1 y a2. Por lo que los ndices de
Miller- Bravais se refiere a los cuatro ejes, a1, a2, a3 y c, y se representan como (hkil). El
valor de i depende de h y k, pues el eje a3 es combinacin lineal de a1 y a2, y viene dado
por i = -(h + k). De sta forma al igual que ocurre en la estructura cbica, todos los
planos equivalentes que forman una familia, poseen el mismo conjunto de nmeros,
cosa que no ocurre en la notacin de tres nmeros, obtenidos de la celda tetragonal. Esto
puede observarse si tomamos la figura seis del anexo, y determinamos los planos que
componen las caras del prisma. En el sistema de tres dgitos, no se cumple la regla
anterior pero s en el de cuatro dgitos. Vamos a obtener los ndices en los dos sistemas
y lo compararemos (figura 6).

Cara del prisma

Indices de Miller

1, 2, 8, 9

(100)

2, 3, 9, 8

(010)

3, 4, 10, 9
4, 5, 11, 10
5, 6, 12, 11
6, 1, 7, 12

Indices de Miller-Bravais

( 11 0 )
(10 0 )
( 010 )
( 11 0 )

( 1 0 1 0)
( 0 1 1 0)
( 1 1 0 0)
( 1 0 1 0)
( 0 1 1 0)
( 1 1 0 0)

Igualmente en el caso de las direcciones se produce la similitud en el caso de los

cuatro ndices. El cambio de tres a cuatro dgitos se realiza a travs de las siguientes
ecuaciones:
1
(2u v); v = 1 (2v u); i = 1 (u v); w = w;
3
3
3
siendo [u v w] los ndices de Miller (Tres dgitos )

u=

Hay que tener en cuenta que para el caso de direcciones es necesario primero
obtener el sistema de tres dgitos , para poder calcular los ndices de Miller- Bravais de
las direcciones. Por ello normalmente las direcciones se suele dejar en ndices de Miller,
y se utilizan los ndices de Miller- Bravais solo en el caso de planos en la celda
Hexagonal.
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28

10.- Sistemas de deslizamiento en los metales

Una vez conocido como se nombran planos y direcciones estamos en disposicin
de ver como influye la estructura en una de las propiedades ms importantes de los
materiales, que es la capacidad de deformacin. La deformacin de stos siempre se
produce por deslizamiento de planos preferentes a lo largo de direcciones preferentes. A
stos planos se les denomina planos de deslizamiento y a las direcciones, direcciones
de deslizamiento. A la combinacin de un plano de deslizamiento con una direccin, es
a lo que se le denomina sistema de deslizamiento, y es a travs de estos sistemas por
donde se produce la deformacin de los materiales, de tal forma que cuanto mayor es el
nmero de ellos mayor ser la capacidad de deformacin de stos.
Para poder determinar cuales son sistemas existentes, primero tenemos que ver
cuales son los planos y direcciones preferentes. Pues bien los planos de deslizamiento
son los que poseen la fraccin atmica planar (FAP) ms grande o lo que es lo mismo,
son los planos de mayor compacidad en la estructura cristalina. Se define la fraccin
atmica planar como: FAP =

rea de los tomos en el plano

. Las reas de los tonos
rea del plano

del plano son las secciones atmicas que el plano corta al pasar por el centro del el
tomo o punto de la red. Si hablamos de densidad atmica planar (p), en lugar de FAP,
sta viene definida como: p =

n tomos int erceptados por el plano

. Los planos de
rea del plano

deslizamiento se pueden determinar teniendo en cuenta uno u otro concepto, y en ambos

casos sern los que presenten valores ms altos.
Si determinamos la FAP de las distintas familias de planos de las diferentes
estructuras, veremos que para el caso de la cc, la familia de planos de mayor FAP es la
{111}, mientras que para la estructura ccc, es la {110}. Luego los planos pertenecientes
a stas familias constituyen los planos de deslizamientos de sus estructuras cristalinas
correspondientes. Por lo que ya solo necesitamos conocer, Para poder determinar los
sistemas, cuales son las direcciones de deslizamientos.
La s direcciones de deslizamiento son las que poseen una fraccin atmica lineal
(FAL) mayor o lo que es lo mismo, las que poseen mayor densidad lineal. Se define la
FAL como: FAL =

longitud de los tomos a lo l arg o de la direccin

. Y se define
longitud de la direccin

Beatriz Aranda

Estructura materiales cristalinos

densidad atmica lineal como: l =

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n tomos int erceptados por la direccin

. Pues
longitud de la direccin

bien si determinamos las direcciones de deslizamientos en los diferentes sistemas

cristalinos, en funcin de su FAL, comprobaremos que para el caso de la cc la familia
de direcciones de mayor AFL es la <110> y en el caso de ccc la familia es la <111>.
Uno vez obtenido tanto los planos de deslizamiento, como las direcciones de
deslizamiento, podemos obtener el n de sistemas cristalinos que se dan en las distintas
estructuras, y por tanto determinar en funcin de ellos, cuales son los materiales de
mayor capacidad de deformacin.
Cojamos por ejemplo las estructuras cristalinas cc y ccc, para poderlas comparar
en cuanto a capacidad de deformacin. En el caso de la estructura cc, la familia de
planos de mxima compacidad es la {111}, en la que existen cuatro planos, y la familia
de direcciones de mxima compacidad es la <110>, en la que existen tres direcciones,
por lo que existen tres sistemas de deslizamiento por plano de dicha familia. Luego
como existan 4 planos, tengo doce sistemas de deslizamiento en la cc.
En el caso de la estructura ccc, la familia de planos de mxima compacidad es la
{110}, que posee seis planos, y la familia de direcciones de mxima compacidad es la
<111>, en la que existen dos direcciones compatibles, por lo que los sistemas de
deslizamiento que tendremos son tambin doce. Hay que tener en cuenta a la hora de
determinar los sistemas de deslizamiento que no se tienen en cuenta las direcciones
inversas. Figura 2.33 del anexo.
Pues bien como puede verse el nmero de sistemas de deslizamiento en ambas
estructuras es alto, por lo que son estructuras que poseen una buena capacidad de
deformacin. En la tabla 2.7 del anexo, puede verse los sistemas de deslizamiento de la
estructuras que ms se dan en metales. En ella puede observarse el porque de la buena
deformacin de metales como el acero (ccc), el Cu, Ni y Al (cc), y la mala capacidad de
deformacin del Cd, Zn (HCP). Por tanto aquellos materiales que posean sta ltima
estructura no podrn sufrir grandes deformaciones a temperatura ambiente, mientras que
lo que posean estructuras cc y ccc, pueden fabricarse por estampado profundo, como
por ejemplo los cartuchos producidos por las aleaciones de cobre.
Las cermicas cristalinas tambin presentan sistemas de deslizamiento. El xido
de magnesio, que tiene estructura del cloruro sdico presenta un sistema de
deslizamiento {110} < 1 1 0 > ; sin embargo slo existen dos sistemas independientes lo

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que hace a los cermicos frgiles. Adems en ste tipo de materiales existe un problema
aadido que es el caso de la repulsin entre iones, es decir hay direcciones en la que se
producen acercamientos de iones del mismo signo, y que por lo tanto no son posibles.

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