14.1 Describa el modelo clasico para la conducci6n eléctrica en metales. 14.2 Distinga entre a) nticleos de iones positivos y 6) electrones de valencia en una red cristalina metalica tal como el sodio. 14.3 Escriba ecuaciones para las formas a) macroscépica y b) microscépica de la ley de Ohm. Defina los simbolos en cada una de las ecuaciones e indique sus unidades del SI. 14.4 {Como se relacionan numéricamente la conductividad eléctrica con la resistividad eléctrica? 14.5 Indique dos tipos de unidades del SI para la conductividad eléctrica. 14.6 Calcule la resistencia de una barra de hierro de 0.720 cm de diametro y 0.850 m de largo a 20€. [ pe (20T) = 10.0 x 10-0 - cm] *14.7 Un alambre de nicromio debe tener una resistencia de 120 Q. {Qué longitud debe tener (en metros) si tiene un didmetro de 0.0015 pulgadas? [a4 (nicromio) = 9.3 x10° (@ my") 14.8 Un alambre de 0.40 cm de diametro debe conducir una corriente de 25 A. a) Sila maxima disipacién de potencia a lo largo del alambre es 0.025 Wicm, .cual es la conductividad eléctrica minima permisible del alambre (indique la respuesta en unidades del SI)? b) {Cual es la densidad de corriente en el alambre? 14.9 Un alambre de hierro conducira una corriente de 6.5 A con una caida de voltaje maxima de 0.005 Vicm. Cual debe ser el diametro minimo de! alambre en metros a 20T? 14.10 Defina las siguientes cantidades relativas al flujo de electrones en un conductor metalico: a) velocidad de arrastre; b) tiempo de relajacién; y c) movilidad de electrones 14.11 {Cual es la causa de que la resistividad eléctrica de un metal aumente cuando se incrementa su temperatura? ¢Qué es un fonén? 14.12 {Qué defectos estructurales contribuyen al componente residual de la resistividad eléctrica de un metal puro? 14.13 {Qué efectos tienen los elementos que forman las soluciones sdlidas en las resistividades eléctricas de metales puros? *14.14Calcule la resistividad eléctrica (en ohm-metros) de un alambre de plata de 15 m de largo y 0.030 m de diémetro a 160. [pe (Fe a 0T) = 9.0 x 10° Q- cm] *14.15 ZA qué temperatura un alambre de hierro tendra la misma resistividad eléctrica que uno de aluminio a 35°C?14.16 A qué temperatura la resistividad eléctrica de un alambre de hierro sera 25.0 x 10° Q-m? 14.17 Por qué los niveles de energia de los electrones de valencia se amplian en bandas en un bloque sélido de un buen metal conductor como el sodio? 14.18 Por qué los niveles de energia de los electrones del nuicleo interior de un bloque de metal de sodio no forman tambien bandas de energia? 14.19 {Por qué la banda de energia de los electrones 3s en un bloque de sodio sdlo esta medio llena? 14.20 .Cual es la explicacién que se da para la buena conductividad eléctrica del magnesio y del aluminio aun cuando estos metales tienen llenas sus bandas de energia 3s exteriores? 14.21 {Cémo explica el modelo de bandas de energia la pobre conductividad eléctrica de Un aislador como el diamante puro? 14.22 Defina un semiconductor intrinseco. Cuales son los dos elementos semiconductores mas importantes? 14.23 {Qué tipo de enlace tiene la estructura ctibica del diamante? Realice un dibujo bidimensional del enlace en la red de silicio y demuestre cémo los pares electrén-hueco se producen en presencia de un campo aplicado. 14.24 {Por qué se dice que un hueco es una particula imaginaria? Utilice un dibujo para mostrar cémo los huecos de electrones pueden moverse en una red cristalina de silicio. 14.25 Defina la movilidad de electrones y de huecos de electrones como si correspondiera al movimiento de carga en una red de silicio. ,Cémo se miden estas cantidades y cuales son sus unidades del SI? 14,26 Explique, utilizando un diagrama de bandas de energia, como los electrones y los. huecos de electrones se crean en pares en silicio intrinseco. 14.27 {Cual es el cociente de la movilidad del electrén-hueco en el silicio y el germanio? 14.28 Calcule el numero de atomos de germanio por metro cubico. *44.29 Calcule la resistividad eléctrica del germanio a 300 K. 14.30 Explique por qué la conductividad eléctrica del silicio y el germanio intrinseco aumenta con el incremento de temperatura. 