Ejercicios resueltos de tecnologa electronica.

Boletn 4. Transistores unipolares.

7 de agosto de 2008
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Jun-94. En el circuito de la figura determinar:

a) Valor de Vb para el cual comienza a conducir Q2 .
b) Valor de Vb para el cual ID es maxima.
c) Valores de VDS en ambos casos.
VDD = 10V
2K
40K

RD = 100

Q1

Vb
1K

Q2

Datos del BJT: = 50; VBE = 0,7V ; V = 0,5V ; VBESAT = 0,8V ; VCESAT = 0,2V
Datos del MOSFET: k = 0,5mA/V ; VT = 3V
Soluci
on:
a) VB para que Q2 empiezce a conducir.
Q2 ON VGS = VT = 3V
10 3
= 3,5mA
2
3,5
IC
=
= 0,07mA
IB =

50

IC =

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IB + I1

IB
VCE = 3V

Vb
0,7V
I1

I1 =

0,7V
= 0,7mA
1K

IB + I1 = 0,7 + 0,07 = 0,77mA

VB = 0,7 + 0,77 40 = 31,5V
b) Valor de VB para ID maxima.
IDmax VGS = max Q1 = OF F VGS = VDD = 10V
VBE = V = 0,5V
IB = 0
Vb
0,5V
I1

I1 =

0,5
= 0,5mA
1

IB = 0
VB = 0,5 + 0,5 40 = 20,5V
c) Valores de VDS en ambos casos.
I) Q2 = OF F VDS = VDD = 10V
II) ID = k(VGS VT )2 = 0,5(10 3)2 = 24,5mA
VDS = 10 24,5 0,1 = 7,55V
VGS VT = 10 3 = 7 SAT
Feb-94. Obtener los puntos de trabajo para los transistores BJT y FET del circuito de la
figura:
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I1

RD = 470
IB
RC = 100

RS = 100

Datos: IDSS = 4mA, VP = +2V , = 100, VBE = 0,7V .




 VGS  2
 , IB << I1 .

Nota: ID = IDSS 1 
VP 
Soluci
on:
RD = 470
0,8

I1

VEC

IB
S

RC = 100

VGS
I2

I1 =

IC
RS = 100

VEB
= 1,49mA
0,470

IB << I1 ID I1


VGS = V 1
I2 =

ID
IDSS

"

= 2 1

1,49
= 0,78V
4

0,78
= 7,8mA
0,1

I2 = ID + IC IC = I2 ID = 7,8 1,49 = 6,31mA

VEC = 6 6,31 0,1 + VGS = 4,59V = VCE VCE = 4,59V
VDS = (6 0,7) + VGS = 4,52V > (VGS VP ) = 0,78 + 2
Notese que VGS = VS .

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