Semiconductores

Eduardo Caicedo Bravo, Ph.D.

eduardo.caicedo@correounivalle.edu.co
Profesor Titular
Escuela de Ingeniera Elctrica y Electrnica

CAP1. Semiconductores
Cul consideran como el invento ms destacado en la
electrnica de los ltimos tiempos?

CAP1. SEMICONDUCTORES

Cmo se ve impactada la
Ingeniera Elctrica con los
desarrollos electrnicos?

Antecedentes

Posibilit el desarrollo de la electrnica

durante la primera mitad del siglo XX
(expansin y comercializacin de la radiodifusin,
televisin, radar, audio, redes telefnicas, computadoras
analgicas y digitales, control industrial, etc.)

La gran mayora de las vlvulas se basan en

la propiedad que tienen los metales calientes
de liberar electrones desde su superficie
(Efecto Edison).

Tubo al vaco / Vlvula

termoinica

ENIAC (una de las primeras computadoras)

usaba 17.468 vlvulas de vaco (el primer
Pentium us 3,1 millones de transistores).

Antecedentes

Fsica del estado slido en la dcada de los 40s

1948 invencin del Transistor, en los
Laboratorios Bell (Brattain Bardeen)
Elementos Semiconductores:
Silicio
Germanio
Arseniuro de Galio

Secuencia de Estudio

teora

Diodos

Transistores

Operacionales

semiconductores
Integrados

Elementos Bsicos
La materia est hecha de elementos, que son sustancias que se encuentran
en el universo.
En electrnica lo que importa es el nmero de electrones en la capa de
valencia (ltima rbita del electrn).

Elementos Conductores

tomo de Cobre

Tienden a CEDER electrones

Conductores

Elementos Conductores
Los mejores conductores en su orden son:

Elemento

Smbolo

conductividad elctrica ((mohm.cm)-1)

Plata

Ag

606,5

Cobre

Cu

595,8

Oro

Au

446,4

Aluminio

Al

376,7

Incluso la tensin ms pequea puede hacer que su electrn en la capa

de valencia se mueva hacia otro tomo.
Si un tomo neutro pierde electrones, la carga resultante del tomo es
positiva y recibe el nombre de in positivo.

Semiconductores
Lo opuesto a un conductor es el aislante.
Los mejores aislantes tienen 8 electrones en su capa de valencia.

Qu es un semiconductor?

Aquellos con propiedades elctricas entre las de un conductor y un

aislante.
Los mejores semiconductores poseen 4 electrones en su capa de valencia
Los materiales ms empleados son el Silicio y el Germanio debido a que
pueden ser fabricados con un muy alto grado de pureza.

Estructura Cristalina

Si

rbita
Exterior

Si

e- de
Valencia

Si

Si

Enlace
Si

Cuarta columna de la tabla peridica incluye

Si y Ge.
Poseen cuatro electrones en la banda de
Valencia
Tienden a formar un cristal en estado puro
Cristales INTRNSECOS
Poseen un patrn tridimensional repetido en
forma de estructura cbica
Tienen un enlace covalente en el cristal
0 Kelvin no existen electrones libres, cristal
estable
En estado puro se denomina Semiconductor
Intrnseco y la conduccin elctrica se debe a
la ruptura de algunos enlaces covalentes:
Energa Trmica
Energa Elctrica
Energa Lumnca

Semiconductores Extrnsecos

Si

Impureza

Las caractersticas de los dispositivos dependen

del nivel de impurezas contenidas en el cristal:
CONDUCTIVIDAD
En el proceso de impurificacin intervienen los
elementos de las 3 y 5 columna
GRUPO 3

Si

Si

Electrn
Libre

Si

GRUPO 5

Boro
Nitrgeno
Aluminio
Fsforo
Galio
Arsnico
Indio
Antimonio
La estructura cristalina se conserva
Se genera un electrn libre sin enlace covalente y
se separa fcilmente del tomo
Se denomina impureza DONADORA pues
proporciona electrones libres a la estructura
Este tipo de material se llama:
SEMICONDUCTOR TIPO N
En este material TIPO N la conduccin elctrica
es debida a electrones