14.31 La resistividad eléctrica del germanio puro es 0.46 - ma 300 K. Calcule su conductividad eléctrica a 425.*414.32 La resistividad eléctrica del silicio puro es 2.33. 10° Q - ma 300K. Calcule su conductividad eléctrica a 325°C. 14.33 Defina semiconductores de silicio extrinsecos de tipo n y de tipo p 14.34 Dibuje dos redes bidimensionales de silicio del siguiente tipo: a) red de tipo n con un atomo de impurezas de arsénico presente. b) red de tipo p con un atomo de impureza de boro presente. 44.35 Dibuje diagramas de bandas de energia que muestren los niveles de donador o aceptor para lo siguiente: a) silicio tipo n con atomos de impurezas de fésforo. b) silicio tipo p con atomos de impurezas de boro. 14.36 a) Cuando un atomo de fésforo se ioniza en una red de silicio tipo n, ¢qué carga adquiere el atomo ionizado? b) Cuando un atomo de boro se ioniza en una red de silicio tipo p, .qué carga adquiere el atomo ionizado? 14.37 {Qué son los imputificadores en los semiconductores? Explique el proceso de imputificacién mediante difusion 14,38 {Cuadles son los portadores mayoritarios y minoritarios en un semiconductor de silicio tipo n? ZEn uno tipo p? *44,39 Una oblea de silicio se impurifica con 7.0 x 102’ atomos de fésforo/m®. Calcule a) las concentraciones de electrones y huecos después de la impurificacion y b) la resistividad eléctrica resultante a 300 K. [Suponga n; = 1.5 x 10° /m? y pi, = 0.1350 m@(V-s)] 14.40 Se afiade fosforo para hacer un semiconductor de silicio tipo n con una conductividad eléctrica de 250 Q- m™. Calcule el nimero necesario de portadores de carga que se requieren 14.41 Un semiconductor se elabora agregando boro a silicio para producir una resistividad eléctrica de 1.90 Q - m. Calcule la concentracién de portadores por metro clibico en el material. [Suponga fp = 0.048 m? (V - s)] 14.42 Una oblea de silicio se impurifica con 2.50 x 10'° atomos de boro/cm? mas 1.60 x 10"° atomos de fésforo/em® a 27. Calcule a) las concentraciones de electrones y huecos (portadores por centimetro cilbico), b) las movilidades de electrones y huecos (recurra a la fiqura 14.26) y c) la resistividad eléctrica del material.14.43 Una oblea de silicio se impurifica con 2.50 101 atomos de fésforo/cm®, 3.00 x 10'7 Atomos de boro/em? y 3.00 x 10"7 dtomos de arsénico/cm®. Calcule a) las concentraciones de electrones y huecos (portadores por centimetro cubico), b) las movilidades de electrones y huecos (recurra a la figura 14.26) y c) la resistividad eléctrica del material. *14.44 Una oblea de silicio impurificada con arsénico tiene una resistividad eléctrica de 7.50 x 10™ Q - cma 27°C. Suponga movilidades de portador intrinseca s e ionizacion completa. a) {Cuadl es la concentracién de portadores mayoritarios (portadores por centimetro cuibico)? b) {Cua es la proporcién entre los atomos de arsénico y los de silicio en este material? 14.45 Una oblea de silicio impurificada con boro tiene una resistividad eléctrica de 5.00 x 1074 Q- cma 27. Suponga movilidades de portador intrinseca s y ionizacion completa. a) {Cudl es la concentracién de portadores mayoritarios (portadores por centimetro cubico)? b) {Cual es la proporcién entre los dtomos de boro y los de silicio en este material? 14.46 Describa el origen de las tres etapas que aparecen en la grafica de In o versus 1/T para un semiconductor de silicio extrinseco (que va de bajas a altas temperaturas). éPor qué disminuye la conductividad justo antes del rapido aumento debido a la conductividad intrinseca? 14.47 Defina el termino microprocesador. 14.48 Describa el movimiento de portadores mayoritarios en un diodo de unién pn en equilibrio. {Qué es la regién de agotamiento de una union pn? 14.49 Describa el movimiento de portadores mayoritarios y minoritarios en un diodo de unién pn bajo polarizacién inversa. 14.50 Describa el movimiento de los portadores mayoritarios en un diodo de unién pn bajo polarizacién directa 14.51 Describa como un diodo de unién pn puede funcionar como un rectificador de corriente.