Semiconductores Extrnsecos
Si

Impureza

Si

Si

Hueco

Si al Si puro le agregamos tomos del Grupo 3

Se presenta un dficit para conservar los enlaces
Se conserva la estructura cristalina
Existir un vaco de un electrn: HUECO
Tenemos una impureza ACEPTADORA
El elemento aceptar un hueco para llenar las
necesidades de enlace
Se genera un:
SEMICONDUCTOR TIPO P
En los materiales tipo p la conduccin se realiza
por movimiento de huecos

Si

1. Cuando no hay un campo elctrico el movimiento de electrones o huecos es

catico
2. DIFUSIN: Movimiento de portadores de regiones de alta concentracin a
regiones de baja concentracin, tanto electrones como huecos se difunden
cuando existe un gradiente de concentracin apropiado

Semiconductores Extrnsecos

Niveles de Energa

La teora atmica moderna define los niveles de energa en

los cuales el electrn puede ubicarse
El movimiento entre niveles se realiza mediante la
inyeccin de energa igual a la diferencia entre niveles
Nivel ms
bajo de
Energa

Nivel ms
alto de
Energa

Un cristal est conformado por un gran

nmero de tomos cuya interaccin la
definen las bandas de energa.

Ncleo

En un slido existe una gran nmero

de niveles de energa

BANDA DE ENERGA, es un conjunto de niveles de energa prximos:

Banda de Valencia
Banda de Conduccin
Banda Prohibida: Separa las dos anteriores y comprende aquellos niveles de
energa que los electrones no pueden tener en estado slido

Niveles de Energa

Energa

Energa

Banda de Conduccin

Energa

Banda de Conduccin

Banda de Conduccin

Electrones libres
para establecer
conduccin

Eg ~ 1 eV

Eg > 5 eV

Banda de Valencia

AISLANTE

Electrones de
valencia unidos a
la estructura
atmica

Banda de Valencia

Banda de Valencia

SEMICONDUCTOR

CONDUCTOR

Eg = 1.1 eV (Si)
Eg = 0.67 eV (Ge)
Eg= 1.41 eV (GaAs)

Eg = 7.0 eV (C)
Eg = 0.1 eV (Sn)

eV : Unidad de energa equivalente a 1.6 x 10-19 w-seg

Niveles de Energa

Energa

Las impurezas alteran el comportamiento de las

bandas de energa

Banda de Conduccin

Niveles Donadores

DONADOR, ligeramente por debajo de la

banda de conduccin
ACEPTOR, ligeramente por encima de la
banda de valencia

0.01 eV

0.01 eV

Niveles Aceptores

Banda de Valencia

Un aumento de temperatura incrementa la

conductividad
El material tipo n tiene un exceso de electrones y
la conduccin elctrica es por el movimiento de
electrones de la banda de conduccin
En un material tipo p existe un exceso de huecos
y la conduccin elctrica es principalmente por
movimiento de huecos de la banda de valencia

Semiconductores Extrnsecos
Dopado con Grupo V

Otro electrn libre, que

provenga de otro tomo,
puede llegar a ocupar el
hueco que dej el primero

Semiconductores Extrnsecos
Dopado con Grupo V

Recombinacin
Hueco-electrn

El fenmeno puede repetirse mientras las

condiciones sean propicias produciendo
un flujo de electrones libres a travs del
cristal.

Semiconductores Extrnsecos
Dopado con Grupo V

impurezas

Si
este
fenmeno
se
presenta, no solamente en
una celda de Silicio, sino en
la pieza de cristal completa
que se ha seleccionado, se
tendr un cristal de Silicio
impurificado ......
En el cual, cada tomo de
impureza (Fsforo) da lugar
a la presencia de una carga
negativa.... Formando un
material extrnseco tipo n.

Semiconductores Extrnsecos
Dopado con Grupo III

Cuatro tomos de Si

y Un tomo del grupo III (como

el Boro) en el centro de la
celda base......

hueco

Electrn perifrico que no

participa en ningn enlace ...
Capaz de liberarse de su
tomo padre......

Semiconductores Extrnsecos
Dopado con Grupo III

Otro electrn libre, que

provenga de otro tomo,
puede llegar a ocupar el
hueco que queda durante el
dopaje

Semiconductores Extrnsecos
Dopado con Grupo III

Recombinacin
Hueco-electrn

Semiconductores Extrnsecos
Dopado con Grupo III

Impurezas trivalentes

Si
este
fenmeno
se
presenta, no solamente en
una celda de Silicio, sino en
la pieza de cristal completa
que se ha seleccionado, se
tendr un cristal de Silicio
impurificado ......
En el cual, cada tomo de
impureza (Boro) da lugar a la
presencia de una carga
positiva.... Formando un
material extrnseco tipo p.

La Unin PN

La unin PN es el resultado de enlazar un material tipo P y un material tipo N

Se presenta un fenmeno de DIFUSIN de portadores de mayor
concentracin hacia la regin de menor concentracin
Algunos electrones de la regin N cruzan la frontera
Algunos huecos de la regin P se desplazan hacia N
Originalmente las regiones P y N, eran elctricamente neutras
Las recombinaciones electrn hueco generan en la vecindad zonas
ionizadas o de deplexin.
Aceptores ionizados en la regin P
Donadores ionizados en la regin N

Existe una acumulacin neta de carga en la unin

La Unin PN

Material tipo p
+
+
+
+
+
-

+
+
+
+
+
-

+
+
+
+
+
-

+
+
+
+
+
-

+
+
+
+
+
-

Al llevarse a cabo la unin de

los dos tipos de material,
siguiendo una tcnica
determinada.

-+
-+
-+
-+
-+
+
-

Material tipo n
+
+
+
+
+
+
-

Los huecos del material tipo p

y los electrones del material
tipo n, cercanos a la unin se
recombinan en parejas.......

La Unin PN

Material tipo p
+
+
+
+
+
-

+
+
+
+
+
-

+
+
+
+
+
-

+
+
+
+
+
-

+
+
+
+
+
-

Debido a esto, en esta

zona no puede haber
portadores de energa,
ni negativos ni positivos.

Material tipo n

+
-+
-+
-+
-+
+

+
+
+
+
+
-

A esta zona se le
denomina regin de
agotamiento o de
empobrecimiento.

La Unin PN
Regin - p

Regin - n

Densidad de
Carga

Distribucin
de Cargas

Potencial
Electrosttico

Barrera de
Potencial

Vj

Debido a la carga acumulada en la unin

p-n, aparece una diferencia de potencial
Se denomina Regin de Carga Espacial
o de Transicin
La barrera de potencia constituye un
obstculo que deben superar los huecos
de la regin p
Una barrera similar se establece para los
electrones de la regin n

La Unin PN

Regin de
Transicin

La regin p ha perdido huecos y ganado

electrones de alta energa, luego no es
elctricamente neutro

El diagrama de energa del electrn se desplaza

ligeramente hacia arriba respecto de la regin n.

La cantidad de energa desplazada es igual a

qVj

Un electrn de n se mover hacia p, si se le

inyecta la energa suficiente para sobrepasar la
barrera de potencial.

Los portadores minoritarios, debido a la

agitacin trmica deslizan fcilmente por la
barrera de potencial.

Energa

Tipo - p

Tipo - n

La Unin PN
p

Energa

Corriente de ede fuga

Polarizacin Inversa Unin PN

Corriente de h+
de fuga
Tipo - p

Tipo - n

Es mucho ms difcil superar la barrera de

potencial para los electrones de n
La corriente circulante proviene de los
portadores minoritarios: Corriente Inversa
Es prcticamente independiente del potencial
aplicado, mientras no exceda el Potencial Zner
A partir del potencial Zner la corriente aumenta
rpidamente

Polarizacin Inversa del Diodo

Integrando al diodo en un circuito elctrico simple, formado por una fuente de voltaje de
CD, una lmpara de CD y un diodo semiconductor, complementado por un interruptor.

nodo

+
+
+
+
+
-

+
+
+
+
+
-

+
+
+
+
+
-

+
+
+
+
+
-

lmpara

+
+
+
+
+
-

V
-

- - - - - - - - - - +++

interruptor

Ctodo

Polarizacin Inversa del Diodo

Al cerrar el interruptor suceder lo siguiente: Los electrones libres del material tipo n son atrados
por el polo positivo de la fuente; alejndolos de la unin del diodo. Mientras que los electrones
emanados del negativo de la fuente ocupan los huecos disponibles en el material tipo p. Deja de
haber huecos en las vecindades de la unin del diodo.

nodo

+++++
+++++
+++++
+++++
+++++
- -- --

lmpara

- - - - - -- - - - - - - Ctodo
- - - - - -- - - - - -- - - - - -+++++

V
-

interruptor

Polarizacin Inversa del Diodo

Como resultado, la zona de empobrecimiento se ensancha, aumentando su barrera de energa,

dado que cada vez hay menos portadores en esa zona. Finalmente, los portadores mayoritarios
del material tipo n (electrones) no pueden cruzar la gran barrera de energa que hay ahora en la
unin del diodo.

nodo

+
+
+
+
+
-

+
+
+
+
+
-

+
+
+
+
++
- - -

lmpara

-- - - -- - - -- - - -- - - -- - - +++++

interruptor

Ctodo

Polarizacin Inversa del Diodo

Y los electrones emanados del polo negativo de la fuente de alimentacin se alojarn en los
huecos disponibles y no podrn cruzar tampoco la barrera de energa. Si se aumenta el voltaje en
la fuente, crecer an ms la zona de empobrecimiento. No hay flujo de cargas, no hay corriente.

nodo

+
+
+
+
+
-

++
++
++
++
+++
- - - -

lmpara

V
-

LA LMPARA NO
ENCIENDE

-- - - -- - - -- - - -- - - -- - - +++++

interruptor

Ctodo

La Unin PN

Polarizacin Directa Unin PN

Energa

La polarizacin directa facilita el movimiento de

cargas mayoritarias a travs de la unin PN

La barrera de potencial se reduce si se aumenta

el voltaje y aumenta la corriente circulante de
portadores mayoritarios

La corriente inversa persiste pero es

despreciable.

Corriente eSentido Directo

Corriente de h+
Sentido directo
Tipo - p

Tipo - n

Polarizacin directa del Diodo

Consiste en aplicar un voltaje externo al diodo, de manera que el positivo de la fuente va

al nodo y el negativo de la fuente se conecta al ctodo.

nodo

+
+
+
+
+
+

+
+
+
+
+
+

+
+
+
+
+
+

+
+
+
+
+
+

+
+
+
+
+
+

--

- Ctodo
-

Polarizacin directa del Diodo

Los electrones libres del material tipo n son atrados por el

polo positivo de la fuente; acercndolos a la unin del diodo.

nodo

lmpara

+
+
+
+
+
+

+
+
+
+
+
+

+
+
+
+
+
+

+
+
+
+
+
+

+
+
+
+
+
+

--

Ctodo

Polarizacin directa del Diodo

La zona de empobrecimiento se reduce, y por consecuencia, tambin se reduce la barrera de

energa que se opone al flujo de los portadores de carga.

nodo

lmpara

+
+
+
+
+
+

+
+
+
+
+
+

+
+
+
+
+
+

+
+
+
+
+
+

+
+
+
+
+
+

--

Ctodo

Polarizacin directa del Diodo

Se dan las condiciones para que los electrones del material tipo n puedan cruzar la barrera de
energa en la unin y recombinarse con los huecos del material tipo p.

nodo

lmpara

+
+
+
+
+
+

+
+
+
+
+
+

+
+
+
+
+
+

+
+
+
+
+
+

+
+
+
+
+
+

--

Ctodo

La Unin PN

Corriente
Directa

Ruptura
1kV

Corriente
Inversa

1.0 V

I:
Is :
q:
V:
T:
K:

Corriente de la unin en amperios

Corriente inversa de saturacin
Carga elctrica del electrn
Diferencia de potencial de la unin en voltios
Temperatura absoluta en grados Kelvin
Constante de Boltzman, 1,38 x 10-23 Joule/K

Diodo Semiconductor

nodo

ctodo

unin
Se construyen de materiales semiconductores como el silicio y el germanio

El terminal llamado nodo corresponde al material tipo p, se identifica

como la terminal positiva; mientras que el ctodo o material tipo n y se
identifica como la terminal negativa.

Diodo Semiconductor

ID

Sentido convencional
de la corriente

Dispositivo de dos terminales, que, idealmente, se comporta como un interruptor que slo
permite en flujo de corriente en una sola direccin

Polarizacin directa

Polarizacin inversa

Preguntas?

CAP1. SEMICONDUCTORES
MATERIALES PARA LA SIGUIENTE CLASE
Protoboard
Batera
Conector de Batera
LED
Diodo IN4003
Potencimetro

Resistencias valores variados